Зависимость интенсивности линий от напряжения

Рис. 3. Зависимость интенсивности линий Не от давления при различных напряженностях магнитного поля (Н)

На рис. 5 представлены зависимости интенсивности линий примесей (ЫО-2%), введенных в 5%-ный раствор соляной кислоты, от величины напряжения. Расположение кривых [c.157]

Рис. 101. Влияние примесей элементов-тушителей на люминесценцию куб-2пЗ-1 10- Ag(Na l, 950° С) -фосфора а — зависимость интенсивности люминесценции от концентрации никеля в шихте при возбуждении I — рентгеновским излучением при напряжении на трубке 80 кв (эффективная энергия квантов эф"25 кэв, мощность дозы Р> 15 рентген/мин) 2 —линией ртути 365 нм 3 — катодными лучами (ускоряющее напряжение 10 кв, плотность тока 2,5 10 а см ) б — зависимость интенсивности люминесценции от концентрации кобальта (Г), никеля ( ) и железа (3). Возбуждение рентгеновским излучением, генерируемым аппаратом РУМ-7 при напряжении на трубке 40 ке без фильтра

При фотоэлектрической регистрации мерой интенсивности является фототок (или накопленный электрический заряд, напряжение на обкладках конденсатора), вызванный освещением приемника излучением соответствующей длины волны. Величина фототока в области малых мощностей излучения пропорциональна величине светового потока. В этой области зависимость межд результатом фотоэлектрического измерения аналитической линии и содержанием элемента будет иметь в принципе такой же вид, как и зависимость между интенсивностью линии и содержанием элемента. [c.10]

В общем случае вид спектра при данной энергии ионизирующих электронов зависит от многих дополнительных факторов, влияние которых не может быть строго учтено. Прежде всего, существует зависимость интенсивностей линий в масс-спектре от времени нахождения ионов в ионном источнике и масс-анализаторе, т. е. от геометрии прибора и ускоряющего напряжения, а также от температуры источника ионов и системы напуска вещества в масс-спектрометр. При уменьшении ускоряющего напряжения или увеличении температуры указанных элементов глубина фрагментации молекулярных ионов обычно возрастает. Имеются данные (см. [2, с. 174]), указывающие на изменение масс-спектра вещества при повышении давления в источнике ионов. По этим причинам спектры одного и того же соединения, записанные на различных приборах и в различных условиях, могут не совпадать между собой. Для сопоставления таких спектров предлагалось применять эмпирические корреляционные уравнения различного вида [20, 21]. [c.84]

Из зависимости интенсивности линий ионов от ионизирующего напряжения были определены потенциалы появления основных ионов в масс-спектрах. Результаты определений приведены в табл. 3. Ошибка при измерении потенциала появления иона металла не превышала + е, а при измерении потенциалов появления других ионов +0,3 с. [c.115]

Зависимость интенсивности линий от напряжения [c.103]

Зависимость интенсивности линий от напряжения в области относительно небольших напряжений, меньших чем утроенное значение потенциала возбуждения, имеет особенно простой вид. В этой области напряжений, по данным некоторых исследователей [117] [c.104]

Спектр поглощения ЭПР можно представить в виде зависимости интенсивности поглощения энергии от напряженности приложенного магнитного поля. В связи с тем, что линии поглощения широки и не всегда разрешаются, более удобно представлять спектры ЭПР 8 виде первой производной, которая пересекает ось абсцисс в точке максимума кривой поглощения. Плечи кривой поглощения на дифференциальной зависимости проявляются в виде одиночных линий, не пересекающих ось абсцисс. Такой способ записи дает возможность определить число максимумов (рис. 6.41). [c.284]

Ввиду пропорциональной зависимости между интенсивностью спектра тормозного излучения и квадратом высокого напряжения стремятся использовать рентгеновские трубки с максимально допустимым напряжением. Однако при определении легких элементов при высоком напряжении появляется очень сильное диффузное излучение, ухудшающее соотношение интенсивности линии к фону. Во избежание колебаний интенсивности подаваемое на трубку напряжение стабилизируют электронными приборами. [c.204]

Исследования воздействия электрического поля [67—71] показывают, что существуют электростатические наводки на уровне земли практически от всех линий электропередачи. Напряженность электрического поля существенно зависит от напряжения линии и возрастает практически пропорционально ему. Отмеченная зависимость наблюдается до напряжений порядка 1000—1200 кВ. Потенциалы электростатических наводок на изолированных от земли объектах затухают значительно быстрее от линий электропередачи с меньшим электрическим напряжением. Результаты исследований влияния электрических полей на пожароопасность и эксплуатационный персонал предопределили условия прокладки подземных сооружений в случаях пересечения и сближения их с линиями электропередачи, хотя эти условия могут и не удовлетворять требованиям, предъявляемым к этим сооружениям с точки зрения интенсивности коррозионных процессов. [c.126]

Для симметричных линий форма определяется типом функциональной зависимости интенсивности поглощения / от частоты V или напряженности постоянного магнитного поля Н. В отсутствие обменных взаимодействий каждый из спинов находится в локальном магнитном поле и при гауссовом распределении этих полей форма линии будет гауссовой, т. е. [c.28]

В основу работы прибора ФЭС-1 положен принятый в спектральном анализе метод внутреннего стандарта, заключающийся в измерении отношения интенсивностей линии анализируемого элемента и линии сравнения, излучаемой тем же источником света. Это автоматически исключает зависимость результатов измерений от колебаний яркости источника света и изменений других факторов, общих для всех спектральных линий. В приборе ФЭС-1 роль линии сравнения играет неразложенный свет, отраженный от поверхности первой призмы. Фототок, возбуждаемый светом выделенной монохроматором анализируемой линии, заряжает накопительный конденсатор (рис. 37.2). Неразложенный свет, попадая на второй фотоэлемент, заряжает второй накопительный конденсатор С., напряжение на фотоэлементы подается от стабилизатора СН. [c.291]

Эксперименты на пикосекундной временной шкале и более короткой требуют других подходов. Световая вспышка, вызывающая возбуждение или фотолиз молекул исследуемого вещества, генерируется лазером с пассивной синхронизацией мод, оснащенным системой выделения одиночного импульса из цуга. Хотя пикосекундная импульсная спектроскопия опирается на методику двух вспышек — возбуждающей и зондирую -щей,— импульс зондирующего света обычно получается за счет преобразования части света возбуждающей вспышки, а необходимая короткая временная задержка легко достигается благодаря конечной скорости света. Зондирующий световой пучок направляется по варьируемому более длинному оптическому пути. Для абсорбционных экспериментов спектр этого излучения может быть уширен (например, ССЬ преобразует малую часть излучения лазера на неодимовом стекле с длиной волны 1060 нм в излучение в широком спектральном диапазоне). Для других диагностических методик, например КАСКР, это излучение может быть преобразовано в излучение другой частоты. Существует также ряд специализированных методик для изучения испускания света в пикосекундном диапазоне. Одна из них связана с электронным вариантом стрик-камеры. Для регистрации временной зависимости интенсивности сфокусированного пучка или светового пятна в механическом варианте стрик-камеры используется быстро движущаяся фотопленка. В электронном варианте изображение вначале попадает на фотокатод специального фотоумножителя типа передающей телевизионной трубки. Под действием линейно изменяющегося напряжения, прилагаемого к пластинам внутри трубки, образующиеся фотоэлектроны отклоняются тем сильнее, чем позже они вылетели из фотокатода. Для регистрации мест попадания отклоненных электронов может использоваться фосфоресцирующий экран с относительно длинным послесвечением, изображение на котором фотографируется или преобразуется с помощью электроники для последующего анализа. Этот метод носит название электронно-оптической хроноскопии. В альтернативном методе для изучения флуоресценции с пикосекундным временным разрешением Используется затвор, основанный на эффекте Керра (вращение плоскости поляризации света в электрическом поле), индуцируемом открывающим лазерным импульсом. В еще одном методе (флуоресцентная корреляционная спектроскопия) часть света возбуждающего импульса проходит через оптическую линию задержки и смешивается с испускаемой флуоресценцией в нелинейном кристалле (см. конец разд. 7.2.3), давая на выходе [c.203]

В квантометре ДФС-10 имеется 12 накопительных конденсаторов, которые в зависимости от заданной программы могут быть подключены к нужны.м приемникам света так, что общее число спектральных линий, одновременно измеряемых в одном образце, может быть не больше двенадцати. Одна из них служит внутренним стандартом, остальные аналитические. Поэтому в одном образце можно определять 11 элементов. Во время экспозиции происходит накопление света одновременно во всех рабочих каналах. После выключения генератора автоматически последовательно из.меряют напряжения во всех аналитических каналах, по сравнению с напряжением на конденсаторе в канале сравнения. Регистрирующий потенциометр записывает последовательно их величины они пропорциональны относительной интенсивности линий во всех каналах. [c.220]

Измерительная схема прибора работает по принципу накопления зарядов на конденсаторе. Для измерения относительной интенсивности линий используют электрометр и ламповый вольтметр (рис. 47). Существует линейная зависимость между напряжением, измеряемым ламповым вольтметром, и концентрацией элемента в пробе. Поэтому шкала прибора градуируется непосредственно в единицах концентрации. [c.76]

Как следует из графиков на рис. 4.10, величина ///о сильно зависит от геометрии и напряженности магнитного поля. На этом рисунке показано изменение интенсивности линии 1п 13039 в зависимости от расстояния го между дугой и магнитом, т. е. в зависимости от степени однородности и напряженности магнитного поля. Влияние напряженности магнитного поля видно непосредственно из рис. 4.10. Сравнивая величины ///о, относящиеся к одинаковому полю, но к разным значениям го, можно сделать заключение о решающем влиянии геометрической конфигурации магнитного поля. Оказывается, что существуют оптимальные параметры го и Яг, при которых величина ///о максимальна. Представляет значительный интерес тот факт, что для элементов с резко различающимися потенциалами ионизации оптимальные значения го и Нг практически одинаковы (рис. 4.11). Приведенные в табл. 4.2 величины ///о, относящиеся к неоднородному маг- [c.214]

Никель с сотр. исследовали влияние однородного и неоднородного магнитных полей и показали возможность усиления интенсивности линий некоторых элементов в 2—20 раз при анализе реакторного графита в присутствии неоднородного магнитного поля [288, 289]. Этими авторами была показана зависимость увеличения интенсивности спектральных линий от тока дуги, напряженности магнитного поля, от формы электродов, от потенциала ионизации и атомной массы элемента. [c.92]

Рис. 5. Зависимость между интенсивностью линий некоторых примесен и напряжением на ячейке

Следует различать два предельных случая спин-снинового взаимодействия 1) Парамагнитные частицы находятся на больших расстояниях друг от друга и взаимодействуют только при столкновениях, длительность к-рых мала по сравнению с периодами между столкновениями (этот случай реализуется в жидкой и газовой фазах при низких концентрациях парамагнитных частиц). В этом случае форма линии (под формой линии подразумевается математич. зависимость интенсивности поглощения от напряженности магнитного поля) описывается Лоренцевой кривой [c.482]

На рис. 18 показаны зависимости интенсивности регистрируемого сигнала а) и ширины линии (б) от Ну для лоренцевой формы линии, а на рис. 19 представлены осциллограммы спектра протонов в вулканизованном каучуке при различных напряженностях возбуждающего поля Ну. С увеличением Ну наблюдается постепенный рост интенсивности сигнала сначала без заметного изменения ширины линии (до Ну = 9,6 мэ), затем ширина линии начинает увеличиваться, а регистрируемый сигнал ослабевает и, наконец, форма линии искажается. [c.125]

ПОЛЯХ с различной напряженностью ) в спектре для ядра А наблюдается (2/г/х + 1) линий, где /х — спиновое квантовое число X. Относительные интенсивности линий определяются /г-ными биноминальными коэффициентами. Линии находятся на равных расстояниях, и величина расщепления называется константой спин-спинового взаимодействия и обозначается символом Удх-Сказанное справедливо, если резонансы ядер А и X достаточно разделены. Если это не так, то относительные интенсивности линий отличаются от предполагаемых и в зависимости от системы появляется большее или меньшее число линий по сравнению с предсказанным на основании простого анализа с точностью до членов первого порядка. В качестве примера рассмотрим молекулу СНз—СН(ЫОч)—С00 . Метильная группа может свободно вращаться и, таким образом, три метильных протона эквивалентны и система относится к типу АХд. Сигнал от метильной группы появляется в виде дублета с б = 1,5 млн"1 от ТМС и с /нн = 7 Гц вследствие взаимодействия с протоном СН-группы, который резонирует при более низких полях (б = 3,8 млн" ) в виде квартета [c.332]

Это говорит о том, что интенсивности линий зависят не только от концентраций элементов, но и от полного состава пробы, температуры плазмы разряда, приложенного напряжения, параметров аппаратуры, процессов на электродах и в источнике света. Поэтому вполне естественно желание и стремление аналитика выбрать для анализа такие условия, при которых зависимость интенсивности от концентрации будет простейшей. Но для этого прежде всего необходимо знать те основные факторы, которые могут существенно повлиять или уже влияют на интенсивность линий. Без правильного отбора к анализу и подготовки самой пробы, без знания приемов ее введения в аналитический объем, без правильного выбора всех прочих условий анализа, с учетом самых различных факторов, выполнить поставленную аналитическую задачу невозможно. Не представляется возможным и правильный выбор частного способа или приема анализа. [c.139]

Линейная зависимость между отношением интенсивности линии к фону н величиной напряжения для К ,2-линий меди и цинка (рис. 63) наблюдается вплоть до напряжений, в 3—5 раз превосходящих их потенциалы [c.105]

МИ напряжениями, включающие радикальные реакции и разрыв цепи, могут быть обнаружены по изменению интенсивности специфических линий поглощения в ИК-спектрах, [423, 424, 862, 870, 993, 994, 1002, 1055, 1059, 1067, 1121 ]. Измеряя концентрацию продуктов механодеструкции как функцию времени, исследуют кинетику реакций. Этот метод был применен к полиэтилену и полипропилену, подвергнутым одноосному растяжению. Характерные полосы поглощения приведены в табл. 7.3 [424]. Изменение концентрации альдегидных групп в зависимости от приложенного напряжения и времени показано на рис. 7.20 сначала концентра- [c.319]

Как показала экспериментальная проверка (см., например, рис. 46), этот метод уже сейчас может быть с успехом использован для полуколиче-ственного определения элементов в объектах сложного химического состава с обычной для подобных анали зов точностью порядка 20% от определяемой величины. Правда, различная степень зависимости интенсивности линии и фона от напряжения на рентгеновской трубке делает точность описываемого метода анализа зависящей в большей мере, чем прочие, от стабильности высокого напряжения однако после внедрения в практику рентгеиоспек-тральных лабораторий новой высоковольтной аппаратуры, позволяющей осуществить высокую степень стабилизации режима работы рентгеновской трубки спектрографа, использование этого метода даст возможность осуществлять анализы с гораздо большей точностью. [c.83]

Рис. 61. Зависимость интенсивности -линии серебра I от квадрата напряжения иа трубке Г- (по Ионссоиу).

Значение относительной интенсивности данного отражения для NH] — 100, Li — 72, К+ — 45, Rb — 16, s — 7. Аналогичная картина наблюдается и со щелочноземельными элементами значения интенсивности отран ения 200 составляют для Са — 72, Sr — 32, Ва + — 21. При этом происходит резкое увеличение интенсивности OTjia-жения 530 в бариевой форме. Также характерно уменьшение интенсивности отражения 200 при замещении исходных катионов стронцием (см. рисунок). Зависимость интенсивности линии 200 от степени замещения является линейной. Резкое уменьшение интенсивности отражения 200 природного морденита происходит из-за миграции обменных катионов из плоскости симметрии, перпендикулярной оси а. Данный эффект может быть также, как и в клиноптилолите [3 ], связан со значительными напряжениями в алюмокремнекислородной матрице цеолита, обусловленными вхождением более крупных и тяжелых катионов во внутри-кристаллическое пространство. [c.123]

Один из способов связи этих данных [71] приведен на рис. 22, на котором пороговое напряжение Сткр для гладких образцов и пороговый коэффициент интенсивности /Схкр для образцов с трещиной представлены в виде зависимости от размера трещины (дефекта). Обобщающее уравнение К=о(па)Ч выражающее связь коэффициента интенсивности Кь напряжения о и размера трещины 2а, было использовано для построения линии Кгщ на рис. 22. Можно сделать два вывода из этого графика. Во-первых, [c.176]

Влияние эффекта поглощения может быть уменьшено при проведении анализа при низких энергиях электронов пучка Ео и больших углах выхода рентгеновского излучения ). Чем больше угол выхода, в приборе, тем короче длина пути, на, котором рентгеновское излучение испытывает поглощение в образце. При низких ускоряющих напряжеииях уменьшается глубина промик-новения электронного, пучка и рентгеновское излучение генерируется ближе к поверхности (гл. 3). На рис. 8.23 показано изменение интенсивности ивлучеиия В/с с напряжеиием для различных бор идов [235]. Макси.мум интенсивности линии Вд- имеет место при ускоряющем напряжении 10—15 кВ в зависимости от образца. Появление максимума обусловлено действием двух противоположных факторов во-первых, повышением ин- [c.154]

Чтобы элиминировать влияние примесей 8 и Ре в нефтепродуктах на результаты определения брома, к 50 мл анализируемой жидкости в качестве внутреннего стандарта добавляют 10 мл 0,54%-ного раствора этилселенида в смеси бензола и декана (1 1). Исследуемый образец с площадью поверхности 4,12 X 3,18 см и толщиной не менее 0,79 см, обеспечивающей максимальную интенсивность флуоресценции, активируюг лучами трубки с Мо-антикатодом, работающей при напряжении 50 кв и силе тока 40 ма, постоянство которых поддерживается в пределах соответственно 0,25 и 0,1%. На установке, показанной на рис. 11, измеряют интенсивность вторичного излучения Вг и Зе (0,1039 и 0,1105 нм) и находят искомый результат по градуировочным графикам зависимости отношения интенсивностей линий Вг и Зе от весового процента брома в углеводородах различной плотности. Таким образом учитывается влияние плотности исследуемого вещества на интенсивность вторичного излучения. Анализ длится 15 мин. [c.168]

Было показано, что в спектрографическом анализе линии х и г должны располагаться близко друг к другу по двум причинам. С одной стороны, при большом расстоянии между линиями возрастают фотографические погрешности, а с другой — параметры характеристической кривой (или кривой преобразованных почернений) быстро изменяются вне области длин волн 2500—3100 А. Последнее существенно усложняет методику анализа. В противоположность этому в случае измерения интенсивности линий с помощью фотоумножителей точность измерений не зависит от расстояния между линиями (разд. 5.10 в [1]). Поскольку между фототоком и интенсивностью света существует простое линейное соотношение, зависимость чувствительности фотоумножителей от длины волны в относительно широких пределах не играет роли. Поэтому различие в длинах волн линий аналитических пар может быть значительным. Зависимость от длины волны параметров фотоумножителя можно скомпенсировать соответствующим выбором динодных напряжений. Последние регулируют в соответствии с желаемой чувствительностью, которая зависит от возможного соотношения минимальных и максимальных величин интенсивностей измеряемой линии. Кроме того, фотоумножители обычно можно использовать в более широкой области длин волн, чем фотоэмульсии. Поэтому фотоум ножи- [c.251]

Метод последовательного насыщения. В условиях адиабатически медленного прохождения (vмЯ у Я , у Т С где ум и Ям — частота и амплитуда модуляции магнитного поля) регистрируется изменение величины сигнала от напряженности СВЧ-поля Н . Зависимость интенсивности сигнала для однородно уширенной линии 7 = Я (Ц-Л )для неоднородно уширенной у тде А= / у1Н1Т1Т , если ширина линии за счет неоднородного распределения АЯ ф ДЯ п [49]. Ширина спин-пакета АЯсп = [c.457]

Проведенные исследования по изменению интенсивности линий микропримесей показали, что наилучшие результаты получаются при применении конусообразного магнитного поля, создаваемого одноименными полюсами. Величиной, характеризующей действие магнитного поля на интенсивность линий указанных элементов, служит изменение отношения интенсивости измеряемой линии к интенсивности фона. Экспериментально была найдена зависимость между интенсивностью линий изучаемых элементов и расстоянием между магнитами, которое соответствовало 18, 23 и 35 мм. Установлено, что наибольшее увеличение интенсивности линий для большинства исследуемых примесей наблюдается при расстоянии 23 мм. При этом оно создает оптимальный объем облака дуги, способствующий большему увеличению интенсивности линий поэтому все дальнейшие исследования проводили при расстоянии между магнитами, равном 23 мм, и напряженности магнитного поля 200 Э. Действие магнитного поля испытывали при токе от 5 до 10 А. Лучшие результаты были получены при 7 А. [c.96]

Напряжение на ванне. На рис. 1 приведены кривые зависимости интенсивности аналитических линий некоторых элементов от напряжения на электродах при электролизе соответственно фосфорной кислоты и гипофосфита натрия. Время электролиза в каждом случае составляло 30 минут. Все полученные кривые имеют ярковыраженный максимум при 10— 15 в для фосфорной кислоты и при 20 в для гипофосфита натрия. [c.172]

Возможности метода с применением ионного микрозонда для анализа тонких пленок иллюстрируют данные Эванса и Пемс-лера (1970), полученные при анализе тонких пленок окиси тантала. С этой целью сначала проводилось анодирование тантала в Нг 0, а затем в Нг - О или так что на поверхности образца образовывалась двойная пленка из Таг 05 и Тзг Юз ее толщина была определена с высокой точностью благодаря известному соотношению между толщиной пленки и напряжением при анодировании (Яунд, 1961). Затем образцы бомбардировали гомогенным пучком ионов так, что скорость распыления составляла 0,65 А/с, и регистрировали интенсивности линий и в зависимости от глубины пробоотбора. Результаты (рис. 13.8) хорошо согласуются с электрохимическими данными по толщине двойной пленки. Другие результаты, приведенные Эвансом и Пемслером (1970), свидетельствуют о возможности достижения на приборе фирмы G A разрешения по глубине-20 А. [c.413]

При работе на однолучевых спектрофотометрах питание ламп с полым катодом должно производиться от выпрямителей с высокой степенью стабилизации напряжения, что обусловлено значительной зависимостью яркости спектра, возбуждаемого в полом катоде, от силы разрядного тока. Показано, что для того, чтобы колебания интенсивности линии М 2852А не превосходили 17о, колебания разрядного тока не должны быть больше 0,1 ма. [c.19]

Уп, напряжении на трубке, интенсивиость рентгеновских линий возрастает. Причина этого роста — главным образом увеличение глубины проникновения потока электронов в тело антикатода и связанное с этим возрастание числа излучающих атомов. В меньшей мере это связано с возрастанием вероятности возбуждения атомов вещества анода под действием электронов возрастающей энергии, которая не очень велика. Однако при увеличении напряжения на рентгеновской трубке все более значительную роль играет поглощение лучей при их выходе из тела анода и уменьшается вероятность возбуждения атомов вещества анода электронами этих энергий. Это приводит к гюстепенному уменьшению интенсивности спектральных линий по сравнению с достигнутыми ранее значениями [76, 77]. Сказанное выше может быть проиллюстрировано кривой, представленной на рис. 60. Как видно, возрастание интенсивности линий в зависимости от напряжения наблюдается вплоть до напряжений, в 10—11 раз превосходящих потенциал возбуждения. При больших напряжениях интенсивность линий начинает уменьшаться. Ход экспериментальной кривой (//) довольно хорошо согласуется с выводами теории (кривая /). [c.103]

На рис. 61 представлены графически результаты опытов Ионссона по определению зависимости интенсивности 1-линии серебра от напряжения. Квадратичная зависимость интенсивности спектральных линий от напряжения была констатирована Ионс-соном вплоть до напряжений, в три раза превосходящих потенциал возбуждения Уо. При выборе аналитической пары линий следует стремиться к тому,чтобы линии имели, по возможности, более близкие потенциалы возбуждения. В случае полного совпадения величин потенциалов отношение интенсивности линий не будет зависеть от величины приложенного к рентгеновской трубке напряжения. [c.104]

Рентгенопленку закладывали асимметрично. В зависимости от природы исследуемого вещества экспозиция колебалась от 3 до 12 час. при токе 8—10 ма и напряжении 30 кв. Интенсивность линий оценивали визуально по девятибалльной шкале. Измерение расстояний [c.104]

На монокристаллах алюминия Гаф и Сопвич показали, что избирательная коррозия в месте ранее образовавшихся линий скольжения была важным фактором в разрушении образца. Благодаря этому образовалось большое количество (40 или 50) очень длинных трещин и множество маленьких трещин. Эти трещины почти во всех случаях были параллельны направлениям плоскостей скольжения (изменяя направление изменением направления плоскости скольжения) и были наиболее плотно сконцентрированы в области максимальной интенсивности срезывающих напряжений таким обравом они находятся в прямой зависимости от кристаллической структуры образца и от приложенной системы напряжений. Исследование поперечного сечения разрушенного образца показало, что многие основные трещины оканчиваются в сложной сетке очень мелких трещин. Это явление ранее не наблюдалось при испытаниях на усталость Иу очевидно, может рассматриваться как фактор, характерный именно для условий коррозионной усталости . [c.592]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология