Влияние пересыщения на рост кристаллов

Влияние на рост кристаллов свойств среды (величины р , пересыщения, других растворенных веществ) мож- [c.325]

Учет влияния различия плотностей твердой и жидкой фаз. Гидродинамические потоки в расплаве или пересыщенном растворе могут иметь различное происхождение так, тепловая конвекция возникает из-за различия плотностей разных участков среды, которое в свою очередь вызвано неоднородностью температуры неоднородность концентрации тоже приводит к появлению разности плотностей и соответственно концентрационных токов гидродинамические потоки создаются путем принудительного перемешивания они сопровождают кристаллизацию и в том случае, когда плотность кристалла отлична от плотности жидкой среды. О тепловой конвекции и концентрационных токах говорится в гл. Vni. Различие плотностей жидкой и твердой фаз легко учесть в рамках задачи Стефана его влияние на рост кристалла рассматривается в настоящей главе подробнее, чем в гл. VHI. [c.400]

Рассмотрим влияние степеней пересыщения (с — Со) и переохлаждения (—Лt) на скорость роста кристаллов. По последнему уравнению эта скорость пропорциональна с — Со при высоких степенях пересыщения такая зависимость дает большие отклонения. Получается характерный ход зависимости скорости роста кристалла от степеней пересыщения или переохлаждения (рис. У-34). При слишком быстром переохлаждении можно вообще затормозить рост кристаллов. Раствор приобретает очень высокую вязкость, придавая твердому веществу свойства стекла. [c.399]

Температура кристаллизации в общем оказывает положительное влияние на скорость роста кристаллов. При более высокой температуре сни-жаетсй вязкость раствора и, следовательно, облегчается диффузия. Однако в большей степени влияние температуры отражается на увеличении числа зародышей, что, как известно, приводит к образованию более мелких кристаллов. При положительной растворимости с повышением температуры кристаллизации уменьшается степень пересыщения раствора, что, в свою очередь, вызывает снижение движущей силы процесса. [c.636]

Размер кристаллов. Более крупные кристаллы получаются при медленном их росте и наибольших степенях пересыщения раствора. Существенное влияние на размер кристаллов оказывает перемешивание раствора. С одной стороны, интенсивное движение раствора облегчает диффузионный перенос вещества к граням кристаллов, способствуя их росту, с другой стороны, вызывает образование зародышей, т. е. накопление мелких кристаллов. Таким образом, перемешивание раствора порождает два противоположных явления. Нахождение оптимальной скорости движения раствора, определяющей желаемое соотношение между производительностью кристаллизатора и требуемыми размерами кристаллов, является одной из важнейших задач рациональной организации процесса массовой кристаллизации. Для ряда кристаллизуемых веществ эти соотношения найдены экспериментально. [c.636]

Г. Тамман установил большое влияние на зарождение и рост кристаллов посторонних примесей в растворе или расплаве (частиц кристаллизующегося вещества, частиц других веществ, изоморфных с кристаллизующимися веществами, частиц, которые адсорбируют на своей поверхности молекулы кристаллизующегося вещества). Эти частицы могут служить центрами зарождения кристаллов, уменьшая степень необходимого пересыщения. Исходя из экспериментальных данных Таммана и других исследователей, можно было бы развить приблизительно такие теоретические представления о механизме зарождения кристаллических центров. [c.229]

При изотермической кристаллизации без удаления растворителя по мере возникновения и роста кристаллов их общая поверхность увеличивается, а пересыщение раствора уменьшается. Первое обстоятельство ускоряет кристаллизацию, а второе — замедляет. Совместное, но противоположное влияние этих факторов приводит к тому, что скорость кристаллизации сначала резко возрастает, достигает некоторого максимума и затем быстро уменьшается (рис. 9.9). Общий выход кристаллов небольшой, так как определяется лишь начальной степенью пересыщения. [c.252]

Рассмотренная дислокационная модель качественно удовлетворительно объясняет рост пленок в тонких НК из собственного беспримесного пара при малых пересыщениях сг. Вопрос о влиянии примесей на рост кристаллов нз собственного пара исключительно сложен и пока изучен недостаточно. Обычно предполагается, что примеси отравляют изломы и что только свободные изломы могут участвовать в процессе роста. [c.482]

Следует отметить, что аномалии пересыщения, обусловленные процессами переноса, накладываются на общее снижение пересыщения в камере. Суммарное влияние этих двух факторов преимущественно и определяет зафиксированные изменения скорости роста кристаллов. [c.368]

Влияние р-Т -условий на величину линейной скорости роста алмаза в установившемся режиме подобно их влиянию на числс центров кристаллизации и находится в полном соответствии с изменяющимся пересыщением углерода в металлическом расплаве Обращает на себя внимание самостоятельное влияние величины термоградиентов в реакционной зоне на скорость роста кристаллов, которая заметно возрастает с увеличением неоднородности теплового поля при прочих равных условиях. Так, увеличение реакционного объема камеры прямого нагрева с 0,7-10 дс [c.374]

Экспериментально установлен одинаковый характер влияния элементов первой и третьей групп на процесс образования центров кристаллизации, который заключается в ослаблении зависимости числа центров кристаллизации от давления, а на кинетику изменения формы алмазов — в относительно более частом появлении грани куба при увеличении размера кристаллов от до 0,6- 10 м, т. е. в интервале длительности процесса алмаза до 1200 с. Влияние указанных групп элементов на линейную скорость роста кристаллов противоположно (см рис. 132). Если в присутствии бора, азота и в меньшей степени алюминия скорость роста алмаза увеличивается, то введение 1п, Оа Си, 5Ь приводит к ее снижению. Полученные результаты можно объяснить некоторым повышением в присутствии этих элементов энергетического барьера перехода графит — алмаз за счет ослабления каталитических свойств металлической системы. В случае азота возможно влияние также элементов, образующих нитриды. В условиях регулярного роста кристаллов примеси первой группы способствуют увеличению пересыщения углерода или путем усиления температурной зависимости его растворимости в металлическом расплаве, или за счет увеличения размеров ассоциаций атомов углерода в растворе. Элементы третьей группы из-за слабого их взаимодействия с углеродом, очевидно, снижают и его растворимость и скорость диффузии в расплаве. [c.380]

Влияние р-Г-условий на величину линейной скорости роста алмаза в установившемся режиме подобно их влиянию на число центров кристаллизации и находится, в полном соответствии с из- меняющимся пересыщением углерода в металлическом расплаве. Обращает на себя внимание самостоятельное влияние величины термоградиентов в реакционной зоне на скорость роста кристаллов, которая заметно возрастает с увеличением неоднородности теплового поля при прочих равных условиях. Так, увеличение реакционного объема камеры прямого нагрева с 0,7>10 до 3,5 10- сопровождающееся (см. главу 15) существенным уменьшением радиальных и осевых термоградиентов, обеспечивает возможность снижения скорости роста алмаза, особенно на начальных этапах процесса синтеза (см. рис. 132), а также увеличения эффективной длительности процесса синтеза до 2400— 3000 с (см. рис. 131). При этом интервалы параметров, обеспечивающие спонтанное образование и регулярный рост ограниченного числа полногранных монокристаллов в изучавшихся усло-374 [c.374]

Практическое использование взвешенного слоя позволяет решить две задачи значительно интенсифицировать процессы тепломассообмена в дисперсных системах и тем самым добиться высокой удельной производительности с единицы объема аппарата при получении крупнокристаллических продуктов обеспечить получение продукта узкого гранулометрического состава путем его классификации по высоте слоя. Кристаллизатор работает следующим образом. Пересыщенный раствор, получав мый или прямым охлаждением раствора или за счет испарения части растворителя, поступает из циркуляционной трубы в ниж нюю часть корпуса аппарата и поднимается вверх, поддерживая растущие кристаллы во взвешенном состоянии. По мере прохождения раствора через слой кристаллов происходит их рост. Часть целевого компонента из метастабильного состояния переходит в кристаллическое. Пересыщение при этом уменьшается. Маточный раствор, имеющий минимальное пересыщение, из верхней части корпуса вновь вовлекается в циркуляцию, а часть его выводится из аппарата. По мере роста кристаллы осаждаются, достигают нижней части слоя и попадают на выгрузку. Получение заданного гранулометрического состава обусловлено влиянием двух групп взаимосвязанных параметров [26—29] кинематических — скорости зародышеобразования и роста и гидродинамических — скорости движения раствора, объемного содержания дисперсных частиц, их линейных размеров. [c.191]

Твердение минеральных вяжущих веществ протекает при наличии в водной фазе твердеющих суспензий высоких пересыщений. Поэтому процесс твердения, включающий рост кристаллов, связанных контактами срастания, должен сопровождаться значительными кристаллизационными давлениями, что и приводит к возникновению внутренних напряжений. Если бы росли кристаллики, составляющие коагуляционную структуру, то под влиянием кристаллизационного давления происходил бы сдвиг по пластичным коагуляционным контактам, что вызвало бы быструю релаксацию возникающих напряжений. При наличии контактов срастания такой сдвиг невозможен без разрущения контакта и внутренние напряжения вызывают частичное разрушение структуры по наиболее слабым ее участкам, что приводит к снижению конечной прочности. [c.351]

В модифицированном аппарате (рис. 1Х-27) полное пересыщение наступает вследствие охлаждения жидкости. Исходная жидкость поступает в патрубок Т, в то время как пересыщенный раствор через трубу В попадает на дно кристаллизатора (зона ). Исходная жидкость смешивается с потоком, циркулирующим через трубки холодильника Н в результате наступает пересыщение раствора. Разбавление большим количеством оборотной маточной жидкости раствора, поступающего извне, позволяет охладить его, минуя лабильную область, и тем самым осуществить процесс без образования центров кристаллизации до вступления раствора в контакт с кристаллами в зоне Е. Сосуд О используют для удаления весьма малых зародышей кристаллов, достигающих верхних слоев жидкости в зоне Е. Это позволяет увеличить средний размер кристаллов осадка. Сосуд. О оказывает на процесс то же влияние, что и понижение скорости образования центров кристаллизации (рис. IX-16). При движении пересыщенного раствора снизу вверх через кристаллическую массу понижается скорость роста кристаллов. Средние величины пересыщения и скорости роста кристаллов наверху значительно ниже, чем внизу (на входе пересыщенного раствора). [c.598]

Вопрос о влиянии на устойчивость пересыщенных растворов различных твердых частиц тесно переплетается с вопросом о роли этих частиц в процессе фазообразования. В зависимости от того, насколько ускоряют эти частицы появление зародышей, раствор оказывается более или менее устойчивым по отношению к началу кристаллизации. В какой степени влияние примесей связано с их природой, размерами и состоянием поверхности, с известной долей приближения можно судить исходя из общих представлений об образовании и росте кристаллов. Вместе с тем эти же представления могут быть использованы при прогнозировании степени устойчивости реальных пересыщенных растворов и объяснении сущности дезактивации нерастворимых примесей, о которых речь шла в главе I. [c.82]

Имеется два основных фактора, определяющих протекание массовой кристаллизации это образование новых кристаллов (нуклеация) и рост кристаллов в пересыщенном растворе. Наряду с ними определенное влияние на иротекание процесса может оказывать практически весь спектр физико-химических явлений, встречающихся при течениях дисперсных систем. Например, кристаллы при столкновениях между собой могут слипаться (коагулировать), дробиться (на что влияют также стенки аппарата), выпадать в осадок и т. д. [c.331]

В данной работе учитывается влияние скорости роста твердой фазы на гидродинамику и на процессы тепло- и массопереноса с самого начала, причем скорость перемещения границы фаз заранее не известна, ее надо определить в ходе решения. Учет перемещения границы фаз приведет к отказу от линейности потоков по величинам переохлаждения и пересыщения. Толщины диффузионного и теплового пограничных слоев, скорость роста твердой фазы вдоль поверхности кристалла не остаются постоянными. В пределах диффузионного слоя происходит тангенциальное движение жидкости. Тепло-и массоперенос рассматривают совместно, связывая температуру кристаллизации твердой фазы с величиной концентрации примеси у поверхности твердой фазы. Движение кристалла связано с наличием разности плотностей твердой и жидкой фаз, влияние разности плотностей на дополнительное движение жидкости перпендикулярно растущей поверхности кристалла также учитывается. [c.256]

По мнению Геришера [61], мелкокристаллическая структура покрытий свидетельствует о том, что образование новых кристаллических зародышей протекает легче, чем рост развивающихся кристаллов. Автор считает, что ингибиторами роста кристаллов в комплексных электролитах являются частицы лигандов, которые обладают значительной адсорбционной способностью. Так как эти частицы затрудняют рост образовавшихся кристаллов, у поверхности последних возникает пересыщение по отношению к адсорбированным ад-атомам, что в свою очередь приводит к образованию новых зародышей. Вероятность их возникновения повышается также вследствие того, что под влиянием лигандов уменьшается свободная энергия поверхности для образования повой фазы. [c.28]

В качестве примера влияния надмолекулярных процессов на поведение примеси можно привести данные о сорбции при росте кристаллов сульфата бария, которые являются типичной моделью для изучения сокристаллизации. Кристаллы ВаЗО, растущие и водного раствора с исходным относительным пересыщением = = 500, вначале имеют форму глобул, а достигнув размера г = [c.23]

В условиях постоянного пересыщения среды эффективный коэффициент захвата не зависит от скорости роста кристаллов, изменяемой введением поверхностно-активных веществ. Следовательно, пересыщение раствора влияет на захват непосредственно, а не через скорость роста. Согласно уравнениям (4.1.14) и (4.1.33) такое влияние возможно, если выполняются условия / > РзА Рз А, Ь /К и С 1. Тогда Я 1г8 = фзА = 8 А = 1 и уравнение (4.1.33) превращается в соотношение [c.91]

Метод непрерывной принудительной перекристаллизации. Множество затравочных кристаллов вводят в зону роста системы, в которой раствор (пар), содержащий примесь, циркулирует по замкнутому контуру, проходя зоны роста, растворения и пересыщения (см. рис. 6.5). В зоне растворения, где температура (или любой другой параметр, повышающий растворимость кристаллизанта) выше, чем в зоне роста, кристаллы, увлеченные потоком раствора, полностью растворяются. Раствор поступает в зону пересыщения, где охлаждается и становится пересыщенным. Далее в зоне роста происходит наращивание затравочных кристаллов, не унесенных потоком жидкости в зону растворения. Состав раствора в такой системе меняется вследствие роста и растворения кристаллов. С течением времени влияние процессов роста и растворения компенсируется, и система приходит к равновесию. [c.253]

Детальное исследование скоростей роста фиксированных кристаллов Ва(ЫОз)2 при разных пересыщениях и скоростях потоков освещено в работе [4]. Изучено также влияние пересыщения на гранулометрический состав кристаллов Ва(ЫОз)2 [5, 6]. Показано [51, что средний размер кристаллов связы- [c.41]

Оценим кинетические константы. Для каждого падающего кристалла можно построить зависимость v=v i) и определить величину dvldt с точностью до малых первого порядка dvldt Lv—Подставив dvldt в уравнения (3.185), (3.186), можно разрешить их относительно диаметра сферы, масса которой совпадает с массой падающего кристалла. Подставив найденные значе- ния а в уравнения (3.185), (3.186), легко получить значения для скоростей роста кристаллов в соответствующих временных точках. Однако в нашу задачу входит не только определение скоростей роста по длине трубы, но и определение влияния на скорость роста кристалла пересыщения, температуры раствора, скорости обтекания кристалла раствором, вязкости и плотности среды, окружающей его. Если кристаллизация идет во внешней области (диффузионной), то массовую и линейную скорости роста кристалла можно представить в виде [c.295]

Формула для расчета кристаллизационного давления учитывает многообразие условий его развития при росте кристалла в сторону препятствия Она отражает влияние вида материала ( ), размера грани кристалла - перемычки в зазоре между растущим кристаллом и препятствием (а) и степени пересыщения раствора (а) на абсолютные значения кристаляизационного давления. Если величина а), а, следовательно, и площадь контакта между новообразованием и препятствием малы, то и давление незначительно, ибо при а 10" м имеем [c.56]

Ко второй группе следует отнести работу Ратинова, Розенберг и Забе-жинского [13], которые используют формулу Колмогорова для скорости роста кристаллов из расплавов для вычисления скорости гидратации вяжущих веществ. По-видимому, эта формула для случая образования гидрата из пересыщенного раствора может иметь лишь ограниченное применение. В частности, она не отражает влияния дисперсности и других свойств вяжущих веществ. [c.224]

Соотношения (14,2,3,4) и (14,2,3,5) не учитывают многих физико-химических явлений, сопутствующих протеканию массовой кристаллизации (в частности, влияния флуктуаций скорости роста кристаллов). Специально прокомментируем роль температуры в процессе массовой кристаллизации. При кристаллизации основными теплообменными факторами, влияющими на процесс, являются тетиюта (положительная) образова-ши решетки, отрицательная теплота сольвататщи и теплота, поступаюшая извне (через теплообменник). Первые два фактора, влияющие на кинетику роста частиц, действуют в противоположных направлениях и могут приводить как к тепловыделению при кристаллизации, так и к поглощению тепла, В промышленной практике часто используют изогидрическую кристаллизацию, при которой для создания необходимого пересыщения исходный насыщенный раствор охлаждают, т, е. влияют на пересыщение через функцию С (7) (см. рис. 14.2.2.2)), Эго особенно эффективно, когда растворимость кристаллов достаточно сильно зависит от тем- [c.336]

Превращение центров кристаллизации в более крупные частицы происходит, в основном, за счет диффузии вещества к поверхности и последующего осаждения. Если бы скорость диффузии в растворе была лимитирующей стадией, то скорость роста кристаллов (за исключением тех случаев, когда имеет место высокая степень пересыщения), была бы выше, чем обычно наблюдается. Марк [33], тщательно исследовавший процесс роста кристаллов, показал, что в большинстве случаев этот процесс второго порядка, а не первого, как это соответствует диффузионному механизму. По достижении некоторой определенной скорости перемешивания, скорость роста кристаллов становится независимой от скорости перемешивания. Рост кристаллов часто задерживается или совсем подавляется вследствие адсорбции на них красителей, тогда как на скорость растворения они не оказывают заметного влияния. Это указывает, что какой-то другой фактор, а не диффузия, решающим образом определяет скорость роста кристаллов, особенно в случае мелких частиц, для которых характерно наивысшее значение диффузионного потока. Скорость потери молекул растворителя сольва-тированными ионами ряда металлов намного меньше, чем скорость диффузии [34], и высвобождение растворителя может стать фактором, контролирующим скорость роста. При завершении роста кристаллов диффузия, которая, безусловно, всегда играет какую-то роль, может оказаться определяющим фактором [35. Если в растворе присутствуют посторонние вещества, индукционный период, скорость роста кристаллов и даже форма кристаллов могут измениться. Например, добавление желатина при осаждении сульфата бария значительно удлиняет индукционный период и снижает скорость роста кристаллов. Дейвис и Нанколлас [36] обнаружили, что многие органические вещества, например бензоат калия, даже при низких концентрациях уменьшают скорость перекристаллизации хлорида серебра. Эозин может вообще предотвратить рост кристаллов. [c.168]

Дендритный рост. При высоких значениях пересыщения, когда рост кристаллов ограничен диффузией, превалирует дендритный тип роста. Он заключается в образовании неправильных или ветвистых агрегатов, напоминающих снежинки. В случае ионных осадков происходит диффузия сольватированных ионов к поверх-ностл растущего кристалла, осаждение этих ионов и высвобождение молекул растворителя с последующей диффузией растворителя в сторону от поверхности растущего кристалла. На ребрах, а особенно — Б вершинах, блокирующее влияние высвобожденного растворителя не так велико, поэтому в таких точках создаются наиболее благоприятные условия роста. Этот процесс назван механизмом затора в движении [47]. Важный аспект дендритного роста состоит в том, что образующиеся при этом кристаллы легко дробятся [48], и в результате возникает так называемое вторичное образование центров кристаллизации. Таким образом число частиц, образующихся при осаждении, может значительно превышать число центров кристаллизации, даже в отсутствие гомогенной кристаллизации. При искусственном стимулировании выпадения метеорологических осадков каждый центр кристаллизации, образованный йодидом серебра, может привести к возникновению тысяч капель дождя за счет дробления дендритных кристаллов льда. Нильсен [15] показал, что получение более мелких частиц при перемешивании в период роста кристаллов, по-видимому, опять-таки связано с дроблением дендритных кристаллов на ранних стадиях осаждения. Ультразвуковая вибрация при осаждении тоже приводит к уменьшению размера частиц. Уолтон [49] считает, что фрагментация дендритных кристаллов может иногда быть альтернативной формой начала гомогенного образования центров кристаллизации. [c.170]

Изучение влияния посторонних солей на размер частиц сульфата бария показало [29], что высокие концентрации Na l, NaNOs, KBr, KNO3 и других солей мешают росту кристаллов сульфата бария даже при высокой степени пересыщения. [c.524]

Таким образом, полученные данные показывают, что применимость закона Хлопина или логарифмической формулы Дернера и Госкинса к распределению микрокомпоиента между твердой и жидкой фазами определяется условиями кристаллизации. Детальное изучение влияния условий кристаллизации солей на характер распределения микро-компопепта между твердой и жидкой фазами привело к пониманию этого процесса. Прежде всего следует отметить, что в механизме образования смешанных кристаллов принципиальное значение имеют условия их роста, т. е. происходит ли он из насыщенных или пересыщенных растворов. В случае роста кристаллов из насыщенных растворов возникают неоднородные субмикроны, которые затем образуют кристаллы. Поэтому в таких условиях трудно представить себе образование гомогенных кристаллов, и распределение отвечает логарифмической формуле. Риль и Кэдинг показали, что при медленном испарении насыщенных растворов галогенидов бария, содержащих радий, К остается строго постоянной, а О при этом растет. Следовательно, нри [c.224]

VII.79. Кристаллы льда. В качестве первого примера рассмотрим кристаллы льда, поскольку это вещество обладает большим разнообразием неправильных форм роста. Галлет и Мейсоп [Hallet, Mason, 1958, табл. 8] описывают различные формы кристаллов льда, образующиеся в камере Вильсона при конденсации из воздуха. Было установлено, что форма кристаллов главным образом зависит от температуры, но и пересыщение р/роо также оказывает влияние на форму кристаллов, хотя и меньшее. При разных температурах наблюдались следующие формы кристаллов льда [c.251]

Фиг. 38. Данные об изменении приведенной скорости роста в зависимости от —р при различных коэффициентах пересыщения а, иллюстрирующие влияние примеси рафинозы на рост кристаллов сахарозы из водного раствора (случаю отсутствия примесей соответствует —1 р=0) [269].

Для уравнения (33.14) возможны два предельных случая 1) когда можно пренебречь влиянием пограничного слоя (бс- 0), т. е. когда рост кристалла лимитируется поверхностной кинетикой 2) когда определяющая роль принадлежит влиянию пограничного слоя (бс—>-оо). Ясно также, что с приближением толщины бс к нулю, т. е. с усилением перемешивания, наблюдаемая скорость роста Q возрастает, асимптотически приближаясь к некоторой величине (см., например, [281]). Если оба члена в левой части (33.14) одинаковы по порядку величины, то, поскольку толщина бс пропорциональна [см. выражение (33.11)], скорость роста при постоянном значении (Соо —Со), записанная в виде произведения Qu 4 должна быть пропорциональной Q /" при некотором значении п, соответствующем показателю степени в выражении зависимости скорости кристаллизации от пересыщения на фронте роста (33.12). (Этот вывод основан на предположении, что толщина бс постоянна по поверхности, хотя гидродинамический анализ показывает, что она меняется, принимая на краю пластины минимальное значение, равное нулю.) Данные, полученные Мак-Кэйбом и Стивенсом [288] при экспериментальном исследовании роста uS04-5H20 из водного раствора, согласуются с выражением (33.14) при п — 2. [c.515]

Дальнейшее увеличение температуры усиливает извилистость торца ступени, которая затем распадается на множество островков и отдельных молекул кристаллизанта, разбросанных на поверхности плотноунакованного слоя 3. Поверхность при этом превращается в молекулярно-шероховатую, на которой расстояние между моле-ку.пами в слое А соизмеримо с межмолекулярным расстоянием в кристалле. Степень извилистости ступени согласно расчетам [41] увеличивается с повышением температуры немонотонно вследствие коллективного взаимодействия молекул. В результате распад степеней развивается лавинообразно при нагревании системы до температуры Т , при которой энергетические затраты на образование ступени близки к возрастанию энтропии при разупорядочении ступени [43]. Подобный распад ступеней происходит и на неравновесной поверхности. Однако в этом случае температура зависит от пересыщения среды. С ростом пересыщения возрастает заполнение кристаллизантом слоя А и легче происходит превращение молекулярно-гладкой грани в шероховатую [44]. Влияние пересыщения также нарастает немонотонно, и при достижении достаточно большого пересыщения грань кристалла может превратиться в шероховатую при любой температуре [45]. [c.64]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология