Никель ионная бомбардировка

При разрезании монокристалла точность ориентации поверхности редко составляет 0,5°, а чаще отклонение еще больше. Практически поверхность содержит участки с несколько отличающейся ориентацией, в том числе, несомненно, участки с нулевым отклонением от номинальной ориентации. Поэтому можно ожидать, что в процессе очистки ионной бомбардировкой и отжига низкоиндексной грани, полученной разрезанием кристалла, наряду с гранями номинальной ориентации, по-видимому, образуются микрограни с более высоким индексом или в лучшем случае с изменяющейся концентрацией ступенек. Например, исследование фотоэлектрической работы выхода показало, что отдельные грани никеля, приготовленные разрезанием монокристалла с точностью 1° и подвергнутые бомбардировке и отжигу до получения оптимальных картин ДМЭ, содержат плоскости с номинальным индексом в следующих количествах (111)—90%, (100) —95%, (110) —95% [30]. Отсюда следует, что метод ДМЭ не особенно чувствителен для выявления поверхностных дефектов, и это согласуется с выводами, сделанными нри рассмотрении когерентной ширины электронного пучка [31]. [c.127]

Удаление загрязнений посредством бомбардировки ионами инертных газов (обычно аргона) с последующим прогревом [1]. Этот метод пригоден для любых моно- и поликристаллических веществ и, как было найдено, эффективен как в случае веществ с низкой точкой плавления (ниже 600°), так и для более тугоплавких материалов. Обнаружено также, что он является действенным средством удаления монослоя углерода с кристаллов никеля и кремния. Поскольку при ионной бомбардировке возникают дефекты решетки, условия бомбардировки и последующего прогрева имеют большое [c.319]

После прогрева активность катализаторов падала неодинаково. Критическая температура, ниже которой прогрев в течение 5 мин не оказывал никакого влияния, колебалась приблизительно от 500° для 21,4%-ного медного сплава до 300° для 60,5- и 95%-ного сплавов. Для чистого никеля критическая температура не была обнаружена. Эти результаты были истолкованы как доказательство того, что дефекты, которые возникают при бомбардировке атомов меди, являющихся ближайшими соседями атомов никеля, вызывают повышение каталитической активности. Это может иметь место в том случае, если после преимущественного удаления с поверхности атомов меди остающиеся атомы никеля находятся в более беспорядочном состоянии, чем на поверхности чистого никеля, подвергнутого такой же ионной бомбардировке, в силу различия кристаллических решеток сплава и чистого никеля. [c.348]

Снятие слоев ионной бомбардировкой может быть использовано при анализе распределения элементов в области вещества, примыкающей к поверхности, или в тонких пленках. Пример такого анализа приведен на рис. 23.7 для пленки сплава нихром, полученной конденсацией из пара на подогретую кремниевую подложку (толщина пленки 25 нм). Кроме неоднородного распределения основных компонентов сплава никеля и хрома, обращает на себя вни- [c.577]

Электроды, имеющие отрицательное напряжение по отношению к плазме дугового разряда, подвергаются ионной бомбардировке, в результате чего в области, окружающей электрод, образуются атомные пары, которые возбуждаются в плазме дугового разряда, что и создает опектр излучения. Расстояния между электродами составляют 25—30 мм, что обеспечивает отсутствие попадания продукто(в распыления одного электрода на другой. Стержни 5, 7 могут быть изготовлены из чистых металлов, например, железа и меди, и в этом случае лампы излучают либо спектр меди, либо спектр железа, в зависимости от того, к какому электроду подано отрицательное напряжение. В случае изготовления электродов из сплавов, излучаются одновременно спектры, соответствующие составу этого сплава. Например, в случае стержня, изготовленного из латуни, излучаются одновременно спектры меди и цинка. Общий вид лампы, излучающей спектры железа, никеля, кобальта, меди и цинка, показан на рис. 4. [c.523]

ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННОГО ЗАКАЛИВАНИЯ, ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ И ОТЖИГА НА КАТАЛИТИЧЕСКУЮ АКТИВНОСТЬ ПОВЕРХНОСТЕЙ ЧИСТОГО НИКЕЛЯ И ПЛАТИНЫ. [c.144]

Бомбардировка ионами аргона проводится при низких значениях параметров, для того чтобы уменьшить толщину слоя с нарушенной структурой. Для этой цели достаточен разряд в течение нескольких минут при напряжении постоянного тока 250 в и силе тока 100 ца. Так как применяемое давление аргона равно нескольким микронам, то для поддержания разряда нужно использовать небольшую индукционную катушку, расположенную вблизи разрядной трубки (но не в контакте с ней), либо ионизирующий электронный ток внутри трубки. В процессе бомбардировки аргон внедряется в поверхность образца. Непродолжительный отжиг образца в течение нескольких минут при 500° достаточен для удаления аргона и восстановления решетки кристалла. Чтобы получить поверхности, которые после проверки методом дифракции электронов с низкими энергиями можно было бы считать почти атомно чистыми, необходимо многократно повторять попеременную тепловую обработку и бомбардировку ионами. Фотографии, сделанные с увеличением в 800 раз, указывают на то, что ионная бомбардировка в применяемых условиях уменьшает шереховатость грани (100) монокристаллов никеля и германия. Снятая при использовании электронов с низкой энергией электронограмма грани (100) кристалла никеля, предварительно подвергнутого ионной бомбардировке и отжигу, показывает, что полученная поверхность протравлена параллельно грани (100), и, следовательно, в пределах точности измерений (около 5%) можно считать, что никаких других граней не имеется. [c.147]

Следует отметить, что активность никеля и платины после радиационной закалки и бомбардировки ионами (см, строки 1 и 3 таблицы) значительно превышает соответствующие активности этих металлов после отжига (см, строки 2 и 4), В случае никеля активность после бомбардировки иона.ми намного больше, чем после радиационной закалки если отжиг проводится после бомбардировки (см, строку 4), то активность будет меньше, чем при проведении отжига после тепловой обработки и закалки (см, строку 2), Однако если обработку, указанную в строке 2, проводят после ионной бомбардировки (см. строку 5), то активность сравнима с активностью, приведенной в строке [c.148]

В данной работе показано, что, если никель подвергнуть бомбардировке, дефекты в какой-то форме все еще существуют после 140-часового отжига при комнатной температуре. Обнаруженная методом дифракции медленных электронов нарушенная структура поверхности, подвергнутой ионной бомбардировке, и наличие аргона в этой структуре (см. выше) указывают на то, что дефекты, полученные в этой работе при бомбардировке, не являются простыми дефектами. Этим нарушением структуры можно объяснить тот факт, что поверхность, подвергнутая бомбардировке, более стабильна, чем поверхность, полученная при [c.150]

Влияние радиационного закаливания, ионной бомбардировки и отжига на каталитическую активность поверхностей чистого никеля и платины. Гидрирование этилена (продолжение). Дейтеро-водородный обмен. [c.212]

Рис. 3. Спектр запаздывающих протонов при бомбардировке никеля ионами Ке ". Толщина А1-диска 50 мк, рабочего слоя 31-детектора 200 мк. При определении энергии группы протонов с энергией 5 Мзв учтено поглощение в веществе между диском и кремниевыми детекторами, а также поглощение в самом диске за счет вбивания ядер а) Р- и 7-фон заштрихован б) р- и 7-спектр вычтен. Рисунок взят из работ [36, 37].

Продукт бомбардировки никеля ионами Ме и О . Это тяжелый излучатель, полученный в Дубне [36, 37] Г1 = 23 4 сек. Энергия [c.553]

Активность никеля и платины в реакции гидрогенизации этилена наблюдали после обработки поверхности различными способами бомбардировкой ионами аргона, охлаждением за счет лучеиспускания после кратковременного нагревания (закалка) и длительным прогревом [38]. Активность поверхности, подвергнутой [c.345]

Опыты по гидрогенизации этилена на медно-никелевых катализаторах, каждый из которых имел площадь 3,5 см , показали, что активность катализатора зависит от ионного тока, применявшегося при очистке поверхности бомбардировкой попами аргона [42]. Активность сплавов увеличивалась с ростом ионного тока, проходила через максимум и затем, при дальнейшем увеличении тока, падала. Применяли постоянное напряжение 500 в время бомбардировки составляло 10 мин. Максимум активности наблюдался при токах 120—200 мка. На чистом никеле максимум отсутствовал. Сплав, содержащий 60,5 вес.% меди, при токе бомбардировки 160 мка был в 16 раз активнее, чем чистый никель. Сплав с максимальной активностью содержит, вероятно, от 60 до 80% меди. [c.348]

Большинство металлов, за исключением меди, требуют более жесткого теплового воздействия для удаления газа, который может выделяться во время проведения эксперимента. С нагретого вольфрамового катода удаляется газ по объему (измеренному при атмосферном давлении), в 10 раг превышающему объем катода 1556] большая часть этого газа представлена окисью углерода и водородом. Эти же вещества в большом количестве выделяются при нагревании никеля и стали выше 1000°. Если такие металлы будут обезгаживаться при нагревании лишь до температуры, применяемой для стеклянных частей прибора, то из них будут выделяться указанные выше газы при бомбардировке электронным или ионным пучком, хотя эта бомбардировка не приводит к сильному повышению температуры. Особенно много затруднений связано с выделением газа в ионизационной камере оно также имеет место в ионизационных вакуумных манометрах хорошо известно, что остаточный пик, соответствующий массе 28 (в основном СО" ), может быть уменьшен при выключении этих манометров. Пучок положительно заряженных ионов в масс-спектрометре может также вызвать обезгаживание поверхностей. Действительно, при использовании системы, отключенной от насосов (как это имеет место при анализе остаточных газов в вакуумной системе), ускоряющее напряжение должно включаться лишь на время проведения измерений, чтобы тем самым снизить количество газа, выделяемое действием пучка [1689]. [c.146]

Результаты, полученные для таких металлов, как вольфрам, никель и платина, показывают, что количество поглощенного газа увеличивается с увеличением энергии бомбардирующих ионов и становится эквивалентным покрытию монослоем всей поверхности при энергии ионов 5000 эв. Для удаления адсорбированного газа требуется температура порядка 700—800 К, следовательно, энергия связи адсорбированных молекул много больше, чем в случае простой физической адсорбции. Отмечается, что ионы могут вытеснять молекулы, адсорбированные ранее на поверхности, и занимать их место. Найдено также, что бомбардировка ионами способствует выделению примесей, таких, 1 ак калий и натрий, из металлических мишеней. Особенно это относится к вольфраму, где после бомбардировки ионами и последующего нагревания происходит быстрое выделение (вспышка) положительных ионов калия и натрия с поверхности мишени.. [c.534]

Эти результаты дают основание предположить, что высокая активность по отношению к реакции гидрирования после радиационной закалки или бомбардировки ионами аргона связана с присутствием поверхностных дефектов решетки, которые в значительной степени исчезают при последующем отжиге. Результаты, полученные с никелем, согласуются с принятой точкой зрения, согласно которой природа дефектов в этих двух случаях не одинакова. [c.144]

Для платины не было проведено столь детальных исследований, как для никеля, однако можно утверждать, что в отношении влияния отжига на платину, которое не так заметно выражено, как для никеля, справедливы в общем те же выводы. Активность после бомбардировки ионами почти такая же, как и после радиационной закалки. Это, возможно, связано с тем, что образец платины имел толщину только 0,1 мм, а никеля — [c.149]

Полупроводниковые стекла состава PbjoGeigSeei после облучения пучком ионов никеля и отжига при 100—220 °С обнаруживали появление электрически активных дефектов и соответствующих локальных состояний вблизи уровня Ферми. В полупроводнике возникает негомогенность в виде распределения простых дефектов и кластеров в объеме материала. Примеси переходных металлов, например никеля, имеющего незаполненный электронный -подуровень, даже при небольших концентра-Щ1ЯХ (приблизительно 0,2 ат. %) при ионной бомбардировке с интенсивностью 2-10 ион/см, приводят к возникновению значительных изменений в электронных транспортных свойствах полупроводника [447]. [c.312]

Вторая группа данных получена в результате исследований методом оже-спектроскопин поверхностного состава образцов сплава Ni— u в виде пластин (как moho-, так и поликристаллических) с содержанием никеля в объеме 16—17 ат.7о 120— 123]. Во всех случаях состав поверхности образца оказался идентичен его составу в объеме. Использование метода оже-спектроскопин для количественного анализа состава сплавов оказалось не слишком эффективным из-за трудности адекватной калибровки тем не менее нельзя не прийти к выводу, что в рассматриваемом случае разница между составом сплавов Б объеме и на поверхности не может быть очень существенной. Поэтому различие в результатах, полученных для пленок и для пластин, по-видимому, обусловлено неполным достижением равновесного состояния в последних. Трудность достижения равновесного состояния для пластин хорошо известна [122], и отсутствие его доказывается тем, что в условиях температуры и состава, соответствующих двухфазной структуре, фазы не выделяются, если, конечно, достигнуто истинное равновесие. Очевидно, равновесие устанавливается много легче на пленках, чем на толстых пластинах объясняется это как большей концентрацией дефектов в пленках, способствующих увеличению скорости взаимной диффузии компонентов, так и намного меньшим расстоянием диффузии в пленках. Кроме того, пластины очищали ионной бомбардировкой с последующим отжигом при температуре не менее 670 К, в то время как критическая температура выделения фаз составляет менее 570 К из-за быстрого охлаждения однофазная структура, полученная при температуре выше критической, оказалась замороженной. Таким образом, отсутствие фазового равновесия наблюдается параллельно с отсутствием равновесия поверхностного состава. Ясно, что состав поверхности сплавов Ni— u сильно зависит от формы образцов и условий их термической обработки. [c.158]

Вследствие низкой проникающей способности электронов интенсивность дифракционного рассеяния от решетки никеля при адсорбции кислорода на его поверхности уменьшается. Степень уменьшения рассеяния с увеличением экспозиции для Подвергнутых ионной бомбардировке поверхносгей почти не зависит от интенсивности прогрева. Однако различие в плотности дефектов приводит к тому, что дифракционное рассеяние от кристаллической решетки газа значительно сильнее на поверхности, подвергнутой незначительному прогреву, чем на хорошо прогретой поверхности. Если бы поглощение рассеяния ст никеля обусловливалось присутствием кристаллической решетки газа, то следовало бы ожидать большего поглощения на поверхностях, подвергнутых незначительному нагреванию. Так как это не имеет места, то поглощение следует приписать главным образом наличию на поверхности аморфной структуры, не зависящей от плотности дефектов. [c.333]

Новым методом непосредственного изучения адсорбированных фаз может явиться метод электронной микродифракции, Шлир и Фарнсворт 166а] показали, что чистая грань (100) монокристалла никеля, которую удалось получить с помощью ионной бомбардировки и откачки в очень высоком вакууме (10"мм рт, ст.), при давлении 2-10 мм рт. ст. адсорбирует монослой кислорода, в котором кислородные атомы образуют вполне упорядоченную решетку. [c.105]

Г. Фарнсворт (Н. Е. Farnsworth, Brown University) После того как наща работа (статья 46) была доложена, мы получили дополнительные результаты типа приведенных на рис. 1 статьи 46, но с различной степенью отжига после ионной бомбардировки. В случае наименьшего отжига, т. е. наибольшего числа дефектов, кривые как для хемосорбированного кислорода, так и для закиси никеля идут выше, чем в случае наиболее полного отжига. Подобным же образом, зависимость интенсивности дифракционных линий оксидного слоя от температуры закалки (температура, при которой высокотемпературный нагрев сменяется радиационным охлаждением) указывает на то, что интенсивность уменьщается с понижением температуры закалки. Эти результаты подтверждают концепцию хемосорбции на дефектах решетки и предположение о том, что остальная часть поверхности оказывается заполненной благодаря процессу поверхностной диффузии. Такая концепция, следовательно, требует изменения выводов, сделанных нами в предыдущей статье, относительно условий, необходимых для образования монослоя. По-видимому, аморфный второй адсорбированный слой и окис-ный слой начинают образовываться еще до завершения первого [c.555]

На рис. 3 и 4 даны два примера спектров запаздывающих протонов, полученных при бомбардировке никеля ионами Ме [36, 37] с энергией 130 Мэв и алюминия — протонами [34] с энергией ЪОМэв. Сводка предполагаемых схем распада ряда излучателей запаздывающих протонов представлена на рис. 5. В этих схемах используются данные известных таблиц [29, 46]. [c.545]

И на рис. 6, нанесены четыре кривые 2р = /( )> соотретствующие парциальным временам 2р-распада х =- 10 , 10 и 10 сек. Как и в случае протонной радиоактивности, область двупротонного распада по предсказаниям [24] значительно сдвинута в сторону более сильного нейтронного дефицита. Пока появилось лишь одно сообщение [71] об экспериментальной попытке поисков двупротонной радиоактивности — на примере ядра Ке дрд бомбардировке никеля ионами Ке с энергией 150 Мэв. Результат оказался отрицательным — либо Тх (Ке ) < 10" сек, либо [c.560]

В 1925 г. Тейлор [40] предположил, что на поверхности катализатора имеются активные центры — специфические образования, содержащие относительно небольшое число атомов металла с аномально низким координационным числом (числом ближайших соседей). Другим фактором, влияющим на структуру поверхности катализатора, является индекс кристаллографической грани. Несмотря на значительное количество экспериментальных исследований, картина остается недостаточно ясной, особенно в отношении активных центров Тейлора и роли поверхностных дефектов. Возникающие затруднения можно проиллюстрировать несколькими примерами. Шутер и Фарнсуорт [41], исследуя реакцию обмена Нг — D2 на кристаллах никеля, очищенных в сверхвысоком вакууме (СВВ), не обнаружили различия в активности подвергнутой бомбардировке ионами поверхности до и после термического отжига. По-видимому, достаточно уверенно можно заключить, что топография поверхности этой системы не влияет на протекание реакции. Однако Ухара и др. [42] нашли, что с увеличением продолжительности отжига никеля, подвергнутого холодной обработке, каталитическая активность в отношении орто — пара-превра-щения водорода уменьшается. Расхождение между результатами указанных работ, несомненно, связано с влиянием поверхностных примесей, которому Ухара и др. не уделили достаточного внимания. [c.35]

Этилен Этан Си (восстановленная) 0—250° С [49]. См. также [50, 51, 604] Си (восстановленная), после а-облучения 45° С [52] Си (I) смешанный никель-медный катализатор (63 ат. % Си) (II) по активности I значительно уступает П и Ni [53]. См. также [54—56] Си (I) сплав Ni—Си (>21,4%) (П), после бомбардировки ионами аргона 35—85° С, избыток С2Н4, пониженное давление. Активность 1 ниже активности II (г- в 70—100 раз) и Ni (—в 33 раза) [57] Си (пленка) на Ni (пленке) 0° С [58] Си на MgO 9-79° С [59, 60] [c.1222]

В некоторых случаях желательно отбирать одновременно два или более ионных пучка. Впервые это сделал Штраус [1960] при определении изотопного состава никеля. Он использовал искровой источник, в котором интенсивность ионного пучка сильно изменяется во времени. Благодаря одновременному отбору и измерению двух пучков, соответствующих различным изотопам, Штраусу удалось преодолеть эффект флуктуаций. Позднее двухколлекторные системы были испольвованы Ниром [1503] в сочетании с источниками с электронной бомбардировкой для определения распространенностей изотопов. Это применение описано в гл. 3. Схема коллекторной системы Нира приведена на рис. 95. Основное отличие ее от одноколлекторной системы состоит в том, что щель коллектора изолирована от земли, в результате чего она может выполнять функцию второго коллектора ионов перед комбинированной щелевой коллекторной пластиной помещают две широкие щели, которые подавляют электроны и определяют конфигурацию пучка. На схеме также показаны три заземленных защитных кольца, которые служат для того, чтобы помешать токам утечки достигать коллекторов. [c.209]

С использованием масс-спектрометра изучали [545] диссоциацию отрицательных молекулярных ионов, происходящую благодаря столкновениям с нейтральными атомами газа. Использовали спектр отрицательных ионов, образующийся при испарении металлической поверхности под воздействием бомбардирующих положительных ионов [972, 1408, 1609]. Отрицательные ионы железа, кобальта и никеля были получены при электронной бомбардировке паров их хлоридов [550]. Брэнскомб и соавторы [265, 266] рассмотрели воздействие фотонов на О" и экспериментально определили сечение и пороговое значение реакции [c.296]

Кристалл никеля был очищен откачкой, бомбардировкой ионами аргона и прокаливанием. При постепенном нагревании кристалла до 800° С в результате выделения СО наблюдалось увеличение давления до величины - 10 мм рт. ст. Через несколько дней было получено давление 5-10 мм рт. ст. при нагретом до этой температуры кристалле. Нагревание осуществлялось электронной бомбардировкой молибденового держателя кристалла. После этого кристалл бомбардировали ионами аргона и удаляли аргон откачкой до 10 мм рт. ст. диффузионным насосом и насосом Вак-Ион. Перекрывая металлический вентиль, Т1)убку ДМЭ отделяли от диффузионного насоса (рис. 5) и продолжали откачку насосом Вак-Ион в течение 30 мин до давления 10" мм рт. ст. Затем кристалл 10—30 мин прогревали при 400— 500° С. Во время нагревания приблизительно нри 200 °С начинал выделяться аргон, давление поднималось максимум до 10 ммрт. ст. [c.279]

Гораздо менее интенсивное испускание электронов получается при бомбардировке металлических поверхностей положительными ионами. Наиболее тщательные опыты показывают, что существует минимальная скорость положительных ионов, вызывающих вторичное испускание электронов, соответствующая напряжениям от 100 до 200 V. Эта минимальная скорость имеет почти вдвое большее значение для обезгаженной поверхности. Интенси15ность вторичной электронной эмиссии при бомбардировке положительными ионами достигает максимум до 10% силы бомбардирующего ионного тока при скоростях ионов, соответствующих напряжениям, близким к 1000 V. Так например, Джексон (Ja kson) нашел, что минимальный потенциал, необходимый для получения электронной эмиссии с хорошо обезгаженного алюминия, никеля и молибдена при бомбардировке ионами калия, равен соответственно 200, 300 и 600 V. В этом случае максимальная интенсивность вторичной эмиссии пр [c.73]

Бомбардировка мишеней производилась ионами Аг" с энергией 2,5 кэВ. Чтобы избежать накопления заряда на поверхности мишени, на металлическую подложку наносили очень тонкую пленку исследуемого вещества. Наилучшие результаты были получены при использовании подложек, изготовленных из серебра, меди и никеля. Пленку приготавливали путем высаж-дения вещества из водного раствора (концентрация раствора 10 мкг/мкл). При использовании достаточно интенсивного бомбардирующего пучка наблюдалось заметное изменение масс-спектра, что связано, по-видимому, с частичным разрушением молекул в месте удара бомбардирующей частицы и взаимодействием образующихся осколков, образованием новых химических соединений. Таким образом, в процессе бомбардировки доля испорченной поверхности увеличивается. В результате интенсивность масс-спектральных линий, характерных для исследуемого вещества, уменьшается, а интенсивность линий, характерных для облученных участков, возрастает. Авторы установили, что в случае аминокислот каждая бомбардирующая частица (Аг+ с энергией 2,5 кэВ) необратимым образом разрушает участок поверхности мишени размером 10- см . Нетрудно показать, что в процессе облучения доля неразрушенной поверхности мишени (S) будет изменяться по закону [c.194]

Не существует никаких общих правил, которые можно было бы рекомендовать для окончательной подготовки поверхности с гарантией, что будет обеспечена ее химическая чистота и достаточная гладкость. Каждую систему следует рассматривать отдельно и заботиться об удалении посторонних веществ, которые могут влиять на перестройку или активность поверхности, причем проводить очистку следует так, чтобы структура поверхности не изменялась. Вследствие перестройки поверхности многие каталитические реакции фактически сами создают для себя поверхность катализатора, и поэтому начальная гладкость поверхности не имеет такого существенного значения, как в случае окисления. Как показали ранее электронные микрофотографии [24] при увеличении 84 000 X, поверхность электрополиро-ванного кристалла меди получается на вид гладкой. Конечно, такие фотографии не могут служить доказательством отсутствия волнообразности поверхности или доказательством ее гладкости в атомном масштабе. Но, поскольку большинство каталитических реакций вызывает перестройку, такие поверхности достаточно гладки для целей подобных исследований, В результате перестройки поверхности с нее удаляются некоторые загрязнения путем простого покрытия их металлом. В некоторых реакциях, таких, как реакция водорода и этилена на никеле, поверхность катализатора не претерпевает заметной перестройки, и в этом случае требуется весьма тщательно удалять загрязнения с поверхности. Как указывалось выше, это осуществляется путем удаления металла бомбардировкой ионами водорода с последующим отжигом. [c.87]

Различие в стабильности поверхностей, подвергнутых бомбардировке ионами и закалке, согласуется с той точкой зрения, что дефекты, полученные в этих двух случаях, имеют различную природу. Вероятно, при закалке возникают скорее вакантные узлы в решетке, а не междоузлия. Маркс, Купер и Гендерсон [8], работая с Си, А , Ли, N1 и Та, подвергнутыми бомбардировке дейтронами, наблюдали низкотемпературный отжиг (около —100°) с энергией активации 0,2—0,3 эв. Это можно приписать подвижности атомов в междоузлиях, так как междо-узельные атомы в меди имеют энергию активации около 0,25 эв, согласно Хантингтону [9]. Далее наблюдалось, что второй процесс отжига имеет место при комнатной температуре с энергией активации около 1,0 эв. Возможно, что этот процесс представляет собой миграцию отдельных вакансий, так как, согласно расчетам Хантингтона и Зейтца [10], для него следует ожидать именно такую величину энергии активации. В никеле после отжига при комнатной температуре в течение 300 час. еще сохранялась значительная часть дефектов. Блевитт и Колтман [11] пришли к выводу, что в меди, подвергнутой облучению при комнатной температуре, существует очень мало простых дефектов, но имеются дефекты, локализованные на границах раздела зерен или у дислокаций внутри зерен. [c.150]

После обезгаживания кристалла никеля при температуре 800° в течение нескольких часов в соответствии с наблюдением, упомянутым выше, было обнаружено, что он покрыт двухразмерным гранецентрированным монослоем. Для того чтобы удалить этот поверхностный монослой, кристалл был подвергнут бомбардировке ионами аргона и отжигу. Последующие наблюдения дифракции указали на присутствие поверхностного монослоя, имеющего одноразмерный простой квадратный порядок расположения атомов, т. е. расположение было таким же, как и в гранецентрированрюй решетке никеля, но без атомов в центрах граней. Последующее нагревание при 800° в течение нескольких часов вызывает исчезновение этой структуры и появление двухразмерной гранецентрированной структуры. Дифракционная картина для обеих поверхностных структур становится все менее интенсивной и, наконец, совсем исчезает при продолжении нагревания и повторении циклов обработки, описанньих выше. Авторы считали, что полученная таким образом поверхность была совершенно чистой. Общее время нагревания составило около 400 час. при 800° и 5 час. при 1100°. Общая продолжительность бомбардировки была равна 3 час. Эти [c.493]

Группе Карнаухова в Дубне удалось обнаружить протонное излучение при бомбардировке внутренних мишеней из никеля (3 мк) и тантала ионами Ке с энергией около 130 Мэв. Продукты реакций собирались на расположенный позади мишени сборник — никелевую фольгу (2 мк). Детектор излучения также располагался внутри камеры циклотрона тяжелых ионов, причем регистрация активности производилась в промежутках между импульсами высокочастотного напряжения на дуантах, повторявшихся в течение 0,1 сек каждые 0,4 сек, и начиналась через 0,1 сек после снятия этого напряжения Задача регистрации запаздывающих протонов достаточно сложна — детектор должен обладать спектрометрическими качествами, давать возможность отделять протоны от других тяжелых частиц и определять их энергию на фоне в миллионы раз более интенсивного Р - и 7-излучения, и притом в сильном магнитном поле, при высоком уровне электромагнитных цомех. В качестве такого детектора в работах [11, 12] был выбран телескоп из двух (плоского и цилиндрического) пропорциональных счетчиков, который позволял одновременно измерять плотность ионизации йЕ1йх ж энергию частиц (Е) и тем самым различать протоны и а-частицы. Надежность такого различения была продемонстрирована в градуировочных опытах с а-источниками, а также в опытах с использованием алюминиевых поглотителей толщиной 40 мк, поглощавших а-частицы с энергией до 7,7 Мэв, но пропускавших протоны. Энергия регистрируемых при таких поглотителях протонов составляла 3—4,5 Мэв. В результате описанных опытов дубнинской группы было установлено [c.540]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология