Кристаллы, определение величины

Как уже отмечалось, для получения кристаллов должно быть сдвинуто фазовое равновесие, т. е. раствор должен быть пересыщен. При этом необходимо образование мельчайших кристаллических ядер— центров, из которых затем вырастают кристаллы определенной величины. [c.640]

При эксплуатации кристаллизаторов-сборников с естественным охлаждением весьма ограничены возможности контроля процессов образования центров кристаллизации и роста кристаллов. Поэтому размеры сборника надо выбирать так, чтобы скорость отвода тепла соответствовала времени охлаждения, необходимому для получения кристаллов определенной величины. [c.592]

Определение величины с1 подобным образом основано на допущении о кубической форме кристаллов металла к доступности для адсорбции пяти граней куба. [c.375]

Осадок должен получаться в форме, удобной для отде.гения его от раствора фильтрованием. Это требование связано, главным образом, с определенной величиной зерна осадка. Для получения подходящей величины зерна осадка необходимо применять определенные условия осаждения. Так, например, осадок углекислого кальция при обычной температуре образуется в виде очень мелких зерен, забивающих поры фильтра. При нагревании получаются более крупные зерна, которые легко отфильтровываются. Сернокислый барий при быстром осаждении из нейтрального раствора выделяется в виде очень мелких кристаллов, которые проходят даже через плотный фильтр. При медленном осаждении из кислого раствора сернокислый барий образуется в виде более крупных кристаллов. [c.32]

В зависимости от величины частиц в рентгенографическом анализе применяют различные методы определения их размеров. Для установления размера зерен при их величине >0,1 — 1 мкм используют зависимость между размером зерен и числом пятен на дебае-грамме. Определение величины частиц (зерен в поликристаллах, мозаичных блоков в кристаллах) от 0,2—0,3 до 1—2 мкм основано на эффекте экстинкции — уменьшении интенсивности линий рентгенограммы. Размер частиц (например, мозаичных блоков) величиной <0,1 мкм находят, используя эффект расширения (размытия) линий рентгенограммы. [c.100]

Определение величины и ориентировки электрических и магнитных полей в кристаллах [c.205]

В результате указанных причин внешний вид кристаллов одного и того же вещества может быть самым разнообразным, подчас далеко не соответствующим типичной форме монокристаллов данного вещества. Однако для всех кристаллических образований имеет силу следующий закон постоянства гран ных углов Каков бы ни был внешний облик кристаллов данного вещества, углы между его гранями всегда имеют строго определенную величину, характерную для любых кристаллов этого вещества. [c.115]

Рис. 41. Равновесная форма огранения кристалла и определение величин Г

Рентгенографическое определение величины кристаллов основано на том, что ширина полос на рентгенограмме зависит от величины участков вещества с упорядоченным расположением атомов. Чем больше эти участки, тем уже и резче выражены полосы на рентгенограмме. Для измерения ширины полос с рентгенограммы снимают фотометрическую кривую, т. е. кривую интенсивности почернения фотоэмульсии на рентгенограмме. Затем по кривой находят ширину полос. Для этого существует несколько способов и соответствующих формул расчета величины кристаллов. Этот метод применим для определения величины кристаллов в пределах 20—300 А. Для более крупных кристаллов ширина полос остается практически неизменной. [c.206]

В некоторых неорганических кристаллах связь обусловлена главным образом электростатическим притяжением между положительными и отрицательными ионами. Поскольку кулоновские силы одинаковы во всех направлениях, относительные размеры ионов в значительной степени определяют упаковку ионов в трехмерной решетке. В различных кристаллах радиус одного и того же иона почти одинаков, так как силы отталкивания увеличиваются очень резко по мере того, как межатомное расстояние становится меньше определенной величины. Радиусы ионов галогенов и щелочных металлов можно вычислить довольно просто из размеров элементарной ячейки кристаллов галогенидов щелочных металлов, так как все они относятся к гранецентрированной кубической решетке, за исключением солей цезия, которые кристаллизуются в примитивной кубической решетке. [c.580]

На рис. 73 изображена структура кристалла. Для простоты и наглядности взят пример двумерной структуры. Направления и величины различных трансляций указаны векторами 1, 2, 3,— Любой параллельный перенос структуры (простирающейся до бесконечности) в направлении векторов 1, 2,... характеризуется определенной величиной переноса. [c.53]

Для экспериментального определения величины сродства к электрону существуют прямые методы, такие, как метод фотоэлектронной эмиссии, метод захвата электронов и т. п. Кроме того, ее можно вычислить при помощи круговых процессов из энергий решеток ионных кристаллов известны также примеры теоретического расчета. Благодаря прогрессу современных экспериментальных методов исследования многие из этих величин теперь известны с высокой степенью точности (табл. 2.9). Анализ всей периодической таблицы показывает, что в изменении сродства к электрону нет какой-либо особенно четкой закономерности, однако в пределах одной подгруппы отмечается периодическое увеличение или уменьшение соответствующих значений. Следует отметить, что процесс присоединения электрона к системам со стабильной электронной конфигурацией (р у нулевой группы, 8 у подгруппы ПА и т. п.) протекает с затратой энергии, а образование двухзарядных ионов всегда происходит [c.70]

Скотт делает, далее, следующий важный шаг. Он возражает против того, чтобы чистое кристаллическое твердое вещество рассматривалось в качестве гипотетического верхнего предела концентрации раствора, утверждая, что если в понятие этого предельного раствора должны быть включены свойства твердой-соли, то следует ввести представление о критическом объеме разрушения твердого вещества V. Скотт предложил метод определения величины V Для наших целей достаточно будет отметить, что силы сцепления достигают максимума при расширении кристалла от его нормального равновесного объема до F, а при дальнейшем расширении эти силы уменьшаются. Следовательно, при достижении объема V происходит переход от твердой кристаллической структуры к более подвижному жидкому состоянию, и можно предположить, что V соответствует гипотетической максимальной концентрации, достигаемой в (пересыщенном) растворе данной соли. [c.246]

Процесс кристаллизации состоит из двух последовательных стадий образование зародышей кристаллов и рост кристаллов. Образование зародышей кристаллов происходит в пересыщенных растворах, когда пересыщение достигает определенной величины. Разность между концентрацией раствора, при которой начинают образовываться зародыши, и концентрацией насыщенного раствора называют максимальным пересыщением. [c.356]

Дифференциальные теплоты сублимации, по крайней мере в принципе, доступны экспериментальному определению. Величины Ё могут быть теоретически рассчитаны для различных моделей поверхности кристаллов, если известно значение Я о. Обратимся к этим методам расчета. [c.113]

При охлаждении жидких растворов из пих могут кристаллизоваться твердые фазы. Природа затвердевших растворов может быть различной в зависимости от отногиения друг к другу компонептов раствора. При сходстве кристаллических решеток составляющих веществ они взаимно растворимы друг в друге в твердом состоянии из жидких растворов ири охлаждении кристаллизуются твердые растворы, т. е. образуются кристаллы, в з злах решеток которых располагаются попеременно частицы (ионы, молекулы или атомы) различных веществ. При близких параметрах кристаллических решеток этих веществ наблюдается неограниченная растворимость их друг в друге, т. е. могут образоваться твердые растворы с любым содержанием составляющих веществ. В большинстве же случаев приходится встречаться с ограниченной растворимостью веществ друг в друге в твердом состоянии. Это значит, что в твердой фазе содержание одного из веществ не может быть больше определенной величины. Тогда при полном затвердевании жидкого раствора из двух веществ может образоваться неоднородный конгломерат, состоящий из двух твердых фаз, одна из которых представляет собой насыщенный твердый раствор первого вещества во втором, а другая — насыщенный твердый раствор второго вещества в первом. Иногда растворимость веществ друг в друге в твердом состоянии оказывается настолько ничтожной, что отдельные твердые фазы образовавшейся смеси можно считать практически состоящими из индивидуальных веществ. [c.183]

Между полупроводниками и золяторами не существует резкой границы. Различие между ними проводят, руководствуясь только практическими соображениями, причем в качестве произвольно выбранпон границы служит определенная величина электрического со-протнвления. Можно предположить, что и й так называемых изоляторах ионы металла переходят в ионы с иной валентностью или в атомы. Подобные реакции могут протекать на поверхности легче, чем внутри кристалла, и поэтому следует учитывать их возможность при хемосорбционных процессах. [c.61]

Если в равновесии одновременно находятся три фазы (кристаллы, жидкость, пар), то С = 0. Нонвариантное равновесие в однокс мпо-нентной системе может быть при строго определенных величинах температуры и давления насыщенного пара, одинакового для твердой и жидкой фазы изменение хотя бы одного параметра нарушает равновесие и вы зывает исчезновение двух фаз. Геометрическим обр азом [c.163]

В чистом полупроводнике при полном отсутствии причин его возбуждения, т. е. при О К, все энергетические уровни валентной зоны заняты полностью электронами, а вся зона проводимости свободна. С точки зрения структурной химии это значит, что все валентные электроны находятся в связывающих орбиталях алмазоподобного кристалла, и каждый атом образует с соседними по четыре неразличимые ковалентные связи. В таком состоянии полупроводник является диэлектриком (изолятором), так как электроны в нем не имеют возможности перемещаться. При повышении температуры часть электронов увеличивает свою энергию на определенную величину, необходимую для их перевода из валентной зоны на какой-либо энергетический уровень зоны проводимости. Очевидно, что минимальный прирост энергии электрона необходимый ему для соверщения такого перескока, равен ширине запрещенной зоны Д и может быть назван энергией возбуждения ковалентной связи в кристалле. Иногда для этого достаточно осветить полупроводник или предоставить электронам какую-либо другую возможность поглотить кванты энергии. [c.285]

Эффективный радиус иона — это радиус сферы действия иона в данном кристалле. Он не является для данного иона (как и радиус атома) строго определенной величиной, зависит от типа связи и от координационного числа. Эффективные радиусы находят из расстояний d между центрами соседних ионов. Эти расстояния определяются с большой точностью современными методами рентгеноструктурного анализа (Вульф, Брэгги, Дебай и др.). Их приравнивают сумме радиусов ионов. Например, у Na l длина ребра элементарной ячейки найдена равной 5,62 А. откуда d = 2,81 А У фторида натрия d = 2,31 А и т. д. Однако, чтобы найти ионные радиусы, нельзя d просто делить пополам, как это делается при вычислении радиусов атомов в атомных решетках простых веществ. Надо знать, по крайней мере, радиус одного иона, найденный тем или другим способом. Наиболее надежная исходная величина была получена для иона [c.129]

Эффективныйрадиусиона — это радиус сферы действия пона в данном кристалле. Он не является для данного иона (как и радиус атома) строго определенной величиной, так как зависит от типа связи и от координационного числа. Эффективные радиусы определяют из расстояний d между центрами соседних ионов. Эти расстояния определяются с большой точностью современными методами рентгеноструктурпого анализа (Вульф, Брэгги, Дебай и др.). Их приравнивают сумме радиусов ионов. Например, у Na l длина ребра элементарной ячейки найдена равной 0,562 нм, отк -да d= = 0,281 нм, у фторида натрия Л=0,231 нм и т. д. Однако, чтобы определить ионные радиусы, нельзя d просто делить пополам, как это делается при вычислении радиусов атомов в атомных решетках простых веществ. Надо знать, по крайней мере, радиус одного иона, найденный тем или другим способом. Наиболее надежное исходное значение было получено для иона F (0,133 нм) с помощью оптических методов, зная которое можно определить радиусы = 0,231—0,133 = 0,098 нм Гс,- = = 0,281—0,098=0,183 нм и т. д. Таблицы ионных радиусов приведены в справочной литературе. [c.160]

Представляется интересным провести анализ изменения (одновременно) поверхностного (граница расплав — газ) и межфазного (граница расплав — твердая фаза) натяжений, сопоставляя ход обеих кривых. На рис. 6,9 изображены кривые а — состав для обеих границ раздела в системах Аи — Ое и Аи — 51. Однако следует иметь в виду, что зависимость а г — состав изотермична, тогда как зависимость атж — состав представляет политерму, с ростом концентрации золота, кремния или германия (при движении от чистых компонентов к центральной части оси составов) температура снижается. Следует еще подчеркнуть, что хотя межфазное натяжение рассчитывается с использованием неточно определенных величин (например, межфазного натяжения на границе расплав — кристалл этого же вещества, полученного из результатов Тернбалла по величинам переохлаждения), величина Отж входит в расчетное уравнение Юнга как константа, так что рассчитанное изменение о тж — состав соответствует истинному (можно было бы [c.11]

Второй, часто применяемый вариант — определение величины D по результатам аналн.юн отжатых непромытых кристаллов н маточного раствора (метод остатков Скрейнема-керса). Для величины концентрации нримеси в твердой фале Ств применяется формула (III. 29) [19] [c.77]

Знакопеременный ряд в скобках (обозначим его через а) связан со структурой кристалла. Для каждой конкретной кристаллической структуры члены этого ряда разнятся по вполне определенному закону, и алгебраическая сумма ряда имеет вполне определенную величину. Для структур типа Na l сумма ряда равна 1,748. Подсчет полной энергии решетки затруднителен из-за того, что не- [c.172]

Поскольку эксперименты, связанные с исследованиями химического состава, структуры, физических и химических свойств синтетических цеолитов, неизбежно проводятся на образцах кристаллических порошков, особую важность приобретает вопрос об однородности состава цеолитов. Химич ескии анализ образца — это усредненньиг анализ относительно большого образца, содержа-ш,его много небольших кристаллов. Один грамм содержит около кристаллов. Состав кристаллического цеолита обычно отличается от состава исходной смеси. Вполне вероятно, что из высоко-концентрированных смесей, пересыщенных по отношению к различным компонентам, могут образовываться кристаллы, несколько различающиеся по химическому составу, особенно если в самом цеолите возможны определенные колебания в составе, как это наблюдается для цеолитов У, О и др. Химический состав порошкообразных образцов может изменяться от кристалла к кристаллу, а возможно, даже в пределах отдельных кристаллов. Данные химического анализа всего образца отражают средний химический состав составляющих его кристаллов. Определенное физическое свойство цеолита, связанное с его составом, может и не обнару-Нлить какой-лпбо разрыв непрерывности, поскольку измеряемая величина является усредненной. [c.398]

Интересно отметить, что расчеты равновесия без учета упругих полей дают достаточно хорошие совпадения р-Г-параметров синтеза при использовании расплавов некоторых металлов переходных групп (на необходимость их применения указывалось еще в работе [16]). Хотя в данном случае речь должна идти не о фазовом превращении графита в алмаз, а о перекристаллизации графита в алмаз. Такое совпадение неудивительно, ведь в расплавах металлов, называемых обычно катализаторами-растворителями, ДСдеф мало. В этом случае при росте кристаллов путем встраивания атомов (молекул) в изломы (за счет атомарной и кинетической шероховатости) химический потенциал частицы в кристалле равен ее химическому потенциалу в растворе. Поэтому при использовании графита в качестве шихты р-Г-параметры области равновесия (индивидуальные для каждого типа расплава) должны быть близки к расчетным значениям в классическом приближении. Однако также хорошо известно, что при понижении температуры (и давления) ниже определенной величины (<1400— 1300 К) никакого совпадения в экспериментальных и расчетных данных не наблюдается, так как число зародышей резко уменьшается и рост алмаза фактически прекращается. Несомненно, в этом случае начннают сказываться такие факторы, как химические и структурные характеристики расплава. О том, насколько важную роль играет структура расплава, свидетельствуют эксперименты по введению в систему роста металлов, слабо взаимодействующих с углеродом, Sb, Sn, Ge, Си. На основании экспериментов можно сказать, что ни изменением относительных растворимостей графита и алмаза, ни изменением поверхностной межфазной энергией (A s) нельзя объяснить экспоненциальный рост порогового давления, начиная с определенных концентраций этих добавок. Ясно, что при расчете области равновесия графит — раствор углерода необходимо учитывать такие факторы, как относительные растворимости и межфазные энергии границ этих фаз, степень отклонения раствора в расплаве от идеального, степень его упорядочения, коэффициенты активности и конфигурации активационных комплексов и др. [c.309]

Обращает на себя внимание наличие локальных минимума и максимума на зависимости и = в режимах кристаллизации при средних и низких пересыщениях (см. рис. 126). Эти аномалии скорости роста были зафиксированы в случае, когда толщина металлического слоя превышала определенную величину. Данный эффект отмечается как при статистической обработке всего ансамбля кристаллов, так и с использованием методики создания в алмазах искусственной зонарности при кратковременных возмущениях теплового режима в камере роста. [c.366]

Термографические исследования показали, что перегрев способствует расслоению расплава фторфлогопита на летучие и кристаллические компоненты, что приводит к уменьшению количества слюдофазы. Следствием этого является понижение температуры выделения кристаллов фторфлогопита, т. е. увеличение переохлаждения, при достижении определенной величины которого начинается массовая кристаллизация (схватывание) расплава. [c.38]

Способ стандарта-фона находит широкое применение в практике анализа благодаря своей скорости и простоте, в связи с чем постоянно совершенствуется. Несколько видоизмененив способ, можно применять его и для определений высоких концентраций определяемого элемента. При этом учитывается, что интенсивность рассеянного пробой излучения регистрируется совместно с диффузным рассеянием аналитической линии кристаллом-анализатором. Величина вводимой поправки для учета этого эффекта пропорциональна интенсивности аналитической линии. Возможны варианты способа, учитывающие влияние некоторых мешающих элементов. [c.32]

Здесь уместно заметить, что Хюлетт не принимал во внимание возможности потери части кристаллизационной воды кристаллами гипса при их измельчении в агатовой ступке, хотя последнее, как показано ниже, играет немаловажную роль в определении величины максимума концентрации раствора. Величина этого максимума, а также время постепенного уменьшения концентрации раствора до первоначальной в значительной мере зависят от соотношения количества гипса и раствора, взятых для опыта. Это хорошо видно [c.28]

Контроль отл<ига стеклянных изделий основан на свойстве стекла терять свою оптическую изотропность при наличии в нем остаточных напряжений. В таком изделия ун<е нет однородности оптических свойств, по всем на,правлениям оно ведет себя подобно одноосному кристаллу, т. е. в нем обнаруживаются явления двойного лучепреломления. Количественно величину напряжений измеряют поляриметрами, имеюшими специальное приспособление— компенсаторы. Компенсаторы изготовляют нз некоторых кристаллических веществ с определенной величиной двойного лучепреломления. По углу поворота компенсатора, при котором уравнивается разность хода лучей в измеряемом напряженном стеклянном изделии, определяют величину этих напряжений, На основании измерения разности хода, выраженной в ммк1см, можно вычислить величину максимальных остаточных напряжений растяжения в кГ1см в цепгре образца по следующей формуле [c.163]

Это уравнение дает частичный ток в процессе стационарного образования пластинок, т. е. в условиях, когда кристаллы, на которых пластинки достигли определенной величины , удалять так же, как это раньше мы делали в отношении цепочек. Он представляет собой именно тот частичный ток, который относится к переходу находяндихся в определенном положении пластинок Ю, I в пластинки Ш, (1 + 1) путем отложения на них новой цепочки на определенном ребре. Отразим этот факт, в следующей форме записи уравнения (59) [c.159]

Сопротивленце 91щд можно теперь наглядно представить в виде трехмерного проволочного сплетения. Задачей теперь является установление тока, протекающего между двумя точками с известными потенциалами. В качестве одной из точек мы выбираем нижний угол сплетения, где потенциал 1,1 = 2,,, представляет собой число газовых молекул в кубическом сантиметре. Вторая точка вновь определяется условием извлечения всех кристаллов, достигших в процессе роста определенной величины т, I, I) 5, 5, при котором =0. Для рассмотрения вопроса о сопротивлении между этими точками сплетения проведем следующее преобразование координат. В точке / (т, I, пространственной диагонали восставляем перпендикуляр р. Основанием его является точка с координатами б, б, б. Примем теперь основание этого перпендикуляра в качестве начала координат системы, параллельной первоначальной. По отношению к ней точке Р соответствуют координаты р1, р2, рз. Тогда [c.164]

Как влияет степень дисперсности катализатора на кинетику полимеризации, показывают кривые рис. 112. В системе пропилен— а-Т1С1з—А1Е1з ири, применении треххлористого титана в виде относительно крупных кристаллов ( 10 мк) скорость нолимеризации постепенно увеличивается до определенной величины, ко- [c.425]