Материалы высокой чистоты

Вещества высокой чистоты имеют непреходящее самостоятельное значение в сугубо научном плане. Повышение степени чистоты часто приводило к открытию новых свойств вещества и новых явлений, т. е. к повышению уровня знаний о веществе как форме существования материи. Имеющиеся в нашем распоряжении материалы высокой чистоты пока представляют собой лишь слабое приближение к абсолютно чистому веществу , поскольку суммарное число примесных атомов или молекул в них всего на пять-шесть порядков меньше числа частиц основного вещества. [c.5]

Методы получения материалов высокой чистоты [c.314]

Радиационно-химические реакции. Достаточно сильное воздействие на молекулы реагирующих веществ оказывают ионизирующие излучения (7-излучение, поток нейтронов и т. д.), их химическое действие изучается в радиационной химии. На базе исследований радиационно-химических реакций возникла радиационно-химическая технология, достоинством которой является высокая скорость реакций при сравнительно низких давлениях и температурах, возможность получения материалов высокой чистоты и др. К наиболее важным процессам радиационнохимической технологии относятся полимеризация мономеров, вулканизация каучука без серы, сшивание полимеров, улучшение свойств полупроводников, очистка вредных газовых выбросов и сточных вод и др. [c.121]

Дистилляция. Простой перегонкой (дистилляцией) хорошо разделяются разнородные по природе вещества. Глубокая очистка все же не достигается, особенно если есть примеси с близкими свойствами к основному веществу. Глубокая очистка иногда достигается фракционированной дистилляцией, особенно в ректификационных насадочных колонках, в которых сильно умножается эффект разделения. Современные многоступенчатые насадочные колонки позволяют получать в промышленном масштабе материалы высокой чистоты. Особенно широко этот метод применяется для очистки металлов в виде различных соединений. [c.260]

Для получения продукта лучшего качества необходимо иметь исходные материалы высокой чистоты. Это относится не только к алкилбензолам. но и к олеуму. Олеум может причинить много неприятностей, если не контролировать содержание в нем железа [49]. Для получения сульфоната высокого качества нужно тщательно регулировать следующие основные параметры процесса сульфирования [c.411]

Попытка установить характер влияния бора на о железа предпринята в работе [100]. Наиболее полно и систематически эта система исследована авторами [69, 76]. В этих работах поверхностные свойства системы Ре — В изучены в широком концентрационном (до 80 ат.% В) и температурном (1550—1900° С) интервалах с использованием исходных материалов высокой чистоты. Малые добавки бора практически не влияют на о жидкого железа, что подтверждается и данными [6]. При повышении концентрации бора до [c.29]

Активационные методы определения ЗЬ не требуют использования реактивов особой чистоты и для них значение холостого опыта не имеет смысла. Загрязнения, которые могут иметь место на поверхности анализируемого материала, устраняются протравливанием после облучения пробы. Это преимущество активационных методов, наряду с высокой чувствительностью и надежностью, обеспечило им широкое применение, особенно в анализе материалов высокой чистоты и в тонких научных исследованиях. [c.75]

Для анализа материалов высокой чистоты применяют полярографию переменного тока, которая позволяет снизить предел обнаружения примерно на два порядка (до 10 моль/л). Метод полярографии переменного тока основан на изучении зависимости переменной составляющей тока ячейки от постоянного напряжения при одновременной подаче на электроды постоянного и переменного напряжения небольшой амплитуды. [c.42]

Экстракцию часто применяют в сочетании с другими методами. Наиример, экстракционно-фотометрический метод нашел широкое применение ири оиределении содержания микроиримесей в материалах высокой чистоты. [c.48]

Потенциометрический метод использован для определения брома в водах буровых скважин [54, 188], химических реактивах [935], керамических материалах высокой чистоты [447], проявителях [514, 801], органических соединениях [120, 219, 620, 701, 779] и сыворотке [935]. Автоматические методы ПТ описаны в работах [567, 589, 621, 721, 802]. Изложение теоретических основ и практики ПТ можно найти в монографиях [126, 531]. [c.130]

Амальгамная полярография с накоплением часто используется для определения субмикрограммовых количеств кадмия, особенно — в материалах высокой чистоты. Она основана на электролизе анализируемого раствора со стационарным ртутным микроэлектродом (в частности — с лежаш,ей каплей ртути) и последующем анодном полярографировании — растворении металла из по-лученной амальгамы. Положение пиков на такой полярограмме характеризует определяемый ион, а их глубина — его содержание в растворе [69, 204] [c.109]

Для определения ультрамикроколичеств галлия в материалах высокой чистоты все большее значение приобретает метод амальгамной полярографии на стационарной ртутной капле с линейно меняющимся потенциалом [449]. [c.175]

По окончании процесса направленной кристаллизации часть образца, обогащенную примесью, отделяют, а оставшуюся часть переплавляют. Если после одного акта направленной кристаллизации получаемая чистота продукта недостаточна, процесс может быть повторен до тех пор, пока не будет достигнута требуемая чистота. Заметим, однако, что при повторении направленной кристаллизации необходимо каждый раз отделять загрязненную часть образца, что приводит к потерям материала и, следовательно, удорожанию разделения. Поэтому метод направленной кристаллизации используют обычно для получения небольших количеств материалов высокой чистоты в тех случаях, когда другие методы разделения (в частности, рассматриваемый ниже метод зонной плавки) не могут быть применены. [c.268]

На основании исследования различных макетных установок создан кварцевый аппарат промышленного типа для периодической высокотемпературной ректификации серы, селена, теллура, кадмия, цинка и других веществ, обладающих температурой кИпення до 1000 °С [18]. Разработан проект установки непрерывного действия. Очищаемый материал сразу получается в товарном виде (гранулы или слитки любой величины и формы). Установка снабжена пультом автоматического управления. На данной установке ректификацией технической серы, селена, теллура, цинка, кадмия и сульфида мышьяка получены материалы высокой чистоты — содержание примесей менее 1-10 —1-10 %. С целью более глубокой очистки от примесей, образующих газообразные гидриды, ректификацию этих веществ можно проводить в токе водорода. [c.157]

При определении малых количеств элементов в материалах высокой чистоты, биологических материалах, породах и рудах экстракционные методы приобретают большое значение. Экстракция используется как для выделения микрокомпонентов из основы, так и для количественной оценки их содержания после концентрирования (экстракционно-фотометрические определения). Классификация практических случаев применения экстракции в анализе следов представлена на схеме (стр. 4). [c.3]

В связи с разработкой метода амальгамной полярографии с накоплением как метода серийных анализов материалов высокой чистоты в заводских условиях возникла необходимость в создании новой аппаратуры для амальгамной полярографии с накоплением. Эта аппаратура должна быть простой и удобной при выполнении серийных анализов. Было разработано несколько оригинальных конструкций электролизеров, в которых разрешены поставленные выше задачи [11]. Идея этих конструкций состоит в том, что дно электролизера изготовляется нецельным, в него вставляется тефлоновое днище, на которое ставится сменный кварцевый [c.158]

Очень перспективно внедрение органических соосадителей в технологию для очистки реактивов и материалов высокой чистоты, для выделения радиоактивных изотопов в состоянии без носителя , для выделения из вод ценных или вредных веществ. [c.294]

Для получения материалов высокой чистоты большое распространение получил метод зонной плавки [5], позволяющий путем многократной перекристаллизации расплава концентрировать примеси в относительно небольшом участке образца. Последнее может быть использовано в аналитических целях. На целесообразность использования зонной плавки для получения аналитических концентратов указывалось в ряде работ [6—9]. В этой области уже выполнено несколько конкретных исследований [10—13, 16], но число их пока еще ограничено. В литературе неоднократно обращалось внимание на недостаточное использование широких возможностей этого метода в аналитической практике [3, 14, 15]. [c.375]

Основной проблемой в приготовлении материалов высокой чистоты методом газовой хроматографии является выбор соответствующей жидкой фазы, которая не должна элюироваться из колонки в заметных количествах и улавливаться вместе с веществом. Многие жидкие фазы, пригодные для аналитической работы, непригодны для получения материалов высокой чистоты. Постоянное количество жидкой фазы или продуктов ее разложения в газе-носителе аналитической колонки не влияет на результаты анализа и в большинстве случаев не определяется. В некоторых аналитических работах может допускаться парциальное давление паров жидкой фазы (при температуре колонки) до 1 мм рт. ст. Однако столь высокое давление паров было бы нежелательным в случае приготовления ультрачистых материалов. Допустимая упругость пара жидкой фазы зависит, конечно, от желаемой степени чистоты вещества. Содержание загрязняющей примеси, обусловленной летучестью жидкой фазы, определяется выражением [c.369]

В большинстве материалов высокой чистоты, синтезируемых и применяемых в настоящее время, допустимые концентрации лимитируемых примесей составляют для электролитов -<10 —10" % и неэлектролитов -<10-3%. (При таких концентрациях примесей взаимодействие их между собой отсутствует.) [c.4]

Задачи определения ультрамалых абсолютных и относительных содержаний примесей в материалах высокой чистоты потребовали совершенствования всех звеньев собственно эмиссионного спектрального анализа (источников света, спектральной аппаратуры, средств и способов регистрации спектров), широкого привлечения различных физико-химических методов обработки пробы с целью повышения чувствительности анализа, решения ряда технических проблем, диктуемых требованием стерильности работы с особо чистыми материалами. Все это привело к тому, что современный спектральный анализ чистых веществ стал в известной мере особой областью спектрального анализа. [c.5]

Проблема создания высококачественных эталонов всегда сопряжена с трудностями и для многих материалов не может считаться окончательно решенной. Эти трудности возрастают при эталонировании образцов для целей спектрального анализа материалов высокой чистоты, особенно металлов с весьма малым содержанием примесей. [c.359]

Для спектрального анализа материалов высокой чистоты применяют, как правило, синтетические эталоны, материал которых получают синтезом компонентов основы и примесей. Иногда даже этот путь вызывает значительные трудности, главным образом, из-за отсутствия достаточно чистой основы или из-за существенных различий форм нахождения примесей в эталоне и анализируемом образце. Непременными условиями получения надежных синтетических эталонов являются сохранение заданного расчетного состава в процессе его синтеза установление состава по данным расчета устранение возможных при синтезе систематических погрешностей с помощью спектральных методов корректировки состава, основанных на применении способа добавок. [c.360]

Технические требования к качеству веществ высокой чистоты, применяемых в полупроводниковой технике, включают от 15—20 до 30—40 определяемых примесей (2]. Поэтому перед аналитиками стоит тяжелая и трудоемкая задача определения большого числа примесей в разнообразных материалах высокой чистоты при содержаниях —10 %. [c.8]

При анализе материалов высокой чистоты возникают большие трудности, связанные с неоднородностью распределений примесей, необходимостью измельчения и опасностью загрязнения анализируемого материала при отборе средней пробы. [c.19]

Показана [9] возможность получения мелкодисперсных материалов высокой чистоты разложением металлоорганических соединений в паровой фазе. Но такая методика ограничена получением однокомпонентных систем. Примером парофазных реакций с участием галогенидов и углеводородов является производство Т10г и сажи. Для инициирования газофазных реакций начинают применять мощные лазеры. Так, порошок кремния с удельной поверхностью 55 м /г был получен разложением газообразного 51Н4 с помощью лазерного луча высокой интенсивности [10]. [c.18]

Для уменьшения саморазряда и газовыделения в аккумуляторах необходимо при изготовлении их пользоваться материалами высокой чистоты. Надо следить, чтобы на отрицательный электрод не попали следы каких-либо металлов, понижающих перенапряжение для выделения водорода (кроме сурьмы). Известно, что ряд поверхностно-активных веществ, адсорбируясь на поверхности металлов, повышает перенапряжение для выделения водорода. В свинцовых аккумуляторах повышение перенапряжения на свинце и сурьме и задержку выделения водорода в частности обеспечи- [c.485]

Углеродные адсорбенты и материалы высокой чистоты могут найтч широкое применение в технологии особочистых веществ, производстве полупроводниковых приборов, воднохимических цехах атомных к тепловых электростанций, производстве катализаторов и электродов для химических источников тока, а также в качестве сорбентов для рекуперации паров ЛВЖ, В докладе рассмотрены основные способы получения пористых углеродных материалов высокой чистоты и показано, что метод экстракции минеральных примесей кислотами в наибольшей мере подготовлен для промышленного примепе ния. Сопоставляются результаты экономических расчетов про изводства углеродных адсорбентов по двум различным технологическим схемам. Показано, что устранение использования в процессе экстракции минеральных примесей из промышленных активных углей плавиковой кислоты позволяет снизить себестоимость одной тонны углеродных адсорбентов высокой чистоты на 5000 руб. [c.151]

Требования практики всегда стимулировали развитие А. X. Так, в связи с необходимостью анализа полупроводниковых и др. материалов высокой чистоты получили развитие чувствит. методы — активационный аиализ, химикоспектральный анализ, искровая масс-снектрометрия, инверсионная вольтамперометрия и др., позволяющие определять до 10 — 10 % примесей. Для развития черной металлургии решающее значение приобрел экспресс-анализ отали в ходе плавки, к-рый осуществляется за время порядка [c.46]

Требования практики всегда стимулировали развитие А. X. Так, в 40-70-х гг. 20 в. в связи с необходимостью анализа ядерных, полупроводниковых и др. материалов высокой чистоты были созданы такие чувствительные методы, как радиоактивационный анализ, искровая масс-спектроме-трия, химико-спектральный анализ, вольтамперометрия, обеспечивающие определение до 10" -10" % примесей в чистых в-вах, т.е. I часть примеси на 10-1000 млрд. частей осн. в-ва. Для развития черной металлургии, особенно в связи с переходом к скоростному конвертерному произ-ву стали, решающее значение приобрела экспрессность анализа. Использование т. наз. квантометров - фотоэлектрич. приборов для миогоэлементного оптич. сйектрального ли рентгеновского анализа позволяет проводить анализ в ходе плавки за неск. минут. [c.159]

Инверсионная вольтамперометрия. Пределы обнаружения Sb(III) при использовании ртутных капающих электродов методами осциллографической [291] и переменнотоковой [116, 118] полярографии находятся на уровне и-10 г-ион1л. Однако в ряде случаев указанные пределы обнаружения Sb часто недостаточны для контроля ее содержания в материалах высокой чистоты и в материалах, используемых в электронной технике, ядерной физике и т. д. Для снижения пределов обнаружения Sb в последнее время успешно используется метод инверсионной вольтамперометрии [86, 233, [c.65]

Флуориметрия (люминесцентный анализ) основан на измерении вторичного излучения, возникающего в результате взаимодействия ультрафиолетового излучения с определяемым компонентом. Содержание катионов, не обладающих собственной люминесценцией, определяют с помощью флуоресцентных реакций комплексов катионов с органическими реагентами. Для определения содержания индия, галлия, тантала и др. флуориметрическим методом используют например, родаминовые красители. Флуорн-метрические методы характеризуются низким пределом обнаружения (10 7о), но они часто являются недостаточно селективными. Используются в основном для определения содержания микропримесей в материалах высокой чистоты. [c.39]

При анализе материалов высокой чистоты способ разложения пробы должен обеспечить получение низких значений контрольного оиыта, величина которых зависит от количеств определяемого элемента, вносимого в раствор реактивами и посудой, в которой проводят разложение пробы. Низкие значения контрольного оиыта достигаются использованием малого числа реагентов и операций, причем степень чистоты применяемых реагентов должна быть высокой или очистка реагентов должна легко осуществляться. Цель очистки состоит в уменьшении содержания определяемого элемента в реагентах. Оно должно быть малым по сравнению с содержанием элемента в пробе. [c.49]

В последнее время с развитием современных отраслей промышленности и новой техники, потребляющих материалы высокой чистоты, большое значение приобрели методы определения следов элементов (микропримесей). Поэтому возросли требования в отношении точности и чувствительности методов, применяемых для анализа особо чистых веществ. [c.353]

Технические требования к качеству веществ высокой чистоты, применяемых в полупроводниковой технике, включают от 15—20 до 30—40 определяемых примесей [4]. Поэтому перед аналитиками стоит тяжелая и трудоемкая задача определения большого числа примесей в разнообразных материалах высокой чистоты при содержаниях 10 — 10" %. К решению этой задачи современная аналитическая химия, которую по праву можно назвать химией следов , привлекает весь арсенал своих методов. Однако следует подчеркнуть, что чувствительность наиболее широко применяемых методов, основанных на предварительном концентрировании, таких как химикоспектральный, полярографический, люминесцентный, спектрофотометрический и др., не превышает 10" — 10 %. Чувствительность наиболее универсального метода, позволяющего проводить непосредственное определение масс-спектрального анализа, также не превышает 10" %. [c.8]

Как известно, для определения микропримесей в материалах высокой чистоты в большинстве случаев основную часть анализируемого материала приходится отделять от микропримесей. Операции по отделению значительно увеличивают длительность, трудоемкость анализа, расход высокочистых реактивов и ошибку от холостого опыта. Поэтому большое практическое значение имеет разработка приемов, позволяющих устранить мешающее влияние основной массы металла без его отделения. Одним из таких -методов является предложенный нами метод амальгамной полярографии с перенесением [10]. Сущность метода состоит в том, что процесс электровосстановления определяемых элементов проводится в одном электролите, а растворение амальгамы в другом. Электровосстановление проводится в электролите, в котором основной металл не восстанавливается, а электроокисление амальгамы — в электролите, в котором получаются хорошие раздельные анодные зубцы определяемых элементов. [c.157]

Проведенные опыты показали, что данным приемом можно количественно определять микронримеси веществ в материалах высокой чистоты. [c.157]

При выделении микропримесей из полупроводниковых и других материалов высокой чистоты для технологических или аналитических целей и в ряде других случаев полезны соосадители, способные выделять эти примеси из весьма кислых растворов. [c.288]

Успешное решение ряда задач современной науки и техники связано с широким использованием материалов высокой чистоты. Повышение чувствительности обнаружения примесей в этих материалах достигается либо внедрением совершенных инструментальных методов анализа, либо сочетанием предварительного обогащения примесей с последующим определением их в ползпз енном концентрате. Для получения концентрата примесей используются как химические [1—3], так и физические [4] методы разделения. [c.375]

ГАЗОФАЗНЫЕ ПОКРЫТИЯ - покрытия, образующиеся вследствие взаимодействия паров летучих соединений металлов и неметаллов с поверхностью нагретых изделий вид защитных покрытий и покрытий спец. назначения. При формировании Г. п. происходит разложение или восстановление паров летучих соединеню с образованием твердофазных и газообразных продуктов. Твердофазные продукты оседают на поверхности изделия, образуя покрытие, а газообразные продукты, как правило, непрерывно удаляются. Газофазным осаждением наносят металлы (в особенности тугоплавкие), их сплавы, металлиды, некоторые кислородсодержащие и бескислородные тугоплавкие соединения, покрытия на основе окислов, карбидов, боридов, нитридов, силицидов, кера-мико-металлических материалов. Наряду с покрытиями на основе материалов высокой чистоты этим методом получают стехиометрические соединения, выращивают эпитаксиальные слои (см. Эпитаксия), монокристаллы. Различают процессы создания Г. п. высокотемпературные (т-ра выше 800° С) и низкотемпературные (т-ра ниже 600— 800° С). При высокотемпературном процессе образование Г. п. происходит вследствие термического разложения паров неорганических соединений, гл. обр. фторидов, хлоридов, бромидов и йодидов. Для получения покрытий в виде сплавов смешивают пары хим. соединений нескольких металлов. При нанесении тугоплавких соединений используют смесь пара, в к-рую наряду с галогенидами металлов вводят добавки, содержащие (в соответствии с получаемым соединением) углерод, азот, бор, кислород или кремний. Высокотемпературный процесс покрытия изделий ниобием из его йодида осуществля- [c.245]

Развитие основных направлений современной науки и техники связано с возрастающим использованием материалов высокой чистоты. В последние годы наиболее жесткие требования к чистоте материалов предъявляет полупроводниковая техника. Для уточнения технологии получения полупроводниковых материалов и соединений и создания на- дежных полупроводниковых приборов с заданными свойствами иеобхо-цима разработка методов контроля содержания примесей с чувствительностью 10 —10 %. [c.3]