Эмиссия ионов ионно-ионная

Датчик течеискателя представляет собой диод с платиновыми электродами. Анод разогревают до температуры 800—900° С. Накаленная платина имитирует положительные ионы, которые регистрируются соответствующим прибором. Присутствие в пространстве между электродами воздуха, содержащего галоиды, приводит к резкому увеличению эмиссии ионов. Ионный ток регистрируется показывающим прибором и с помощью телефона. Повышение частоты сигналов в телефоне свидетельствует о наличии течи в испытуемом объекте. [c.320]

При использовании таких анодов точка перехода но появляется вплоть до токов нагрева 250 ма (рис. 2а). Между 265 и 280 ма нри эмиссии в течение 45--50 мин появляется точка перехода . При этом эмиссия ионов Ма остается приблизительно постоянной в течение долгого времени (рис. 2, б и 2, в). При 300 ма точка перехода появляется через 12 мин эмиссия ионов Ма в этом случае быстро падает (рис. 2, г). При 340 ма эмиссия ионов Ма и К начинается почти одновременно, для обоих ионов она исчезает через 12 мин. Точка перехода не наблюдается, так как эмиссия ионов Ма превосходит эмиссию ионов К с самого начала (рис. 2, д). [c.136]

Вторичные эмиссионные методы включают эмиссию ионов с поверхностей, обработанных органическими соединениями, под воздействием ионов высокой энергии (вторичная ионно-ионная эмиссия), ускоренных незаряженных атомов, быстрых электронов (вторичная электронно-ионная эмиссия) или фотонов (лазерная десорбция) [22]. Порог чувствительности чаще всего применяемого варианта вторичной ионной эмиссии под действием ускоренных атомов аргона с энергией около 10 эВ сравним с другими способами ионизации и составляет примерно г вещества. При этом возможно образование и детектирование как протонированных молекулярных ионов [М+Н] + и образующихся из них фрагментов, так и анионов [М — Н]-. Выход и характер вторичных ионов зависят от чрезвычайно большого числа факторов типа металла подложки, свойств раствора, из которого наносится образец, температуры и размеров мишени и от энергии и природы ионизирующих частиц. Влияние этих факторов столь велико, что в настоящее время еще сложно говорить о воспроизводимости масс-спектров вторичной ионной эмиссии, а также о возможностях использования их в количественном масс-спектрометрическом анализе. [c.30]

Электронная температура разряда 8000—10 ООО К, т. е. существенно выше, чем в дуге или пламени. Концентрация свободных электронов 10 —10 см . Продолжительность пребывания частичек аэрозоля в наиболее горячей зоне составляет примерно 10-2 с, что обеспечивает их полное испарение, эффективную атомизацию и возбуждение. Максимальная эмиссия атомов и ионов наблюдается на расстоянии 14—18 мм выше края горелки. Фоновое излучение в этом участке плазмы мало. Слабы также эффекты самопоглощения и самообращения линий. Плазма характеризуется высокой пространственной и временной стабильностью. [c.65]

Часть электрических зарядов не участвует в образовании сигнала (ионного тока) из-за утечки зарядов на корпус д тектора и зажигающий элемент. Наиболее полный сбор зарядов достигается при наибольшей напряженности поля у среза горелки в зоне ионизации. Этому условию отвечает применение электрода-коллектора в форме цилиндра, когда плоскость его нижнего среза на 1—2 мм выше горелки, расположенной по оси цилиндра. При этом пламя находится практически внутри цилиндра. Такая система электродов обеспечивает не только высокую чувствительность, но и наиболее широкий линейный диапазон (увеличение максимальной концентрации). Излишнее приближение коллектора к горелке может вызвать перегрев электрода и эмиссию положительных ионов с его поверхности. Для исключения этого на коллектор должен быть подан отрицательный потенциал. С другой стороны, отрицательный потенциал на горелке препятствует рекомбинации положительных ионов и обеспечивает их полный сбор. При оптимальном выборе конструкции и положения электродов ток насыщения практически одинаков при любой полярности электродов. [c.58]

Рис. IX.1. Эмиссия ионов на чистом вольфраме

В т. наз. галогенных Г. на пов-сти платины, нагретой до 800-850 °С, ионизуются щелочные металлы (обычно Na и К), добавляемые в виде солей в зону нагрева и ионизации. Эмиссия щелочных ионов зависит от содержания в окружающем воздухе галогенов и их соединений. Эти приборы позволяют определять галогены (С1, Вг) в воздухе пром. помещений, хладоны при контроле герметичности холодильных установок и бытовых аэрозольных баллончиков с пределами обнаружения ок. 10 [c.460]

Интенсивность эмиссии вторичных ионов 1-го элемента (/,) сильно зависит от параметров первичного ионного пучка (типов ионов, их энергии, плотности тока), анализируемой пробы (характера хим связей, физ. св-в, потенциала ионизации атомов, работы выхода электронов бомбардируемой пов-сти и др.), давления и состава остаточных газов в приборе. Величина /, характеризуется величиной вторичного ионного тока (в А) или скоростью счета импульсов (имп/с). Дифференц. выход вторичных ионов у, = К,/С где К,= = представляет собой отношение числа испускае- [c.260]

В настоящее время не существует универсального метода определения сродства к электрону ЕА). Весьма точными являются методы, основанные на поверхностной ионизации на раскаленном вольфраме. Отношение тока эмиссии электрона (Ve) к току эмиссии отрицательных ионов (г ) описываются соотношением [c.15]

Продукты этих реакций обладают весьма широким спектром потенциалов ионизации (0,5-13 эВ). Исключительно высокая чувствительность и селективность ДТИ к фосфорорганическим веществам объясняется образованием с высоким выходом радикала Р, потенциал ионизации которого очень мал — 0,42 эВ. Продукты сгорания серосодержащих соединений обладают весьма высокими потенциалами ионизации (>10 эВ), чем и объясняется малая степень ионизации этих соединений. Механизм селективного обнаружения серы с помощью ДТИ основан на образовании термостойких соединений, вследствие чего концентрация щелочного металла в пламени и ток ионизации снижаются. Заметную чувствительность ДТИ к галогенсодержащим соединения объясняют увеличением эмиссии положительных ионов щелочных металлов под действием гало-генидов. [c.82]

Эмиссия вторичных ионов (ЭВИ) [c.849]

Бомбардировка поверхности с пробой пучком быстрых ионов инертных газов приводит к эмиссии вторичных ионов анализируемого вещества [23] в основном в виде про- [c.849]

Регистрация пробного вещества по увеличению эмиссии ионов с накаленной поверхности платины или никеля [c.79]

Индикатор на галоид [119] (см. табл. 24, часть Б) более чувствителен, чем испытание на мыльные пузыри. Действие его основано на наблюдении, что нагретая платина дает резкое возрастание эмиссии положительных ионов, когда она находится в контакте с газом или паром, содержащим галоид. Для применения этого устройства в системе создают давление газа, содержащего галоид или смеси этого газа и воздуха. Выделяющийся из места утечки газ [c.496]

Следующий метод, применяемый для исследования поверхностных явлений,— это метод вторичной ионно-ионной эмиссии. При бомбардировке поверхности твердого тела первичным пучком положительно заряженных ионов (обычно ионами инертного газа, например, Аг+) происходит эмиссия с поверхности вторичных положительных и отрицательных ионов — вторичная ионно-ионная эмиссия, а также нейтральных и некоторых других частиц [3, 8—11]. Прямое масс-спектрометрическое изучение вторичных ионов, а в ряде случаев дополнительное изучение вторичных нейтральных частиц (с ионизацией их электронным ударом) дает ценную информацию о поверхности твердого тела. [c.49]

С целью уменьшения влияния первичного ионного пучка на изучаемые поверхностные процессы и для возможности исследования мопослоя адсорбированного вещества бомбардировка поверхности ведется при небольших плотностях тока и энергиях такого пучка. Однако при применении метода вторичной ионно-ионной эмиссии для послойного анализа твердого материала по глубине и для определения примесей в объеме используются значительно большие плотности и энергии первичного ионного тока [10, И]. [c.49]

В последние годы на основе масс-спектрометрии и явления вторичной ионно-ионной эмиссии создан уникальный прибор — ионный микроскоп [9]. Этот прибор позволяет получать увеличенное изображение участка поверхности образца, подвергшегося бомбардировке первичным ионным пучком. Настраивая масс-анализатор на тот или иной вторичный ион, можно поочередно рассматривать ионные изображения одного и того же участка поверхности твердого тела при различных значениях массы иона. Ионный микроскоп, таким образом, позволяет исследовать топографию распределения отдельных элементов, изотопов и химических соединений на поверхности твердого образца. [c.50]

Метод электронно-стимулированной десорбции, во многом напоминающий метод вторичной ионно-ионной эмиссии, позволяет решать примерно те же задачи. Так, этим методом можно детально изучать адсорбированные слои, формы связей и состояние частиц на поверхности, десорбционные процессы, химические гетерогенные реакции и т. д. Кроме того, в ряде работ масс-спектрометрические измерения дополняются определениями полного ионного тока, потенциалов появления, углового и энергетического распределения вторичных ионов, что дает возможность оценивать эффективное сечение процесса десорбции ионов и некоторые другие характеристики молекулярной адсорбции и хемосорбции. [c.50]

У М. наблюдается термоэлектронная эмиссия (способность испускать электроны при высокой т-ре). Эмиссия электронов возникает также под действием электромагн. излучения в видимой и УФ областях спектра (фотоэлектронная эмиссия), внеш. электрич. поля высокой напряженности (туннельная, или автоэлектронная, эмиссия), при бомбардировке пов-сти М. электронами (вторичная электронная эмиссия) или ионами (ионно-электронная эмиссия), при взаимод. пов-сти М. с хшазмой (взрывная электронная эмиссия). Перепад т-ры вызывает в М. появление электрич. тока (термоэдс). [c.53]

К тем же выводам приводят результаты измерений интенсивности термоионной эмиссии положительных ионов с поверхности катализаторов разного состава нри пропускании над ними (410 и 450° С) смеси воздуха с пропиленом, содержащей 1 об. % gH [7]. Катализаторы наносили на платиновый диск анода лампы-диода. Изменения величин ионного тока (i ) и работы выхода электрона при варьировании состава катализаторов оказа.тись симбатными (рис. 5). Однако наблюдается тем большее отклонение от линейной связи между величинами lg и работы выхода, чем меньше содержание молибдена в катализаторе. Следовательно, величина работы выхода электрона пе является единственным фактором, определяющим скорость образования продуктов поверхностных превращений пропилена в присутствии кислорода и интенсивность их ионизации. Природа и скорость этих превращений зависят от химического состава катализатора, а не только от его электронных свойств. [c.150]

При помощи ионного микроскопа (ИМ) Попп и Уолчер [1] исследовали изменения во времени ионного изображения образца биологической ткани, укреиленного на аноде из инвара (36% N1, 64 Ге). При использованных токах накала (температурах) они получали три типа изображепия в разные интервалы времени — так называемые первичное, промежуточное и конечное изображения. Беглое исследование конечного изображения показывает, что оно является негативным по отношению к первичному ( обращение изображения ), Масс-сиектрометрическое исследование изменений со временем ионной эмиссии из таких образцов ткани было проделано Гофманом [2]. Он использовал термоионный источник с анодом из вольфрама, имеющий конструкцию, отличную от применяемой в ИМ. Для всех исследованных температур он обнаружил, что сначала эмиссия ионов калия значительно превышает эмиссию ионов натрия, а затем, с уменьшением эмиссии К (при постоянном нагреве) начинает возрастать [c.130]

За последние годы значительный интерес привлекла к себе система кремний — азот из-за весьма важных свойств нитрида кремния, используемых в интегральных схемах. Было установлено, что, в отличие от упомянутых выше соединений тантала или титана, для получения высококачественных пленок нитрида кремния необходимы низкие давления распыляющих газов. Следовательно, в этом случае необходимо использовать либо тлеющий разряд, поддерживаемый термоэлектронной эмиссией [109], либо высокочастотное распыление [110], По-видимому, для распыления будет достаточным давление ниже (5—10)-10 мм рт.ст. Для получения хороших результатов, в противоположность случаю системы кремний — кислород, распыление нужно проводить в атмосфере чистого азота. Вероятно, это объясняется тем, что для образования нитрида кремния необходимо присутствие атомарного азота, поскольку хемосорбции молекул N2 на кремнии не происходит. Основными частицами в плазме вблизи подложки являются ионы N2+. Ионы N+ образуются главным образом в темном пространстве [111] или путем диссоциации N2+ при ударе о поверкность катода. Следовательно, атомы азота могут попасть на подложку только тогда, когда они либо распыляются с поверхности мишени, возможно, из слоя нитрида кремния на поверхности мишени [109], либо отражаются от мишени после прохождения темного пространства. В обоих случаях атомы азота, падающие на подложку, должны испытать относительно небольшое число столкновений на пути от катода к подложке. Возможно также, что некоторые быстрые молекулы N2 внедряю гея в растущую пленку и остаются в ней в виде газовых включений [112]. [c.441]

На поверхности наблюдались неэмиттирующие выступы жидкости, число которых существенно превышало число центров эмиссии ионов и ионных кластеров Наблюдения подобного рода не проводились, однако наличие в жидкости коллинеарно расположенных ион-кристаллитов подтверждается экспериментами по светорассеянию и криоэкспериментами [c.92]

Наибольшее распространение получили вторично-ионная масс-спектрометрия (поток ионов вызывает эмиссию иоиов), электронная оже-спектроскопия (поток электронов вызывает эмиссию электронов), полевая ионная микроскопия (ионизадняи испарение атомов поверхности под действием электрического поля) и др. Теория и пркмененяе этих методов, интерпретация получаемвй [c.246]

В литературе по эмиссии электронов можно найти много примеров, когда этот эффект, несомненно, имеет место [46]. Если в результате хемосорбции кислорода работа выхода у вольфрама сильно возрастет, то на его поверхности будут хемосорбироваться в виде ионов не только атомы щелочных и щелочноземельных металлов, но и атомы металлов, обладающих значительно более высокими энергиями ионизации. Подобные явления имеют место также при воздействии кислорода на поверхности железа, меди и никеля, когда ионы этих металлов при своем движении по поверхности приближаются к хемосорбированным ионам кислорода или располагаются поверх них (раздел УИ, 6), вызывая проникновение хемосорбированного кислорода внутрь поверхностных слоев металла при этом происходит обращение поверхностного потенциала. Цезий, адсорбированный поверх кислорода, хемосорбированного на вольфраме, значительно прочнее связывается с. металлом, чем цезий, хсмосорбированный на чистой поверхности вольфрама. В результате oднoвpeмeнf oй хемосорбции обоих веществ работа выхода падает до такой [c.165]

Конц. элемента С определяют по интенсивности I вторичной ионной эмиссии, к-рая зависит также от потенциалов ионизации атомов, работы выхода электрона и может меняться для разл. элементов и образцов на неск. порядков. Изменение I м. б. связано и с т. н. реакционной вторичной ионной эмиссией, к-рая возникает при анализе хим. соед., наличии оксидных пленок на пов-сти образца, при использ. химически активных первичных ионов, в присут. реакционноактивных остаточных газов в ионных микроаналиэато-рах. Реакционная эмиссия может приводить к ошибкам в анализе, однако ее использ. для увеличения воспроизводимости и чувствительности метода. [c.225]

Ниже в качестве примера рассматривается работа галоидного (ионизационного) течеиска-теля. Принцип его действия основан на эффекте эмиссии положительных ионов, испускаемых раскаленной платиной, резко возрастающем в присутствии паров галоидов. Этот эффект заметен при парциальном давлении паров галоида порядка 10 мм рт. ст. [c.181]

В качестве вещества, содержащего галоид, хорошо зарекомендовал себя фреон-12 (СРгС ). Он не ядовит, не горюч и не агрессивен. Поставляется в стальных баллонах различной емкости в небольших баллонах может быть использован для переносных устройств. Малые его концентрации внутри сосуда дают резкое повышение эмиссии ионов, испускаемых раскаленной платиной. [c.181]

ИОННЫЕ РАДИУСЫ, см. Атомные радиусы ИОННЫЙ выход, см. Радиационно-химические реакции. ИОННЫЙ МИКРОАНАЛИЗ, метод локального анализа, основанный на регистрации масс-спектров вторичных ионов с микроучастков пов-сти твердых тел. Исследуемый образец в вакууме бомбардируют сфокусированным п>чком первичных ионов (Аг" , Oj, О , s диаметр пучка 1-100 мкм, энергия 10 — 10 Дж, плотн. тока 0,1-10 А/м ). Первичные ионы при взаимод. с пов-стью упруго и неупруго рассеиваются, перезаряжаются, испытывают многократные соударения с атомами твердого тела. При этом часть атомов вблизи пов-сти получает энергию, достаточную для их эмиссии в вакуум в виде нейтральных частиц (катодное распыление) или в виде вторичных ионов (вторичная ионная эмиссия) [c.260]

Количеств. И. м. проводят, используя теоретич. и эмпирич. градуировочные характеристики С, =/( 1, . Первые основаны на квантовомех. или термодинамнч. моделях механизма вторичной ионной эмиссии. Однако более точны эмпирич. методы с использованием многоэлементных однородных стандартных образцов, чистых в-в или ионнолегированных поверхностных слоев с заданным распределением элементов. При этом обычно рассчитывают коэф. относит, чувствительности (КОЧ)-отношение выходов вторичных ионов определяемого элемента для исследуемого и стандартного образцов К.ОЧ = (1J J) ( J J где и / -соотв. концентрация определяемого элемента и интенсивность ионной эмиссии в стандартном образце, /, и Х-доли измеряемых изотопов соотв. в исследуемом и стандартных образцах. [c.260]

Гетерог. фон связан с генерированием аналит. сигнала (напр., вследствие рассеяния электронов, флуоресцентного возбуждения) в соседней с анализируемой фазе. Величина сигнала - ф-ция расстояния от границы между фазами. Наиб высокие систематич. погрешности могут возникать, если концентрация определяемого элемента в соседней фазе существенно больше, чем в анализируемой Фазовая интенсивность обусловлена резким измененнем аналит. сигнала в соседних фазах (слоях), к-рое возникает вследствие различия в специфич. эмиссионных характеристиках этих фаз (как, напр., в случае реакц. эмиссии вторичных ионов) и не зависит от содержания определяемого элемента в них. Систематич погрешности при этом устраняют расчетными или эксперим. приемами. [c.610]

Рис. 8.1-3. Схематическое изображение факела индуктивносвязанной плазмы. 1 — индукционная катушка 2 — внешняя трубка 3 — средняя трубка 4 — инжекторная трубка для ввода пробы 5 — плазма 6 — зона атомизации 7 — зона эмиссии атомных линий 8 — зона эмиссии ионных линий. Плазмообразующий (внешний) газ вводят между внешней и средней трубками, дополнительный (вспомогательный) газ вводят между средней и инжекторной трубками, газ-носитель вводят через инжекторную трубку.

Сопоставлены пределы обнаружения натрия, полученные разными исследователями, при определении натрия по эмисс.ионному и абсорбционному сигналам [1104]. [c.113]

Ионно-молекулярные реакции являются основой не только химической ионизации, их роль также существенна в процессах эмиссии ионов, протекающих при бомбардировке быстрыми атомами (ББА) объектов в конденсированной фазе. Масс-спектрометрия с ББА уникальна по чувствительности и информативности, применяется в биологии и медицине для исследования кинетики реакций, в том числе ферментативных в координационной химии позволяет определять структуру и устойчивость 7с-комплексов переходных металлов, оценивать термодинамические констаигы устойчивости комплексов щелочных металлов с краун-эфирами и т.д. [c.143]

Важную фуппу составляют электрические поверхностные явления поверхностная проводилюсть, поверхностный электрический потенциал, электронная эмиссия и др. Все они связаны с образованием на. межфазной фанице двойного электрического слоя в результате эмиссии электронов или специфической эмиссии ионов, а также ориентации диполей в поле поверхностных сил. [c.60]

Существует также ряд других электрических методов экзоэле-ктронной эмиссии (эмиссия ионов с поверхности изделия под влиянием внутренних напряжений), электроискровой (измерения характеристик среды по параметрам электрического пробоя в ней), электростатического порошка (определение дефектов в диэлектриках с использованием в качестве индикатора наэлектризованного порошка). Эти методы пока находят сравнительно узкое практическое применение, но интенсивно изучаются. [c.13]

Действие галогенного течеискателя основано на резком увеличении эмиссии положительных ионов щелочных металлов в чувствительном элементе при появлении в пробном газе галогенов, т. е. веществ, в состав которых входят элементы группы галоидов фтор, хлор, бром, иод. Обычно в качестве пробных веществ используют пары соединений, содержащих фтор—фреоны (хладокы) различных марок 12, 13, 22 или 133. Это легколетучие жидкости, давление их насыщенного пара при комнатной температуре (6- 30) X ХЮ Па. Вещества эти не имеют запаха, безвредны, неагрессивны, используются в качестве хладоагентов в бытовых холодильниках. [c.89]

Метод вторичной ионно-ионной эмиссии позволяет решать следующие задачи идентифицировать и количественно определять молекулярно-адсорбированные и хемосорбированные вещества на поверхности (локальный анализ очень небольшого участка поверхности или анализ большого участка поверхности путем сканирования первичного ионного зонда) изучать адсорбционные процессы, изменение состояния и состава адсорбционного слоя в зависимости от различных параметров изучать гетерогенные химические и изотопнообменные реакции изучать диффузионные процессы проводить анализ состава, анализ примесей и послойный элементный анализ твердого тела. [c.49]

Преимущества этого метода аналогичны преимуществам метода вторичной ионно-ионной эмиссии. Это выдвигает электронно-стимулиро-вапную десорбцию при исследовании поверхности твердого тела как одно из перспективных направлений. На основе метода построен прибор со сканирующим электронным зондом, позволяющий получать картину распределения адсорбированных газов. [c.50]