Электронного быстрая

Эта составляющая связана с движением электронов в молекулах. Систему электрон - ядро можно рассматривать как диполь, отрицательный полюс которого (электрон) быстро перемешается. В молекулах, находящихся на небольшом расстоянии друг от друга, движение электронов становится в известной мере согласованным, так что диполи ядро - электрон оказываются часто обращенными друг к другу противоположно заряженными полюсами. Это обусловливает притяжение молекул. Данное взаимодействие называют дисперсионным (это название связано с тем, что колебания электрических зарядов вызывают дисперсию света - различное преломление лучей света, имеющих разные длины волн). Теория дисперсионного взаимодействия была разработана Лондоном в 1930 г. Дисперсионные силы действуют между частицами любого вещесгва. Энергия дисперсионного [c.145]

Конструкция ионной пушки, в которой разгоняется поток ионов, например Аг+, Кг+, обеспечивает высокую скорость травления практически без загрязнения поверхности. В сочетании с высокой чувствительностью детектора электронов быстрое травление позволяет профилировать по глубине слой толщиной до 1000 нм в течение нескольких минут. [c.150]

Радиационные воздействия включают как электромагнитные (рентгеновское и 7-излучение), так и корпускулярное излучение (ускоренные электроны, быстрые заряженные частицы). Источниками радиационного воздействия служат радиоактивные изотопы и специальные ускорители частиц. [c.91]

Эта o тaDляюuJ,aя связана с движением электронов в мо леку-лах. Систему электрон — ядро можно рассматривать как диполь, отрицательный полюс которого (электрон) быстро перемещается. В молекулах, находящихся на небольшом расстоянии друг от друга движение электронов становится в известной мере согласованным, так что в среднем диполи ядро — электрон оказываются чаще обращены друг к другу противоположно заряженными полюсами. Это обусловливает притяжение молекул. Данное взаимодействие называют дисперсионным. Название связано с тем, что колебания электрических зарядов вызывают и дисперсию света—различное [c.136]

Предположим, что таков же я-механизм передачи спин-спинового взаимодействия в спектроскопии ЯМР. Отличие состоит только в том, что поляризация спина возникает на одном протоне и передается на другой. Мы можем обсуждать а- и я-вклады в вицинальную константу спин-спинового взаимодействия даже в простом случае одной двойной связи. Схематически это представлено на рис. IV. 27, в. Расчет по методу валентных связей приводит к выводу, что я-вклад в вицинальную константу /(я) пропорционален произведению констант сверхтонкого взаимодействия а (С—Н) в спектре ЭПР, которые характеризуют магнитное взаимодействие между электроном и ядерным спином в группе =С—Н. Детальные расчеты показывают, что вклад /(я) в вицинальную константу спин-спинового взаимодействия составляет около 10% общей величины. Спин-спиновое взаимодействие через а-электроны быстро уменьшается с ростом числа связей, разделяющих взаимодействующие ядра. Поэтому можно предполагать, что вклад л-электронов в дальнее спин-спиновое взаимодействие имеет значительно большее значение. Это ясно показывают результаты, полученные для ненасыщенных соединений. В следующем разделе мы сначала обсудим ситуацию, существующую в насыщенных соединениях, а затем рассмотрим дальнее спин-спиновое взаи- [c.131]

В отличие от фотохимии, которая для воздействия на вещество использует только фотоны со сравнительно низкой, порядка 1—10 эв энергией, радиационная химия располагает для этого весьма большим набором высокоэнергетических частиц с энергией 10 —10 ав. К ним относятся -у-кванты, быстрые электроны, быстрые ядра — протоны, дейтоны, тритоны, а-частицы, осколки деления и нейтроны. Для получения этих частиц используются ускорители, ядерные реакторы, рентгеновские трубки и изотопные источники излучения. Подробное описание источников ионизирующих излучений и методов их использования в радиационно-химических исследованиях можно найти в монографиях [37, 48, 374].. [c.360]

В реакциях окисления-восстановления скорость процесса определяется природой взаимодействующих частиц и прежде всего механизмом переноса электрона. Быстро проходят те реакции, в которых окисленная и восстановленная формы отличаются только числом электронов. Прн этом если в каждой из окислительно-восстановительных пар переносится одинаковое число электронов, то реакцию называют комплементарной [c.91]

Спектроскопические исследования показывают, что фотосинтез — это сложный процесс, включающий кооперативные взаимодействия многих молекул хлорофилла. Мотивы упаковки соседних молекул хлорофилла исследовались методами рентгеноструктурного анализа и ядерного магнитного резонанса (ЯМР) на ядрах водорода и С. Исследования, проведенные методом электронного парамагнитного резонанса, показали, что сразу после поглощения света (в течение наносекунды) электрон быстро вылетает из молекулы хлорофилла или переносится из нее. В результате остается неподеленный электрон, общий для двух молекул хлорофилла. Это наблюдение привело к мысли о том, что центром фотореакции является пара параллельных хлорофилловых колец, удерживаемых на близком расстоянии друг от друга водородными связями между аминокислотными группами. [c.72]

Многие окислительно-восстановительные реакции протекают очень медленно. Это бывает обычно тогда, когда в двух полуреакциях участвует неравное число электронов. Быстрее всего протекают реакции простого обмена электронов, например, восстановление Ре в Ре . [c.115]

На рис. 6 показана зависимость полной энергии от числа электронов в изучаемых соединениях. Аналогичный график, полученный при использовании потенциала, соответствующего положительному иону, представляется весьма схожим с этим графиком. Впечатляет степень параллельности кривых друг другу. Энергия является параболической функцией числа электронов, причем в каждом случае низшее значение энергии соответствует моноаниону. Это также справедливо для расчетов, основанных на использовании потенциала положительного иона. Экспериментально известно образование стабильного отрицательного иона только для системы 83 Угловой коэффициент каждой кривой значительно изменяется при добавлении или удалении электронов из системы, т. е. потенциалы ионизации являются быстро возрастающей функцией состояния ионизации, тогда как величины сродства к электрону быстро приближаются к нулю по мере увеличения числа электронов. Обыч- [c.175]

С позиций квантовой механики орбита, по которой электрон движется вокруг ядра, может непрерывно смещаться и, следовательно, электрон может находиться последовательно в любом месте вокруг ядра атома. Если бы удалось зафиксировать движение электрона, быстро вращающегося вокруг ядра, то самые различные его положения были бы отображены в виде электронного облака , подобного тому, которое изображено на рис. 4. Различные электронные облака обладают различной формой, различным распределением электронной плотности и т. д. В зависимости от такого рода различий в электронном строении атомов между ними могут возникать различные ковалентные связи. Различают 0 (сигма)-связи, энергия образования которых равна 62,77 ккал1моль, и я (пи)-связи, энергия образования которых равна лишь 38,39 ккал моль. В соответствии с этим и на разрушение а-связи надо затратить значительно больше энергии, чем на разрушение я-связей. Доугими словами, я-связи обладают значительно меньшей прочностью, чем а-связи. [c.33]

При давлениях в десятки и сотни тысяч атмосфер происходит деформация электронных оболочек атомов, и кинетическая энергия электронов быстро возрастает. Электрические иоля отдельных атомных ядер все более накладываются друг [c.251]

Теоретическая интерпретация реакций с переносом электрона основывается на допущении принципа Франка — Кондона, который сводится к тому, что перенос электронов — быстрый процесс по сравнению с движением ядра и не сопровождается заметным изменением в расположении атомов. Перенос электрона происходит после изменения расстояний между металлом и лигандом у [c.40]

При концентрации бензофенона 2 М число линий в спектре сокращается до четырех, структура, обусловленная взаимодействием с протонами, исчезает, тогда как структура, обусловленная натрием, остается. Ширина линий показывает, что средние временные интервалы для этих двух процессов порядка 10 и 10 сек. Предлагаемое объяснение заключается в том, что неспаренный электрон быстро мигрирует по всем протонным окружениям, но относительно редко переходит от одного ядра натрия к другому. Этим подразумевается, что при миграции электрон увлекает с собой натрий, как показано в уравнении (10.12). Измерения проводимости 29] показывают, что ионы натрия и бензофенона сильно ассоциированы, как этого требует механизм, представленный уравнением (10.12). [c.216]

Квантово-механическое рассмотрение реакции (В) с учетом движения протона и растворителя дано в [107] (см. также [96]). Считая движение электрона быстрым по отношению к колебаниям протона и растворителя, а двил ение протона — к колебаниям растворителя (т. е. в двойном адиабатическом приближении), авторы [107] нашли, что вероятность перехода с участием колебательных состояний протона л,- и nf равна [c.232]

На рис. 7.1 показано распределение электронов по энергиям при взаимодействии зонда с веществом. Часть первичных электронов 1 с энергией о упруго отражается объектом, рассеиваясь на углы больше 90°. Если энергия зонда составляет несколько электрон-вольт, доля отраженных электронов превалирует, с увеличением энергии зонда до 100 эВ и более (при одном и том же 2) вклад отраженных электронов быстро уменьшается до нескольких процентов от числа первичных электронов. Оставшиеся в объекте после рассеяния и торможения первичные электроны порождают вторичные электроны 4 с энергиями О—50 эВ. Наибольшее количество электронов этой группы имеет энергию около 5 эВ. Третью группу составляют неупруго отраженные электроны 2, потерявшие часть энергии [c.219]

Наиболее важной частью разряда с точки зрения его использования как источника света является положительный столб. Он заполняет все пространство между анодом и катодными частями разряда. Основная роль положительного столба разряда — это передача тока через газ. В положительном столбе устанавливается определенный градиент потенциала при постоянной плотности тока можно считать, что продольный градиент потенциала тем больше, чем уже трубка. В узкой трубке положительные ионы и электроны быстрее достигают стенок трубки, чем в широкой, и, следовательно, возрастает скорость рекомбинации, для компенсации которой увеличивается число актов возбуждения за счет увеличения градиента продольного поля. [c.42]

В шаровом слое толщины йг) на расстоянии г от центра атома (ядра атома). Из рисунка видно, что в каждом стационарном состоянии электрон может двигаться не только по одной единственной орбите с определенным радиусом, как это было постулировано Бором. Он не движется и по определенной шаровой поверхности, а может находиться на различных расстояниях от ядра. Но некоторый определенный шаровой слой отличается тем, что вероятность нахождения электрона внутри этого шарового слоя имеет наибольшее значение. В направлении от этого слоя к периферии атома вероятность пребывания электрона быстро падает. В направлении внутрь [c.124]

Как видно из рис. 4, энергия электрона быстро увеличивается в чистом аргоне нри увеличении напряженности электрического поля. Для двухатомных газов увеличение не столь резко выражено вследствие возможного поглощения энергии в а колебательном и вращательном уровнях, что возможно для одноатомного аргона. Тем не менее, увеличение имеет место и, будучи незахваченными, многоатомные молекулы входят в детектор одновременно с молекулами вещества после захвата. Вследствие этого энергия электрона могкет быть существенно снижена, что вызовет как увеличение, так и снижение чувствительности. [c.239]

На рис. 25 графически изображены энергетические уровни электрона атома водорода. Мы видим, что работы отрывания электрона быстро убывают по мере увеличения номера уровня работа отрыва электрона при п = оо имеет нулевое значение. [c.77]

При теоретическом рассмотрении процесса в адиабатическом приближении полная волновая функция системы г() записывается как произведение волновой функции электронов (быстрой подсистемы), намденной без учета движения ядер, на волновую функцию ядер (медленной подсистемы>> Условием применимости адиабатического приближения является величина параметра Месси l = 2nAUllhu, где —разность двух энергетических электронных уровней / — расстояние, которое проходит подсистема ядер на вершине потенциального барьера и—скорость движения ядер. Параметр Месси есть OTHOujeHne времени прохождения медленной подсистемы расстояния I к характерному времени движения быстрой подсистемы, которое равно обратной частоте переходов между двумя адиабатическими состояниями. Когда неадиабатический пе- [c.73]

Ранее предполагалось [7], что ион СН,, полученный при соударении с электроном, быстро реагирует с СН4, образуя С2Н+ [c.107]

Замечательно, что возникшие при лавинообразном разряде электроны быстро собираются на нити счетчика, а образующийся в счетчике положительный пространственный заряд прекращает разряд через lO —10 сек (или даже быстрее). Таким образом, счетчик может зарегистрировать большое число частиц за единицу времени. [c.67]

Если к / 0, то в этих условиях электроны быстро проходят через слой окисла благодаря туннельному эффекту, оставляя позади себя ионы металла и переводя хемосорбированньш кислород в ионы О , а в пленке устанавливается разность потенциалов V, которая считается постоянной, и поле с напряженностью Р = У/к. [c.51]

Радиационно-химическое сшивание осуществляется при действии на полимеры ионизирующих излучений ускоренных электронов (быстрых электронов), нейтронов, и рентгеновского излучений и др. В промышленности для радиационной вулканм.зацин используют обычно -излучения или ускоренные злектроны, -у-Излуче 1ие высокой проникающей способности применяют для вулканизации массивных изделий, быстрые электроны — для тонкостенных. [c.180]

Можно также рассматривать металлическую связь как обычную ковалентную. При этом образующие связь пары электронов быстро перемещаются по всему кристаллу, успевая обеспечить притяжение между всеми соседними атомами. В обоих случаях представления о металлической связи основываются на том, что валентные электроны не закреплены жестко за каждым атомом металла, а находятся в общем владении всех атомов данного металлического кристалла. Такие электроны называются коллективизированньлми. [c.159]

Симметрия определяется теперь произведением симметрий ф и X- Последняя функция всегда полносимметрична (инвариантна по отношению ко всем операциям симметрии молекулы) в низшем колебательном состоянии. Следовательно, результируюш ая симметрия соответствует симметрии электронного состояния, характеризуемого Это состояние описывается волновой функцией, в которой положения ядер предполагаются фиксированными в пространстве, тогда ка.к координаты электронов быстро меняются. Однако параметрически ф зависит от Л. [c.12]

Имеются трудности при определении интенсивности когерентного рассеяния электронов. Опыт показывает, что интенсивность рассеяния электронов быстро убывает с ростом угла рассеяния, достигая уже при 5 7 очень малых значений. Это затрудняет измерение интенсивности дальнеуглового рассеяния электронов, содержащей информацию о межатомных расстояниях в исследуемом веществе, о количестве ближайших соседей и особенно о средних отклонениях атомов от равновесного положения. С целью усиления дальних дифракционных максимумов было предложено измерять не 1(8), а 1 8)/р(8), что легко осуществить с помощью вращающегося сектора. Он представляет собой устройство из одного или двух металлических лепестков сердцевидной формы и помещается непосредственно перед фотопластинкой, регистрирующей дифракционную картину. Во время получения электронограммы сектор приводится во вращение, чем достигается различное время экспозиции для малоугловой и дальнеугловой частей дифракционной картины. Частота вращения сектора 800—1000 с". Обычно используют секторы, форма выреза которых задается уравнениями г = 7 ф/360° (для однолепестковых) и г = / ф/180° (для двухлепестковых), где ф — полярный угол Я — максимальное значение радиуса г сектора. Основная задача сектора — уменьшить быстрый спад интенсивности от центра пластинки к периферии и тем самым в десятки раз повысить точность измерений интенсивности дальнеуглового рассеяния электронов. [c.95]

Для создания импульса электронов используют микроволновый линейный ускоритель (энергия электронов 2-12 МэВ, длительность импульса 100-1000 не), ускоритель Ван-де-Граафа (электроны с энергией 2-4 МэВ, длительность 1-100 не), фе-бетрон (электроны с энергией 0,6-2 МэВ, длительность 10-50 не). Реакционную ячейку изготавливают из кварца, который достаточно устойчив к радиационному окрашиванию. Поскольку электроны быстро тормозЯтся в жидкости и теряют свою способность ионизовать молекулы, толщина ячейки не должна превышать 1-2 см. Энергия электронов в пучке обычно составляет от 1 до 30 МэВ. Чем выше эта энергия, тем равномернее по сосуду происходит инициирование. [c.204]

В ряде случаев нельзя провести четкого разграничения, по какому механизму (внутри- или внешнесферному) происходит перелое электрона, и можно только получить доказательства в пользу преобладания одного из них. Считается установленным, что по внешнесферному механизму протекает реакция, когда металл окружен легкополяризуемыми лигандами, способными осуществлять перенос электрона быстрее, чем в случае лиганда, образующего внутри-сферное промежуточное соединение с мостиковыми группами. Полагают, что в этом случае первая координационная, оболочка остается незатронутой. [c.40]

Вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) — эмиссия электронов, вызываемая бомбардировкой тел электронами [7]. Электроны, бомбардирующие поверхность тела, называются первичными электроны, эмиттирован-ные телом, — вторичными. Вторичные электроны могут эмиттироваться как со стороны облучаемой первичным пучком поверхности тела (ВЭЭ на отражение ), так и — в тонкопленочных эмиттерах — со стороны поверхности, противоположной облучаемой (ВЭЭ на прострел ), Отношение числа электронов N2, испускаемых телом, к числу падающих на него за то же время первичных электронов N1 называется коэффициентом ВЭЭ о данного тела 0 = N 2 N1 = ИгОи /а — первичный и вторичный токи соответственно). Значение а зависит от свойств и структуры эмиттера, состояния его поверхности, энергии первичных электронов Ер и угла падения первичного пучка на поверхность эмиттера. В потоке вторичных электронов имеются две группы электронов истинно вторичные — электроны вещества, получившие от первичного пучка достаточно энергии для выхода в вакуум, и отраженные (упруго и неупруго) — часть первичного пучка, отразившаяся от поверхности эмиттера. При малых Ер (Ер < < 0,1 кэв) основную долю вторичных электронов составляют упруго отраженные электроны. С ростом Ер доля упруго отраженных электронов быстро уменьшается и при Ер > 0,1 кав составляет лишь несколько процентов всей ВЭЭ. Истинно первичные электроны имеют энергии от О до 50 эе. Наиболее вероятная энергия истинно вторичных электронов составляет 1,5—3,5 эв и при Ер > > 20 эв практически не зависит от Ер. Неупруго отраженными условно принято считать электроны вторичного пучка, энергия которых превышает 50 эв. Отношение числа неупруго отраженных электронов к числу первичных электронов Т] = N2 (Е2 > 50 эв)Иг называется коэффициентом неупругого отражения (в /2 входят и упруго отраженные электроны, но число их мало и на величинеТ1 не сказывается). В металлах и полупроводниках максимальное значение ст лежит в пределах 0,5—1,8. В некоторых диэлектриках (MgO, щелочногалоидные кристаллы) о значительно больше (10—20). Это обусловлено тем, что в таких материалах запрещенная зона велика Eg 6-Н12 эв), сродство к электрону мало (х < 1 эв), вследствие чего медленные электроны с энергией, лежащей между % и Eg, могут из большой глубины без потерь энергии подходить к поверхности тела и выходить в вакуум. При наложении на диэлектрик сильного электрического поля, направленного от эмиттирующей поверхности вглубь слоя (т. е. ускоряющего вторичные электроны к поверхности), о значительно возрастает. Обычно сильное поле создается бомбардировкой тонкого слоя диэлектрика на металлической подложке электронами с Ер, при котором о > 1. В результате поверхность диэлектрика заряжается положительно относительно металлической подложки до потенциала, близкого к потенциалу коллектора, на который отсасывается ток ВЭЭ. Ток ВЭЭ, возникающий в присутствии сильного электрического поля в эмиттере, состоит из двух компонент малоинерционной, быстро следующей за изменениями первичного тока (эта часть ВЭЭ называется вторичной электронной эмиссией, усиленной полем, ее инерционность <10 сек), и само-поддерживающейся, существующей и при отсутствии первичного пучка, после того как осуществлена первоначальная зарядка слоя. В некоторых случаях ВЭЭ с электродов вакуумных приборов, подвергающихся бомбардировке электронами, является нежелательным паразитным эффектом. Для его устранения электроды покрывают веществами с малым а углерод (сажа, ак-вадаг), титан, цирконий, дисилициды переходных ме- [c.457]

Теоретическое сопоставление каталитических свойств полимерных комплексов в иммобилизованном и свободном состояниях приводит к выводу о возрастании каталитической активности иммобилизованных полимерных комплексов при увеличении толщины полимерного слоя. Применительно к полимерным электродам такое сравнение проводится при допущениях, что стадия переноса электрона быстрая, концентрация субстрата в каталитическом слое постоянна, а скорость процесса лимитируется каталитической реакцией. Однако эти допущения не являются строгими и, как правило, не выполняются. На электродах, модифицированных полимерными комплексами металлов, наблюдается ускорение реакции катодного восстановления неорга- ических ионов, молекулярного кислорода, бензальдегида и бен-зофенона, электроокисления аскорбиновой кислоты, пропанола, никотинадениндинуклеотида. [c.249]

Электрон представляет собой частицу, масса которой очень мала и составляет 1/18З6 массы самого легкого ядра электрон несет отрицательный электрический заряд. Размер электрона почти такой же, как и ядра — его диаметр равен примерно 10 см. В атоме электроны пригягиваются ядром. Электроны быстро движутся вокруг ядра в пространстве они удалены от ядра на несколько ангстремов, движутся чрезвычайно быстро, а поэтому заполняют это пространство таким образом, что отталкивают любой другой атом, приближающийся к области, ограничиваемой орбитой их вращения. [c.25]

Необходимо также отметить, что в момент возникновения столба электроны быстро диффундируют к стенкам, так как начальный пространственный заряд положительных ионов слишком мал, чтобы обеспечить амбиполярную диффузию. Поэтому стенки приобретают отрицательный потенциал относительно оси. Линии электрического поля, начинаюи иеся на отрицательных зарядах стенок, заканчиваются на положительном пространственном заряде, распределенном в объеме столба. Избыточный положительный заряд и отрицательный заряд на стенках определяют радиальное поле. [c.249]

Они легко реагируют с молекулами, также имеющими неспарен-1ые электроны. Быстрое взаимодействие с кислородом обусловли- ается бирадикальным характером молекулы О. [21] [c.699]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология