Окислы, дефекты

Описанные выше нестехиометрические каталитические решетки состоят из металла и кислорода и представляют собой, таким образом, только окисел данного металла. Однако дефекты решетки можно получить и в том случае, когда в структуру решетки включены посторонние ионы (ионы других элементов). Это особенно важно, когда инородные примеси имеют валентность, отличную от валентностей главных компонентов, образующих решетку. Валентности этих [c.366]

Когда величина Ф велика, то окисел легко растрескивается (вследствие больших различий в объемах металла и окисла). Это приводит к особенно неприятным последствиям, когда кислород проникает через дефекты к поверхности раздела металл — окисел и формирует на ней новый окисел с образованием растягивающих усилий по отношению к ранее существовавшему окислу, вызывающих его отделение. [c.28]

Большое количество ценной информации Часто можно получить с помощью тщательных визуальных наблюдений. Выдающимся примером является опыт с каплей солевого раствора, описанный в разд. 2.1. Из распределения участков коррозии квалифицированный наблюдатель может извлечь существенные данные. Вопрос о распределении коррозионных поражений сложен й труден для обобщения. Тем не менее можно считать, что в кислых и сильнощелочных растворах разъедание чаще имеет сплошной характер, так как окисная пленка может растворяться, причем эту общую тенденцию можно усмотреть на многих диаграммах Пурбэ. В близких к нейтральным растворах имеют место значительные изменения в распределении коррозии. Так как окисел устойчив, то разъедание будет начинаться на слабых участках, локализация которых определяется как окислами, так и металлической подложкой. Слабые участки, помимо прочего, включают поверхности с разрушенным окислом, а также дефекты покрытия, связанные, возможно, с микрорельефом металла (абразивные полосы, границы между зернами) и конструктивными особенностями (проточки.для резьб, уступы). Дальнейшее распространение разъедания будет зависеть от многих факторов. Если окисел очень устойчив, то разъедание может концентрироваться на начальных участках. Важными переменными являются доступ кислорода, и физическая природа продуктов коррозии, которые могут быть самыми разнообразными. Они могут быть хлопьевидными, легко про- [c.120]

В общем случае вакансии и междоузельные атомы всех типов участвуют в реакции на поверхности. Тем не менее учет этого факта точно так же приводит к параболической зависимости от времени с соответствующим изменением в уравнении (9.8) других множителей. Часто, однако, достаточно рассмотреть лишь один тип дефектов так, например, в реакции окисления меди до Си О необходимо учитывать только катионные вакансии. Они возникают на внешней поверхности пленки и разряжаются на поверхности раздела окисел—медь концентрации [У си1 и [Л+] повсюду приблизительно равны и уменьшаются по линейному закону в направлении от внешней поверхности к поверхности раздела. Приведенный выше вывод уравнения скорости роста пленки непосредственно применим к этой системе. Можно ожидать. [c.166]

Полученные данные лишь частично характеризуют активное, пассивное и транспассивное состояния металлов и определяют условия, при которых можно ожидать реализации каждого из них. Однако они не указывают на причину перехода металла из активного состояния в пассивное и из пассивного в транспассивное. Для объяснения явлений пассивности были предложены пленочная и адсорбционная теории. В пленочной или фильмовой (Кистяковский) теории пассивности, берущей начало от Фарадея, предполагается, что переход металла из активного состояния в пассивное вызван образованием на его поверхности тонкого, обычно окисного слоя, отделяющего металл от окружающей среды и препятствующего, таким образом, его растворению. Образующийся окисный слой имеет толщину в несколько молекулярных слоев и его можно рассматривать как фазовый окисел. Чем совершеннее структура окисного слоя, чем меньше в нем разрывов и дефектов, тем полнее пассивация и тем меньше скорость растворения металла в пассивном состоянии. Одним из доказательств справедливости фильмовой теории служит тот факт, что для многих металлов, например для меди, свинца, серебра и платины, потенциалы пассивации сд и активации Сак лежат по обе стороны от обратимых потенциалов соответствующих металл-окисных электродов. Точно так же характер зависимости потенциала пассивации от кислотности раствора часто (в том числе и для перечисленных металлов) отвечает изменению потенциала металлического электрода второго рода с pH [c.454]

Процесс образования окалины объясняется теорией Вагнера [345]. Ионы железа отдельно от электронов мигрируют через слой и на границе раздела фаз окисел — газ реагируют с ионами кис лорода [346]. При этом справедливы также представления Хауффе о дефектах в окисной решетке [348]. [c.120]

В ряде работ [312, 603, 604] были высказаны предположения, что наиболее близкие к поверхности сетки углеродных атомов, а возможно, и более удаленные преобразуются в поверхностный окисел . Впервые эго мнение было высказано еще в работах [24, 850, 851]. Лоури и Хьюлетт [612] считают поверхностные окислы устойчивыми твердыми комплексами, которые разрушаются при нагреве и образуют определенные смеси СО и СО2 и которые можно рассматривать как ангидриды окислов графита [476]. Как указывалось выше, такие рассуждения не всегда учитывают возможную разницу при реагировании графита, близкого к идеальному, и углерода с ббльшим или меньшим количеством дефектов. [c.205]

При катодном процессе, наоборот, протоны из раствора переходят в окисел и захватываются протонными дефектами. Уравнение разрядного процесса выражается следующим образом [c.91]

Если поверхностное соединение является полупроводником -типа, в роде двуокиси циркония, число дефектов на поверхности раздела окисел — газ должно быть при умеренных значениях температуры и давления ничтожно малым, так что скорость окисления почти не должна зависеть от парциального давления кисло- [c.134]

В предыдущей статье мы предположили, что в наших опытах кислород диффундировал в никель. Я хотел бы рассмотреть другую возможность. В настоящее время имеются существенные доказательства того, что как хемосорбция, так и окисление вначале происходят на дефектах решетки. Если поверхность, покрытую хемосорбированным кислородом, нагревать в вакууме, можно ожидать, что окисление будет протекать на дефектах решетки за счет хемосорбированного кислорода, который подвижен. В результате на чистой поверхности обычно появляется ряд островков окисла. Если предварительно окисленную поверхность нагревать в вакууме, то можно ожидать, что окисел будет мигрировать и образуются островки в районе дефектов, причем значительная часть поверхности вновь останется чистой. Если доля поверхности, покрытой островками окисла мала, то поверхность при электронографическом исследовании будет казаться чистой. [c.556]

В связи с тем, что твердофазные реакции связаны с переносом вещества, можно ожидать существенного влияния нестехиометрии на диффузионные процессы в окислах. Рассмотрим окисел типа МО с собственным разупорядочением типа Шоттки. Для простоты изложения ограничимся дефектами четырех видов — вакансия в металлической подрешетке с отрицательным зарядом W , 1 0 вакансия в кислородной подрешетке с положительным зарядом е —свободные электроны —электронные дырки. Они связаны между собой уравнениями [c.65]

Добавка щелочей. Механизм замедления реакции Fe с HjO добавками щелочи также не вполне понятен. Эванс [29] предположил, что щелочи в присутствии кислорода уменьшают растворимость гидроокисей и окислов железа, что благоприятствует образованию на поверхности металла защитных пленок магнетита. Окислы, образовавшиеся в объеме воды, не имеют защитных свойств, и коррозию в данном случае можно сравнить с коррозией при дефектах окалины. При высокой температуре окисление железа в основном контролируется диффузией через безводный окисел, а не образованием гидратированных ионов металла, которые в результате последующих реакций становятся частью пленки из продуктов коррозии. [c.237]

Интенсивность корозии титана в соляной кислоте можно уменьшить добавкой в раствор замедлителей коррозии— окислителей (азотная кислота, хромовая, К2СГ2О7, КМПО4, П2О2, О2 и др.), а также солей некоторых металлов (меди, железа, платины и др.). При этом потенциал новой системы титан— раствор приобретает более положительное значение. В таком окисле, как ТЮг, число дефектов решетки на границе окисел — газ настолько мало, что достаточно незначительного количества кислорода, чтобы их ликвидировать. Вновь появляющиеся в процессе растворения дефекты благодаря присутствию кислорода будут устраняться, т. е. процесс пассивации будет преобладать над процессом растворения титана. [c.282]

При малой толщине окисной пленки напряженность поля значительна, но по мере утолщения пленки она ослабевает и при толщине порядка нескольких десятков нанометров становится исчезающе малой. В этих условиях в качестве основной движущей силы диффузии остается градиент концентращ1й, обусловленный изменением соотнощения металла и окислителя в окисной пленке. На границе металл — окисел в пленке следует ожидать максимально возможную в рассматриваемых условиях концентрацию катионов при некотором недостатке анионов, а на границе окисел - газ следует ожидать максимально возможную концентрацию анионов при некотором недостатке (по отнощению к внутренним слоям) катионов. Наряду с этим предполагается наличие в окисле дефектов, которые, по современным представлениям, являются необходимым условием для диффузии [5 - 9]. Эта модель, в совокупности с представлением об окисной пленке как о полупроводнике, является основой теории Вагнера - Хауффе, описывающей рост толстых окисных пленок по закону квадратичной параболы [10]. [c.12]

При плазменном анодировании основные электроды газоразрядного промежутка (катод и анод) служат только для поддержания разряда. Диэлектрическую подложку с окисляемой пленкой погружают в кислородную плазму и подают смещение, независимое от основного разряда. Для протекания постоянного тока в цепи анодиру--емой пленки применяют контрэлектрод, погруженный в плазму. Возможно использование любого разряда низкого давления тлеющего, дугового, высокочастотного и сверхвысокочастотного. Важно, чтобы разряд мог образовывать плазму с необходимыми параметрами в больщих объемах и не вызывал распыления электродов, так как продукты распыления будут загрязнять растущий окисел и станут источниками дефектов. Дуговой разряд отвечает этим требованиям, однако он малопригоден для промышленного использования из-за быстрого разрушения термокатода в активной кислородной среде. Применение безэлектродных ВЧ и СВЧ разрядов позволяет полностью исключить распыление основных электродов, но остается возможным распыление контрэлектрода и диэлектрических стенок вакуумной камеры. [c.155]

Таким образом, показано, что на поверхности серебра и других металлов, являющихся катализаторами окисления, сосуществуют разные формы адсорбированного кислорода, которые находятся в виде ионов (О2 и 0 ) либо образуют двумерные или с большим числом слоев поверхностные окислы разного состава и структуры. Под влиянием хемосорбции или целевой реакции окисления происходит перестройка поверхности металла [59], например на платине возникает окисел Р1з04, на серебре Ag20з и т. д. В этих структурах кислород более реакционноспособен, чем в РЮ, Ag20 и др. В зависимости от природы поверхности ( дефекты , дислокации, заряд и т. д.) изменяется соотношение различных форм кислорода, способных окислять углеводороды с разной селективностью. [c.40]

Каталитические свойства AI2O3 существенно зависят от условий ее предварительной обработки, в частности от температуры прогрева в вакууме (10 мм). Максимальному количеству возникающих при этом анионных дефектов (вакансий ионов кислорода), в результате наличия которых окисел приобретает свойства -полупроводника [7], соответствует наивысшая каталитическая активность. Она падает при обработке активированного в вакууме катализатора кислородом и растет при обработке СО (т.е. при его частичном восстановлении), очевидно, в результате улучшения адсорбции реагентов, так как при этом порядок реакций по СО и Og становится равным нулю 18]. При температуре выше 700°С начинается интенсивное испарение алюминия с поверхности, AI2O3 приобретает свойства р-полупроводннка, что сопровождается ростом ее каталитической активности. [c.217]

Такие следовые элементы, после нанесения их в соответствующей ко шситрации на носитель (например, на какой-нибудь окисел), пригодны для обнаружения скрытых структурных дефектов носителя при по-ш ши катализа [32]. Этот метод, наверно, превосходит по чувствительности другие физико-химические способы измерения. Только если слож-,иый катализатор окисел металла-Ьион не превосходят по активности своих компонентов, можно говорить о бездефектной структуре носителя. [c.388]

На катоде окись Ре + восстанавливается до окиси Ре , которая переходит в раствор. Это явление известно под названием восстановительного растворения. Этот механизм, связывающий удаление окислов высшей валентности с поверхности металла не с непосредственным растворением гематита и магнетита кислотой, а с восстановительным растворением, был убедительно доказан Прайэром и Эвансом [140, с. 14]. Изучая растворимость окисла РегОз, авторы нашли, что непосредственное действие кислоты было медленным, а в растворе было обнаружено много ионов Ре +, хотя окисел формально состоял из РегОз. Изучение модели короткозамкнутого элемента, составленного из окисла железа РегОз и Ре, подтвердило, что железо является анодом, а окисел — катодом. При этом наблюдалось очень сильное растворение окисла с накоплением в катодном пространстве Ре2+, Таким образом, катодная реакция может рассматриваться как процесс образования дефектов структуры в решетке окисла РеЗ+ (увеличение концентрации Ре-+). Поскольку растворение окиси происходит предпочтительнее в дефектах структуры, то появление Ре в растворе понятно. [c.221]

Гематит РегОз — окисел п-типа с анионными дефектами. Он имеет две структуры ромбоэдрическую а и шпинельную у, подобную структуре Рез04, с которой образует непрерывный ряд твердых растворов. [c.45]

Окислы РегОз (гематит) и Рвз04 (магнетит) имеют кристаллические решетки сложного строения гематит — ромбоэдрическую, магнетит — сложно-кубическую решетку процессы диффузии кислорода в них затруднены. Образующаяся при температурах выше 575 °С FeO (вюстит) имеет простую решетку гранецентрированного куба, которая содержит вакансии и электронный дефекты, облегчающие проникновение кислорода. Окисел такого строения не обеспечивает защитных свойств пленки и не может изолировать металл,от действия кислорода. Именно поэтому жаростойкость нелегированной углеродистой стали ограничена температурой 575—600 С, Введение легирующих элементов изменяет этот показатель (см. гл. 2). [c.25]

Не образуя собств еганой фазы, высший окисел может, конечно, яакаплив1аться в виде твердого ра створа его ячеек в исходной решетке низшего О Кисла (по отн О Ш ению к которой эти ячейки могут считаться носителями нестехиометрических дефектов). Но закономерности образования таких твердых растворов должны существенно отличаться от закономерностей фазовых переходов. [c.21]

В предположении линейности распределения дефектов концентрационные градиенты для полупроводящей окалины двух главных видов должны изменяться так, как это схематически показано на рис. 39. Соответствующие модели ионной структуры были изображены на рис. 9 и 7. В пленках окиси цинка 2 пО участок около поверхности раздела металл — окисел обогащен междоузельными нопами цинка и электронами. В пленках же закиси меди катионных вакансий и ионов двухвалентной меди у поверхности металла содержится. мало, тогда как на поверхности раздела окисел — газ концентрации и тех и других больше. В обоих случаях концентрация не.металличеокого компонента убывает, разумеется, от поверхности раздела газ — окисел к поверхности раздела окисел — металл, а концентрация металла в том же направлении возрастает. [c.131]

Если же, однако, давление кислорода значительно снизить, то концентрация дефектов на поверхности раздела окисел—кислород должна стать заметной, причем ее величина зависит от температуры, давления и сродства металла к кислороду. Как правило, этот эффект недооценивают, и иногда для объяснения зависимости от давления кислорода при низких его значениях высказывают предположения о действии какого-нибудь иного механизма. Даже в двуокиси титана существует нехватка кислорода, характеризующаяся величиной п = 0,004 в Ti02-n при 1230° С и давлении кислорода 0,001 атм [392]. Таким образом, для металлов, образующих окислы п-типа, при низком давлении кислорода скорость окисления должна быть тем больше, чем ниже давление. Однако обеднение кислородом нормального воздуха должно оказывать противоположное действие, которое осложняет наблюдение простой взаимосвязи между этими явлениями. [c.135]

Главные отличительные черты, свойственные всем анодным окисны.ч пленкам, заключаются в том, что они растут аморфными слоями, не образуя кристаллической решетки. Обычно оксидные поверхности получаются гладкими и бездефектными, однако если поверхность металла недостаточно чистая и ровная, на пограничном слое металл — окисел могут появляться дефекты кратерообразной формы, а на границе пленки и электролита — куполообразные. На рис. 26 и 27 приведены примеры подобных дефектов. Границы зерен материала подложки также могут служить источниками дефектов структуры поверхности окисла. Примеры таких дефектов показаны на рис. 28. Теория процесса роста в настоящее время находится в стадии обсуждения. Анализ процесса был приведен в работе [41], автор которой исходил из предположения о существовании потенциального барье- [c.483]

Как утверждалось во введении, атомарно-плоские поверхности на больших площадях подложек не достижимы. Даже наилучшие монокристаллические подложки в процессе изготовления и обработки приобретают дефекты. Эти дефекты в пленках повторяются или распространяются в осажденные слои, как например, дислокации в эпитаксиальные слои [13]. Дефекты субмикронного размера так же, как и мелкие царапины иа поверхностях кремниевых пластин, вызывают в тонких пленках нерегулярности. Балк и другие сообщили, что механическое повреждение исходной поверхности влияет на скорость окисления и что получаемый термическим окислением окисел повторяет грубые детали поверхности [14]. Это показано на рис, 9, а и б. Б то время, как песчаиность исходной поверхности исчезает после окисления, грубые детали, включая царапины, остаются. На рис. 9, в показан другой тип дефектов, которые имеют место в эпитаксиальных пленках. Ими являются дефекты упаковки, появляющиеся в растущем слое в местах, где поверхность подложки была механически повреждена [15]. Характерна высокая плотность дефектов упаковки вдоль царапины, образовавшейся при полировке. [c.513]

Мотт и Гарней показали, что параболический (квадратичный) закон наблюдается в тех случаях, когда массоперенос компонентов осуществляется путем диффузии заряженных частиц. Характер диффузионных процессов должен зависеть от типа дефектов, возникающих в слое соединения. В случае реакций металлов с кислородом, серой, теллуром, галогенами образуются соединения, обладающие ярко выраженными полупроводниковыми свойствами. Величина и тип проводимости таких соединений могут изменяться при изменении величины парциального давления летучего компонента. Напомним, что преобладающий тип дефектов, возникающих в соединениях, зависит от природы соединения. При окислении цинка возникает слой ZnO, п-типа. Электронная электропроводность ZnO обусловлена ионизированными межузельными атомами цинка (Zn, +е). При окислении меди образуется слой СпгО /7-типа электропроводности, которая обусловлена вакансиями на подрешетке меди (У ц +h). Рост пленки ZnO обеспечивается перемещением межузельных ионов цинка и электронов от границы Zn—ZnO к границе ZnO—О2 в пленке ZnO наблюдается градиент концентрации Zn,. Рост пленки ujO обеспечивается диффузией заряженных вакансий и дырок от границы СпгО—О2 к границе Си— U2O и обратным потоком ионов меди (Си ц ) и электронов. В обоих случаях наблюдается диффузионный поток металла от границы металл— окисел к границе окисел — кислород. Различие в природе и в механизме миграций диффундирующих дефектов проявляется, в частности, в том, что скорость окисления цинка не должна зависеть от давления кислорода, а скорость роста пленки U2O должна от него зависеть. [c.379]

Предположим, что стабильно валентный окисел Li20, в небольшом количестве прибавленный к окислу переходного металла МО, способного фиксировать избыток кислорода, может образовать твердый раствор при помощи спекания или сплавления. В предыдущем разделе мы видели, что в случае катионной вакансии М + два соседних катиона переходили в состояние М + для восстановления нейтральности кристалла. Здесь, наоборот, только один катион изменяет степень ионизации (М 12хМх Ых/ )0 . В первом случае был избыток анионов кислорода по отношению к катионам металла, в то время как во втором число их строго одинаково. Можно сказать, что полупроводимость достигнута и н -дукцией валентности от ЫгО на МО без структурных дефектов в последнем окисле. Тем не менее, очевидно, какие-то дефекты будут иметь место, как в любом кристалле, но явление полупроводимости не будет с ними связано, в частности, можно получить более высокие концентрации нримесей, чем в концентрации физических структурных дефектов. [c.115]

Значительный вклад внесли советские исследователи в теорию окисления металлов и сплавов сухими газами (газовая коррозия). Одним из выдающихся достижений здесь явилась развитая П. Д. Данковым кристаллохимическая теория первичных стадий окисления, особенности которых впервые были объяснены на основе принципа ориентационного и размерного соответствия кристаллических решеток окисла и металла. Исходя из представлений о падении во времени числа дефектов в пленке, но которы.м ионы металла диффундируют к границе окисел—газ, П. Д. Данков объяснил также образование окисных пленок предельной толщины. Существенное значение для понимания механизма первичных стадий окисления имеют работы Р. X. Бурштейн с сотрудниками, в которых установлена связь между глубиной окисления и изменениями работы выхода электрона. Широкое признание получили исследования В. И. Архарова, посвященные установлению детальной связи механизма окисления железа со строением его окалины. Согласно развитой В. И. Архаровым теории жаростойкости, во многих случаях хорошо подтверждаемой на опыте, легирование должно предотвращать образование вюститной фазы и приводить к возникновению окисла типа шпинели с возможно меньшим параметром решетки. Этот принцип был успешно использован в теории окисления сплавов N1—Сг, развитой П. Д. Данковым и позднее Д. В. Игнатовым, и в теории окисления сплавов Ре—Сг—А1 И. И. Корнилова, который показал также необходимость учета химических реакций компонентов сплава с окисной пленкой. Существенную роль в развитии представлений о процессах окисления мета.ллов и сплавов сыграли работы Н. А. Шишакова, А. А. Смирнова, Н. П. Жука, И. Н. Францевича и ряда других советских исследователей. [c.236]

Если рассматривать двуокись циркония (ЕгОг) как полупроводник анионнодефектного типа и считать, что проникновение кислорода через окись происходит путем анионной диффузии дефектов в решетке ZrOs II, 2], то можно полагать, что бериллий является, в общем, довольно выгодной легирующей добавкой, хотя его валентность меньше, чем у таких металлов, как V, Nb, Та и Мо, Окись бериллия обладает довольно благоприятными свойствами с точки зрения ее стойкости и энергии образования окисла. Ниобий же хотя и является более высоковалентным металлом, но образует пористый окисел Nb20s с большим отношением объема окисла к объему металла и обладает меньшей, чем у бериллия, энергией образования окисла. Однако некоторые двойные сплавы циркония с ниобием показывают довольно высокую коррозионную стойкость [3]. [c.54]

Вторым возможным процессом является внедрение атомов цинка, серы или кислорода в сульфид или окисел с образованием соответствующих дефектов, что приводит к отклонению соединений от стехиометрии. Поскольку Pzn " 3pso2 и P Oi > Ps2 и ро.,, то парциальное давление цинка в паре свободно испаряющихся ZnS и ZnO будет больше, чем в парах ZnS или ZnO, когда эти соединения испаряются по отдельности. В результате образуется избыток Zn, который может взаимодействовать как с ZnS, так и с ZnO по реакции [c.148]

Опыты показывают, что окисление протекает при диффузии ионов кислорода в направлении к поверхности раздела металл-окисел (анионный дефект решетки). Было предположено, что трехвалентные ионы азота в решетке ZrOa повышают концентрацию анионного дефекта и тем самым увеличивают скорость диффузии ионов кислорода. Если бы такой механизм был правилен, то скорость окисления в О2 также должна была бы измениться, чего нет. Положение усложняется тем, что легирование оловом заметно повышает скорость коррозии циркония в воде, но при совместном легировании оловом и небольшими количествами железа, никеля и в меньшей степени хрома коррозионная стойкость повышается и вредное влияние азота исчезает. [c.300]

Электропроводность, скорость диффузии вещества в твердой фазе и другие свойства полупроводни1 ов зависят не толы о от температуры, но и от наличия тех или иных нарушений ( дефектов ) в периодической структуре кристаллической решетки окисла [22]. Большов значение при этом имеют дефекты, появление котэрых связано с наличием примесей чужеродных ионов в решетке. Поэтому одним из действенных способов изменения полупроводниковых и, следовательно, электрохимических свойств окислов является введение в них примесей. При современном состоянии теории полупроводников нельзя в полной мере объяснить и предсказать характер влияния примеси в полупроводнике на его свойства. Однако теория позволяет определять направление влияния той или иной примеси на электропроводность и скорость диффузии вещества в твердой фазе в зависимости от величины заряда катиона основного окисла и примеси, а также от природы проводимости окисла, т. е. природы основных носителей тока ионов, свободных электронов или положительных электронных дефектов [23]. Например, при введении в окисел с проводимостью и-типа примеси, имеющей заряд катиона, меньший заряда катиона основного окисла, следует ожидать уменьшения электропроводности и увеличения скорости диффузии в твердой фазе. Для окисла с проводимостью р-типа получаются обратные соотношения [23]. [c.778]

Если поверхностное соединение является полупроводником п-типа с вакантными анионными узлами, напрпмер ОеОг, Т102, РваОз, ТэгОб, МоО-л, ШОз, число дефектов (анионных вакансий) на поверхности раздела окисел — кислород должно быть при умеренных значениях температуры и давления ничтожно малым, так что скорость окисления почти не должна зависеть от парциального давления кислорода, что и подтверждается для металлов, образующих окислы этого типа при температурах, при которых их окисление подчиняется параболическому закону. [c.130]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология