Микроскоп контраст

Наблюдаемый в электронном микроскопе контраст на дислокациях является результатом дифракции электронов [21]. Представим себе (рис. 10) тонкую пластинку, содержащую краевую дислокацию в Е. Пусть ориентация регулярно построенной части пластинки такова, что в ней приблизительно выполняется условие отражения Брэгга (это условие в тонкой пластинке заметно ослаблено). При прохождении через такой образец в результате дифракции падающий электронный пучок разделяется на пучок, прошедший прямо, и на ряд пучков, отклонившихся под разными углами. Предположим, что один из таких пучков значительно интенсивнее других, В этом случае мы имеем двухлучевой сигнал. Пусть в совершенной части пластинки интенсивность падающего пучка делится почти поровну между проходящим и рассеянным пучками, В местах дислокаций плоскости решетки отклоняются от идеальной ориентации. Допустим, что условия дифракции таковы, что решетка справа от дислокации имеет ориентацию, удовлетворяющую условию Брэгга. Тогда справа от дислокации интенсивность отклонившегося пучка больше, чем слева, где кристаллическая решетка повернута в противоположную сторону. [c.23]

В отличие от обычного светового микроскопа, в котором контрасты изображения определяются различием показателей преломления разных частей объекта, в электронном микроскопе контрасты изображения зависят от плотности массы объекта. [c.110]

Электронный микроскоп в отличие от светового позволяет исследовать только неживые высушенные объекты, так как образец находится в условиях высокого вакуума и интенсивного электронного облучения. Принцип возникновения изображения в электронном микроскопе иной, чем в световом. Как уже отмечалось, в световом микроскопе контраст обусловлен избирательным поглощением света различных длин волн элементами структуры объекта (адсорбционный контраст) или изменением фазы световой волны при прохождении света через объект (фазовый контраст), тогда как в электронном микроскопе контраст вызван отклонением ускоренных электронов тяжелыми атомами, входящими в состав тонкопленочного объекта (или искусственно внесенными в него при химическом контрастировании). Такой контраст называют дифракционным. Абсорбционный контраст в электронном микроскопе — явление нежелательное (поглощение энергии электронов приводит к хроматической аберрации, а часто и к тепловому разрушению образца), и с ним приходится бороться, исследуя объект в виде ультратонких (30—100 нм) срезов и пленок. [c.96]

В случае флуоресцентного микроскопа контраст возрастает с увеличением интенсивности. [c.547]

Используется также метод оценки степени контактирования тел, основанный на наблюдении фазового контраста. Сущность его заключается в том, что при контактировании шероховатой поверхности с полированной пластиной, покрытой тончайшей серебряной пленкой, в местах контакта пленка и стекло незначительно деформируются. Пленку через стекло рассматривают в микроскоп и, применяя метод фазового контраста, фиксируют пятна и их размер. Недостатком этого метода является невозможность его применения к движущимся сопряженным поверхностям. [c.361]

Темнопольная микроскопия осуществляется, в темном поле микроскопа при косом освещении — эти приемы позволяют увеличить контраст изображения вследствие образования видимой тени (свет от излучателя падает на плоскость объекта под таким углом, что его зеркальное отражение не попадает в объектив и поле зрения выглядит темным). В темпом поле можно качественно отметить неровности (сту/тени, сколы и т. д.) на поверхности объекта высотой до 1 —1,5 нм. В темном поле повышается и разрешающая способность микроскопа. [c.122]

Принцип действия просвечивающего микроскопа основан на создании изображения электронным пучком, проходящим через объект. Контрастность изображения при данных условиях опыта зависит от свойств исследуемого вещества и толщины образца. Для полимерных материалов наилучший контраст обеспечивается эффективной толщиной 60—100 нм. [c.110]

Вследствие неодинаковой толщины реплики рассеивающая способность отдельных участков реплики различна, и на экране микроскопа появляется значительный контраст между областями тени и выступами рельефа поверхности. [c.114]

Несмотря на некоторую общность оптической схемы, условия формирования изображения в световом и электронном микроскопах принципиально различны. В световом микроскопе изображение получается, главным образом, вследствие различной поглощающей способности световых лучей отдельными элементами объекта. Многие препараты, особенно биологические, во всех своих частях одинаково прозрачны для видимого света, поэтому их наблюдение в микроскопе затруднено. Если предварительно избирательно окрасить объект, то он начинает поглощать больше света по сравнению с окружающим бесцветным фоном и становится ясно видимым. В электронном микроскопе объект не должен заметно поглощать электроны. Взаимодействие электронов с объектом должно носить характер упругих столкновений, т. е. энергия электронов при прохождении через объект не должна существенно изменяться. Формирование контраста изображения связано с разной степенью рассеивания электронов различными участками объекта. [c.171]

При подготовке монографии были опущены некоторые разделы предыдущего издания. В частности, были исключены главы Механизмы формирования контраста изображения и Ионно-ионный микроанализ по массам . Эти и некоторые другие темы будут освещены во втором томе с предположительным названием Специальные методы растровой электронной микроскопии и рентгеновского микроанализа , предназначенном уже для специалистов, освоивших вводный курс. [c.8]

Топографический контраст возникает за счет того, что отражение электронов и вторичная электронная эмиссия зависят от угла падения пучка на образец. Угол падения будет меняться из-за неровностей (топографии) образца, приводя к образованию контраста, связанного с физической формой объекта. Топографический контраст — это наиболее часто встречающийся контраст в растровой электронной микроскопии общего назначения. [c.143]

Предупреждения относительно использования фиксаторов в равной степени применимы к окрашиванию. В связи с опасностью экстракции содержащихся растворимых веществ и вероятности внесения тяжелых элементов, рентгеновские пики которых могут маскироваться или налагаться на излучение интересуемых элементов, по-видимому, лучше всего избегать окрашивания. Если контраст изображения образца неприемлемо мал, тогда надо идти на некоторый компромисс, объект должен исследоваться либо в просвечивающем растровом электронном микроскопе, который дает наиболее высококонтрастные изображения, либо в режиме вторичной электронной эмиссии, который дает удивительно хорошую информацию с тонких срезов. [c.286]

Для получения реплики полимерный материал разрушают таким образом, чтобы можно было не опасаться изменения его структуры в процессе разрушения. Обычно для этого замороженный полимер разрушают ударом. На образовавшуюся при разрушении поверхность с помощью специальных установок напыляют слой угля или кварца. Возникновение контраста на электронно-микроскопических снимках обусловлено различной рассеивающей способностью ядер разных атомов по отношению к электронному пучку. Поэтому полимеры, состоящие из легких ядер, часто дают неотчетливые снимки чтобы изображение, видимое в электронный микроскоп, было более рельефным, на них под некоторым углом, меньше 90°, напыляют тяжелые металлы (платину, золото, палладий, хром). Полимер растворяют и удаляют, а полученную реплику рассматривают в электронный микроскоп. Если растворение полимера затруднено, то на образовавшуюся при механическом разрушении поверхность полимера наносят слой желатина. Затем пленку желатина отрывают, и напыление ведут на нее для получения обратной или негативной реплики. [c.355]

Повторяющимся элементом поперечно-полосатой миофибриллы является саркомер-участок миофибриллы, границами которого служат узкие 7-линии. Каждая миофибрилла состоит из нескольких сот саркомеров. Средняя длина саркомера 2,5-3,0 мкм. В середине саркомера находится зона протяженностью 1,5-1,6 мкм, темная в фазово-контрастном микроскопе. В поляризованном свете она дает сильное двойное лучепреломление. Эту зону принято называть диском А (анизотропный диск). В центре диска А расположена линия М, которую можно наблюдать только в электронном микроскопе. Среднюю часть диска А занимает зона Н более слабого двойного лучепреломления. Наконец, существуют изотропные диски, или диски I, с очень слабым двойным лучепреломлением. В фазово-контраст-ном микроскопе они кажутся более светлыми, чем диски А. Длина дисков [c.646]

Из-за отсутствия гониометрического столика электронно-микроскопическая картина дефектов имела несколько случайный характер, однако окончательный ее вид был скорректирован на основании многих наблюдений. Трудность, возникавшая при непосредственном исследовании алмаза в электронном микроскопе, заключалось в том, что наблюдавшаяся картина исчезала под пучком электронов через 2—5 с. Непосредственная дифракционная картина дефекта зависела от ориентации образца по отношению к электронному лучу. Контраст на изображении по этой причине является функцией толщины образца и глубины залегания дефекта. Для дефекта, расположенного наклонно к плоскости образца, периодичность чередования светлых и темных участков, отражающая глубину залегания дефекта, выявится в виде ряда контуров, параллельных линии пересечения плоскости дефекта с поверхностью образца. [c.410]

При электронно-микроскопическом исследовании муллита применяли метод реплик в сочетании с микродифракцией и дифракционным контрастом. Препараты просматривали в электронном микроскопе ЛЕМ-6А в диапазоне увеличений 2000—30000 раз. [c.153]

Все продукты синтеза подвергнуты изучению на электронном микроскопе ЛЕМ-бА методами микродифракции и дифракционного контраста. [c.161]

В обычном электронном микроскопе контраст повышают при помощи тяжелых атомов. Однако, как обсуждалось в гл. 10, такое контрастирование приводит к ухудшению разрешения и может, кроме того, быть причиной сильных искажений в исследуемой структуре. Для тех измерений, о которых идет речь ниже, обычно необходимо использо вать неконтрастированные образцы. Вдобавок к этому надо следить за тем, чтобы струк тура не искажалась в результате высушивания, которое требуется при работе в вакууме Один из способов достичь этого в случае тонких кристаллических срезов состоит в том чтобы заменить водный растворитель, содержащийся в кристалле, нелетучей жидкое тью. Дальнейшее обсуждение касается только такого тонкого образца. [c.429]

Л е й т ц - МЛ 6 — стационарный микроскоп отраженного спета с бол1.шим полем зрения для исследования ровных и полированных аншлифов в светлом поле, в темном поле, при фазовом и интерференционном контрасте и в поляризованном свете. Имеет микротвердомер. Снабжен системой автоматического микрофотографирования. Имеет проекционное устройство с линзой Френеля и матовым стеклом, диаметр изображения 34 см. [c.111]

О а р а п Р о и Ь е п 1 о р а п - Р о и и п V а г (.Австрия) — универсальные фотомикроскопы, предназначенные для всех известных методов исследования в отраженном и проходящем свете в светлом поле, темном поле, поляризованном свете, при фазовом контрасте, флуоресценции, можно производить микрофотографирование, микрокиносъемку, микротелевидение, микропроекцию, спектральную микрофотометрию, испытание на микротвердость, высокотемпературную микроскопию, измерение крупности зерна, интерферометрию При исследовании применяют низковольтные лампы мощностью 30 Вт, низковольтные галогенные лампы 100 Вт, ксеноновые излучатели высокого давления, ртутные газоразрядные лампы сверхвысокого давления, фотоосветительные устройства для микрофотографирования. [c.112]

Лейтц-ортолюкс (ФРГ)— универсальный микроскоп для исследования в проходящем и (или) отраженном свете. В проходящем свете определения ведут в светлом и темном поле, при фазовом и интерференционном контрасте, при флуоресценции осуществляют микрофотографирование. В отраженном свете с помощью иллюминатора изучают поверхности непрозрачных объектов. Имеется опакиллюмннатор для просмотра ровных и полированных аншлифов (металла, руд, керамики и др.). [c.112]

Лейтц-диаверт — обращенная микроскопная система для исследования жидкостей, осадков и т. д. в обычных лабораторных сосудах. Измерение можно проводить в светлом и темном поле, при фазовом контрасте и флуоресценции, предусмотрена микрофотография. Возможна перестройка в микроскоп отрах<енного света. [c.112]

В качестве светового микроскопа применяется исследовательский микроскоп — вариант прибора Zetopan, дающий возможность проводить исследования в проходящем или отраженном свете в светлом и темном поле, при фазовом контрасте, поляризации света и флюоресценции. С помощью прибора можно идентифицировать частицы, определить их количество, площадь и длину, про- [c.129]

Возможность обнаруж,ения отдельных частиц зависит от контраста объекта относительно фона. Так, например, при дневном освещении мы не сможем невооруженным глазом видеть зажженную спичку на расстоянии 500 м. Однако ночью на темном фоне зажженная спичка будет четко видна как светящаяся точка. Именно на этом основано применение ультрамикроскопа, с помощью которого можно видеть частицы с линейными размерами 10—300 нм в виде светящихся точек. Ультрамикроскоп представляет собой обычный оптический микроскоп с высокой разрешающей способностью. Различие заключается в том, что коллоидный раствор или другую дисперсную систему рассматривают при боковом освещении на темном фоне. Луч света, который проходит через систему, не попадает непосредственно в глаз наблюдателя. Только отдельные коллоидные частички благодаря светорассеянию становятся видимыми как отдельные светлые точки на темном фоне. Схема ультрамикроскопа представлена на рисунке 98. С помощью мощного источника света и системы линз создают узкий пучок света, который проходит через коллоидный раствор. Для того чтобы в поле микроскопа можно было различать отдельные частички, концентрация их долл на быть незначительной, в противном случае свет, исходящий от отдельных частиц, со.тьется в сплошную светлую полосу. [c.393]

Оба метода (прямой и косвенный) имеют преимущества п недо-счатки, и выбор метода зависит прежде всего от целей исследования. При исследованиях по методу реплик изменения препарата под деймвием электронов минимальные и изображения получаются с хорошим контрастом, однако при этом методе несколько снижается разрешающая способность микроскопа (по отношению к первоначальному объекту). Основное преимущество прямых методов исследования заключается в том, что они обеспечивают максимальное разрешение. Кроме этого, с помощью специальных приспособлений прямые методы позволяют наблюдать поведение объекта при различных воздействиях на него непосредственно в колонне электронного микроскопа (деформация, на1 ревание, охлаждение и др.) и микродифракцию. Однако контрастность изображения при прямых методах исследования, как правило, незначительна, а изменение объекта при облучении электронами не всегда возможно предотвратить. [c.175]

Травление образцов увеличивает контраст между фазами, обнаруживает бловдость в структуре, позволяет охарактеризовать взаимное расположение отдельных зерен. Выбор травителя определяется обычно экспериментально на основе химической природы составляющих фаз. Существует несколько способов нанесения травителя на шлиф. При одном из них полированную поверхность погружают в сосуд с травите-лем. При этом необходимо перемешивание, чтобы травление происходило равномерно и продукты травления не оседали на шлифе. Этот метод требует большого расхода реактивов. При других способах травящие реагенты наносят из капельницы на полированную поверхность или втирают в нее ватой. Время действия травителя определ51Ют опытным путем, просматривая шлиф под микроскопом. Визуально это определить нельзя, так как некоторые сплавы сохраняют блестящую поверхность и в травленном виде. Недотравленные образцы снова полируют в течение 1—3 мин, а затем травят более продолжительное время. Если шлифы были приготовлены заранее, то перед травлением их поверхность активизируют кратковременной полировкой. Приготовление шлифов для изучения микротвердости производится таким же образом. Микротвердость измеряют на травленных образцах, причем выбирают такой травитель, который характеризуется меньшей скоростью взаимодействия с поверхностью образца. [c.51]

Микроскопические методы обычно применимы для исследования состояния поверхности металла. С этой целью используется бинокулярный микроскоп, воспроизводящий объемную картину поверхности. При этом применяются светло-, темно- и косопольное освещение, фазовый контраст, а также поляризованный свет и ультрафиолетовые лучи. [c.223]

Перед каждым актом микротомирования при положении И (см. рис. 2, а) образца (5) на его торец наносят 0,02—0,03 мл дважды перегнанной воды. После микротомирования каплю с частицами снятого слоя переносят на предметное стекло и после испарения воды определяют показатель преломления частиц под микроскопом иммерсионным методом или с помощью фазового контраста [10]. Откладывая определяемое таким образом значение показателя преломления против координаты средней точки слоя, получают график зависимости оптической плотности п диффузионной среды от расстояния X до контактной поверхности, который удовлетворительно коррелирует с результатами исследования другими методами физико-химического анализа. [c.214]

Трансмиссионная микроскопия реализуется с помощью трансмиссионных (просвечивающих) электронных микроскопов (ТЭМ рис. 1), в к-рых тонкопленочный объект просвечивается пучком ускоренных электронов с энергией 50-200 кэВ. Электроны, отклоненные атомами объекта на малые 5ТЛЫ и прошедшие сквозь него с небольшими энергетич. потерями, попадают в систему магн. линз, к-рые формируют на люминесцентном экране (и на фотопленке) светлопольное изображение внутр. структуры. При этом удается достичь разрешения порядка 0,1 нм, что соответствует увеличениям до 1,5 10 раз. Рассеянные электроны задерживаются диафрагмами, от диаметра к-рых в значит. степени зависит контраст изображения. При изучении сильно-рассеивающих объектов более информативны темнопольные изображения. [c.439]

Настоящее рассмотрение имеет отношение и к нанокристаллам, полученным деформационным компактированием порошков. В процессе компактирования при высоких давлениях в границы зерен материала также вводятся дислокации и дисклинации [219]. Эти дефекты трудно обнаружить методом высокоразрешающей электронной микроскопии вследствие сложного дифракционного контраста, однако вызванные ими искажения решетки могут быть замечены [108, 109]. Мощность дисклинаций, появляющихся в процессе компактирования, оценивается следующим образом. Давление, необходимое, чтобы закрыть полый клин с углом 0 в месте контакта двух частиц, равно Р = 2G0. Следовательно, дискли- [c.112]

В растровом электронном микроскопе (РЭМ) наибольший интерес представляют сигналы, создаваемые вторичными и отраженными электронами, поскольку они меняются при изменении топографии поверхности по мере того, как электронный луч сканирует по образцу. Вторичная электронная эмиссия возникает в объеме вблизи области падения пучка, что позволяет получать изображения с относительно высоким разрешением. Объемность изображения возникает за счет большой глубины фокуса растрового электронного микроскопа, а также эффекта оттенения рельефа контраста во вторичных электронах. Возможны и другие тииы сигналов, которые оказываются также полезными во многих случаях. [c.9]

Если строчная развертка проходит через область образца, то сигнал, поступающий с детектора, может быть зарегистрирован на осциллографе, причем по горизоитальной оси откладывается положение растра, а в вертикальном У-направлении вычерчивается сигнал (рис. 4.34). Мы можем идентифицировать сигналы в любых интересующих нас двух точках, например 5д и 5в, и рассчитать контраст по уравнению (4.13). Если такая же строчная развертка повторяется, то мы обнаружим, что осциллограммы на экране точно не налагаются друг на друга. Если сигнал, поступающий 3 одного и того же положения пучка, повторно регистрируется за время регистрации элемента изображения t, то номинально идентичные отсчеты сигнала меняются. Процесс регистрации изображения в растровом электронном микроскопе в основе своей состоит в счете дискретных событий, например вторичных электронов, поступающих со случайным по времени распределением за время зондирования. Измерение сигнала 5 включает в себя счет числа событий п на детекторе. Вследствие того что события распределены случайным образом во времени, последовательные отсчеты в одной и той же точке будут отличаться от среднего значения п на величину Качество сигнала можно выразить через отнощение сигнала к щуму [c.153]

Пороговое уравнение (4.32) и уравнение яркости Р = 41з/яМ а А/(см2-ср) образуют основу стратегии получения оптимального изображения в РЭМ. Пороговое уравнение связывает основные свойства детекторной системы офазца (пучка), т. е. контраст и эффективность сбора, с параметрами микроскопа, т. е. током пучка и временем кадровой развертки. Уравнение яркости связывает этот ток пучка с минимальным размером зонда и расходимостью, которые могут быть шолучены. [c.156]

Более сильное влияние а пространственное разрешение оказывает формирование контраста, генерируемого в действительности типич ными образцами. В табл. 4.5 содержатся значения величин минимального размера зонда, предсказанные на основе порогового уравнения и уравнения яркости для значений контраста от 1,0 до 0,001. Многие образцы, представляющие практический интерес, дают контраст от 0,01 до 0,10. Для таких образцов пространственная неоднородность находится в области 230—23 нм (2300—230 А). Такой недостаток контраста с образца часто ограничивает устройство РЭМ. Таким образом, несмотря на то что мы способны различать тонкие пространственные детали на некоторых сильноконтрастных образцах или на краях образца, где имеется сильный контраст, пространственное разрешение может быть значительно хуже для типичных образцов. Оператор электронного микроскопа может предполагать, что мик роскоп не в порядке, если имеется плохое пространственное разрешение, но чаще сам образец ограничивает возможности прибора. [c.158]

На рис. 10.5-1 показан принцип действия сканирующего туннельного микроскопа. Очень тонкое металлическое острие (например, Pt/Ir или W) укрепляют на блоке пьезоэлектрических датчиков, которые заставляют острие двигаться в направлениях х, у и z. Когда острие приближается к поверхности (приблизительно на расстояние 1 A), под действием небольшой разности потенциалов, приложенной между острием и поверхностью (обычно несколько милливольт), может возникать туннельный ток (обычно несколько наноампер). Поскольку туннельный ток очень сильно зависит от расстояния между острием и поверхностью (экспоненциально), то регистрация тока как функции пространственного положения острия позволяет получить изображение топографии поверхности с высоким субангстремным разрешением. При интерпретации СТМ-изображений следует учитывать, однако, что их контраст определяется электронными плотностями, которые на атомном уровне не обязательно отражают положение атомных ядер. [c.369]

Чтобы обеспечить надлежащий контраст для наблюдения частиц под электронным микроскопом, выделенные 70S рибосомы наносятся на ультратонкую углеродную пленку пленка с прилипшими частицами обрабатывается раствором уранилацетата и высушивается на воздухе. Уранилацетат обволакивает частицы и заполняет полости и щели. Являясь менее электронноплотным материалом, чем уранилацетат, рибосомные частицы оказываются негативно контрасти-рованными на фоне уранилацетата. Стрелки указывают на палочкообразный стержень L7 / L12, описанный в тексте [c.62]

Оптическая микроскопия с фазовым контрастом, основанная на различиях в коэффициентах рефракции полимеров, широко используется для исследования бинарных полимерных смесей. Оптическая система микроскопа позволяет осуществить сдвиг по фазе между дифрагированным и пропускаемым светом, что приводит к получению интерференционной картины даже при очень небольших различиях в коэффициентах рефракции. Использование оптической микроскопии для исследования микрогетерогенности смеси каучуков первоначально было предложено для ненаполненных систем. При анализе срезов толщиной 1-4 мкм никакого тонирования фаз не требуется, так как контраст достигается вследствие различия в показателях преломления эластомеров. Метод успешно использован для широкого круга смесей каучуков. Оптическая микроскопия с фазовым контрастом требует исследования очень тонких образцов ( 1-4 мкм), которые могут быть получены с помощью криогенного среза по технологии, описанной в стандарте ASTM D 2663. Автоматизированный анализ реплик был впервые использован для определения совместимости в различных смесях полимеров. [c.575]

Чаще всего для определения относительных количеств наполнителя в разных фазах полимерной смеси используют методы электронной микроскопии. В ТЭМ и СЭМ основной проблемой является получение межфазного контраста. Для определенных комбинаций полимеров, например включающих хлорированный каучук, можно получить контраст по атомным числам. Атомы хлора намного менее прозрачны для электронов, чем негалогенированные полимеры, и могут быть определены как методами ТЭМ, так и методом СЭМ. Однако разрешение в методе СЭМ при сканировании рентгеновскими лучами невысоко. Использование методов электронной микроскопии наиболее целесообразно для бинарных смесей, один из полимеров в которых способен к образованию межфазового контраста. [c.579]

Первый путь, который условно можно назвать экспериментальным, заключается в следующем. Методом дифракционного контраста с использованием рентгеновской топографии (для макродвойников) или под электронным микроскопом (для микродвойников) исследуется контраст двойниковой границы в различных отражениях. Затем по известной методике определяется вектор относительного смещения (Я) решеток двойниковых компонент (например, для большинства бразильских двойников установлены Л = /2 [110], Я2= /б [302] или Яз = 7б [032]). Затем две структуры из начальной двойниковой ориентации с совпадающими ре-100 [c.100]

НИИ всего цикла температурный перепад между зонами роста и растворения (за счет изменения температуры в зоне растворения) периодически, через каждые 10—15 сут, увеличивается (или понижается) на 2—3 °С. Это позволяет получить кристалл, состоящий из нескольких слоев, различающихся скоростями выращивания. Изменение концентрации примеси в этих слоях дает возможность выбрать для исследования препараты из тех областей кристалла, где достигается максимальный контраст декорирования дислокаций в различных пирамидах роста, которые после термообработки полированных пластин толщиной от 0,1 до 0,2 мм обнаруживаются под микроскопом в определенном-свете при относительно малых увеличениях. Оптическими исследованиями установлено, что визуализация дислокаций обусловлена светорассеянием на многочисленных закономерно ориентированных микроскопических трещинах, возникающих в местах локализации неструктурной примеси. Контраст изображения отдельной дислокации зависит от количества, размеров и ориентации микротрещин, располагающихся вдоль линии ее следования. Обычно трещины ориентируются параллельно плоскостям основных ромбоэдров, базиса, дипирамид и призм. Трещины, параллельные базисной плоскости, имеют довольно крупные размеры (до 1 мм) и поэтому дают размытые изображения дислокационных линий. Наиболее четкие изображения отмечаются в случае декорирования дислокаций несколькими разноориентированными колониями микротрещин. По всей вероятности, контраст декорирования увеличивается и за счет сферических пор диаметром в несколько десятков нанометров, обнаруживаемых под электронным микроскопом в отожженом кварце с включением неструктурной примеси А1. [c.164]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология