Энергия потенциальная сродства к электрону

Рис. 111, Истолкование процесса е-Ь АВ = А-fB При помощи кривых потенциальной энергии а — сродство к электрону атома В (Eq) меньше теплоты диссоциации молекулы АВ ( >аБ — - В АВ Пунктирная кривая иа рис. 111, б — отвечает устойчивому состоянию молекулярного иона АВ- (в этом случае q

Если реакция нейтрализации (4.35), конкурирующая с реакцией (4.3), не приводит к разложению циклогексана, то возможно уменьшение выхода продукта радиолиза. Такой сопровождающий захват электрона эффект может быть обусловлен снижением потенциальной энергии на величину электронного сродства добавки. Кроме того, присоединение электрона, согласно реакции (4.34), может увеличить [c.195]

Задание. Составьте условие минимума потенциальной энергии двухатомной молекулы. Для этого приравняйте к нулю первую производную потенциальной энергии по г. Воспользуйтесь понятиями потенциала ионизации и сродства к электрону и включите в выражение потенциальной энергии члены, отвечающие образованию ионов и В из нейтральных атомов. Найдите таким путем величину О. Учтите, что положительному / соответствует получение энергии, а положительному — выделение. [c.26]

Сродство к электрону групп А и С ЕА = (ЕАд—ЕА с)/2. Потенциальную энергию системы А...В....С вычисляют как сумму [c.91]

Когда в двухатомной молекуле электроотрицательности атомов сильно различаются, электрон притягивается к атому с более высокой электроотрицательностью, например в случае газообразного хлорида калия. Наличие дипольного момента указывает на то, что по существу положительный заряд находится на атоме калия, а отрицательный — на атоме хлора. Ионы калия и хлора удерживаются вместе ионной связью. Ионная связь довольно легко может быть рассмотрена количественно. Чтобы построить кривую потенциальной энергии молекулы, рассмотрим изолированный атом калия и изолированный атом хлора. Потенциал ионизации калия равен 4,34 В, поэтому для получения К++,е требуется 4,34 эВ. Сродство к электрону для хлора составляет [c.446]

Потенциальная кривая Н—Н сдвинута в область больших межъядерных расстояний, причем минимум кривой лежит в этой области ниже потенциальной кривой для Н. Это обеспечивает суш,ествование метастабильных с вертикальной энергией отрыва электрона 0,9 эв. Сродство к электрону На отрицательно и равно —3,58 эв. [c.330]

При захвате электрона нейтральной молекулой с образованием отрицательного иона потенциальная энергия частицы уменьшается. Разность энергий нейтральной молекулы и соответствующего ей отрицательного иона называется сродством к электрону, а вещества, молекулы которых способны захватывать электроны — электроноакцепторами. Вероятность захвата электрона молекулой зависит от энергии электрона и природы молекулы, причем захват может осуществляться в процессах следующих типов [c.74]

Для таких реакций характерно превращение ковалентной связи исходной молекулы в ионную связь конечной молекулы. При этих условиях в качестве нулевого приближения можно рассматривать пересекающиеся поверхности, одна из которых отвечает взаимодействию атома М с ковалентной молекулой Ха ( ковалентная поверхность), а другая — взаимодействию иона с X" — X ( ионная поверхность). Линия пересечения этих поверхностей определяется условием компенсации разности потенциала ионизации атома М и сродства к электрону молекулы Х кулоновским притяжением между и парой X" — X. Для рассматриваемых реакций типичные величины координаты точки пересечения оказываются порядка 5—10 А. На столь больших расстояниях взаимодействие между ионным и ковалентным состояниями оказывается таким малым, что приближенно истинная поверхность потенциальной энергии может быть построена из участков ковалентной и ионной поверхностей, линия пересечения которых является линией излома адиабатической поверхности потенциальной энергии [262]. [c.117]

Тенденция П. п. к образованию комплексов с переносом заряда с электронодонорными и электроноакцепторными веществами обусловлена сближением энергетич. уровней л-электронов по мере роста длины сопряжения, уменьшением потенциала ионизации и возрастанием сродства к электрону. Образование комплекса с переносом заряда сопровождается снижением энергии активации электрич. проводимости и во многих случаях значительным возрастанием о, достигающим нескольких порядков. При этом снижается потенциальный барьер между участками сопряжения при сохранении, как правило, неизменной концентрации носителей тока. [c.71]

Энергия ионизации атома п сродство к электрону являются количественными характеристиками химических свойств элементов. Чтобы решить вопрос о том, как перегруппируются электронные оболочки атомов двух элементов, нужно учесть обе эти характеристики. При взаимодействии двух элементов Э1 и Эг атомы одного из них могут потерять по одному электрону и превратиться в положительно заряженные ионы, а атомы другого элемента — присоединить по электрону и превратиться в отрицательно заряженные ионы. В природе самопроизвольно протекают лишь те процессы, при которых уменьшается запас потенциальной энергии, т. е. когда энергия выделяется. Отсюда следует, что электрон может перейти от к Э2 лишь в том случае, если разность между сродством Е2 к электрону у Эг и энергией ионизации /1 у Э1 будет больше разности между и /2 [c.48]

Примем, что электрон отрицательного иона А" стабилизирован в потенциальной яме (для простоты в одномерной и прямоугольной) глубиной I (энергия сродства к электрону) и находится в кулоновском поле положительного иона (рис. 2). Если потенциал ионизации больше, чем 7д, то туннельный переход электрона может привести к рекомбинации ионов (А" - - В — А 4- В). Действительно, в [6] показано, что предельные концентрации ионов, получаемые в рамках даже простой модели Гамова (при упомянутых выше расстояниях туннелирования) близки к экспериментально наблюдаемым величинам [/]пр — — 10 слГ . Это означает, что именно нри низкотемпературном твердофазном радиолизе разумно предпринять поиски эффектов туннельного переноса электронов, что подтвердилось первыми же аккуратно поставленными экспериментами такого рода [7]. [c.70]

Потенциальные кривые молекулы АВ и отрицательного иона АВ- при г- оо стремятся к сумме энергий основных или возбужденных состояний А, В и А, В-. Если это основные состояния, предельное положение потенциальной кривой иона АВ- должно лежать ниже потенциальной кривой молекулы АВ на величину сродства атома В к электрону. [c.364]

Потенциал ионизации Li равен 5,37 эв. Сродство к электрону атома С1 составляет 3,83 эв. При каком расстоянии между атомами кривая потенциальной энергии ионного состояния пересекает кривую, соответствующую ковалентному состоянию [c.89]

Вещества, молекулы которых способны захватывать электроны, называются электроноакцепторными. С энергетической точки зрения, образование стабильного отрицательного иона возможно в том случае, когда захват электрона приводит к понижению потенциальной энергии системы. Разность энергий нейтральной молекулы и соответствующего иона есть сродство молекулы к электрону. Сродство к электрону характеризует константу равновесия между электронами и отрицательными ионами. [c.115]

На далеких расстояниях превращение нейтральных атомов ( s + Вг) в ионы ( s+ + Вг") является эндотермическим процессом, так как ионизационная энергия s (+90 ккал) больше, чем сродство брома к электрону (—77 ккал) поэтому кривая, по которой могли бы сближаться друг с другом ионы s+ и Вг", начинается выше горизонтали Е (Вг + s) на 13 ккал. В точке Г1 энергии ( s+ + Вг") и ( s + Вг) равны друг другу, т. е. происходит пересечение горизонтали с кривой потенциальной энергии сближающихся ионов. Левее абсциссы этой точки, т. е. 13 А, превращение ( s + Вг) в ( s+ + Вг") становится экзотермичным, так как эндоэффект ионизации [c.240]

Таким образом, суммарные тепловые эффекты дегидрирования циклогексана до циклогексена в обоих механизмах одинаковы,т.е. не зависят от природы катализатора, что и следовало ожидать, и позтому данный рез) 1ьтат указывает на справедливость проделанных расчетов. Кислотный и основный механизмы дегидрирования отличаются тепловыми эффектами Промежуточных стадий, а следовательно, и их энергиями активации Приближенный профиль поверхности потенциальной энергии реакции дегидрирования циклогексана по рассматриваемым механизмам процесса представлен на рис. 2.9. Как видно, при дегидрировании по основному механизму первая стадия процесса экзотермична, а вторая стадия осуществляется со значительным эндотермическим эффектом (-250 кДж/моль). Прн протекании реакции по кислотному механизму обе стадии зндотермичны с приблизительно равными тепловыми эффектами (-42- -66 кДж/моль). Из диаграммы поверхности потенциальной энергии следует, что протекание реакции по кислотному механизму более предпочтительно, поскольку в основном механизме вторая стадия будет иметь слишком высокую энергию активации (более 250 кДж/моль). По-видимому, зто является причиной невозможности протекания реакции дегидрирования циклогексана на щелочных формах цеолитов. К сожалению, из-за отсутствия справочных данных по потенциалам ионизации циклогексенильного и циклогексадиенильного радикала, а также по сродствам электрона к этим радикалам нет возможности провести аналогичные расчеты по дегидрированию циклогексена и циклогексадиена-1,4 на Na- и Н-формах цеолитов. [c.103]

Особенностью химичесютх реакций является передача электрона от одного атома или молекулы к другим. Процесс передачи электрона вовсе необязательно реализуется переходом свободного электрона. Электрон может быть отщеплен от реагента, если в его непосредственном соседстве находится электронный акцептор. Прирост свободной энергии при акцептировании электрона должен превосходить энергию, необходимую для его отщепления от электронного донора. Освобождение электрона можно также осуществить, сообщая донорной системе избыточную энергию с помощью теплового, фотохимического или электростатического воздействии. Такой процесс происходит независимо от наличия каютх-либо акцепторов электронов. Отщепленный электрон диффундирует в среде до его захвата в результате одного из двух возможных актов. Он может присоединиться к атому или молекуле, которые обладают положительным сродством к электрону. В то же время, если электрон перемещается в конденсированной среде, состоящей из молекул с нулевым или отрицательным электронным сродством, он оканчивает свой путь в ловушке , образованной его собственным поляризационным полем. Такой захваченный электрон уже не в состоянии свободно перемещаться в веществе. Из своей потенциальной ямы электрон может освободиться только при условии, если он приобретет энергию извне или перейдет в соседнюю ловушку. Электрон, захваченный в растворителе, отличается от свободного электрона меньшей подвижностью и большей локализацией. Кроме того, захваченный электрон характеризуется отрицательной свободной энергией образования, т. е. является термодинамически более стабильным. Эти свойства, напоминающие свойства отрицательного сольватированного иона, позволяют рассматривать электрон как особую гидратированную частицу. В общем смысле электронный акцептор также можно рассматривать как ловушку, в которой электрон локализован гораздо сильнее, чем в ловушке, образованной молекулами растворителя. Электрон, окруженный ориентированными молекулами растворителя, является (и это его наиболее существенная в химическом отношении характеристика) необычайно активным электронным донором. Такое образование, существующее в жидкостях, называется солъватированным электроном е , если же растворителем является вода, то это гидратированный электрон вад. [c.169]

Рассмотрим теперь влияние полярного фактора на положение активированного комплекса на поверхности потенциальной энергии. Пусть реагентом является атом хлора. Его высокое электронное сродство ведет к поляризации активированного комплекса, который можно представить в виде R+- -Н- - h. Такая поляризация обеспечивает добавочную движущую силу за счет дальнодействую-щих кулоновских сил. Снижается потенциальный барьер реакции (см. табл. 15.1) и активированный комплекс сдвигается из области А [c.150]

Описанная ситуация во многом подобна ситуации для ионных молекул (см., в частности, обсуждение приведенное в разд. 6,7). Главное отличие состоит в том, что разность между потенциалом ионизации и сродством к электрону намного больше, чем в случае галогенидов щелочных металлов, так что при равновесном расстоянии ионное состояние может все еще иметь большую энергию, чем несвязывающее состояние. Второе отличие заключается в том, что для неионного состояния отсутствует ковалентное притяжение, так как оба электрона находятся на одной орбитали, так что потенциальная кривая для несвязывающей структуры будет отталкивательной или, самое большее, будет иметь неглубокий минимум. [c.362]

За этими реакциями следуют быстрые реакции между бихромат-ионом и серебром или ионами AgH+. Хорошим доказательством протекания обратимых реакций является образование НО при применении воды, обогащенной ОаО [30]. Энергетику гомолитического и гетеролитического расщепления Гальперн [27] исследовал при помощи диаграмм [30] потенциальной энергии, представленных на рис. 11. По нижней диаграмме энергия ионизации атома серебра /а8 численно равна сродству иона серебра к электрону. Были измерены энергии активации стадий 1 и 4 энергия активации стадии 4 мала (14 ккал/моль), тогда как энергия активации стадии 1 велика (23 ккал моль), но нредэкспоненциальные множители компенсируют эти различия при повышенных температурах превалирует стадия с константой скорости к . [c.95]

Для хемосорбции на п-проводнике энергия хемосорбции первого атома будет равна (а—ф)е, где а — сродство к электрону адсорбированного атома и ф—-работа выхода полупроводника, поскольку это выражение определяет изменение энергии электрона при переходе последнего от полупроводника к адсорбату. По мере того, как адсорбируется все большее количество атомов и переносится больше электронов, эти электроны начинают поступать с более глубоко расположенных в твердом теле примесных уровней и в граничном слое возникает объемный заряд. В результате этого изменяется потенциальная энергия электронов в полупроводнике, и при переходе от полупроводника к адсорбату электроны должны преодо- леть энергетический барьер V. Каждый новый адсорбированный атом увеличивает высоту этого барьера, понижая все больше уровень Ферми в полупроводнике. В конечном счете устанавливается равновесие, при котором потенциальная энергия электронов в адсорбате становится равной потенциальной энергии электронов (т. е. уровню Ферми) в полупроводнике. Дальше хемосорбция не может протекать с уменьшением свободной энергии. Пусть высота барьера при этом равна Vа число адсорбированных атомов (ионов) — N . СоЧедо-вательно. Л/,, электронов ушло из полупроводника, в результате чего граничный слой толщиной I обедняется носителями тока. [c.504]

При взаимодействии нейтральных молекул также может иметь место перенос электронов [79, 80]. Это происходит в тех случаях, когда потенциальные кривые, отвечающие па оо нейтральным молекулам А ж В ж ионам А" , В , в определенной области расстояний близко нодходят друг к другу (в отсутствие взаимодействия кривые пересекаются.) Эффекты переноса электронов были обнаружены в исследованиях стол1 повений атомов щелочных металлов с молекулами галогенов, а также с рядом других молекул, обладающих значительной эпв )гией сродства к электрону. Необходимая энергия может черпаться ие только за счет начальной кинетической энергии партнеров, ио и за счет процесса диссоциативной хемиионизации (см. обзор [80]). [c.55]

Переход вандерваальсовой адсорбции в хемосорбцию можно описать, исходя из диаграммы потенциальной энергии по Лен-нард-Джонсу [1]. Он предположил, что при приближении адсорбированной молекулы достаточно близко к поверхности должны возникать поверхностные энергетические уровни, расположенные ниже, чем занятые электронные уровни в объеме твердого тела. Если бы образовавшиеся уровни были достаточно низкими, то они должны были бы облегчать переход электронов, приводящий к возникновению адсорбированных ионов, в условиях, когда ионизационный потенциал или химическое сродство молекулы газа На больших расстояниях не благоприятствуют этому [см. уравнение (1) и рис. 1]. Леннард-Джонс указал на возможность обмена, ведущего к образованию гомеополярных связей с участием электронов проводимости твердого тела или более глубоко расположенных незаполненных /-оболочек атомов. В последнем случае, как показала экспериментальная работа Бика [2], могут возникнуть прочные связи. Предположение о возможности перехода электронов от адсорбата на с -уровни подтверждается и уменьшением намагниченности, которое сопровождает адсорбцию газов, например, водорода на никеле [3]. [c.200]

Эта реакция очень похожа на реакцию между М и X, так как второй атом X оказывает сравнительно небольшое влияние. Основная его роль состоит в изменении междуядерного расстояния в точке пересечения кривых потенциальной энергии. Это обусловлено разницей в электронном сродстве X и значение которого для молекулы меньше, чем для атома, благодаря чему, как ясно из рис. 78, при больших г расстояние между атомной и ионной поверхностями энергии увеличится. Из рис, 78 и уравнения (13) следует, что при этом возрастет. Можно предположить, что электронное сродство для моле-, кулы Х2 меньше, чем для атома X на величину, равную энергии связи атома X с дополнительным электроном в молекуле Эту энергию можно принять равной половине теплоты диссоциаили молекулы Х,, [c.301]

Однако энергия разрыва ионной связи определяется не только энергией притяжения ионов, так как не существует молекул (в газовой фазе), для которых продуктами диссоциации основного состояния являлись бы ионы. Наименьший потенциал ионизации имеет атом s (I = 3,86 эв), а наибольшим сродством к электрону обладает С1 (А = = 3,83 эв), так что даже для s l энергетически выгоднее диссоциация на атомы, а не на ионы ). На рис. 5.2 показаны кривые потенциальной энергии Na l, полученные на основе классической электростатической модели. Ионная связь имеет место только в том случае, если энергия кулоновского притяжения ионов превышает энергию /— А, необходимую для образования изолированных ионов. [c.59]

Для различных видов энергии приняты символы и внутренняя энергия, Е — полная энергия, Еа — потенциальная энергия, Ек — кинетическая энергая, Ец — энергия ионизации атомов, Ее — энергия сродства атомов к электрону, С — энергия Гиббса, Я — энтальпия, W — работа и ее виды Wtл — механическая работа, ] э — электрическая работа. Теплота Q я ее виды (2р АЯ — теплота при постоянном давдении, Аи — теплота при по- [c.14]

Рисунок 27,а поясняет наиболее простой тип недиссоциативного присоединения электрона электрон с энергией между и Ег захватывается молекулой АВ, образуется колебательно-возбужденный комплекс АВ. Ионы, образованные таким образом, обладают т 10 сек и не регистрируются непосредственно масс-спектрометром. При положительном сродстве молекулы к, электрону, ЕА (АВ) > О, возможен другой механизм недиссоциативного захвата электронов (рис. 27, б) кривая потенциальной энергии АВ не пересекает область Франка—Кондона, основное состояние иона располагается ниже основного состояния молекулы. Однако запас колебательной энергии отрицательного иона может превышать энергию ЕА молекулы, и колебательные уровни иона будут лежать выше основного состояния молекулы. Захват электрона на колебательные уровни иона и представляет собой колебательно-возбужденный фешбаховский резонанс (см. 1.1). Добавочный электрон в ионе находится в связанном состоянии, но обилий запас внутренней энергии иона, распределенной по разным колебательным степеням свободы, достаточен для выброса (автоотщепления) электрона. Однако выброс электрона затруднен распределением энергии по многим колебательным степеням свободы. Пользуясь этими представлениями, Комптон, Христофору и др. [101] рассматривая реакцию [c.113]

Смотреть страницы где упоминается термин Энергия потенциальная сродства к электрону: [c.60] [c.414] [c.414] [c.139] [c.44] [c.312] [c.273] [c.200] [c.71] [c.463] [c.226] [c.327] [c.142] [c.82] [c.44] [c.314] [c.408] [c.248] [c.70] [c.289]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология