Контраст рассеянии

Внешний свет, рассеянный аэрозолем, создает свечение яркость которого С накладывается на яркость предмета и фона В этих условиях контраст равен [c.141]

Рис. 10.2-2. Упругое рассеяние электронов фотография в отраженных электронах эвтектики сплава карбид хрома/железо, на которой видны микроструктуры вследствие контраста, зависящего от среднего атомного номера (темная часть — карбид хрома, светлая — железо).

Пример 5. Допустим, что коэффициент рассеяния слоя акварельной краски S = 4,0, а коэффициент поглощения К = 0,10. Требуется найти коэффициент контраста q.so = RJI om ничной толщины слоя (X = 1). [c.481]

С помощью оптических методов можно контролировать объекты из материалов, прозрачных и полупрозрачных для светового излучения. Если же материал объекта непрозрачен, у такого объекта можно проверять состояние внешних и внутренних поверхностей или размеров. В зависимости от свойств материала контролируемого объекта оптический контроль осуществляется в отраженном, прошедшем или рассеянном излучении, а в необходимых случаях и при комбинированном освещении. Параметры источников света (интенсивность, спектр, направление, поляризация и т. д.) выбирают исходя из конкретных условий, чтобы обеспечить максимальный контраст изображения. Во всех случаях желательно иметь в помещении общее освещение, создающее освещенность не менее 10% от используемого местного освещения. [c.223]

Метод фазового контраста применяют для наблюдения объектов или деталей, отличающихся от окружающей среды только показателем преломления. Фазы электромагнитных волн падающей и рассеянной на границе среды или неоднородности отличаются на л/2. Если добавить сдвиг фазы еще п/2, то незначительная разность фаз волн от объекта за счет перепада коэффициента преломления преобразуется в относительно большое приращение интенсивности вследствие интерференции падающего и рассеянного света. Необходимый дополнительный сдвиг фаз можно получить, помещая в задней фокальной плоскости объектива небольшую пластину, через которую будет проходить только прямой свет, а дифрагированным светом, прошедшим через нее, ввиду малости размеров можно пренебречь. [c.264]

Так, коэффициент передачи контраста протяженных элементов, площадь которых составляет 10 % от рабочего поля, для современных радиационных электронно-оптических преобразователей приближенно равен 0,8. Основными причинами снижения контраста протяженных элементов в этом случае являются отражение света внутри преобразователя и его рассеяние в выходном стекле. [c.89]

Если все же допустить наличие упорядоченных доменов в объеме аморфных полимеров размерами 100—120 А, концентрация которых составляет 50% (ЭМ данные), то, даже в предположении 20%-ной разницы в плотностях между этими областями и матрицей, не удается объяснить ни абсолютные значения I, ни вид угловой зависимости интенсивности рассеяния. Если же Ар принять очень малой, близкой к значениям, обусловленным тепловыми флуктуациями (что необходимо для обоснованных данных по МРР), то тогда невозможно объяснить высокий контраст ЭМ снимков. [c.28]

Молекулы газа находятся очень далеко друг от друга по сравнению с длиной волны используемых электронов, так что никакие дифракционные эффекты, связанные с межмолекулярными взаимодействиями, не должны наблюдаться дифракционную картину определяет исключительно относительное расположение атомов в каждой молекуле. Это положение сходно с тем, которое имеет место в методе порошка в рентгенографии. И в этом случае полностью беспорядочные ориентации отдельных молекул приводят к тому, что дифрагированные лучи образуют не один пучок, а конус. Обычно появляется только несколько таких конусов, и дифрактограмма состоит из ряда колец с различной интенсивностью (см. приложение, рис. 18). Интенсивности можно определять различными методами, учитывая, в частности, фоновое рассеяние. Последнее не зависит от строения молекулы и уменьшает контраст между одним из колец и следующим. [c.319]

В аморфных веществах рассеяние электронов происходит по закону поглощения, определяемого массовой толщиной pLX (ц, — коэффициент поглощения, х — длина рассеяния). Чем больше р.х, тем больше рассеяние, тем меньше освещена данная точка изображения объекта. Этот вид контраста возникает за счет различной массовой толщины. [c.226]

Наблюдаемый в электронном микроскопе контраст на дислокациях является результатом дифракции электронов [21]. Представим себе (рис. 10) тонкую пластинку, содержащую краевую дислокацию в Е. Пусть ориентация регулярно построенной части пластинки такова, что в ней приблизительно выполняется условие отражения Брэгга (это условие в тонкой пластинке заметно ослаблено). При прохождении через такой образец в результате дифракции падающий электронный пучок разделяется на пучок, прошедший прямо, и на ряд пучков, отклонившихся под разными углами. Предположим, что один из таких пучков значительно интенсивнее других, В этом случае мы имеем двухлучевой сигнал. Пусть в совершенной части пластинки интенсивность падающего пучка делится почти поровну между проходящим и рассеянным пучками, В местах дислокаций плоскости решетки отклоняются от идеальной ориентации. Допустим, что условия дифракции таковы, что решетка справа от дислокации имеет ориентацию, удовлетворяющую условию Брэгга. Тогда справа от дислокации интенсивность отклонившегося пучка больше, чем слева, где кристаллическая решетка повернута в противоположную сторону. [c.23]

В случае аморфного вещества контраст изображения связан с диффузным рассеянием электронов. Чем толще слой вещества, чем больше рассеивающая способность его атомов (порядковый номер элемента г) или его плотность, тем в большем диапазоне углов происходит [c.443]

Потери энергии электронов при прохождении через объект могут происходить по разным механизмам, описанным в гл. 19. Наиболее существенное влияние имеют характеристические потери энергии. При энергии плазмонов Д л 15-=-20 В с увеличением толщины объекта возрастает как доля электронов, потерявших часть энергии на возбуждение плазмонов, так и суммарные потери, обусловленные многократным рассеянием. В случае аморфных объектов разрешающая способность может лимитироваться именно хроматической аберрацией, определяемой через толщину объекта / по формуле б бхр (1/10) I. Для кристаллических объектов благодаря особому характеру рассеяния такой зависимости нет. Хотя те же процессы неупругого рассеяния происходят и при прохождении электронов через кристаллический объект, контраст в изображении за счет интерференции когерентно рассеянных электронов настолько велик, что вклад неупруго рассеянных электронов не так заметен. Однако неупругое рассеяние при изображениях очень толстых объектов все же сказывается как на контрасте, так и на разрешающей способности. [c.453]

Анализ выделяющихся в гетерогенных сплавах частиц и разных включений (в том числе газовых пузырей и пустот) в материалах, подвергнутых, например, старению, облучению, диффузионному отжигу. Во всех применениях дифракционной электронной микроскопии очень важно сопоставление картин дифракции с микрофотографиями. В картинах дифракции особый интерес представляют эффекты диффузного (или аномального) рассеяния, именно с ними могут быть связаны эффекты контраста на микрофотографиях рефлексы и другие особенности дифракционной картины сравнивают с элементами микроструктуры с помощью темнопольных фотографий. [c.480]

В анализе изображений ряда дефектов кристаллической решетки (дислокаций, дефектов упаковки) кинематическая теория рассеяния дает качественно правильную картину контраста, хотя многие эффекты (например, сложный вид изображения дислокационных линий, отсутствие взаимодополнения светло- и темнопольных изображений дефектов упаковки) требует [c.485]

ДЛЯ объяснения динамической теории рассеяния электронов. В анализе контраста включений кинематическая теория часто не объясняет даже качественно правильной характеристики контраста. [c.485]

В изложенной кинематической теории рассеяния амплитуда волны для каждой ячейки кристалла одинакова. В действительности, рассеяние в каждом слое кристалла должно уменьшать энергию прямого пучка. Этот эффект особенно велик в точном вульф-брэгговском положении кристалла, а именно в этом положении достигается обычно максимальный контраст изображения. В связи с этим важно оценить, при прохождении какого слоя вещества энергия первичного луча полностью перейдет в-энергию дифрагированного луча. Теория и эксперимент показывают, что для электронов с энергией 100 кэВ и отражений с малыми НК1, таких металлических кристаллов как железо, никель, медь, это наступает при тол- [c.485]

Магнитный контраст может быть двух типов контраст, обусловленный взаимодействием вторичных электронов с магнитными полями рассеяния возле поверхности объекта, и контраст, обусловленный взаимодействием высокоэнергетических электронов внутри объекта с его внутренним полем. Использование того или иного типа магнитного контраста зависит от типа магнитной структуры объекта (рис. 22.14). Контраст первого типа возможен только в случае магнитной структуры, показанной на рис. 22.14, а. [c.563]

Рис. 22.15. Схема возникновения магнитного контраста первого типа в результате взаимодействия вторичных электронов с полями рассеяния над поверхностью объекта

При известных обстоятельствах может быть интересным исследование в РЭМ металлографических шлифов после травления для выявления микроструктуры. Это применение РЭМ прежде всего обусловлено гораздо более высоким разрешением во вторичных электронах, чем разрешение светового микроскопа. Кроме того, интересна возможность создания контраста на различиях химического состава фаз (при использовании упруго-рассеянных электронов или характеристического рентгеновского излучения). [c.566]

В твердой фазе 5 оказывается большим. Цепи полностью ориентированы, как показано на фигуре. С другой стороны, в В-фазе 5 практически равно нулю. Это указывает на то, что цепи здесь находятся в неупорядоченном расплавленном состоянии. Это находится в резком контрасте с ароматическими частями молекул, которые остаются весьма упорядоченными по крайней мере локально, чем и обусловлены жесткость текстуры и соответствующее рассеяние рентгеновских лучей. Эти наблюдения приводят к локальной картине для В-фазы (молекулы с длинными концевыми цепями), показанной на стр. 337. [c.336]

Освещение для отсчета цветных пятен на структурированных изделиях должно быть рассеянным, чтобы глаз не уставал быстро от сильного контраста. На черных и темных изделиях свили часто нельзя обнаружить. Если же при этом использовать направленный свет, скопление пигментов становится видимым на поверхности в результате изменения блеска. [c.102]

Метод нейтронографии основан на эффекте рассеяния потока медленных нейтронов атомными ядрами вещества. Контраст появляется вследствие различия интенсивности рассеяния монохроматического потока нейтронов на ядрах различной массы, причем существенно, что в отличие от рентгеновских лучей и электронов поток нейтронов не несет электрического заряда и, следовательно, интенсивность их рассеяния определяется только массой ядра. Практически применение метода нейтронографии основывается на сравнении интенсивности рассеяния на ядрах водорода и дейтерия при исследовании системы, содержащей некоторое количество дейтерированных молекул в среде водородсодержащих цепей, или наоборот. Контраст в этом случае особенно велик из-за двукратного изменения рассеивающей массы. Источником потока нейтронов обычно являются ядерные реакторы. Длина волны потока зависит от энергии нейтронов области температур 20—100°С отвечают значения равные 1,6—1,8 А Используя холодные нейтроны, получают пучки с длинами волн до 10 А. [c.82]

Метод рентгеновской топографии дает возможность исследовать толстые и достаточно большие образцы. В этом методе используется брэгговское рентгеновское отражение, а дифракционный контраст получается из-за того, что локальная деформация решетки, связанная с дефектом, изменяет условия отражения и рассеяния рентгеновских лучей. Интенсивность дифрагированного рентгеновского пучка вблизи дефекта уменьшается, вследствие чего дефект виден как темная линия на общем светлом фоне (рис. 319). [c.357]

Отметим, что большинство существующих оптических методов имеет различную разрешающую способность в вертикальном и горизонтальном (тангенциальном) направлениях. В методе фазового контраста [98] вертикальная разрешающая способность определяется рядом факторов самой структурой ступеней, отражательной способностью кристалла, рассеянием света на кристалле или на объективе, апертурой и др. По оценке Форти [99], при наблюдении в отраженном свете металлических [c.32]

Трансмиссионная микроскопия реализуется с помощью трансмиссионных (просвечивающих) электронных микроскопов (ТЭМ рис. 1), в к-рых тонкопленочный объект просвечивается пучком ускоренных электронов с энергией 50-200 кэВ. Электроны, отклоненные атомами объекта на малые 5ТЛЫ и прошедшие сквозь него с небольшими энергетич. потерями, попадают в систему магн. линз, к-рые формируют на люминесцентном экране (и на фотопленке) светлопольное изображение внутр. структуры. При этом удается достичь разрешения порядка 0,1 нм, что соответствует увеличениям до 1,5 10 раз. Рассеянные электроны задерживаются диафрагмами, от диаметра к-рых в значит. степени зависит контраст изображения. При изучении сильно-рассеивающих объектов более информативны темнопольные изображения. [c.439]

Угловое распределение отраженных электронов зависит от наклона образца. При нормальном падении (6 = 0°) распределение подчиняется закону косинуса, в то время как при е>0° распределение становится более вытянутым в направлении прямого рассеяния, а максимум находится в плоскости пучка и нормали к поверхности. Направленность отражения при наклонных поверхностях образца создает траекторную компоненту топографического контраста в режиме отраженных элек" ронов. [c.143]

Подобные экономические соображения применимы и к краскам. Так же как и для бумаги, значительно дешевле достичь желаемой непрозрачности или кроющей способности добавлением сильно светопоглощающего вещества (например, сажи), нежели добавлением белого вещества с высокой кроющей способностью. Приобретая краски, близкие к белым, потребитель фактически платит за коэффициент рассеяния S. Предположим, две конкурирующие краски имеют различные значения Roo, которые чуть выше требуемого. При незначительных затратах Roo каждой краски может быть доведено до требуемого значения добавлением черного пигмента. В результате добавления черного пигмента уменьшится значение Rq и увеличится козффициент контраста R/Ro,sg в соот- [c.496]

В работе [273 приведены некоторые результаты расчетов по формулам Ми оптических характеристик для описанных моделей аэрозоля (коэффициенты ослабления, рассеяния и поглондения, индикатрисы яркости и поляризации и др.) в диапазоне длин волн 0,2—40 мкм. Отмечено удивительно малое различие спектрального хода экстинкции сельского и городского аэрозоля (зависимости коэффициентов рассеяния и поглощения от длины волны оказываются, однако, существенно различными). Рассмотрены примеры, иллюстрирующие влияние аэрозоля на спектральный ход ослабления радиации. Показано, например, что влияние аэрозоля на ослабление радиации на горизонтальной приземной трассе длиной 1 км при длине волны 10,591 мкм становится существенным лишь при дальности видимости меньше 10 км. Обсуждено влияние аэрозольного ослабления на передачу контрастов яркости. [c.153]

Как и любой другой метод препарирования, метод тонких срезов имеет свои преимущества и недостатки. Достоинством его является возможность непосредственно наблюдать структуру не только поверхностных, но и внутренних слоев препаратов, если последовательно изучать срезы различных по глубине участков. При этом удается различать детали структуры, размеры которых составляют не менее /ю толщины среза. Это давно установленное эмпирическое правило было теоретически объяснено Косслеттом [174], принявшим во внимание потерю энергии электронами, рассеянными в образце, и хроматическую аберрацию объективных линз. Автор указывает, что невысокое разрешение в этом случае объясняется недостаточным контрастом. [c.120]

В последнее время для изучения полимеров успешно применяют метод низковольтной электронной микроскопии [51]. Применение электронов низких энергий (до 2—ЮкэВ) по сравнению с обычными (60—100 кэВ) позволяет повысить контраст снимков в несколько раз. Поэтому, если на последних в обычном микроскопе периодичность нельзя было заметить (что, в общем, и естественно), то на низковольтных снимках уже можно было заметить эту периодичность и определить значение большого периода (100—200 А), которое совпадало с таковым, определенным по методу малоуглового рассеяния электронов. [c.104]

А и зависит от экстинкцион-ного расстояния (расстояния, на к-ром дифрагированная волна дважды отражается от данной системы атомных плоскостей). Изображение краевой дислокации в два раза шире изо-бр аження винтовой. Ширина изображения частиц второй фазы определяется отражением, к-рое его формирует, величиной частицы и степенью несоответствия решеток матрицы и выделения. Контраст на выделении возникает в результате различия структурных факторов частицы и матрицы, разной ориентации выделения и матрицы, а также в результате изменения фазы волн, прошедших выделение, взаимодействия волн, рассеянных матрицей и выделением, что приводит к появлению муарового [c.775]

Если объект или его отдельные участки имеют кристаллическую структуру, то кроме диффузного рассеяния на контраст изображения будет влиять еще и дифракционное рассеяние. В общем случае углы дифракции пре-выщают апертурный угол объектива, поэтому кристаллические участки в светлопольном изображении при прочих равных условиях кажутся более темными, чем аморфные (рис. 20.8). Если объект состоит из различных по структуре или различно ориентированных кристаллических участков, то в зависимости от ориентации объекта ио отнощению к электронному пучку или в зависимости от апертуры пучка яркость изображения этих участков может сильно измениться. Такие изменения контраста связаны с тем", что определенные участки объекта попадают в отражающее положение, при этом интенсивность луча нулевого максимума существенно уменьшается, а дифрагированный луч задерживается [c.444]

Светооптическая аналогия образования контраста вторичными электронами показана на рис. 22.8 как случай всестороннего освещения. Распределение яркости как в электронно-оптическом, так и в светооптическом изображениях определяется, в основном, наклоном соответствующего участка поверхности, что делает простым восприятие микроструктуры. Эмиссия вторичных электронов за счет многократных процессов рассеяния в объеме материала идет в той или иной мере от всех точек объекта, включая точки, находящиеся в глубинах сложного рельефа. В условиях бестеневого изображения чрезвычайно большой глубины фокуса и высокого разрешения, это дает богатую информацию о самом сложном рельефе поверхности объекта, который создается, например, при разрушении (фрактография), при воз- [c.556]

При использовании упругорассеянных электронов важно отделить эффекты, обусловленные рельефом, и эффекты, обусловленные зависимостью интенсивности рассеяния от атомного номера для химически сложного объекта. Для анализа изображения можно использовать твердотельные парные детекторы — полупроводниковые кристаллы, устанавливаемые симметрично относительно электронного зонда над образцом (см. рис. 22.10). Специальное суммирующее устройство позволяет отделить эффекты, обусловленные рельефом, от эффектов контраста, создаваемых различиями в химическом составе. [c.566]

При изучении динамики решётки сложных соединений методом неупругого рассеяния нейтронов использование изотопически обогащённых образцов с различным сечением рассеяния оказывается эффективным, а в некоторых случаях единственным способом восстановления парциальных спектров колебаний атомов в решётке. Здесь изотопы используются в качестве инструмента исследований. Элегантную теорию этого метода изотопического контраста разработал Ю.М. Каган [114]. Этот метод успешно применялся при исследовании фононного спектра высокотемпературных сверхпроводников и родственных соединений (изменялся изотопический состав меди) [115, 116], а также для ряда металлических стёкол [117-120]. [c.74]

Третья особенность связана с зависимостью сечения рассеяния от изотопного состава образца, что позволяет варьировать нейтронный контраст. Так, например, при рассеянии медленных нейтронов в растворах МН4С1, ЫН4МОз в Н2О квазиупругое рассеяние определяется в основном рассеянием на молекулах Н2О и поэтому несет информацию [c.334]

Это уравнение получено в предположении, что сканирование относительно объекта осуществляется только одним, входным торцом световода. Однако, как отмечал Капани, полученная зависимость не подтверждалась экспериментальными данными не наблюдался, как это следует из выражения, отрицательный контраст, т. е. ложное разрешение в виде обратного расположения ярких и темных полок миры, а измеренная функция рассеяния точки имела колоколообразную форму шириной, равной двум диаметрам волокна, а не форму диска диаметром, равным одному диаметру волокна, как предполагалось при выводе этого соотношения. [c.96]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология