Химические соединения на подложках

IV. ХИМИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ НА ПОДЛОЖКАХ [c.84]

Элементы И А группы не только стабилизируют подложку [459], но и могут образовывать химические соединения с платиной в процессе термической обработки алюмоплатинового контакта [460]. [c.176]

Метод инфракрасной спектроскопии позволил исследовать поверхностные химические соединения модифицированных пленок фторопласта [96] и полиэтилена [97]. Однако исследование взаимодействия поверхностных групп модифицированных пленок с подложкой затруднено вследствие необходимости получения спектров только от одного граничного слоя полимер — по- [c.264]

Ускоренные ионы дейтерия падают на мишень, содержащую дейтерий или тритий. В нейтронных генераторах чаще всего используют мишени из различных металлов, насыщенных дейтерием или тритием, и значительно реже — из тяжелого или сверхтяжелого льда или различных химических соединений, содержащих дейтерий или тритий. Наибольшее применение получили мишени из титана или циркония, насыщенные дейтерием или тритием. Такие мишени изготовляют либо путем напаивания титановой или циркониевой фольги, либо напылением этих металлов на подложку из меди, никеля или какого-либо другого металла. [c.45]

Как уже отмечалось ранее, одним из важных факторов обеспечения противокоррозионных свойств лакокрасочных покрытий является адгезионная прочность и ее стабильность при эксплуатации. В производственных условиях адгезионная прочность большинства покрытий при эксплуатации в водных сероводородсодержащих средах и влажной производственной атмосфере падает и нередко достигает нулевых значений. Прочность и долговечность адгезионных соединений определяется как природой поверхности металла, так и физико-химическими свойствами граничных слоев полимера. В большинстве опубликованных работ по исследованию адгезионных соединений рассматривается в основном влияние химической природы или структурных особенностей пленкообразователей на величину адгезионной прочности подложки и ее роли в процессах межфазного взаимодействия не уделяется должного внимания. Вместе с тем известно, что физико-химическое состояние подложки существенно влияет на процессы адгезионного взаимодействия и особую роль в этих явлениях играет адсорбированная на подложке вода [58]. [c.78]

Согласно условию (стр. 511), все предыдущие выводы были основаны на предположении, что энергия, которая требуется для осаждения данного элемента на посторонней поверхности, не зависит от природы этой поверхности, т. е. Е =Е . Мы уже видели, что в ряде случаев это условие не соблюдается. Для получения уравнения, наиболее полно объясняющего все экспериментальные данные, авторы ввели в уравнение еще один член, выражающий разницу между Е и Е . Если разность Е —Е > О, то это означает, что осаждение атома на чужеродной поверхности сопровождается выделением энергии, которое связано с образованием между осажденным атомом и материалом подложки химических соединений, сплавов или адсорбции на ней. [c.512]

Благодаря гораздо более низкой температуре проведения процесса по сравнению с другими парофазными методами разложение карбонилов металлов может быть с успехом применено для металлизации пластмасс, тканей и бумаги. Процесс получения покрытий в первую очередь зависит от температуры испарения, температуры разложения и летучести исходных химических соединений. Естественно, свойства получаемых металлических слоев зависят от рассмотренных ранее технологических факторов — температуры подложки, давления (вакуума) в системе, скорости подачи паров (обычно определяемой температурой карбонила), наличия несущих газов и присутствия добавок. [c.197]

С помощью ионной имплантации можно не только легировать вещества, но и синтезировать химические соединения, причем даже такие, которые трудно или невозможно синтезировать другими способами. Этот метод по сравнению с другими (диффузия, эпитаксия), с одной стороны, снижает требование к чистоте исходных материалов, служащих источником примеси, благодаря применению электромагнитного анализа ионов с другой стороны, благодаря возможности внедрения примеси при комнатной (и даже более низкой) температуре подложки снижается вероятность внесения нежелательных загрязнений. Однако ионная имплантация не снимает полностью проблемы чистоты. Во-первых, материал подложки по-прежнему должен быть максимально чистым (в смысле отсутствия неконтролируемых примесей). Во-вторых, за счет распыления ионным пучком деталей системы (диафрагмы, масок и т. д.) и вбивания атомов с поверхности внутрь образца все же возможно внесение загрязнений, поэтому требуется достаточно тщательная очистка поверхности и контроль состава материалов, с которых атомы могут попадать на мишень. [c.158]

Методы химических реакций в газовой фазе применяются при изготовлении металлических, резистивных и диэлектрических пленок, используемых в качестве пассивных элементов тонкопленочных микросхем. При этом в результате разложения сложного химического соединения или химической реакции двух или более веществ продукт реакции осаждается в виде пленки на подложку. Реакция может происходить под воздействием тепла (пиролитическое разложение), света (фотохимическое разложение), в результате гидролиза, воздействия электрического поля и др. [c.31]

Авторы разработали усовершенствованную методику измерения электродных потенциалов, что дало им возможность с большой точностью установить стандартный электродный потенциал полония . Следует, однако, подчеркнуть, что определение стандартного потенциала из измерений дает правильный результат тогда, когда выделяющийся при электролизе металл не образует с материалом подложки твердого раствора или химического соединения [2]. Если же такое явление имеет место, то зависимость потенциала выделения металла от концентрации становится более сложной, в связи с чем и уравнение Нернста принимает более сложный вид. [c.188]

Четвертый метод — химическое осаждение — использует пар или раствор химического соединения, переходящие в вещество пленки при реакции на поверхности подложки. [c.6]

Химическое осаждение Пиролитическое или обменное разложение на поверхности подложки Пар или раствор исходного химического соединения Адсорбция и кристаллизация [c.7]

Совершенствование методов определения электрических показателей жидких и твердых материалов, высокая чувствительность, а во многих случаях и хорошая избирательность методик обусловили все более широкое их использование при контроле процессов синтеза пленкообразователей, определении чистоты некоторых индивидуальных химических соединений, контроле содержания влаги, п и изучении кинетики пленкообразования на подложке. [c.95]

Проще всего проблема приготовления мишени решается в тех случаях, когда можно достать готовую фольгу нужной толщины, изготовленную заводским способом. Однако возможность приобретения фольги различных металлов толщиной меньше нескольких мг/см весьма ограничена наиболее доступными являются фольги из алюминия, никеля и золота. Для приготовления мишеней из большинства металлов используют метод, напыления в вакууме. Этот же метод применим для приготовления мишеней различной толщины из неметаллов и некоторых химических соединений. В ходе приготовления мишени напылением расходуется большое количество вещества, однако таким образом удавалось изготовить мишени даже из индивидуальных изотопов. Осадки можно напылять на подложки, выполненные из различного материала (металлическая фольга, полимерные пленки). В том случае, когда необходимо иметь мишень без подложки, [c.387]

Поэтому необходима тщательная дополнительная химическая очистка подложки, рабочего раствора и максимально полная очистка воды (дистилляция, или деионизация, или то и другое), особенно от ионов многовалентных металлов и органических соединений. К чистоте люминофора должны предъявляться очень высокие требования. [c.269]

На поверхности подложки образуется новое химическое соединение только из газообразных компонентов плазмы. Подложка непосредственно в реакции не участвует. Растущая на поверхности подложки пленка может представлять собой аморфное или мелкокристаллическое неорганическое соединение (пример — осаждение из плазмы оксидов или нитридов в технологии микроэлектроники) или полимер. В первом случае образующееся соединение можно считать устойчивым в условиях синтезирующей плазмы, во втором — продукт сам может подвергаться заметной деструкции. Следует подчеркнуть, что в общем случав гетерогенные плазмохимические процессы всегда включают и синтез, и деструкцию, а результат определяется их соотношением. [c.338]

ЭМИССИОННЫЕ СВОЙСТВА ХИМИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ НА ПОДЛОЖКАХ [c.251]

Все предложенные до настоящего времени теории зарождения и роста НК и пленок игнорируют реальное состояние поверхности раздела, участие во многих случаях химических реакций в процессе кристаллизации из газовой фазы, следствием которых является наличие слоя хемосорбированных молекул на поверхности раздела. При наличии хемосорбции непосредственный обмен между подложкой и средой практически отсутствует и хемосорбционный слой в известном смысле можно считать промежуточной двумерной фазой . Рост кристалла в этом случае, по-видимому, происходит в результате актов химического распада молекул хемосорбционного слоя, механизм которых совершенно не изучен. Особая трудность возникает при обсуждении возможных механизмов роста эпитаксиальных пленок сложных соединений при жидкофазном осаждении в связи с тем, что молекулярная форма нахождения большинства этих соединений в растворах и расплавах в настоящее время неизвестна. Поэтому единой достаточно удовлетворительной теории зарождения и роста НК и пленок при газофазном осаждении пока не существует. Необходимо дальнейшее накопление надежных экспериментальных данных о реальной структуре (атомной и электронной) поверхностей раздела, о явлении хемосорбции, о так называемой закомплексованности и других определяющих явлениях. Важным также в теории гетерогенного зародышеобразования пленок является установление соотношения между процессами статистического зародышеобразования на чистых подложках и на активных центрах. Имеются сведения (Л. С. Палатник и др. 1972 г.) об образовании и длительном существовании в тонких пленках термодинамически неравновесных фаз. Поэтому пределы применимости к тонкопленочным системам (приборы микроэлектроники, оптические покрытия и др.) диаграмм состояний, разработанных для систем массивных материалов, требуют подробного анализа и обсуждения. [c.485]

Основным компонентом лакокрасочного материала, представляющего собой многокомпонентную систему, является пленкообразующее вещество, которое после нанесения на поверхность способно в результате химических или физических превращений образовывать прочное лакокрасочное покрытие и обусловливать его адгезию к подложке. В качестве таких веществ используют синтетические или природные олигомеры или высокомолекулярные соединения. [c.43]

В процессе эпитаксиального осаждения молекулы халькогени-да, переходя из газовой фазы на поверхность подложки, прекращают свое существование, а их атомы вливаются в структуру твердого тела — в макромолекулы соответствующего контактного химического соединения. Так как этот процесс управляется законом равновесия, то регулировка толщины отдельных зон с точностью до монослоя, очевидно, исключается. Тем не менее,данный синтез позволяет получать твердое вещество, представляющее собой не твердый раствор, а сложный многозонный халькогенид с запрограммированным порядком чередования зон. [c.193]

Адгезия к окислам металлов и металлических пленок, осажденных на окисную подложку, во многом определяется образованием химических соединений [3], в частности окислов [5, 10, 12L При исследовании тонких пленок молибдена и ванадия, напыленных на подложки SiOj и AlaOg, необходимо обратить внимание на возможность обнаружения на межфазной границе пленка — подложка окислов молибдена и ванадия соответственно. Однако в то время как металл обладает максимально возможным коэффициентом поглощения К Ю —10 смг ) в очень широкой области спектра от жесткого ультрафиолета и до радиоволн включительно, окислы в широких спектральных участках обладают значительно меньшим коэффициентом поглощения [14]. Поэтому сравнительно небольшие по интенсивности полосы поглощения окислов практически невозможно обнаружить на фоне мощного поглощения чистого металла. Лишь в определенных участках спектра, в которых начинаются собственные поглощения, обусловленные междузонными переходами, величина поглощения окисла может в какой-то мере приближаться к коэффициенту поглощения металла. Для обнаружения окислов молибдена и ванадия по оптическому пропусканию тонких пленок, напыленных на окисные подложки, необходимо было выбрать такой спектральный интервал, в котором происходит резкое изменение величины коэффициента поглощения окисла молибдена или ванадия) от сравнительно небольших значений до значений, близких к их металлическому поглощению. Только в этом случае можно обнаружить характерные спектральные изменения пропускания, которые будут указывать на наличие того или иного окисла. Так как при высоких температурах, начиная с 800° С и выше, стабильны только [c.19]

Попадающие на подложку или пленку молекулы газов химически фиксируются на ней только в том случае, если их энергия связи с веществом подложки или пленки Е ( газ — пленка ) значи-тельна например 1>1 эВ (химическое сродство). Обычно для системы газ—подложка энергия связи 2<1 эВ (вандерваальсовы силы связи) и газовая молекула после незначительного пребывания на подложке вновь ее покидает. Например, кислород хемосарбиру--ется пленками вольфрама и никеля, но не пленкой окисла АЬОз, с которым он не имеет химического сродства. Существенно, что в, большинстве случаев хемосорбированный кислород удаляется толь-, ко в составе химического соединения, т. е. в противоположность физической адсорбции хемосорбция обратима неполностью. [c.131]

На основании вышеизложенного к топохимическим не причисляются реакции, в которых твердое вещество не расходуется и не накапливается, а играет только роль неизменного субстрата (подложки), носителя, катализатора. Такие процессы локадизованы на стационарных поверхностях раздела, тогда как топохимические реакции локализованы на постоянно возобновляющихся поверхностях. В топохимических реакциях твердая фаза выступает в роли либо исходного вещества, которое подвергается превращению с образованием новых химических соединений, либо продукта реакции, который образуется в результате химического превращения исходного твердого, жидкого или газообразного вещества. Многие случаи роста кристаллов из растворов, расплавов или газовой фазы, связанные с одновременным протеканием химических процессов (химическая кристаллизация), могут быть отнесены к топохимическим реакциям [14]. [c.430]

Бомбардировка мишеней производилась ионами Аг" с энергией 2,5 кэВ. Чтобы избежать накопления заряда на поверхности мишени, на металлическую подложку наносили очень тонкую пленку исследуемого вещества. Наилучшие результаты были получены при использовании подложек, изготовленных из серебра, меди и никеля. Пленку приготавливали путем высаж-дения вещества из водного раствора (концентрация раствора 10 мкг/мкл). При использовании достаточно интенсивного бомбардирующего пучка наблюдалось заметное изменение масс-спектра, что связано, по-видимому, с частичным разрушением молекул в месте удара бомбардирующей частицы и взаимодействием образующихся осколков, образованием новых химических соединений. Таким образом, в процессе бомбардировки доля испорченной поверхности увеличивается. В результате интенсивность масс-спектральных линий, характерных для исследуемого вещества, уменьшается, а интенсивность линий, характерных для облученных участков, возрастает. Авторы установили, что в случае аминокислот каждая бомбардирующая частица (Аг+ с энергией 2,5 кэВ) необратимым образом разрушает участок поверхности мишени размером 10- см . Нетрудно показать, что в процессе облучения доля неразрушенной поверхности мишени (S) будет изменяться по закону [c.194]

При исследовании влияния контакта полиизопрена с металлической поверхностью (латунь, ковар, сталь, медь, цинк, алюминий и др.) на его термоокисление, показано [359, 360], что в процессе окисления полиизонрена, как и в случае ПЭ и ПП, в его объеме происходит накопление каталитически активных соединений с металлом. Скорости реакций термического окисления, деструкции и структурирования изопренового каучука на металлах зависят от химической природы подложки. [c.143]

Еслп адсорбция сопровождается химическим взаимодействием с подложкой, то в этом случае атомы осадка не только испытывают ориентирующее влияние, но и сами воздействуют на поверхностные слои подложки. В результате такого взаимодействия возникает новая кристаллическая решетка химического соединения, связанная, однако, с матрицей. Адсорбция, сопровождаемая химическим взаимодействием, изучена Фан-сверсом и Тулом [126]. [c.191]

Особенностью химического роста, в том числе и прп окислении, по сравнению с другими случаями эпитаксии является то, что после образования первого слоя химического соединения последующий процесс усложняется объемной диффузией. Для непрерывного роста необходимо, чтобы вещества подложк 1 ли второго реагента, либо и то и другое, продиффупдировали через слой уже образовавшегося химического соединения. Часто объемные изменения при образовании химических соединений настолько велики, что ориентированный рост наблюдается лишь в тончайших слоях, уступая затем произвольной ориентации кристаллов. [c.192]

В настояитее время обнаружено более 50 химических соединений, на основе которых могут быть построены процессоры. Каждая частица белка на подложке процессора имеет очень маленький диаметр и занимает илошадь, в тысячу раз меньшую, чем транзистор на подлож-ке интегральной микросхемы. [c.22]

В равновесных системах твердая фаза и контактирующая с ней жидкость еще до начала контакта находятся в химическом равновесии или, по крайней мере, весьма близки к нему. Пример равновесной системы — контакт чистой жидкости с чистым твердым телом при отсутствии взаимной растворимости и образования химических соединений. К числу равновесных относятся многие системы, в которых жидкость имеет низкое поверхностное натяжение (вода, органические вещества). Основной процесс, который происходит 1юсле соприкосновения жидкости с подложкой, — это изменение площадей контакта между фазами вследствие уменьшения общей поверхностной энергии системы (т. е. собственно процесс смачивания). Отклонения краевых углов от равновесных значений вызываются обычно гистерезисными явлениями. Поэтому в равновесных системах смачивание можно характеризовать как краевым углом натекания, так и краевым углом оттекания, а при определенных условиях нужно привлекать оба угла (см. гл. И). [c.81]

Этот изотоп получают по реакции ( , п) из Ре (91,52%). Облученную в циклотроне мишень растворяют в кислоте. Затем Со очищается от радиоактивных примесей эфирной экстракцией железа и последующим выделением кобальта ионообменным способом по методике, описанной Томиловым [24] и Барой и др. [25]. Получающийся в результате этого процесса почти свободный от носителя активный Со наносится на подложку и каким-либо способом вводится в ее решетку. В случае химических соединений кобальта очевидным способом введения является их синтез. Этот метод использовался для исследований ацетоната [26] и цианида [27] кобальта и тетрафенилбората кобальта [28]. Если химическое соединение, которое хотят использовать в качестве матрицы, не содержит кобальта, как, например, фтористый цинк [29] и гало-гениды щелочных металлов, успешно применяется способ диффузии в различных условиях. [c.100]

В работе [51] был использован метод высокочастотного кольцевого разряда с внешними электродами. Этот метод по сравнению с тлеющим разрядом постоянного тока позволяет получать пленки при более низких давлениях химического соединения, повышает воспроизводимость состава пленок и позволяет избежать загрязнения пленок материалом электродов. Исследовалась возможность осаждения пленок как в области разряда, так и в ионных пучках, вытянутых из области разряда. Для возбуждения разряда использовали генератор с частотой 40 Мгц и мощностью 200 вт. Опыты проводили в металлической установке, предварительно откачанной до 10 ° мм рт. ст. В качестве исходного соединения был использован тетрабутилат титана. На подложках, помещенных в области разряда, осаждались полимерные пленки с большим содержанием углерода, концентрация которого зависела от режима осажде- [c.334]

Одной из основных проблем, возникающих при получении радиоактивных изотопов путем облучения на ускорителях, является охлаждение мишеней, поглощающих довольно значительные количества энергии (порядка киловатта на площадь в 1—2 см ). Наиболее удобны в работе металлические мишени, привинченные или припаянные к охлаждаемым водой подложкам. Однако в ряде случаев возникает необходимость облучения неметаллических веществ — элементов или химических соединений. Удовлетворительные мишени из таких веществ можно изготовить путем запрес-совывания порошков в углубления на охлаждаемых водой металлических пластинах или заворачивания их в пакеты из металлической фольги, закрепляемые на охлаждаемой пластине. Эффективное охлаждение можно осуществить пропусканием гелия над поверхностью мишени. Интенсивности пучка, вообще говоря, можно изменять в соответствии с поставленной задачей однако в большинстве случаев приходится использовать потоки частиц с энергиями в несколько десятков Мэв, создающие токи во много микроампер. [c.386]

Предлагаемая читателю книга посвящена синтезу, исследованию и применению поверхностно-модифищфовгшных материалов. Это относительно новый класс мвг териалов, представляющих собой твердое тело, на поверхности которого зафиксирован чрезвычайно тонкий, обычно молекулярный, слой химических соединений. Привитые поверхностные соединения преимущественно определяют химические свойства материала, тогда как его физические свойства определяются, в основном, природой и свойствами подложки. Такие объекты находят все более широкое применение в самых различных областях современной науки, техники и технологии благодаря наличию у них комплекса уникальных свойств. [c.7]

Покрытие из нитрида титана имеет мелкодисперсную структуру с размером зерна от 800 до 2000 А, тип решетки — кубический, период решетки 4,243, А модуль упругости 250 — 460 Па, микротвердость Н20 = 22+25 ГПа, микротвердость переходного слоя Н20 = 6+7 ГПа [167]. В процессе нанесения плазменных покрытий из-за локального разогрева подложки и высокой энергии движущихся частиц титана возможно образование твердых растворов и химических соединений. Оценку состава мелкодисперсных фаз переходных слоев покрытия из нитрида титана проводили на элек-тронно-зондовом микрорентгеноспектральном анализаторе " AMIBAX". Результаты исследований позволили рассчитать толщину переходной зоны (1,6. .. 3 мкм) и предположить наличие четырех переходных зон нитрид титана, карбид титана, титан, обезуглероженныи слой железа (рис. 153). Возникновение обезуглероженного слоя железа связано с диффузией углерода из стальной подложки в покрытие, содержащее карбидообразующий элемент — титан. [c.351]

В тлеющем разряде также могут протекать разнообразные химические реакции. В 1920 г. американский физик Р. Вуд получил с помощью тлеющего разряда водород. В тлеющем разряде можно синтезировать различные вещества (Н2О2, О3, N0). Предложено использовать тлеющий разряд для получения напыленных полимерных мембран [8]. Плазменной полимеризации подвергаются различные органические соединения. Используется как электродная, так и безэлектродная форма разряда (разряд, протекающий в стеклянной трубке, помещенной внутри соленоида, питаемого от ВЧ-генератора). Образующийся полимер осаждается на пористой подложке в зоне тлеющего разряда. [c.175]

Кристаллизация из газовой фазы дает возможность (подвергая, например, исходное твердое вещество сублимации с последующим осаждением) получать материал высокой степени чистоты, заданной структуры и с заданными свойствами. Метод кристаллизации из газовой фазы используют для получения тонкодисперсных порошков — пигментов и усиливающих наполнителей, в частности для получения оксидов (AI2O3, TiOa и др.) путем гидролиза газообразных хлоридов или путем их высокотемпературного окисления. Осаждение из газовой фазы применяют для покрытия подложек тугоплавкими соединениями или оксидными пленками либо для металлизации. Этот метод, заключающийся в эпитаксиальном росте кристаллов, т. е. в наращивании одного вещества на другое, базируется на сходстве строения срастающихся граней. Кристаллизацией из газовой фазы получают монокристаллы и монокристаллические пленки, в частности для лазеров и приборов микроэлектротехники. Возможно прямое осаждение из газов готовых твердых изделий, например, деталей полупроводников и других деталей сложной формы. Возможно также получение гранулятов физическим или химическим осаждением вещества из газа в кипящем слое. Свойства получаемых твердых фаз зависят от условий пересыщения газовой фазы, от температуры подложки и др. [c.262]

Внимание исследователей привлекает вопрос о структурном состоянии БОДЫ на границе твердой и жидкой фаз, в тонких слоях у твердой подложки, на биологических мембранах и т. д. Непосредственное изучение структуры тонких слоев воды затруднительно из-за слабой рассеивающей способности последних. Удобным объектом исследования являются гели кремниевой кислоты —системы, состоящие из глобул, соединенных между собой химическими связями. ..51—О—51... Они получаются при реакциях нейтрализации силиката натрия Na2SiOз с серной кислотой, а также при гидролизе галогенидов и эфиров кремния. Их применяют в качестве адсорбентов, катализаторов, ионообменников и т. д. [c.243]

Методология комбинаторной химии. Этот принцип совмещения химии и биологии возник и стал быстро развиваться в 1990-х годах как часть общей стратегии открытия новых лекарственных веществ. Стратегия комбинаторной химии основана на недавней разработке нескольких революционных химических и биологических методов параллельного синтеза и испытания большого числа соединений. Была создана техника миниатюризации синтезов и биоиспытаний, позволяющая синтезировать в растворе или на твердых подложках от сотен до нескольких тысяч новых соединений в день и быстро их тестировать в виде смесей или после выделения индивидуальных веществ. В совокупности с автоматизацией синтез целых семейств (или "библиотек") веществ требует значительно меньших затрат реагентов при офомном росте производительности. Типичным примером может служить синтез библиотеки антибактериальных [c.17]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология