одели дефекты

ГЧ УЛьпые кристаллы. Кристаллы, состоящие из соверщенно оди-нaк JBыx элементарных ячеек, называются идеальными. Образующиеся в реальных условиях кристаллы могут несколько отличаться от кристаллов идеальных. Реальные кристаллы построены из некоторого числа блоков правильного кристаллического строения, расположенных приблизительно параллельно друг другу, ио все же несколько дезориентированных. Это явление называется мозаичностью структуры кристаллов, которая ведет к возникновению дислокаций, т. е. линейных, а также поверхностных и объемных дефектов структуры, образующихся 1з процессе роста кристаллов или же при пластической деформации. Помимо дислокаций в реальных кристаллах образуются также участки неупорядоченности, локализованные обычно около отдельных узлов решетки, — так называемые плоские дефекты. [c.72]

Если бы решетка вюстита была идеальной, то реакция прекратилась на стадии образования. ... В действительности решетка вюстита богата дефектами нестехиометрии, образующимся по реакции -у-Од Оо + Благодаря высокой концентрации катионных вакансий попы железа имеют большую. .. в решетке вюстита. [c.314]

В табл, Т5 и Т7 приведены планы контроля последовательным методом с наибольшими гарантируемыми коэффициентами доверия при биномиальном законе распределения отказов (дефектов), данные для которой получены описанным в разд. 6.3 способом. В отличие от экспоненциального случая при биномиальном распределении больше входных данных кроме а, 3 л с здесь задается также ро, характеризующая приемочный уровень брака. В связи с этим существенно возрастает число возможных вариантов, поэтому пришлось ограничиться использованием планов с симметричными оценочными уровнями, т.е. с а = 3. Значения Ро взяты в интервале от 0,01 до ОД. Входные данные в табл. Т5 и Т7 закодированы с помощью табл. 6.5 и 6.6. [c.106]

При проведении экспериментальных работ методом радиоактивных индикаторов следует учитывать, что адсорбция радиоактивных изотопов на стекле достигает значительных величин, в особенности, если работают с растворами изотопа без носителя (см. пример 34). Адсорбции способствует присутствие загрязнений или механических дефектов на поверхности стекла, поэтому рекомендуется использовать тщательно вымытую посуду, не имеющую механических дефектов. Для того чтобы избежать десорбционного перехода в раствор посторонних радиоактивных примесей, поглощенных стенками стеклянной посуды ранее, для работ с определенным радиоактивным изотопом следует пользоваться од.ной и той же посудой. [c.148]

В некоторых случаях в обечайках сосудов и аппаратов возможны дефекты типа овальности и угловатости (рис. 1.3). В эл ом случае значения Од рассчитываются по формулам [c.18]

В [425, с. 488/153] сообщается о разработке универсального УЗ-прибора для контроля образцов на образование трещин от наводороживания. Образцы максимальным размером 600 х 600 мм длительное время находились в производственных условиях, при которых шел процесс наводороживания и образования трещин. Затем они исследовались иммерсионным способом на разработанном приборе типа VI , имеющем диапазон частот ОД... 25 МГц, четыре выхода для связи с компьютером, автоматическое сканирование, различные типы разверток. Измерялись скорость и затухание УЗ по донным сигналам. Фиксировали также отражения от дефектов на очень высокой чувствительности. Настройка выполнялась по плоскодонному отверстию диаметром 0,2 мм. Результаты контроля удовлетворительно совпали с разрушающими испытаниями. [c.790]

Для обнаружения скрытых дефектов по их поверхностным температурным отпечаткам необходимо, чтобы 1) ТФХ дефектов отличались от ТФХ основного материала (или на поверхности раздела од- [c.257]

Постоянные е, а и Од назовем постоянными выявляемости дефектов при контроле. Каждая из них характеризует, соответственно, предельную выявляемость контроля (е), выявляемость в зависимости от размера дефекта (в дальнейшем коэффициент выявляемости) и чувствительность метода контроля (дд). [c.196]

В зоне механической забоины от ножа бульдозера дефект имеет вид мелкой галтели. Обезуглероженный поверхностный слой составляет -0,1 мм. За поверхностным слоем наблюдается измененная по сравнению с исходной микроструктура измельченные ферритные зерна, при отсутствии полосчатости. Наблюдающиеся изменения в целом свидетельствуют о возможном воздействии на микроструктуру как деформации, так и температуры. Для определения величины упрочнения в зоне дефекта измерена микротвердость на приборе ПМТ-3 с нагрузкой 100 г. Микротвердость исходного металла определяли в срединных слоях образца. Через каждые ОД мм, продвигаясь от края дефекта к исходной структуре, определяли микротвердость по всей зоне влияния дефекта. Подсчитанные средние величины микротвердости характеризуют неравномерность упрочнения, изменяющегося по величине в подзонах (табл. 4.4). [c.346]

При относительно высоких температурах (выше Од) рассеяние электронов полностью зависит от их взаимодействия с ионами решетки, энергия которых пропорциональна температуре соответственно р линейно зависит от температуры. Влияние примесей и дефектов решетки, все более усиливающееся при понижении температуры, приводит к тому, что ниже температуры Дебая (Т <0,1 0о) электросопротивление следует рассматривать как состоящее из двух составляющих [c.187]

II —24 О-Од — Переход на уровень дефекта решетки [c.174]

Анодная поляризация в растворе Н2804 (с концентрацией ОД-18 моль/дм- ) СУ, полученного при 2000 С, вызывает образование мозаики микротрещин и соответствующее увеличение микропористости при потенциале выделения кислорода выше 2 В [8-45]. При этом коррозия не идет по механизму образования межслоевых соединений, а распространяется от дефектов. Продукты коррозии имеют более упорядоченную структуру. С понижением температуры получения СУ его химическая стойкость пониж а-ется [8-46]. Это объясняется потерей прочности СУ, полученного при низких температурах (1100 С), в связи с образованием коррозионных трещин. Для СУ, полученного при 2000 С, наблюдается только питтинговая коррозия при сохранении прочности (рис. 8-22). [c.503]

Процесс аннигиляции трещин, наведенных в толще твердого тела при его упругой деформации, в реальных условиях несовершенен. Молекулы внешней среды и коагулирующие дефекты, проникая в такие трещины, экранируют молекулярные силы, пытающиеся вновь сомкнуть образовавшуюся трещину, в результате чего она смыкается неполностью. В результате при следующем деформировании с неизменной величиной и энергией деформирующего усилия длина и вновь образованная поверхность трещины возрастают и при достаточном числе переменных циклов нагрузки тело разрушается, хотя величина напряжений значительно ниже значения предела упругих напряжений Од. Это явление известно как усталостное разрушение и может быть значительно усилено, если деформирование производится в среде поверхностно-активного вещества, молекулы которого стремятся проникнуть в трещины, наведенные при деформации. Применение поверхностно-активных веществ, теория которых разработана акад. П. А. Ребиндером [38], имеет большое практическое значение. Действие поверхностно-активных веществ становится заметным ввиду многократного повторения актов измельчения, а также ввиду снижения интенсивности процессов коагуляции частиц измельченного материала. [c.18]

На рис. 39а и 396 приведены отбраковочные графики для труб 0720 мм с толщиной стенки 22 и 18 мм Од 2 = 260 МПа, Ста = 420 МПа, Ораб = 6,5 МПа, показывающие отличие в размерах допускаемых дефектов. Анализ графиков свидетельствует о том, что указывать толщину стенки трубопровода в относительных единицах нерационально, так как назначение глубины допустимых дефектов в процентах от толщины стенки трубы 0720x18 мм приведет к перебраковке труб 0720x22 мм. [c.149]

ОД точечный дефект в ввде псры и две попе-речньсе трещины длиной 4 мм кольцевой шов [c.65]

Амплитудная кривая для этого даже не используется. Она должна только располагаться достаточно далеко, чтобы обеспечить сканирование с достаточной высотой эхо-импульса еще на достаточно большом отрезке (апертура). Трудности наблюдаются при естественных дефектах некоторой протяженности, от которых ожидается появление изображения. В таком случае амплитудная кривая и кривая времени прохождения по рис. 13.7 уже не обязательно будут симметричными и их экстремальные значения не будут располагаться в одном месте. При достаточно, большом числе точек измерения и направлений прозвучивания происходит некоторое усреднение записанные одиа по другой локализационные кривые обнаруживают место наибольшей плотности штриховки , на основании чего и можно оценить контур естественного дефекта. Формирование среднего значения дает также важное преимущество в улучшении отношения сигнал — шум рассеянные отрал<ения, например у крупнозернистого материала, очень быстро н нерегулярно изменяют свое по,ложение и амплитуду уже при небольших изменениях положения и угла искателей. Только такие данные, очищенные от помех, могут [c.304]

Рис. 22. Метод для установления связи данных, полученных при испытаниях на КР гладких образцов и образцов с трещиной сплава 7075-Т6510 с целью прогнозирования КР 71] а — размер трещины (дефекта) а — общее напряжение (максимальные нормальные напряжения) Од 2 — радел текучести при растяжении <7 р — пороговый уровень напряжений для гладких образцов при испытании на КР

Фотометрический метод дефектоскопии реализует оптический дефектоскоп ОД-20Ф, предназначенный для контроля внутренней поверхности труб диаметром 30—146 мм при длине до 12 м. В качестве источника излучения в нем использован лазер, создающий тонкий направленный луч. Оптико-механическая система направляет луч вдоль образующей трубы и сканирует его по окружности. Различные дефекты — выступы, задиры, висячие плены и т. п.— затеняют луч, и создают на выходном конце трубы прерывающийся световой поток. Приеглная оптическая система собирает световой поток на фотопреобразователь, выполненный на основе фотоэлектронного умножителя, обеспечивающего высокое быстродействие и большое значение сигнала. Затем происходит обработка полученных электрических сигналов и формирование информации о результатах контроля. Они отмечаются на осциллографе световыми и звуковыми сигнализаторами, а на специально предусмотренных электрических контактах формируется сигнал для механизмов разбраковки труб по качеству. [c.255]

РС-преобразователями. Необходимо, од-нак, компенсировать уменьшение амплитуды, возникаюшее при прохождении ультразвука через эти дефекты, поскольку в образцах для настройки таких несплошностей обычно нет. Способ оценки был рекомендован ранее. [c.564]

Использование решения трехмерной адиабатической задачи ТК. Метод "термического четырехполюсника", предложенный А. Деджиованни для решения одномерных задач теории теплопроводности, бьш распространен на случай трехмерных задач [28]. Это позволило ввести в рассмотрение, помимо глубины залегания дефектов / и их теплового сопротивления также их размеры Ь х с в поперечном направлении. Принципы решения прямой задачи ТК с использованием преобразования Лапласа и Фурье описаны в п. 3.5. В аспекте дефектометрии наиболее простые алгебраические выражения получают для дефектов с малым Для определения размеров дефекта необходимо использовать результаты как од- [c.132]

Такая установка со свободными водяными струями (рис. 24.5) имеет еще-од 1у особенность три настроечных участка перед установкой контроля (по конструкции не отличающиеся от всех остальных) автоматически измеряют пе--ред входом каждого листа уровень звука , при котором должен проводиться контроль этого листа. Этот уровень зависит от качества поверхности, температуры, материала и в меньшей мере от толщины листа. С целью не допустить, чтобы имеющиеся дефекты в листе исказили результат измереиий — дело в том, что сравнительный уровень звука должен измеряться в здоровом месте листа — настроечные дорожки располагаются по всей ширине листа и захватывают более [c.462]

Основываясь на том факте, что различные виды дефектов могут по-разному влиятд, на отдельные моды волн, Кубяк и Роуэнд [864] разработали и описали систему контроля по рис. 24.15, 2а для получения нескольких мод волн в пластинах, работающих по принципу частотной модуляции, согласно разделу 10.7. При этом частота контроля варьируется в быстрой последовательности в диапазоне 2—25 МГц, так что все моды возбуждаются сразу же одиа за другой. Для расшифровки результатов используются накладываемая частота и изменение амплитуд. Устройство может выдавать в цифровом виде результаты испытаний для четырех выбираемых мод волн. [c.477]

С учетом того, что надежность трубопровода или сосуда давления по критерию сопротивления разрыву Яразр определяется исходной дефектностью конструкции (постоянные исходной дефектности А и я), качеством дефектоскопического контроля (коэффициентами выявляемости дефектов, прежде всего коэффициентом а) и вероятностной частью остаточной дефектности (коэффициенты Од, 7), которая зависит также и от количества контролей к, в общем виде можно записать [c.88]

В последующем в ходе эксплуатационного контроля указанных выше элементов конструкций выявились несплошности, классифицируемые как дефекты по ПК1514 и лежащие в области (а, с) > (Од, Сд). Так в 1991 г. на II блоке Кольской АЭС в ходе эксплуатационного контроля корпуса реактора была применена автоматизированная установка УЗК Реактортест чехословацкого производства. Выявленные 12 дефектов, недопустимые по ПК1514, лежали в достоверной части остаточной дефектности корпусов типа ВВЭР-440. В этом можно убедиться, сравнив геометрические характеристики обнаруженных дефектов, приведенных на рис. 10, 11, со значениями из рис. 100. Выявленные дефекты имели технологическую природу и были пропущенны в эксплуатацию из-за недостаточной достоверности заводского и входного контролей. Как отмечалось в разд. 4, эти дефекты оказались неопасными и были оставлены в эксплуатации без ремонта по результатам анализа прочности и остаточного ресурса с использованием методов механики разрушения. [c.208]

Это типично для волокон, в которых при формовании не возникает микрогетерогенная структура, т. е. для волокон, полученных по сухому методу, где от исходного раствора до волокна полимерная система сохраняет од-иофазность. При изгибе таких волокон повышенные на-прял<ения в периферийных областях, концентрируясь у случайных дефектов, вызывают распространение исходного дефекта на все поперечное сечение волокна. [c.280]

Однако самым замечательным свойством графика является наличие на нем запрещенной области частот (ю , Од) или квазищгли. При с Со новая предельная частота о = < + с Ат1т) удалена от частоты со на расстояние, значительно превосходящее концентрационное уширение квазилокальной частоты бсо Частота соо играет роль предельной частоты оптических колебаний (колебаний системы примесей относительно кристаллической решётки). Поэтому можно говорить о наличии двух ветвей спектра длинноволновых колебаний в кристалле с большой концентрацией дефектов (Л. М. Косевич, 1965 Л. Л. Слуцкин, Г. Г. Сергеева, 1966). [c.235]

Многие свойства кристаллических тел объясняются наличием таких дефектов Последние могут быть собственными, если они образуются вследствие теплового движения в кристалле, или примесными, если в кристалле появляются посторонние примеси случайно или преднамеренно Дефекты могут затрагивать одиу или несколько элементарных ячеек или весь кристалл в целом В устойчивом состоянии структурные элементы кристаллов совершают тепловые колебания около узлов кристаллической решетки При этом электроны располагаются на наннизших из возможных энергетических уровнях В результате теплового воздействия или облучения светом определенное число электронов переходит на более высокие энергетические уровни, при этом они приобретают возможность передвигаться по кристаллу Этим явлением обусловлена электропроводность многих твердых тел, являющихся в обычных условиях диэлектриками Вакантное место, возникшее в системе после удаления электрона, образует дефект, который носит название положительной дырки (или просто дырки) Такие дефекты характерны для молекулярных и атомных кристаллов [c.239]

Постепенное снижение Од может быть обусловлено уменьшением концентрации неравновесных вакансий в приповерхностных слоях сплавов из-за падения скорости растворения электроотрицательного компонента. Не исключено, тем не. менее, и искажающее влияние на диффузию в сплаве неэлектрохимических гетерогенных стадий растворения — поверхностной диффузии ад атомо"в, декристаЛлизации и т. д. Остается вероятным, кроме того, перераспределение во времени массо потоков в теле образца, связанное с проявлением тех или ИНЫХ структурных дефектов. Так, хроноамперометри-ческое изучение СР е- и 7-латуней в неводных средах показало [80], что кривые спада тока во времени линеаризуются в координатах ггА описывающих совместный массоперенос цо дивакансиям и грацицам зерен. Здесь Кг и Кг-—постоянные, включающие коэффициенты объемной и граничной диффузий. Это дополнительно подтверждает, что причины, вызывающие искривление критериальной зависимости, могут быть различными и их необходимо устанавливать в каждом конкретном случае. [c.59]

Поэтому был разработан общий метод для расчета энергий и собственных функций электронов при хемосорбции молекулы на поверхности кристалла, основывающийся на простом методе молекулярных орбит. Применимость этого метода определяется тем, насколько справедливо предположение о сведении многоэлектронной задачи к одио-электронной с заранее заданной зависимостью потенциала ьг координат электрона. Этот критерий применимости ограничивает изучаемые адсорбенты ионными кристаллами и полупроводниками. Поэтому качественными результатами при хемосорбции на металлах можно пользоваться только с крайней осторожностью. Принцип метода аналогичен. методу Лифшица и Костера — Слетера, применявшемуся к рассмотрению дефектов кристалла. Пользуясь методом молекулярных орбит, получаем вариационным способом обычно рекурентные уравнения для коэффициентов разложения по атомным функциям з линейном приближении. Эти уравнения можно перевести в такие, в которых отдельные коэффициенты разложения выражены функциями, похожими на функции Грина. В этих выражениях содержатся только коэффициенты разложения по функции Ванье, принадлежащие ячейкам кристалла, на которые распространяется потенциал воз.мущения, создаваемый хемосорбированной молекулой. Эта теория, являющаяся обобщением теории Волькенштейна, признает, что [c.34]

Кроме вольфрамовых, исследуются также электроды, изготовленные из вольфрамовых бронз [591, представляющих собою соединения окисла щелочного металла с окислами пяти- и шестивалентного вольфрама пМсаО х X р Од. Кубическая натрий-вольфрамовая бронза с большим дефектом валентности обладает водородной функцией в широком интервале pH. Такой электрод в определенных условиях пригоден для измерения pH. Окислители и восстановители оказывают слабое влияние на потенциал бронзового электрода. Указанная бронза может быть использована в качестве индикаторного электрода для потенциометрического титрования кислот и щелочей и как внутренний электрод сравнения при титровании окислителей и восстановителей. [c.44]

Методы выявления дефектов с помощью одоризации воздуха или инертного газа заключается в том, что к в1во-димому в испытываемый трубопровод воздуху или инертному газу прибавляют различные пахучие вещества — одо-ранты и утечки определяют од запаху. В качестве одоран-тов могут быть использованы метилмеркаптан, этилмер- [c.162]

Третий том является логическим продолжением двух первых томов монографии, в которых рассмотрены структура, морфология и дефекты полимерных кристаллов, а также кинетика кристаллизации полимеров. Как и предыдущие тома, он написан обстоятельно и очр " четко с точки зрения физики. Здесь систематически обобщен большой по объему и важный по содержанию экспериментальный к теоретический материал по термодинамике и кинетике плавленш, полимеро Имеющаяся в книге обширная библиография облегчает оД жомление с оригинальными работами в указанной области. Цитируемая литература, табличный и графический материал подобраны таким образом что читатель получает цельное и практически полное представление [c.6]

Получены данные об образовании и развитии питтингов и особенностях образования оксидной пленки, существенно дополняндцие результаты коррозионных и электрохимических исследований. К сожалению, грубая подготовка поверхности не позволила с определенностью проследить места возникновения и начальные стадии развития коррозионных питтингов. Пока можно считать установлен-шш, что механические дефекты поверхности являются местом возникновения коррозионных питтингов. С учетом результатов [2]нельзя исключать, что механические дефекты являются реша]одим фактором в инициировании коррозионного питтинга. Для выяснения этого обстоятельства следует продолжить эти исследования на образцах с полированной поверхностью и с привлечением спектральных методов анализа поверхностных слоев. [c.45]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология