Ваи-дер-Ваальсовская ионная

По своей природе ингибиторы коррозии бывают ионными [катионного типа — катапин, ЧМ анионного типа — тиомочевина С5 (ЫН2)2] или молекулярными соединениями (например, антра-ниловая кислота). Ингибиторы адсорбируются на поверхности корродирующего металла или электростатически (адсорбция ионов и полярных молекул за счет кулоновских сил при соответствующем знаке заряда поверхности металла) или специфически (адсорбция поверхностно активных ионов и молекул за счет молекулярных ван-дер-ваальсовских сил), или химически (хемосорбция ионов и молекул за счет валентных сил химического сродства) возможна также адсорбция их вследствие одновременного действия разных сил. [c.345]

Энергию решетки металлических кристаллов нельзя точно рассчитать такими простыми способами, применяемыми для расчетов энергии решетки кристаллов с чисто ионной или ван-дер-ваальсовской связью. Для металлов подобный расчет возможен только на основе квантовой механики. Приближенный метод расчета был предложен Габером. Предполагается, что металлический кристалл построен подобно ионному кристаллу из положительных, лишенных валентных электронов ионов, которые соответствуют катионам, и электронов (они соответствуют анионам). Допускается также, что заряженные частицы обоих знаков расположены в виде упорядоченной решетки. Хотя эта модель неправильно отображает структуру металла и специфические металлические свойства, так как электроны в действительности двигаются свободно и не могут локализоваться в узлах решетки, она все же дает разумное приближение при расчете энергии решетки. Определяя энергию решетки как работу, которая необходима для расщепления металла на катионы и электроны (т. е. работу, равную сумме теплоты сублимации и работы ионизации изолированных атомов металла), получим соотношение, аналогичное (5.14) [c.80]

Подчеркнем еще раз, что в чистом виде отвердевание, т. е. процесс фазового превращения вещества, наблюдается только в тех случаях, когда имеет место лишь одно межмолекулярное взаимодействие, существующие межатомные связи не разрываются и новые химические связи не образуются. Ненаправленность ван-дер-ваальсовских межмолекулярных связей предопределяет при этом плотнейшую укладку данных молекул или макромолекул, образование кристаллической структуры. Понятно, что при отвердевании ионных веществ и металлов благодаря ненаправленности ионной и металлической связей получается тот же результат, хотя в данном случае действуют не только межмолекулярные, но и межатомные связи. [c.6]

Таким образом, существует два взаимодействующих, но не просто складывающихся, а противоборствующих структурообразующих фактора направленные ковалентные связи и ненаправленные ионные, металлические и ван-дер-ваальсовские связи. Если отвердевание вещества идет путем только межмолекулярного взаимодействия, образуются кристаллические вещества, состав которых подчиняется правилам стехиометрии. Но если одновременно с отвердеванием протекают еще и химические реакции, состав твердого вещества, естественно, становится более сложным. В тех случаях, когда удается его установить с достаточной точностью. [c.6]

Следует помнить, что нет отдельной ионной или ковалентной связи, есть ионная составляющая химической связи. Степень ион-ности межатомной связи определяет возможность образования молекул в данных условиях, а также то, ограничится ли их взаимодействие при отвердевании вещества только установлением ван-дер-ваальсовских связей между ними, или же молекулы перестанут существовать как самостоятельные структурные единицы. Действительно, появление даже слабой ионной составляющей межатомной связи часто увеличивает ее прочность как раз настолько, насколько это необходимо, чтобы образующаяся молекула могла выстоять под ударами теплового движения, разбрасывающего атомы в разные стороны, и чтобы они не соединились друг с другом в каком-нибудь другом порядке. Полярные молекулы, в которых преобладает ковалентная составляющая межатомной связи (такие, как молекулы воды, толуола), при переходе вещества в твердое состояние сохраняют свою целостность и служат структурными единицами, из которых строятся молекулярные кристаллы. При этом они вступают в межмолекулярное электростатическое взаимодействие друг с другом, от которого в значительной мере зависят строение и многие свойства соответствующего твердого вещества, в частности температура плавления, растворимость. [c.83]

Нарушение копланарности. При образовании радикала Аг2- или иона Аг2+ или Аг2" стабилизация частицы происходит за счет взаимодействия неспаренного электрона или заряда с электронами ароматического кольца. Такое взаимодействие осуществляется наиболее полно, если 2 находится в одной плоскости с ароматическим кольцом. Заместитель в орто-положении мешает этому, отклоняя 2 за счет ван-дер-ваальсовского отталкивания от плоскости кольца, и таким образом снижает энергию стабилизации частицы и замедляет протекание реакции. [c.134]

В кристаллах, в зависимости от типа молекул, могут проявляться следующие типы связи ионная, ковалентная, ван-дер-ваальсовская и металлическая. Если для ионных кристаллов проявляются в основном электростатические силы, то в других типах кристаллов выделить тот или иной вид связи в чистом виде вряд ли возможно, так как, вследствие поляризации, возможно возникновение индуцированных диполей помимо ван-дер-вааль-совских сил проявляются и электростатические силы. [c.137]

Ван-дер-ваальсовская адсорбция ароматических ионов с конденсированными ароматическими ядрами (например, сульфокислот нафталина и его производных) значительно выше, чем ионов производных бензола, что обусловлено увеличением интенсивности дисперсионного взаимодействия углеродного скелета с поверхностью угля. При значениях констант ионизации порядка 10 —10 , характерных для сульфокислот нафталина и его производных в водных растворах, практически 95— 99% всего растворенного вещества находится в ионизированном состоянии. В этом случае возможна совместная адсорбция молекул и ионов. [c.90]

Для ассоциированной молекулы воды интенсивность ее полос поглощения по мере упрочнения связи в комплексе быстро растет. Усиление интенсивности полосы происходит как под влиянием протоноакцепторных молекул [122, 278, 300, 323], так и в результате влияния молекул и ионов на неподеленную пару электронов ее атома кислорода [112—114, 118]. В общих случаях эффект, вызываемый их влиянием, оказывается на порядок больше универсального межмолекулярного взаимодействия [1]. Поэтому, даже полностью пренебрегая ван-дер-ваальсовским взаимодействием, можно получить ЭОП, весьма точно характеризующие влияние И связи на электронное облако ОН-группы. [c.96]

Было найдено также, что соли ПЭИ сильно гидролизованы в растворах (до 30%). Титрование сшитого ПЭИ различными кислотами дает следующий порядок сродства смолы к анионам ацетат > хлорид > нитрат > п-толуолсульфонат. В этом же порядке снижается степень набухания соответствующих солей в воде, что свидетельствует о возрастании ассоциации ионов благодаря ван-дер-ваальсовским силам сцепления между анионами и полимерными цепями. [c.181]

Из рис. 156 и 157 видна не только неаддитивность межатомных расстояний, вызванная влиянием поляризации ионов, ван-дер-ваальсовским взаимодействием между ними и другими факторами и проявляющаяся даже в простейших соединениях, где связи близки к ионным, но и закономерный ход в отклонениях от аддитивности, связанный с положением металлов и галогенов в периодической системе элементов. Здесь, так же как и в других случаях, наблюдается выпадение прямых для первых членов ряда (MeF, [c.213]

Кристаллы неполярных жидкостей, к числу которых относится большинство органических веществ, состоят из молекул, связанных ван-дер-ваальсовскими силами. В углах кристаллической решетки такого кристалла располагаются нейтральные молекулы, и потому, в отличие от ранее упомянутой ионной решетки хлористого натрия, такие решетки называются молекулярными. [c.184]

В тройной системе ПАВ—растворитель—твердый сорбент, когда адсорбция ПАВ на твердом сорбенте обусловлена преимущественно ван-дер-ваальсовским взаимодействием и когда поверхности раздела фаз сорбент—раствор и раствор—мицеллы соизмеримы или суммарная поверхность мицелл существенно больше, чем поверхность сорбента при данном отношении сорбент/раствор, возможно конкурирующее влияние мицеллярной фазы, оттягивающей на себя неассоциированные молекулы ПАВ. Вероятно, количественно такая локализация неассоциированных ионов вблизи мицелл зависит от величины энергии мицеллообразования. [c.108]

Дальнейший прогресс в теории высаливания требует уточнения уравнения состояния растворов электролитов. Следует иметь в виду, что использованное нами уравнение Робинсона — Стокса (3.36) является лишь приближенным, поскольку, с одной стороны, электростатическое взаимодействие описывается уравнением Дебая — Гюккеля, содержащим ионный диаметр, введенный путем вандер-ваальсовской схематизации кривой и = /(г) (см. рис. 5), и, с другой стороны, описание гидратации химическими уравнениями также носит приближенный характер. [c.68]

В раборе Зоннтага с сотр. [56] на основе кинетики утончения исследовано расклинивающее давление в октановых пленках, стабилизированных 8рап-80. В широком интервале толщин (100 — 800 А) расклинивающее давление было отрицательным. Многочисленные исследования черных пленок показали, что энергетический барьер отталкивания, обеспечивающий устойчивость, возникает только при переходе л бислойным структурам. Результаты этих исследований тем не менее не могут служить доказательством того, что вклад ионно-электростатической составляющей расклинивающего давления в изменение свободной энергии всегда весьма мал по сравнению с молекулярной составляющей. Наоборот, в силу большой диффузности двойных электрических слоев в неводных средах энергия их ваимодействия может проявляться уже при очень больших толщинах и быть сопоставимой с ван-дер-ваальсовской, хотя суммарное расклинивающее давление будет при всех толщинах, вплоть до образования черной пленки, отрицательным. [c.133]

Остановимся прежде всего на адсорбции радиоактивных изотопов полярными кристаллами, как наиболее хорошо изученной. Характерным для исследований этого вида адсорбции является тот факт, что они производились в относительно узком интервале pH. В этом случае мы имеем дело главным образом с первичной и вторичной ионной адсорбцией, в то время как ван-дер-ваальсовская адсорбция играет незначительную роль. Может иметь место, по-видимому, хемосорбция. Известны случаи образования двойных солей на поверхности кристаллов в результате взаимодействия ионов поверхности кристалла с ионами, сорби-руюш,имися из раствора [ ]. Этот тип адсорбции изучен мало. [c.433]

Следует кратко определить те основания, которы.ми руководствуются для того, чтобы рассматривать данную группу атомов как комплекс . Определение конечных комплексов обычно не представляет трудностей, поскольку комплекс является или нейтральной молекулой, или комплексным ионом. В простых молекулярных кристаллах единственными силами, действующими между атомами различных молекул, являются относительно слабые ван-дер-ваальсовские силы. В некоторых кристаллах, содержащих полярные молекулы (например органические молекулы с группами ОН или КНз), а также в некоторых оксисолях и кислых солях с кристаллизационной водой, расстояния между определенными парами атомов разных молекул или комплексных нонов бывают меньше обычных. Таким путем в кристаллах была открыта водородная связь , обусловленная присутствием атома водорода между такими парами атомов. Эта форма межатомной связи будет включена в нашу схему классификации кристаллов, однако дальнейшее обсуждение водородной связи следует отложить до гл. VII. Межатомные расстояния в молекулярных кристаллах значительно больше, чем внутри молекулы, а именно [c.163]

Цепи удерживаются друг с дру -гом только слабыми ван-дер-ваальсовскими силами. Заметим, что в силикатах, в которых связи 81 — О имеют более ионный характер, чем связи 81 — 8, тетраэдры 8104 никогда не имеют общих ребер. [c.450]

Макромолекулы полимеров, адсорбируясь на поверхности металлов, образуют ковалентные, ионные или координационные связи с атомами поверхностного слоя металла [238]. Во многих случаях связь между макромолекулами полимера и металлом объясняется и действием ван-дер-ваальсовских сил. [c.116]

Соединения включения образуются двумя или несколькими разными веществами, когда молекулы одних веществ играют роль хозяина , а других — роль гостей . Последние размещаются между молекулами или макромолекулами вещества-хозяина в полостях, между слоями, или в каналах структуры. Такая структура возникает в процессе образования соединения включения путем связывания молекул вещества-хозяина нодородными связями или уже существует в готовом виде, например в полимерах. Молекулы-гости располагаются в полостях вещества-хозяина не свободнее, но и не теснее, чем позволяют ван-дер-ваальсовские радиусы. Они попадают в окружение такого большого числа молекул основного вещества-хозяина, что энергия их связи достигает сравнительно большой величины, а именно 5—10 ккал/моль, повышаясь в отдельных случаях до 20 ккал/моль. Сосредоточение ван-дер-ваальсовских и водородных связей в структуре твердого вещества, повышение их роли до роли основного структурообразующего фактора— явление очень распространенное в области твердых веществ, многие из которых представляют собой молекулярные соединения— аддукты того или иного вида. Заметим, что соединений включения не образуют ни ионные соединения, в частности соли, ни металлы, в структуре которых преобладают ненаправленные связи. [c.24]

Мы видим, что аморфные вещества не являются разупорядо-ченными кристаллическими веществами. И, таким образом, кристаллическая модель не может отражать природу аморфных веществ, так же как кристаллическая решетка не может содержать никакой информации о структуре аморфных веществ. Кристаллическая модель твердого вещества не отражает существования направленной составляющей связи, соединяющей структурные единицы твердого вещества. Между тем давно известно, что природа кристаллов определяется в конечном счете именно этим фактором. В самом деле, тип кристаллической структуры определяется характером межатомной связи и кристаллические структуры издавна классифицируются по типу связи ковалентной, водородной или ионной, металлической, молекулярной — ван-дер-ваальсовской. При этом различают координационные, каркасные, слоистые, цепочные и островные структуры. [c.162]

Специфика адсорбции электролитов связана с относительно более дальнодействующим характером электростатических (кулоновских) взаимодействий ионов по сравнению с ван-дер-ваальсовскими взаимодействиями молекул. Это вызывает большую размазанность межфазных слоев, образованных ионами, сравнительно с молекулярными адсорбционными слоями, благодаря чему поверхность разрыва приобретает заметную (иногда макроскопическую) толщину. С таким диффузным характером ионизированных адсорбционных слоев и связано возникновение электрокинетических явлений. [c.173]

Образование водородной связи было обнаружено и вот уже более полувека интенсивно изучается по своим молекулярно-физическим проявлениям. Еще со школы мы знаем, что при обычной температуре НзТе — жидкость, НаЗе — легкокипящая жидкость, НгЗ — газ, а Н2О —снова жидкость, хотя по экстраполяции ей полагалось быть еще лучшим газом, чем сероводород. Такую же цепь примеров представляют собой галогеиоводороды. Однако эти примеры дают скорее эмоциональное, чем научное удовлетворение, так как в изменении температур плавления галогенидов одновалентных металлов или халькогенидов двухвалентных мы увидим точно такую же закономерность. Действительная причина заключается в том, что при переходе сверху вниз в периодической системе в группах галогенов и халькогенов монотонно уменьшается их электроотрицательность и поэтому будет уменьшаться полярность связей любого атома М (в том числе и водорода) с указанными элементами. Поскольку плавление или кипение вещества характеризует разрыв МбЖМОЛбКуЛЯрНЫХ СВЯ30Й, 1 ггл и i К1ТП будут как-то отражать прочность этих связей. А прочность межмолекуляр-но1 о взаимодействия будет определяться двумя факторами, которые действуют в прямо противоположных направлениях — сверху вниз будет уменьшаться, как только что было сказано, полярность атомов в молекулах и поэтому ослабевать ион-дипольная ассоциация, но одновременно вниз будет расти молекулярный вес, а следовательно, поляризуемость и ван-дер-ваальсовское, дисперсионное взаимодействие. Суперпозиция двух тенденций и приводит к тому, что внизу и вверху периодической системы химические соединения типа АВ и АВг будут иметь повышенные температуры плавления и кипения. Это обстоятельство и привело к необходимости изучения особенностей водородной связи методами структурного анализа — дифракционными (рентгене-, электроно- и [c.166]

Если, принимая во внимание малую сжимаемость ионных растворов, заменить Лад на то ван-дер-ваальсовская составляющая коэффициента активности 1п/ может быть цолучена дифференцированием по N1 при йостоян-ных Р, Т ш N0. Таким образом, [c.371]

Ритсон и Хастед [35] развили теорию диэлектрического насыщения вблизи ионов на основе теории диэлектрических свойств жидкостей Онзагера [36], а также на основе усовершенствования теории Кирквуда [37]. Полученные ими результаты качественно согласуются с опытными значениями понижения диэлектрической постоянной. Кроме того, они подвергли анализу теории концентрированных растворов и рассмотрели влияние следующих факторов поправки на ван-дер-ваальсовский ко-объем, ассоциации ионов по Бьерруму, изменения диэлектрической постоянной и изменения структуры растворителя в присутствии растворенного вещества. Ритсон и Хастед пришли к выводу, что необходимо целеустремленное теоретическое рассмотрение проблемы взаимодействия ионов с растворителем. [c.572]

Что же хфедставляет собой теллурид висмута Этот материал состоит из тяжелых атомов (особенно атомы висмута). В этом отношении он перспективен. Его структура состоит из слоев, расположенных параллельно, как пластинки слюды (рис. 2). Атомы каждого слоя одинаковые и образуют плоскую гексагональную решетку (рис. 3). Как видно из рис. 2, пять соседних слоев объединены в квинтет, в котором слои атомов висмута и теллура чередуются. В квинтете атомы связаны сильными ковалентными связями с небольшой долей ионно-сти. Ионная компонента обусловлена разной валентностью теллура и висмута 6-валентный теллур отдает электроны 5-валентному висмуту, поэтому слои висмута заряжены отрицательно, а слои теллура -положительно. Граничащие между собой внешние слои квинтетов связаны слабыми ван-дер-ваальсовскими связями, поэтому кристаллы теллурида висмута легко раскалываются по границам квинтетов, образующих плоскости спайности. Смешанная химическая связь в тел-луриде висмута благоприятна для получения высокой термоэлектрической эффективности. [c.42]

Вол и Шишаков [21] методом дифракции электронов обнаружили, что при взаимодействии кислорода при давлении около 1 атм и температуре 100—150° С с тонкой пленкой серебра, нанесенной на целлофан или стекло, образуется объемная перекись серебра (AgOg). Перекись имеет решетку типа Na l с ионами Oa, занимающими анионные положения в этой решетке. Приведенные постоянные решетки (5,5 А на целлофане, 5,52 к на стекле) находятся в хорошем согласии с параметрами, ожидаемыми для такой решетки, со свободно вращающимися ионами Oa, имеющими нормальный ван-дер-ваальсовский радиус. Это доказывает, что двухатомные формы кислорода образуются при взаимодействии с серебром и являются достаточно устойчивьши. Эти авторы также констатировали, что при обработке этиленом или пропиленом при 150° С в течение 10—15 час решетка перекиси исчезает и восстанавливается решетка серебра. К сожалению, авторы не сообщают, образовывались ли газообразные продукты окисления в этом процессе восстановления. [c.80]

Из четырех основных видов межатомных связей — ван-дер-ваальсов-ской, металлической, ковалентной и ионной — подробно будут рассмотрены только две последние. Ван-дер-ваальсовская связь обусловливает слабое притяжен е между атомами с устойчивой электронной конфигурацией и не имеет значения при рассмотрении химических реакций, но является причиной сцепления молекул в молекулярных кристаллах. [c.56]

Ионная пространственная решетка состоит из правильно чередую-шрхся катионов и анионов. Связи между ионами гораздо прочнее, чем ван-дер-ваальсовские межмолекулярные силы. Вещества с ионной решеткой, как правило, тверды, нелетучи и тугоплавки. Однако многие из них растворимы в воде. К ним относятся соли неорганических кислот (соляной, серной, азотной и других), а также щелочи, оксиды некоторых металлов. В кристаллах этих веществ нет молекул. [c.65]

Структура и физич. свойства Ж. зависят от химич. индивидуальности образующих ее частиц и от характера и интенсивности сил, действующих между ними. Интерпретация рентгенографич. данных практически возможна только для т. н. простых Ж., состоящих из сферически симметричных, неполярных частиц с ненаправленными и ненасыщающимися силами взаимодействия. К ним относятся сжиженные инертные газы с чисто ван-дер-ваальсовским взаимодействием и жидкие металлы, в к-рых осуществляемая свободными электронами металлич. связь также нена-правлена и ненасыщаема, как и ван-дер-ваальсово взаимодействие, а металлич. ионы сферически симметричны и обладают электронной структурой, аналогичной электронной структуре атомов инертных газов. Приближенно можно считать простыми некоторые двух- и многоатомные неполярные Ж. (напр., СбНв, ССЦ). [c.30]

Для хелатных циклических систем желательно учитывать энергии несвязанных взаимодействий с участием центрального атома металла. Это не удалось осуществить из-за отсутствия надежных значений для г и s их нельзя определить тем же способом, что и для других взаимодействий. Однако возможна качественная оценка этих взаимодействий. Например, рассмотрим Со(П1). Полинг предположил, что ковалентный радиус Со(П1) равен 1,2 А [108]. Он отметил, что для многих атомов ковалентные радиусы примерно на 0,8 А меньше вандерваальсовских. Если это положение применимо к Со(П1), вандер-ваальсовский радиус иона составит 2,0 А. Используя кривую Хилла и S = О при г = г, можно построить [c.77]

Гетше [41] развил качественные представления об ориентированном росте металлов, основанные на предположении о поляризации металлических атомов на поверхности солей. Помимо ван-дер-ваальсовского взаимодействия атомов металла и ионов подлол ки, существует электрическое взаимодействие между электронными оболочками атомов металла, попавших на поверхность гетерополярного кристалла, и поверхностных ионов. Вследствие того, что электронные оболочки стремятся оттолкнуться, атомы металла поляризуются. Образующиеся диполи положительным зарядом направлены к подложке, а отрицательным — от подложки. Эти диполи вступают в электростатическое взаимодействие с ионами поверхностного слоя и стремятся занять места над отрицательно заряженными частицами галогенов. [c.276]