скорость, кристаллов из расплава

Проходит ли процесс на поверхности твердого тела, выросшего тут же, или на поверхности постороннего тела, он сопровождается выделением тепла кристаллизации. При этом скорость и даже сама возможность продолжения кристаллизации целиком зависят от эффективности отвода этого тепла как от поверхности растущих кристаллов, так и от всей системы (кристаллы— расплав) в окру- [c.151]

СКИХ деформаций сдвига. Это вызовет при охлаждении кристал- лов образование структурных дефектов — дислокаций, плотность которых только по этой причине может достигнуть весьма больших значений (до 10 м" ). Структурные дефекты, как известно, ухудшают свойства кристаллов, поэтому при выращивании монокристаллов предпринимают различные меры, чтобы поверхность раздела кристалл — расплав имела плоскую форму. Сохранение плоского фронта кристаллизации важно также для равномерного распределения примесей в поперечном сечении монокристалла. Чтобы избежать этих недостатков и создать достаточно однородное распределение температуры в расплаве и кристалле, последний в процессе роста вращают со скоростью до 50 об/мин, а тигель вращают в обратном направлении со скоростью до 30 об/мип. [c.59]

Образование зародышей на стенках тигля зависит от газовой среды в печи, что связано с влиянием газов на смачиваемость железа слюдяным расплавом. Так, в водородной среде материал тигля хуже смачивается (краевой угол 0 около 90°), чем в азоте и аргоне. Это способствует достижению более значительного переохлаждения расплава и более массовому характеру кристаллизации. Чем меньше краевой угол смачивания, тем легче происходит образование зародыша, и уже при 0 — 45° высота потенциального барьера для зарождения на поверхности на порядок меньше, чем для зарождения в объеме. При гетерогенном зарождении кристаллов расплав слюды характеризуется высокой кристаллизационной способностью. Максимальная скорость зародышеобразования по данным подсчета центров кристаллизации (сфе-ролитов) в образцах, полученных в условиях переохлаждения на несколько десятков градусов, составляет примерно 100 зародышей на 1 см2 поверхности в течение 1 с. [c.39]

Ростовая полосчатость отражает форму границы кристалл — расплав, т. е. фронта кристаллизации (ФК) на всех стадиях выращивания кристаллов. Данные о характере ростовой зональности в объеме кристалла позволяют судить об изменении формы фронта кристаллизации во время его выращивания от сильно выпуклой конусообразной до сильно вогнутой. Известно, что форма фронта кристаллизации зависит от скоростей вытягивания и вращения кристалла, его диаметра и теплопроводности, глубины расплава. [c.208]

Причина подобного поведения эвтектических смесей при умеренных скоростях кристаллизации видится в захвате маточной жидкости растущей поверхностью раздела кристалл—расплав. [c.103]

При изучении псевдоожижения полидисперсных смесей в переходной области, ограниченной начальной скоростью псевдоожижения и скоростью полного псевдоожижения Шц. были получены [226, 227] экспериментальные кривые равновесия для бинарных смесей (рис. Х-8, а). Эти диаграммы аналогичны таким диаграммам фазового равновесия твердое тело — жидкость (кристалл — расплав), когда в расплаве и кристаллической решетке [c.378]

Теперь, хотя в каждом отдельном случае величины Иг, так же как и В, неизвестны, все же можно оценить соответствующие пределы их значений. Так, величина щ заведомо меньше теплоты испарения приближенное ее значение может быть получено из температурного хода линейной скорости кристаллизации. В множителе В неизвестной является граничная энергия кристалл/расплав. За неимением более надежных обоснований можно попытаться эту величину оценить следующим образом. [c.168]

Ясно, что режим роста в расплаве, дающем сферолиты, отличается от соответствующего режима в расплаве металла двумя важными особенностями. Во-первых, богатый примесями расплав, сконцентрированный в тех местах, которые здесь как бы заменяют границы ячеек, будет кристаллизоваться со значительно меньшей скоростью, чем расплав у вершин ячеистых выступов. В то время как у металлов поверхность растущего кристалла слегка шероховата из-за ячеистого строения (благодаря малым различиям в равновесной температуре ликвидуса между чистым и загрязненным расплавами), соответствующая поверхность кристалла в расплаве, образующем сферолиты, будет иметь глубокие канавки в тех местах, где [c.464]

Ясно, что конфигурациями, аналогичными изображенным на фиг. 5.1,а—д, можно воспользоваться и при выращивании в открытых лодочках (иногда такой способ называют методом Чалмерса) (фиг. 5.1,е и ж). В этом случае чаще пользуются горизонтальными, а не вертикальными печами. Превалирование монокристалла на границе раздела кристалл—расплав зависит от исходной ориентации зародившихся первыми кристалликов и наклона границ зерен между ними. Эти моменты так и не стали предметом сколь-либо подробного исследования в практике промышленного выращивания кристаллов по методу Бриджмена— Стокбаргера, потому что всегда можно эмпирически подобрать форму тигля, градиент температуры и скорость опускания тигля (или скорость охлаждения печи) так, чтобы во всех случаях добиться образования монокристалла или хотя бы крупных монокристальных участков в объеме тигля. Однако нужно иметь в виду, что в подобных случаях должно преобладать гетерогенное зарождение на стенках тигля, так что при прогнозировании ориентации зародышей могут оказаться полезными теории гетерогенного зарождения. Подобным же образом способны принести пользу при определении вероятности превалирования монокристальных зерен на поверхности раздела и теории, рассматривающие энергию границ зерен в зависимости от их ориентации. Само собой разумеется, что при выращивании кристаллов по методу Бриджмена—Стокбаргера можно было бы прибегать к специальному затравливанию, помещая монокристальную затравку в конце тигля и подбирая такой температурный профиль в печи, чтобы подобная затравка не расплавилась. Но экспериментально это часто выливается в утомительную процедуру, поскольку в обычной установке Бриджмена — Стокбаргера температура неизвестна и регулируется с недостаточной точностью а следить визуально за затравкой не позволяют непрозрачные тигли и стенки печи. Можно, конечно, сделать тигли и трубки из плавленого кварца и снабдить последние специальными желобками на поверхности для проволочных нагревателей сопротивле- [c.178]

Здесь Гпл(оо) — температура плавления кристалла с плоской поверхностью Гпл(р)—температура плавления кристалла с поверхностью, радиус кривизны которой равен р — поверхностное натяжение (свободная поверхностная энергия) поверхности раздела кристалл/расплав ре — плотность кристалла. Кроме поверхностной энергии, Темкин включил в рассмотрение кинетические явления на поверхности раздела фаз, которым соответствует линейная зависимость скорости роста от переохлаждения на фронте кристаллизации. Рассматриваемые в гл. V кинетические явления на поверхности раздела фаз — это молекулярные процессы, определяющие, какой должна быть степень отклонения температуры этой поверхности от равновесной, чтобы скорость перехода молекул из расплава в кристалл приобрела данное значение. Линейная зависимость скорости роста от переохлаждения выражается следующим образом [c.403]

Путем измерения положения поверхности раздела кристалл — расплав в разные моменты времени (это измерение часто проводится непосредственно в процессе роста оптическими методами) находят скорость кристаллизации при различных температурах термостата. Рассмотрим теперь вопрос о том, можно ли полученные таким путем данные считать фундаментальными или измеряемые величины испытывают неконтролируемые искажения из-за влияния трубки. [c.408]

По второму методу [114], вещество помещается не в капилляр, а между двумя стеклянными плоскопараллельными кюветами, охлаждаемыми циркулирующей жидкостью из термостата. Линейная скорость кристаллизации измеряется в этом случае по росту единичного зерна как изменение его радиуса с течением времени. В таком плоском слое рост сводится к двухмерному процессу. Циркулирующая по кюветам жидкость из термостата поддерживает температуру слоя постоянной и обеспечивает условия отвода тепла значительно лучше, чем в случае использования капилляра. Измерения температуры фронта кристаллизации показали, что в плоских препаратах толщиной 0,3—0,35 мм температура на границе кристалл — расплав отличается от температуры в термостате в пределах 0,1 °С. Это позволяет при исследовании линейной скорости роста кристаллов снизить влияние выделяющейся теплоты превращения на температуру жидкой фазы, что особенно важно в случае исследования веществ, для которых характерны значительные скорости роста кристаллизации. [c.67]

Изменение давления при кристаллизации также отражается на скорости роста кристаллов. Так, экспериментальные исследования [82] показали, что с увеличением давления наблюдается сдвиг максимумов кривых линейной скорости кристаллизации в сторону более высоких температур. Такое смещение, видимо, объясняется изменением как межфазной энергии на границе кристалл — расплав, так и энергии активации кристаллизационного процесса. [c.79]

Свободная поверхностная энергия на границе кристалл — расплав, отнесенная к одному поверхностному атому по некоторым данным, принимается равной половине скрытой теплоты плавления, также отнесенной к одному атому. Учитывая ретикулярную плотность различных граней, можно построить шкалу относительных свободных энергий граней с малыми индексами и принять, что относительные скорости образования двумерных зародышей на этих гранях обратно пропорциональны размерам таких скоплений атомов, которые позволяют осуществить насыщение половины свободных связей на этих поверхностях. [c.261]

Для получения слитков, свойства которых определяются давлением паров чистого кадмия, необходимо, чтобы в каждый момент времени на границе раздела кристалл — расплав устанавливалось равновесие с паровой фазой. Действительно, в большинстве случаев состав расплава не соответствует стехиометрии и при кристаллизации происходит оттеснение избыточного компонента. Для того чтобы равновесие расплав — пар успевало устанавливаться, необходимо, чтобы скорость кристаллизации и высота расплава были малы. Следовательно, целесообразно проводить [c.499]

Определение линейной скорости кристаллизации осуществлялось наблюдением в микроскоп за перемещением границы раздела кристалл-расплав в стеклянных капиллярах с внутренним диамет- [c.98]

По литературным данным [1, 2, 3], при линейной скорости кристаллизации менее 3 мм/мин температуру на границе кристалл— расплав можно принять равной температуре среды. [c.99]

Приведем ряд примеров. Изотактический полипропилен обычно кристаллизуется в моноклинной форме. Однако при быстром охлаждении полипропилен кристаллизуется в виде сферических агломератов, состоящих из несовершенных гексагональных кристаллитов [9, 10]. Аналогичные результаты получил Уайт с сотр., исследуя волокно изотактического ПП, охлаждавшееся на воздухе и в воде [11 ]. Полибутен-1 при кристаллизации из расплава обычно образует кристаллы формы П [12]. Однако если расплав полибутена-1 подвергнуть деформации и только после этого произвести изотермическую кристаллизацию, то он кристаллизуется преимущественно в виде стабильных кристаллов формы I. Полимер, состоящий из кристаллов формы I, обладает более высокой плотностью (р = 930, Ри = 877 кг/м ). Более того, в ряде случаев наблюдается переход кристаллической формы П в форму I с максимальной скоростью при комнатной температуре [13]. Поэтому можно ожидать, что любые изделия из полибутена-1 будут подвергаться усадке при хранении. Величина этой усадки с увеличением деформации расплава уменьшается. Таким образом, инженер-технолог, прибегая к ориентации расплава, может избавиться от этой неприятной особенности весьма полезного полимера. [c.49]

Точка д соответствует предельному охлаждению расплава. Малейшее понижение температуры вызовет появление кристаллов кадмия, причем расплав начнет обогащаться висмутом. Вследствие увеличения относительного содержания висмута в расплаве продолжение кристаллизации кадмия возможно лишь при дальнейшем понижении температуры. Таким образом, процесс кристаллизации кадмия из расплава отличается от кристаллизации чистого вещества тем, что происходит при непрерывном изменении температуры и состава расплава (по кривой g рис. IX. 1,а). Если наблюдать этот процесс во времени, то оказывается, что участок (рис. IX. 1,6) имеет меньший наклон, чем участок д, так как из-за выделения теплоты кристаллизации скорость охлаждения уменьшается. Число фаз здесь равно 2 (кристаллы кадмия и жидкий расплав), поэтому 5 = й+1 — / = 2+1 — 2=1, т. е, произвольно можно менять только один параметр либо температуру, либо состав. Каждой концентрации расплава отвечает определенная температура начала кристаллизации. [c.105]

На рис. 25 линия у,Х1 характеризует составы жидкой и твердой фаз, которые находятся в равновесии при температуре 7 ]. В данном примере концентрация компонента В в твердой фазе ниже, чем в жидкой. Если расплав хорошо перемешивается и скорость диффузии в твердой фазе достаточна для выравнивания состава кристаллов, а охлаждение расплава проводится так медленно, что равновесие между фазами поддерживается на протяжении всего процесса охлаждения, например от температуры Т"] до температуры Гг. то у2 и Х2 будут обозначать равновесные концентрации компонента В в жидкой и твердой фазах при указанной температуре. По достижении температуры Та весь расплав закристаллизуется и, следовательно, средний со- [c.105]

Так как диффузионные процессы в твердой фазе всегда протекают значительно медленнее, чем в жидкости, то можно считать, что твердая фаза, попадая в область нагревателя, превращается в расплав практически без изменения состава. Если при этом скорость кристаллизации вещества позади двигающейся жидкой зоны мала (скорость кристаллизации равна скорости плавления или скорости передвижения зоны), то соотношение между концентрациями примеси в расплаве и в выпадающих из него кристаллах в каждый момент времени можно считать близкими к равновесному. Поэтому при а<1 и движении расплавленной зоны по слитку слева направо (рис. 31) примесь будет оттесняться в правый конец. Если а>, то примесь будет концентрироваться в левом конце слитка. [c.119]

При нагревании структурно неоднородного образца кристаллического полимера еще до достижения в нем начинают плавиться кристаллы, характеризующиеся наибольшими значениями избыточной свободной энергии и наименьшими размерами (частичное плавление). Одновременно участки макромолекул, составляющих частичный расплав , могут рекристаллизоваться и образовывать кристаллы с более высокой Тпл (в частности, с меньшими значениями 01 и большими значениями Ь). Поскольку процессы рекристаллизации связаны с перегруппировкой участков длинных молекулярных цепей, их скорость невелика и часто оказывается соизмеримой с экспериментально задаваемыми скоростями повышения температуры. В этом интервале условий картина плавления (в частности, фиксируемая методами калориметрии или дифференциального термического анализа) часто зависит от скорости нагревания испытываемого образца. Например, при медленном нагревании на кривой ДТА образца в области температур ниже Тпл может появиться несколько пиков, отражающих последовательные процессы плавления и рекристаллизации. [c.187]

Ранее было отмечено, что ход кристаллизации определяется соотношением скорости зарождения центров и линейной скорости роста кристаллов. На рис. 80 изображено три типа зависимостей числа центров кристаллизации (чц) и скорости кристаллизации (ск) от переохлаждения. Тамман показал, что в зависимости от взаимного расположения кривой скорости кристаллизации и кривой числа центров переохлажденный расплав может или закристаллизоваться, или перейти в стеклообразное состояние. [c.232]

Выращивание кристаллов с краевым углом 02 (см. рис. 34), меньшим, чем его значения, определяемые условием равновесия прих = г ( .7), приводит к уменьшению высоты поднятия жидкого столбика. Так как равновесная поверхность границы раздела кристалл— расплав почти плоская для промышленных радиусов кристаллов (г>0,5 см), уменьшение высоты столба /1 = Утах ДОЛЖНО быТЬ ОграНИЧеНО значениями Ута.х>Уй (рис. 34). Следует заметить, что выращивание монокристаллов по методу Чохральского с малыми значениями (/тах весьма затруднительно и часто приводит к кристаллизации свободной поверхности расплава и примерзанию слитка. Поэтому скорость вытягивания надо поддерживать такой, чтобы плоская изотерма кристаллизации не опускалась ниже высоты Н=утах, соответствующей 01= л/2. [c.106]

X. С. Багдасаровым [3] разработана система автоматического контроля границы расплав—кристалл при ГНК, которая позволяет автоматически определять скорость роста или расплавления кристалла. Главная рабочая часть системы — лазерный локатор. Метод основан на различии положения поверхностей расплава и кристалла поверхность расплава всегда горизонтальна, поверхность кристалла имеет некоторый наклон, обусловливаемый мас-сопереносом, причины которого рассмотрены У. Г. Пфаном. Следует подчеркнуть, что данным методом определяется положение не собственно границы кристалл — расплав, а только линии ее выхода на поверхность. [c.170]

Таким образом, результаты измерения линейной скорости роста с несомненностью свидетельствуют о том, что вводимые в полиамид добавки оказывают влияние, характерное для поверхностно-активных веществ. Наряду с этим эффектом следует ожидать, что снижение поверхностной энергии на границе кристалл — расплав должно сопровождаться резким увеличением скорости зародыпхеобразования в результате уменьшения критических размеров зародышей. Действительно, как это видно на примере полиамида с добавками 2, (рис. 1, б, г), введение поверхностно-активных веществ приводит к возникновению мелкосферолитной структуры. Это является результатом увеличения скорости зародышеобразования при условии увеличения суммарной скорости, что и имеет место на самом деле. [c.394]

Кристаллы ШС больших размеров и лучщего качества были выращены с использованием видоизмененного метода Чохральского 18]. Смесь С—Со хорощо гомогенизируют при температуре вьше температуры ликвидуса, затем медленно охлаждают при градиенте температуры по вертикали до тех пор, пока температура более холодного края печи не достигнет температуры ликвидуса. Затравочный кристалл опускают к поверхности расплава и медленно вытягивают из расплава со скоростью 10 мм/ч. По мере роста кристалла расплав обедняется С, и температуру печи меняют так, чтобы она все время соответствовала температуре ликвидуса. Таким методом были выращены кристаллы размером около 1 см (рис. 2). Для этих кристаллов были получены четкие лауэграммы, [c.22]

Важно не допускать резких изменений диаметра кристалла, так как это часто приводит к образованию дефектов. Для предварительных экспериментов часто достаточно регулировать температуру в печи с точностью до 2°, Точность поддержания тел1-.пературы 0,5° (достижимая без особых усложнений) обычно достаточна для всех кристаллов, кроме объектов, требующих максимальной однородности. Совершенно ясно, что чем точнее поддерживается температура, тем выше качество кристаллов. Слихтер и Бартон [43] показали, что температурные флуктуации вблизи границы раздела кристалл — расплав порядка 1°С/с могут приводить к изменениям в скорости роста - 0,045 мм/с. [c.198]

Как видно из этого рисунка, даже в случае интенсивного перемешивания расплава зависимости эффективного коэффициента распределения 0Т( скорости кристаллизации в полулогарифмических координатах не спрямляются, как это должно бы иметь место по формуле Бартона, Прима, Слихтера, в связи с чем нельзя воспользоваться этими зависимостями для определения равновесного коэффициента распределения. Отклонение приведенных зависимостей от линейных можно объяснить захватом маточного )асплава неплоской поверхностью раздела кристалл—расплав 4]. Наиболее близка к линейной эта зависимость в случае интенсивности перемешивания п — 1470 об/мин. Можно, по-видимому, предположить, что в этом случае поверхность раздела фаз близка к плоской. Тогда можно воспользоваться формулой (1) для оценки отношения бд/О, которое равно в данном случае 0,21-10. Экстраполяция зависимости эффективного коэффициента распределения от скорости кристаллизации при интенсивности перемене [c.16]

Относительно большие величины захватов при меньшей интенсивности перемешивания расплава и при высоких скоростях кристаллизации можно объяснить ячеисто-дендритной структурой поверхности раздела фаз [4]. Как показывает теория морфологической устойчивости плоской поверхности раздела кристалл— расплав, ячейки или дендриты могут образоваться при скорости кристаллизации большей, чем некоторая критическая скорость кристаллизации (Укрит)> определяемая условиями процесса кристаллизации. Проведенный расчет величин Гкрит показал, что в данном случае в системе нафталин—р-нафтол для разной интенсивности перемешивания расплава значения 1715рит находятся в интервале (1—2)-10 см1сек, т. е. практически во всей области скоростей кристаллизации плоская поверхность раздела неустойчива. При скоростях кристаллизации меньше критических следовало бы ожидать плоского фронта кристаллизации, т. е. отсутствия захвата маточного расплава между дендритами, однако адсорбция примеси по границам зерен и растрескивание гладкой поверхности раздела приводит к захвату расплава и при этих скоростях кристаллизации. Однако при небольших значениях равновесного коэффициента распределения (Ао = 1 -т- 5 или 0,2 1) и скоростях V < Укрит ошибка в определении кд будет небольшой. [c.18]

Для получения особо чистых монокристаллов кремния обычный метод зонной плавки в лодочке неприменим ввиду отсутствия материала, инертного по отношению к расплавленному кремнию. Так, если использовать кварцевые лодочки, то закристаллизовавшийся кремний прочно сцепляется с кварцем и из-за разности коэффициентов линейного расширения и кварц, и кремний трескаются. Поэтому используют метод бестигельной зонной плавки (рис. 6.10, б). Поликристаллический слиток кремния цилиндрической формы крепится в вертикальном положении к двум соосным водоохлаждаемым штокам в герметичной камере. Штоки можно приводить во вращение с постоянной скоростью и перемещать на небольшие рассстояния относительно друг друга внешним электроприводом. При помощи источника локализованного нагрева в нижней части слитка создается узкая зона расплава. Расплавленная зона удерживается силами поверхностного натяжения, действующими между расплавом и двумя твердыми поверхностями, до тех пор, пока вес расплава меньше сил поверхностного натяжения. При данном диаметре предельная длина зоны зависит от природы материала, т. е. от величины У< 0,, где а — поверхностное натяжение на границе раздела кристалл— расплав, а с1 — удельный вес расплава. Передвигая источник нагрева вдоль слитка, можно перемещать расплавленную зону по слитку и осуществлять таким образом направленную кристаллизацию. Монокристалл можно получать с первого прохода в один из зажимов крепится монокристаллическая затравка, а в другой — поликристаллическая заготовка, и исходная расплавленная зона создается в месте их стыковки. Для того чтобы слиток получался правильной геометрической формы, необходимо при проведении процесса вращать штоки в противоположных направлениях с довольно большой скоростью (30—50 об/мин). После продвижения расплавленной зоны вдоль всего слитка можно, снизив мощность источника нагрева, переместить его в исходное положение и повторить процесс много раз. Такое многократное перемещение расплавленной зоны необходимо, чтобы очистить материал от примеси. [c.302]

Еще одна теория коэффициента распределения, основанная на представлении о слоевом росте, предложена Трейнором с сотрудниками [9]. Предполагается, что каждый новый слой, раз возникнув, далее растет очень быстро (со скоростью Vs). В этих условиях скорость образования зародышей определяет скорость возникновения новых слоев, а следовательно, и фактическую скорость роста (v) кристалла. А. А. Чернов, так же как Холл и Термонд, принимает во внимание скорость процессов переноса между кристаллом и расплавом в направлении, перпендикулярном поверхности раздела кристалл — расплав. Трейнор и сотрудники рассматривают эффекты Бартона —Прима — Слихтера в жидкости на фронте растущего слоя, т. е. в направлении, параллельном основной поверхности раздела, что приводит к выражению [c.16]

Если охлаждать расплав, содержащий 90% А1 и 10% Ni (фигуративная точка 3), то его кристаллизация начнется при температуре более высокой, чем эвтектическая температура. При 963 К из расплава данного состава начнет кристаллизоваться химическое соединение NiAls, состав которого отличается от состава расплава (химическое соединение содержит 58% А1 и 42% N1). Вследствие выделения теплоты кристаллизации скорость охлаждения системы уменьшается, на кривой охлаждения при 963 К появляется излом и кривая при дальнейшем охлаждении изменяется менее круто. По мере кристаллизации NiAla наблюдается замедленное понижение температуры (С = = 2—2+1 = 1) и изменение состава расплава до эвтектического. При эвтектической температуре кристаллизуется эвтектика, состоящая из кристаллов алюминия и химического соединения NiAls. На кривой охлаждения наблюдается температурная остановка, длительность которой меньше, чем для системы, отвечающей точке 2. [c.411]

Таким образом, для систем 1-го типа охлаждение расплава любого состава (кривая II или IV) сопровождается выделением кристаллов одного из компонентов, избыточного по сравнению с эвтектическим составом кристаллизация его идет до достижения эвтектического состава при температуре ts, когда выделение кристаллов обоих компопентов происходит при постоянных составе жидкой фазы и температуре. Результаты анализа кривых охлаждения объединяют в диаграмму плавкости, перенося с них точки появления новых фаз, отвечающие остановке или изменению скорости охлаждения, па днагра,мму температура — состав (см. рис. 14, б). На оси ординат откладывают температуру, а на оси абсцисс— состав смеси. Точки М и на рис. 14, б соответствуют температурам кристаллизации чистых компопентов А и В. Допустим, взята смесь из 80% А и 20% В (кривая И на рис. 14, а). Эта смесь при охлаждении не изменяется до температуры начала кристаллизации t , когда расплав становится, насыщенным ло веществу А. Состав жидкой фазы изменяется по кривой МЕ кристаллизации вещества А, пока не будет достигнута точка Е. При температуре ts начинается совместная кристаллизация оставщегося вещества А и всего взятого вещества В с образованием эвтектической смеси — мельчайших кристаллов А и В при постоянной температуре. Аналогично вдоль кривой NE идет кристаллизация компонента В. Когда система полностью закристаллизуется, температура вновь снижается. Область выше линии MEN отвечает однофазному жидкому расплаву с двумя степенями свободы. Кривые МЕ и NE отвечают смесям с одной степенью свободы (С = 2—2 + 1) и называются линиями ликвидуса. Вдоль этих линий и под ними в плоть до э втекпической температуры ts в системе существуют две фазы — кристаллическая А или В и расплав, состав которого определяется температурой. Отсутствие степеной свободы изображается графически эвтектической точкой Е пересечения кри- [c.62]