Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Скорость роста относительная

    Размер получаемых кристаллов зависит от соотношения между скоростью образования зародышей и скоростью роста кристаллов. Если скорость образования зародышей относительно велика, появляется множество мелких кристаллов. При малой ее скорости снятие пересыщения идет в основном за счет роста сравнительно небольшого числа образовавшихся вначале зародышей, которые превращаются в крупные кристаллы. [c.247]


    Количество воды на защищенных от дождя металлических поверхностях в большой степени зависит от относительной влажности воздуха, т.е. отношения фактического давления водяных паров к давлению насыщения. Ниже определенного уровня относительной влажности, критической влажности, пленка влаги настолько тонка, что в большинстве случаев коррозия незначительна. Выше этого критического уровня с ростом относительной влажности скорость коррозии сильно увеличивается. Критическая влажность зависит и от металла, и от степени поверхностных загрязнений, так как последние могут быть более или менее гигроскопичными. Для стали в наружных [c.55]

    Интенсивное перемешивание в условиях псевдоожижения увеличивает скорость подачи материала путем диффузии его к граням растущих кристаллов, что ускоряет их рост. При этом быстро уменьшается степень пересыщения раствора. При больших скоростях раствора, как известно, увеличивается скорость образования зародышей это может привести к снижению размеров кристаллов. При одинаковых температурах и гидродинамических условиях с уменьшением степени пересыщения скорость роста кристаллов возрастает в большей степени, чем скорость образования зародышей. Обычно таким способом осуществляют кристаллизацию относительно слабо пересыщенных растворов вблизи нижней границы метастабильной области, регулируя степень пересыщения, температуру. [c.642]

    Конденсационное пылеулавливание (растворение, кристаллизация, истирание и т. д.) рассматривается как процесс эволюции во времени большой системы дисперсных частиц. Рост одиночной частицы шаровой формы из переохлажденного пара или газа, пересыщенного парами жидкости, подчиняется общим законам гидродинамики и тепло-массообмена в сплошных средах, которые позволяют достаточно точно предсказать скорость ее роста. Если анализировать усредненное поведение ансамбля одинаковых частиц, то можно говорить о среднем непрерывном изменении размера частиц на фоне флуктуаций этого изменения. Скорость изменения объема частиц в ансамбле можно представить как сумму средней непрерывной скорости роста (т1( 0) и случайной функции времени п (т), отражающей колебания мгновенной скорости роста относительно среднего значения [98]  [c.685]

    Уравнение (4.3) учитывает запаздывание скорости роста относительно температуры фронта кристаллизации, связанное с инерционностью процесса роста, а выражение (4.6) дает стационарную скорость роста, которая реализуется при i Тн, если температура фиксирована. [c.235]


    Было установлено, что скорость роста относительно независима от размера кристалла, но указывалось, что влияние размера будет иметь место в двух случаях когда относительные скорости роста кристаллов различного размера различны и когда величины скоростей таковы, что их влияние проявляется. [c.169]

    Эти расчеты позволяют получить относительную скорость роста. Изменения относительной скорости роста во времени можно проиллюстрировать кривой относительной скорости роста (рис. 22.5). Она представляет собой меру эффективности роста, т. е. скорости роста относительно размеров организма. [c.122]

    Из соотношений (7.85) и (7.86) следует, что среднее время пребывания в проточной зоне системы тем больше, чем больше отношение /с /Аз. Среднее время пребывания веш ества в застойной части системы всегда больше, чем в проточной. Эта разница, равная увеличивается с ростом относительного объема застойных зон Уа/У и с уменьшением константы скорости обмена к . Любопытно отметить, что разница между и не исчезает нри к =к и что она вообще не зависит от величины к . [c.385]

    Следовательно, скорость роста кристалла в зависимости от относительного пересыщения находится по формуле [c.272]

    Т. е. степень турбулизации пристенного слоя определяется в основном газосодержанием смеси и относительным движением фаз. Увеличение скорости жидкости вызывает возрастание отношения x/pjK и одновременное понижение скорости роста газосодержания Фг, что приводит к уменьшению второго слагаемого подкоренного выражения. В зависимости от изменения каждого из слагаемых величина может или возрастать, или уменьшаться, поэтому и расчетные значения коэффициента теплоотдачи а также будут соответственно увеличиваться или убывать. [c.108]

    Систематических исследований для установления вида этой функции / не проводилось. Почти все исследователи отмечают ее убывание с ростом относительной скорости потока ы/ кр и с увеличением высоты слоя Яо примерно как Яд. При 1, по-видимому, f и со I/ёЮ . Имеющиеся отрывочные данные не позволяют пока даже качественно утверждать, как эта функция / должна вести себя с увеличением диаметра зерен, т. е. критерия Архимеда. [c.75]

    Скорость роста кристалла будет определяться следующими факторами 1) скоростью образования зародышей кристаллизации и 2) скоростью отвода тепла от фронта кристаллизации так, чтобы температура в нем не превышала температуры плавления растущего центра кристаллизации. Практически в любом расплаве присутствуют примеси, которые влияют на скорость роста и чистоту кристалла. Реальные процессы кристаллизации всегда связаны с относительно большими скоростями роста так, что равновесие между расплавом и растущим кристаллом не успевает устанавливаться, т. е. оттесняемая от фронта кристаллизации в расплав примесь (при < 1) не успевает равномерно распределяться по всему объему жидкости, и концентрация примеси у границы раздела возрастает (рис. 47). Таким образом, кристалл растет из слоя расплава, обогащенного примесью, причем это обогаще- [c.84]

    Пример 14.2. Конструктивные расчеты. В табл. 14.3 представлены основные габаритные размеры, а также расчетные характеристики одного из опытных образцов подобного рода теплообменников. При расчетах задавались температурами воздуха на входе и выходе, расходом воздуха, температурой NaK на выходе. Температуру NaK на входе и расход жидкого металла находили в результате расчета. Поскольку определяющим является термическое сопротивление со стороны воздуха, в первом приближении падением температуры в стенке и термическим сопротивлением со стороны NaK можно пренебречь. Таким образом, расчет начинается с определения массовой скорости воздуха и коэффициента теплоотдачи с воздушной стороны, при этом в расчетах используется значение скорости воздуха в загроможденном трубами сечении. Физические свойства брались при средней температуре стенки в трубном пучке, а не при средней температуре воздуха [см. соотношение (3.24)1. При этом величина коэффициента теплоотдачи получается завышенной, поскольку средняя скорость воздуха относительно ребер несколько ниже скорости в загроможденном трубами сечении. С другой стороны, сами трубы обусловливают некоторую дополнительную турбулентность потока, что ведет к росту коэффициента теплоотдачи. Поскольку между ребрами с шагом 51 мм в направлении потока имелись свободные промежутки, то в расчетную величину коэф- фициента теплоотдачи вводили соответствующую поправку согласно рис. П3.8, [c.282]

    Образование осадка начинается с формирования зародышей или центров кристаллизации — мельчайших образований по размерам, сравнимых с размерами молекул или несколько большими. Рост этих образований в растворе приводит к появлению более крупных частиц, которые и выпадают в осадок. Таким образом, на размер кристаллов оказывают влияние относительные скорости двух основных процессов скорость образования центров кристаллизации и скорость роста кристаллов. При небольшой скорости образования центров кристаллизации по сравнению со скоростью роста кристаллов в растворе будет происходить образование небольшого числа крупных кристаллов. Если же скорость образования центров кристаллизации будет превышать скорость роста кристаллов, в растворе образуется большое число мелких кристаллов. [c.146]


    Из рис. 9.2 видно, что п )и малых (Q — Р/Р) (левая часть рисунка) преобладает скорость роста зародышей, а при больших значениях относительного пересыщения преобладает (правая часть рисунка) скорость образования новых зародышей. [c.186]

    Рост из расплава. При росте кристалла из расплава движущей силой является относительное переохлаждение 8Т/Т = = (7 — То)/Т о на фронте кристаллизации. Поверхностная шероховатость кристалла, контактирующего с собственным расплавом, а также величина переохлаждения и определяют в основном вид зависимости скорости роста кристалла от 8Т/Т. Как показывает расчет, скорость роста кристалла может зависеть от ST/T линейно (модель нормального роста все поверхностные узлы активны), квадратично (модель дислокационного роста активными центрами являются, например, винтовые дислокации), экспоненциально (рост кристалла из расплава происходит по механизму двумерного зарождения). [c.484]

    Концентрация отсутствия ваблюдаемого эффекта НОЕС — наиболее высокая исследованная ковцевтрация, прв которой отсутствует статистически значимое сокращение роста или скорости роста относительно контрольных групп. [c.301]

    Вернемся теперь к анализу кинетики синтеза белков бактериальной клеткой. Рибосома с константой седиментации 70 s имеет молекулярный вес 4 10 60% ее веса приходится на РНК. Так как рибосом в бактериальной клетке 5000—6000, а белков порядка 1000—2000, то допустимо представить, что на каждой рибосоме в данный момент синтезируется одна белковая цепь и синтез всех белков идет одновременно. Число рибосом в клетке для этого вполне достаточно. Скорость валового синтеза белка легко вычислить, зная время генерации культуры. Для Е. oli X считаем равным 30 мин. Тогда скорость роста (относительная) — 0,1% в секунду, а валовое количество молекул синтезируемого белка — 1000 макромолекул в секунду (в расчете на молекулярный вес среднего белка 50 ООО—60 ООО). Если принять время синтеза макромолекулы белка на матрице за 3 сек., то синтетический аппарат клетки способен производить до 1500—2000 молекул белков в секунду, т. е. здесь существует, казалось бы, небольшой запас мощности . Однако стоит вникнуть глубже в проблему регулирования количества синтезируемых белков, как возникает новое осложнение. [c.461]

    При положительном сопряжении (и>0) наиболее быстрый рост относительной скорости массопереноса наблюдается при высокой степени сопряжения в области отрицательных значений приведенной движущей силы 2 Х]1Х2). Согларно (1.11) и (1.10) знак сопряжения определяется только знаком перекрестного коэффициента Ь12- При положительном сопряжении двух векторных процессов, например фазового переноса и поверхностной или кнудсеновской диффузии в пористых мембранах, один поток увлекается вторым в том же направлении ( 12>0, [c.20]

    Следовательно, при малых значениях пересыщения скорость роста подчиняется параболическому закону, так же как и в модели работ [51—58] с поверхностной диффузией (см. уравнение (3.103) . Для относительно больших значений пересыщения (Д >Д) 51п/г(Д7Д) =ехр(А7Д)/2 и уравнение (3.105) после преобразования с учетом (3.107) принимает вид [c.273]

    Оценим кинетические константы. Для каждого падающего кристалла можно построить зависимость v=v i) и определить величину dvldt с точностью до малых первого порядка dvldt Lv—Подставив dvldt в уравнения (3.185), (3.186), можно разрешить их относительно диаметра сферы, масса которой совпадает с массой падающего кристалла. Подставив найденные значе- ния а в уравнения (3.185), (3.186), легко получить значения для скоростей роста кристаллов в соответствующих временных точках. Однако в нашу задачу входит не только определение скоростей роста по длине трубы, но и определение влияния на скорость роста кристалла пересыщения, температуры раствора, скорости обтекания кристалла раствором, вязкости и плотности среды, окружающей его. Если кристаллизация идет во внешней области (диффузионной), то массовую и линейную скорости роста кристалла можно представить в виде [c.295]

    Скорость относительного движения частиц в турбулентном потоке можно представить в виде [ИЗ] иа—u l (ea) где в — удельная мощность на перемешивание. Коэффициент массоотдачи для кристалла, взвешенного в турбулентном потоке, представим в виде [114] (eDVva ) / . Удельную мощность на перемешивание представим в виде [115] е = к,р, п ё Тогда скорость роста [c.311]

    Динамические свойства процесса кристаллизации и условия возникновения автоколебаний в системе изучались рядом исследователей [1—9]. Отмечено [10] существование двух режимов, при которых наблюдается осциллирующий характер работы кристаллизатора непрерывного действия. При циклах высокого порядка (с большой частотой) причина возникновения нестабильности заключается в том, что скорость зародышеобразования уменьшается намного сильнее, чем скорость роста кристаллов при понижении движущей силы процесса — пересыщения. В этом случае колебания системы происходят относительно экспоненциального распределения кристаллов по размерам (для кристаллизатора типа MSMPR). При циклах низкого порядка нестабильности обусловлены нерегулируемым отбором мелочи и эффектом вторичного зародышеобразования. В ряде случаев для получения устойчивого стационарного режима применяют классифицированную выгрузку продукта и удаляют избыток мелких кристаллов. [c.329]

    Опытно-промышленные испытания системы ГДА - колонна окисления , выполненные на установке производства битума ООО Промикс (г. Салават), показали, что применение системы ГДА -колонна окисления , позволяющей производить битум повышенного качества, значительно увеличивает скорость роста температуры размягчения битума в колонне относительно теоретически рассчитанного. В зависимости от типа используемого сырья этот процесс ускоряется следующим образом  [c.81]

    Когда скорости потока пара очень малы, конденсат свободно достигает основания трубы. Еслн скорость пара постепенно увеличивается, то наступает момент, когда большие волны и возмущения возникают у основания трубы с периодической задержкой жидкости потоком пара. Часть жидкости отделяется и верхней асти трубы. Это явление известгго как захлебывание, и самая низкая скорость нара, нри которой оно происходиг, называется скоростью захлебывания. Дальнейшее увеличение скорости нара приводит к росту возмущения пленкн на большей длине, и конденсат отделяется на обоих концах трубы. С увеличением скорости все меньше и меньше ко денсата нытскаст у основания трубы, пока не возникает восходя-щий поток обеих фаз. Этот восходящий поток очень хаотичен, но с дальнейшим увеличением скорости пара он становится менее беспорядочным, и нрн высоких скоростях устанавливается относительно спокойный кольцевой восходящий [ЮТОК. [c.344]

    Характер кристаллизации парафинов (церезинов) при охлаждении топлив и масел зависит от скорости зарождения кристаллизационных центров н скорости рост.з кристаллов. Чем ниже температура, тем выще скорость зарождения центров кристаллизации, но меньше скорость роста кристаллов. Поэтому обычно при относительно высоких температурах образуется небольшое число крупных кристаллов, а при низких темпеэатурах— много мелких. Кроме того, на кристаллизацию оказывают Е лияние свойства кристаллизующихся компонентов (температура и теплота плавления) и среды (вязкость) их растворимость в данной нефтяной фракции наличие в составе нефтепродукта поверхностно-активных веществ и различных примесей скорость охлаждения нефтепродукта, степень перемешивания и разность между температурой нефтепродукта и температурой насыщения. [c.52]

    Параметр С является прочностной характеристикой, поэтому с его ростом относительная долговечность снижается (рис.2.28,а). Коэффициент деформационного упрочнения 1п отражает влияние на МХЭ предельной степени пластической деформации. Параметр Кст характеризует интенсивность роста скорости коррозии с увеличением пластичесой деформации. Рост параметров гп и Кст приводит снижению долговечности конструктивных элементов (рис,2.28,б и в). [c.132]

    Такое воспроизведение структуры было обнаружено при осаж денин меди (рис. Х1-2) и некоторых других металлов на одноименном и даже чужеродном катодах при малых плотностях тока, т. е. при относительно небольшой линейной скорости роста кристаллов и небольшой толщине осадка. С увеличением толщины покрытия ориентирующее влияние поверхности основания постепенно уменьшается вследствие того, что некоторые побочные процессы, сопровождающие осаждение металла (адсорбция различных веществ на катоде, выделение водорода и др.), нарушают [c.339]

    Изучение магистральных трещин интересно тем, что именно в районе вершины такой трещины и развертываются те явления, которые определяют долговечность всего тела. По закономерностям роста магистральной трещины и по особенностям рельефа поверхности разрыва образца (фрактография) можно установить наличие начального локального разрыва и оценить его размеры. Кроме того, изучение магистральных трещин позволяет конкретизировать роль субмикро- и микротрещии в процессе разрушения путем исследования этих мелких трещин в области вершины растущей микротрещины или же их следов на поверхности разрыва тела. Иногда обнаруживается повышенная концентрация субмикротрещин перед растущей магистральной трещиной, так что макротрещина продвигается уже через насыщенную разрывами зону полимера. Рост же магистральной трещины в процессе слияния ее с вырастающими ей навстречу микротрещииами сопровождается появлением характерных следов на поверхности образца — гипербол, анализируя которые можно найти скорости роста трещин, их относительную опасность , размеры и т. д. [c.326]

    BOM приближении описывает рост, кристалликов и далеко не для всех условий. Часто связь между скоростью роста и степенью пересыщения весьма сложна, многие детали процесса еще не ясны. Есть основания полагать, например, что в некоторых случаях скорость роста кристалликов все же определяется не диффузией, а скоростью отложения молекуд вещества на гранях кристалла. Помимо этого надо помнить, что процесс роста относительно хорошо изучен только для крупных кристаллов с хорошо сформированными гранями. В процессе же образования мельчайших коллоидных частиц существенны только начальные стадии роста. [c.227]

    Рассмотрим процесс кристаллизации расплава индивидуального вещества, пренебрегая содержащимися в нем примесями. При охлаждении расплава до температуры плавления соответствующего ему твердого вещества в нем возникают флуктуации плотности, которые представляют собой относительно большие скопления частиц (молекул, атомои или ионов) вещества с ориентированным расположением, приближенно подобно тому, как это имеет место в кристаллической решетке. Такие скопления можно рассматривать как некие комплексы, агрегаты или ассоциаты их иногда называют дозародышевыми образованиями. Но они еще не являются стабильными образованиями число частиц в них вследствие теплового движения в расплаве различно и не постоянно. Сталкиваясь друг с другом, такие конфигурации групп частиц могут укрупняться или распадаться в зависимости от соотношения действующих в них межмолекуляр-ных сил и воздействия на эти частицы молекул расплава. При дальнейшем понижении температуры расплава, т. е. при его переохлаждении, преобладающее влияние будет проявлять первый из указанных эффектов. Размеры образований при этом в целом будут увеличиваться до некоторой критической величины. В результате в расплаве начинается образование зародышей кристаллов ( критических кластеров ), которые и становятся центрами кристаллизации. Скорость их образования определяется заданным переохлаждением расплава. По достижении определенного переохлаждения расплава после образования в нем зародышей кристаллов на последних начинается выделение твердой фазы, характеризующееся той или иной скоростью роста образующихся кристаллов. Одновременно может [c.106]

    Пример 56. Выведите зависимость доли молекул, образующихся в результате обрыва диспропорщ онированием и передачи цепи, от V, X, См, s, i, [М], [S] и [I]. Вычислите долю молекул, полученных путем рекомбинации свободных радикалов, если константы скорости роста и обрыва равны соответственно 6,6 10 и 3,6 -10 л моль с скорость инициирования 0,75 -10 моль л с , 30 % радикалов обрывается путем диспропорционирования, относительные константы передачи цепи на мономер и растворитель 0,9 Ю и 1,2-10 , концентрахщи мономера и растворителя 2,0 и 6,4 моль л . Инициатор в передаче цепи не участвует. [c.39]

    Скорость растяжения V удобно характеризовать ростом относительной деформан,ии со временем после начала опыта. Если и — исходная длина образца и длина через время / после начала растяже-жения, то относительная деформация [c.220]

    Хотя выбор той или иной кристаллической формы определяется в основном природой самого кристаллизующегося вещества, на относительную скорость роста граней в большей или меньшей стеиенп влияют также природа растворителя и присутствие в растворе некоторых примесей. [c.383]

    Образовавшиеся осадки могут отличаться по своим свойствам, В одних случаях выделяются аморфные осадки типа гидроксидов и др., других — кристаллические типа сульфата бария и др. Характер осадка зависит от соотношения скоростей двух процессов скорости образования зародышей — первичных центров кристаллизации v , и скорости роста размерЬв зародышей уо- Значения и и Уз определяются относительным пересыщением, возникающим при добавлении раствора осадителя. Относительное пересыщение определяется формулой (( —-Р)/Р. Здесь (Э — концентрация растворенного вещества в пересыщенном растворе в какой-либо момент времени, Р — растворимость этого вещества при достижении состояния равновесия между твердой фазой и раствором при дайной температуре. [c.186]

    Влияя на скорость роста клеток, уровень растворенного кислорода определяет также расходные стехиометрические коэффициенты потребления питательных веществ. Так, для процесса углеводородной ферментации дрожжей значения коэффициентов а и а , iOj=f ( l), т. е. изменяются в зависимости от относительной концентрации растворенного кислорода ( l/ ) [8]. В табл. 2.10 [c.86]


Смотреть страницы где упоминается термин Скорость роста относительная: [c.379]    [c.139]    [c.379]    [c.379]    [c.204]    [c.90]    [c.341]    [c.184]    [c.190]    [c.30]    [c.13]    [c.165]    [c.113]    [c.16]    [c.25]   
Рост растений и дифференцировка (1984) -- [ c.71 , c.74 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте