Кристаллы , внешний вид

Весьма тонкие современные методы исследования кристаллического состояния вещества подтвердили, что частицы в кристаллах (атомы, молекулы, ионы) располагаются закономерно, образуя так называемую пространственную решетку кристалла. Внешняя геометрическая форма кристалла теснейшим образом связана с его внутренней структурой. В кристаллической решетке любого тела можно выделить определенную часть, которая носит название элементарной ячейки. Она представляет собой наименьший объем кристаллической решетки вещества, который точно отражает его химический состав и все особенности внутренней структуры данного кристалла. [c.30]

Цианистое и роданистое серебро очень мало растворимы в разбавленной азотной кислоте и осаждаются быстро и полно. Дициандиамид серебра даже в случае наличия в значительных количествах образуется медленно, выделяясь в виде объемистых полупрозрачных хлопьев или чаще в виде длинных игольчатых кристаллов. Внешний вид их весьма характерен и, однажды увидев эти кристаллы, их легко узнать. Дициандиамид серебра гораздо более растворим в теплых растворах, чем в холодных, и, если дициандиамид присутствует в незначительных количествах, то чтобы вызвать образование осадка, может потребоваться хорошее охлаждение, напр., в ванне из льда с солью. [c.104]

Свойства. Темные с металлическим блеском кристаллы, внешне похожие яа кристаллы иода. t j 407 С /возг 439 °С d 5,7 /кип (экстраполяция) около 540 °С. Плохо растворяется в спирте, бензоле и толуоле. [c.645]

Точечные атомные дефекты в кристаллической решетке обладают определенными свойствами. Например, вакансии в ионных кристаллах выступают носителями заряда, причем катионная вакансия несет отрицательный, а анионная — положительный заряд. Конечно, собственно заряд в вакансии не содержится, но возникающее вокруг нее электрическое поле такое же, какое возникло бы, если бы в вакансии располагался заряд, по значению равный, а по знаку противоположный заряду иона, который покинул данный узел решетки. Любые точечные дефекты обладают способностью к миграции (диффузии) в кристаллической решетке в результате тепловых флуктуаций или приложения к кристаллу внешнего электрического поля. Например, катион в междоузлии может переходить при соответствующем возбуждении в соседнее междоузлие, вакансии мигрируют за счет перемещения соседнего иона в вакантный узел, т. е. путем последовательного обмена позициями между ионами и вакансиями (при таком так называемом вакансионном механизме диффузии перемещение вакансий в одном направлении эквивалентно перемещению ионов в другом). Точечные дефекты могут взаимодействовать друг с другом, образуя в простейшем случае ассоциаты—дефекты, занимающие соседние кристаллографические позиции. Например, в решетке могут возникнуть связанные группы вакансий (кластеры). Связанные пары вакансий способны диффундировать быстрее, чем изолированные вакансии, а тройные кластеры еще быстрее. [c.87]

Энергия активации процесса возникновения дислокаций не может быть обеспечена тепловым колебанием атомов. Одной из главных причин их образования является действие на кристалл внешних механических напряжений, вызывающих в кристалле деформации сдвига, среза, изгиба и т. д. Обычным источником дислокаций являются, по-видимому, механические напряжения при росте кристаллов. Причиной образования дислокаций могут быть также термические напряжения в кристалле при наличии перепада температур его различные участки расширяются неодинаково, уменьшение появляющихся при этом напряжений может происходить за [c.92]

Тем не менее однозначное определение точечной группы симметрии на более ранней стадии исследования облегчает задачу экспериментатора и поэтому всегда желательно. Обычно для этой цели, в дополнение к дифракционным данным, привлекаются результаты изучения тех или иных физических свойств кристалла внешней формы, фигур травления, пироэлектрических и пьезоэлектрических свойств, врашения плоскости поляризации лучей видимого света или некоторых других свойств [c.254]

По-видимому, образование игл и других форм неправильного роста связано прежде всего с изменением механизма роста и следующего из него закона роста, когда пересыщение превышает определенную величину. Это может иметь место для очень многих кристаллов. Внешнее диффузионное поле будет в этом случае играть роль вторичного фактора, изменяющего пересыщение на поверхности. Надо, однако, добавить, что пока нет каких-либо определенных соображений, с молекулярной точки зрения объясняющих смену механизмов роста, которая происходит при определенных пересыщениях и вызывает неправильный рост. [c.253]

Условия опыта, в котором это удалось сделать, были такими температура 1350° С, давление 62 000 атмосфер. Из автоклава вынули неопределенного цвета кристаллы, внешне совершенно непривлекательные. Но эти кристаллы царапали алмаз. Правда, и он не оставался в долгу и оставлял царапины на кристаллах нитрида бора. [c.81]

К двухмерным (плоскостным) дефектам кристаллов относятся границы между зернами кристаллов, внешняя поверхность кристалла и ряды линейных дислокаций. Кроме того, реальный кристалл состоит из большого числа малых блоков, немного дезориентированных друг относительно друга. Линейный размер блоков лежит в пределах 10 — 10 см. [c.466]

При действии на кристалл внешней силы соотношение между силами притяжения и отталкивания частиц изменяется, в результате чего эти частицы займут уже новое положение — кристаллическая решетка будет деформирована. Деформация бу- [c.50]

Влияние дислокаций на свойства кристаллов. При приложении к кристаллу внешних напряжений на дислокацию действует сила, которая направлена перпендикулярно к линии дислокации. Рассчитанная на единицу длины дислокации эта сила равна произведению вектора Бюргерса на соответствующую касательную напряжения вдоль этого вектора в плоскости скольжения. Под действием такой силы происходит скольжение дислокации. Если в кристалле присутствует большое число дислокаций, то каждая из них находится в поле действия упругих напряжений других дислокаций такое взаимодействие между дислокациями снижает влияние напряжений, приложенных к кристаллу извне, и упрочняет кристалл. [c.228]

Триоксид серы (серный ангидрид) (8О3). Белые твердые игольчатые кристаллы, внешне похожие на асбест. На влажном воздухе "дымит" жадно поглощает и бурно реагирует с водой. Хранится в воздухонепроницаемых контейнерах из листового железа или в стеклянных и керамических бутылях для хранения кислот, снабженных неорганическим абсорбентом. Применяется для получения олеума (товарная позиция 2807) и квасцов (товарная позиция 2833). [c.46]

Труднее измерить температуру перехода, лежащую ниже комнатной, хотя новые термоэлектрические охлаждающие столики для микроскопа позволяют применять методику, аналогичную описанной, до температуры приблизительно —100°. При работе в условиях температур ниже —100° лучше применять макрометоды. Сухую смесь двух полиморфных модификаций в виде возможно более крупных кристаллов помещают в закрытую пробирку и оставляют на несколько дней в жидком азоте. После удаления из жидкого азота кристаллы изучают под микроскопом с целью выявления псевдоморфизма. Псевдоморфное образование представляет собой измененные кристаллы внешняя форма исходного кристалла может быть различима, даже если внутренняя структура представляет собой новую модификацию. Если плотности двух модификаций сильно отличаются, псевдоморфное образование может в процессе перехода в большей или меньшей [c.439]

Следует отметить, что действующее напряжение может как повышать устойчивость кристаллитов, так и снижать ее. Экспериментально было показано, что при действии на кристалл внешних сил перпендикулярно его главной оси температура плавления его снижается. Если же направление действия силы совпадает с направлением ориентации кристалла, т. е. сила действует в наиболее благоприятном направлении, температура плавления кристалла увеличивается. [c.206]

Свойства. М 286,17. Черный кристаллический порошок, / л 1080,7 °С d 7,99 (20 °С). Кристаллы внешне похожи на свинцовый блеск и изоморфны с ним (тип В 1, а=6,124 А). Прн нагревании в открытом реакционном сосуде разлагается с выделением паров селена. Полупроводник. Не растворяется в воде в соляной и азотной кислотах растворяется с химтеоким взаимодействием. [c.846]

Облик кристаллов. Внешний вид кристаллов называется обликом, или габитусом. Эта особенность индивидов играет такую же важную роль, как их огранение. Внутреннее строение кристаллического вещества, его анизотропия проявляются прежде всего в облике. При образовании индивиды имеют наибольшую скорость роста в направлении максимальной химической связи. Это приводит к развитию на кристалле граней с наибольшей ретикулярной плотностью. Облик кристаллов пока описывают качественно, иногда отмечают обликовые грани и второстепенные (акцессорные). Выделяют следующие наиболее важные виды облика изометрический, призматический и листоватый. Для более полного описания нередко прибавляют к призматическому облику слова длинно, тонко, коротко и плоско. Индивиды в виде толстых листочков называют табличками, о них говорят облик тонко- или толстотаблитчатый. [c.42]

Под пучением грунтов при замерзании понимается свойство влажных грунтов при определенном сочетании гидротермических условий увеличивать свой объем за счет микрорыхления растущими ледяными кристаллами. Внешне это проявляется в поднятии [c.492]

Скорость роста отороч-ки волластонита на разных гранях и ребрах кубика была различной максимальная — на ребрах и углах, минимальная — в центре грани. Оторочка волластонита состоит из двух поясков тесно сросшихся кристаллов — внешнего (растет в сторону раствора) и внутреннего (растет в сторону СаСОз). Для непродолжительного времени (1—5 ч) мощность [c.134]

Как ферромагнетизм, так и антиферромагнетизм могут существовать лишь при темн-рах ниже нек-рой критич. точки 0, характерной для данного вещества (точка Кюри для ферромагнетизма, точка И е э л я для антиферромагнетизма). Выше этой темп-ры тепловое движение оказывается достаточно интенсивным, чтобы разбить самопроизвольную взаимную ориентацию моментов частиц. Тогда оба эти вида магнетизма переходят в иарамагнетизм. Обменное взаимодействие между магнетиками можно для наглядности представить себе в виде нек-рого магнитного внутреннего поля. Т. обр., в отсутствии внешнего поля в ферромагнитном теле как бы действует очень сильное внутреннее поле (в железе или никеле оно эквивалентно магнитному полю в 10 —10 эрстед), пропорциональное числу ориентированных электронных спинов. Оно и вызывает самопроизвольную намагниченность, или, как ее обычно называют, сно н-танную намагниченность. Опыт показывает, что маленькие ферромагнитные кристаллики (до 105 атомов) действительно всегда самопроизвольно намагничены при темп-рах ниже точки Кюри. Однако этого не наблюдается в больших кристаллах. Внешне они кажутся ненамагниченными, между тем при детальном изучении выясняется, что фактически отдельные небольшие области кристалла, содержащие 103—10 атомов (домены), намагничены в различных направлениях. Поэтому результирующая суммарная намагниченность всего кристалла оказывается равной нулю. [c.510]

Антиферромагнетизм бывает двоякого вида скомпенсированный и нескомпенсиро-ванный. В веществах со скомпенсированным антиферромагнетизмом при темп-рах, близких к абс. нулю, в отсутствии внешнего поля намагниченность равна нулю даже в самых малых объемах. Т. обр., хотя в отсутствии поля ферромагнитный кристалл внешне как будто не отличается от антиферромагнитного, их внутреннее состояние существенно различно. Путем экспериментального изучения дифракции нейтронов в кристаллах удалось онределить детальную картину ориентации. элементарных магнитиков в различных телах. Силы между элементарными магнитиками в скомпенсированных антиферромагнетиках препятствуют намагничиванию во внешнем поле. Поэтому при очень низких темп-рах намагниченность, достигаемая в этих телах во внешнем поле, как правило, крайне мала. По мере роста темп-ры восприимчивость скомпенсированного антиферромагнетика возрастает, т. к. тепловое движение уменьшает препятствующее намагничиванию взаимодействие между частицами. В критич. точке Неэля (0) взаимодействие между ча- [c.510]

Кварц представляет собой агрегат кристаллов, не связанных с кристаллографической структурой берилла. В этом кристалле внешняя поверхность берилла сильно корродирована, хотя возможно, что наличие каверн, сходных по виду с коррозией, может быть обусловлено следами других кристаллов,, растущих рядом с бериллом. Это иногда заметно и на кристаллах берилла. По мнению автора, этот кристалл был корродирован, а кварц и жильбертит были позднее отложены в пустотах. [c.58]

Кристалл Внешняя иасть Кристалл АоЗ неподвижного Ад] [c.55]

К двухмерным (плоскостным) дефектам кристаллов относятся границы между зернами кристаллов, внешняя пoвepxнo tь [c.454]

В щелочно-галоидном кристалле внешнее поле Е смещает ядра Ol и О2 и центры оболочек i и Сг так, как показано на фиг. 6.11. На эту поляризацию (большую для аниона, поляризуемость которого больше, чем у катиона) накладывается поляризация из-за отталкивания оболочек она увеличивает поляризацию катиона и уменьшает поляризацию аниона. Как показывает расчет [55], для соединений типа Na l суммарная поляризация, возникающая при взаимодействиях соседних ионов, противоположна поляризации, создаваемой внешним полем, что уменьшает величину е 1е. [c.166]

Внутреннее строение кристаллов. Внешняя форма монокристалла теснейшим образом связана с внутренней его структурой. На вероятность этого обращал внимание еще Исаак Ньютон (1675). Он высказал предположение, что при образовании кристалла частицы его устанавливаются в строй и ряды, застывая в правильных фигурах . Такую же точку зрения, но в более отчетливой форме, высказывал и М. В. Ломоносов (1749), а затем и другие ученые. Наиболее полно теорию строения кристаллов развил выдающийся русский ученый Е. С. Федоров (1890). Весьма тонкие современные методы исследования кристаллического состояния вещества не только убедительно подтвердили принципиальную правильность взглядов Федорова, но и позволили в большой степени углубить и расширить наши све-ления о внутреннем строении кристаллов. К числу этих методов относятся рентгеноструктурный анализ, электронография и ней- .тронография. [c.95]

Поскольку изменения вибрационной энтропии при образовании как вакансий, так и межузельных атомов всегда значительно меньше соответствующих энтальпий образования, то концентрация того или иного вида дефектов определяется в первую очередь величиной энтальпии образования. Расчеты показывают, что для плотно упакованных металлов концентрация атомов в междоузлиях на много порядков меньше концентрации вакансий. В случае же элементарных полупроводников со структурой типа алмаза объем междоузлий и их окрул-[ение мало отличаются от нормальных узлов и, следовательно, переход атома из узла в междоузлие не сопровождается появлением столь большой энергии деформации, как в плотно упакованных металлах. Поэтому концентрация межузельных атомов в кристаллах со структурой типа алмаза может быть того же порядка, что и концентрация вакансий. Однако не существует каких-либо данных о влиянии межузельных атомов на свойства кремния или германия, и можно считать, что концентрация атомов в междоузлиях достаточно совершенных кристаллов в общем случае незначительна. Необходимо обратить внимание на то, что между равновесными концентрациями вакансий и межузельных атомов в чистых элементарных кристаллах отсутствует какая бы то ни было связь. Это объясняется тем, что поверхность кристалла (внешняя или внутренняя) всегда играет роль либо источника, либо стока вакансий. Между кристаллами с точечными дефектами Шоттки и кристаллами с дефектами Френкеля имеется принципиальное различие. [c.169]

Матричные элементы возмущения вычислялись в [14—20] на функциях Блоха валентной зоны и зоны проводимости. В работе же [12] искажение электронной плотности рассматрп-валось как поляризация атомов (ионов) кристалла внешним полем, и методами динамики решетки вычислялись дипольные моменты, индуцированные в каждом узле решетки полем пробного заряда и всех остальных узлов. При обосновании такого подхода в [3, 4] также рассматривалось возмущение электронной подсистемы кристалла внешним полем и смещениями ядер. Однако при использовании теории возмущений в качестве базисных брались возбужденные атомные функции. Поскольку функции Блоха могут быть выражены через функции Ваннье и наоборот, оба эти подхода в какой-то мере эквивалентны. Однако поскольку как в одном, так и в друго.м способе сделаны различные упрощающие предположения, разные в разных моделях, и, кроме того, сами расчеты, а также выбранные параметры, по необходимости, приближенны, то конечные результаты могут заметно расходиться. Тем инте- [c.144]

Таким образом, сонолюминесценция воды и образование перекисных радикалов при явлениях кавитации, СВЧ-воздействии, электролизе воды могут свидетельствовать о протекании процессов неравновесной фазовой трансформации кристаллической фазы с участием примесных соединений, в том числе ионных форм. Механизм подобных процессов очевидно обусловлен возникновением кристаллохимических (деформационно-кристаллизационно-тепловых) неустойчивостей при деформации ассоци-ата или модуляции фазовой прочности кристаллов внешними полями. [c.27]

Растворимые кристаллические вещества могут быть очищены до любой желаемой степени чистоты растворением их в соответствующем растворителе с последующим выпариванием и перекристаллизацией, повторяемой несколько раз однако эта процедура стоит дорого, требует много времени и выхода при этом получаются небольшие. Повидимому одним из наиболее эффективных применений адсорбентов является как раз их действие на растворы веществ, которые подлежат кристаллизации. Это относится к веществам органическим и неорганическим, и сам раствор может быть как водный, так и какой-либо иной. Чистота кристаллов является функцией чистоты раствора. Если в растворе присутствуют окрашивающие вещества, то весьма часто наблюдается тенденция к поглощению их кристаллами при их выпадении. Вследствие этого кристаллы часто получаются окрашенными, в то время как продукт необходимо получить бесцветным. Обработка раствора перед кристаллизацией адсорбентами повышает чистоту раствора, удаляет окрашивающие примеси и в результате дает кристаллы высокой чистоты. Посторонние примеси, присутствуюише в растворе, во многих случаях оказывают влияние также и на форму и размер получающихся кристаллов. Они неблагоприятно влияют на легкость, с которой кристаллы выпадают из маточного раствора, и кроме того они замедляют последующую сушку кристаллов. Внешний вид конечного продукта при этом нередко ухудшается. От подобных загрязнений можно избавиться при помощи соответствующих адсорбентов. Последнее, но не менее важное обстоятельство, заключается в том, что вследствие присутствия в растворе загрязнений выход готового продукта нередко сильно понижается. Присутствуя в растворе даже [c.761]

По степени распространенности среди твердых тел основным является кристаллическое состояние, характеризующееся строго определенной ориентацией частиц (атомов, ионов, молекул) друг относительно друга. Это определяет и внешнюю форму вещества в виде кристалла. В идеальных случаях кристалл ограничен плоскими гранями, сходящимися в точечных верияинах и прямолинейных ребрах. Одиночные кристаллы — монокристаллы — встречаются в природе, а также их получают искусственно. Однако чаще всего кристаллические тела представляют собой поликристаллические образования — сростки большого числа по-разному ориентированных мелких кристаллов неправильной внешней формы. [c.99]

Симметрия внешней формы отражает симметрию внутренней структуры кристалла, т. е. правильную периодическую повторяемость распо южения частиц в узлах пространственной реше1ки того или иного вида. Характерной особенностью кристаллических тел, вытекающей из их строения, является анизотропия. Она проявляется в том, что механические, электрические и другие свойства кристаллов зависят от направления в кристалле. [c.101]

Полиморфизм. В зависимости от внешних условий одно и то же вещество может иметь разные по симметрии и структуре кристаллы. Способность данного вещества существовать в виде двух или нескольких кристаллических структур называется полиморфизмом. Разные к])исталлические структурные формы вещества называют полиморфными модификациями. [c.111]

Из металлов наибольшую температуру плавления имеют простые вещества (-элементов. Полагают, что в этом проявляется ковалентная св5[зь (за счет i-электрогюв), которая присутствует в их кристаллах наряду с металлической связью (за счет внешних s-электронов). Участие в образовании ковалентной связи в наибольшей степени проявляется у 5с/-электронов, поэтому в подгруппах -элементов температура пла ления с ростом порядкового номера повышается (рис. 126). [c.235]

На рис. 148 показан внешний вид кристаллов ромбической и моно-клиннческой серы. Ромбическая сера желтого, а моноклиническая [c.323]

Процесс депарафинизации "Дилчил" применяется для депарафинизации дистиллятных и остаточных рафинатов с использованием смеси МЭК с метилизобутилкетоном или толуолом. Процесс отличается от традиционных использованием весьма эффективных кристаллизаторов "Дилчил" оригинальной конструкции. В кристаллизаторах этого процесса используется прямое впрыскивание предварительно охлажденного в аммиачном холодильнике растворителя в поток нагретого в паровом подогревателе депарафинируемого сырья. В результате такой скоростной кристаллизации образуются 1)азрозненные компактные слоистые кристаллы сферической фор — мы. Внутренний слой этих кристаллов состоит из первичных зародышей из высокоплавких парафинов, а внешний слой образован из кристаллов низкоплавких углеводородов.. Суспензия из кристаллизатора "Дилчил" затем направляется после охлаждения до требуемой температуры в скребковых аммиачных кристаллизаторах в вакуумные фильтры. [c.268]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология