Кристаллы одиночные

По степени распространенности среди твердых тел основным является кристаллическое состояние, характеризующееся строго определенной ориентацией частиц друг относительно друга. Это определяет и внешнюю форму вещества в виде кристалла. В идеальных случаях кристалл ограничен плоскими гранями, сходящимися в точечных вершинах и прямолинейных ребрах. Одиночные кристаллы (монокристаллы) иногда встречаются в природе в большом количестве их получают искусственно. Однако чаще всего кристаллические тела представляют собой поликристаллические образования — сростки большого [c.132]

Сцинтилляторы, которые наиболее часто применяются для гамма-спектрометрии, представляют собой одиночные кристаллы йодида натрия, активированного таллием. Сцинтилляционные спектры гамма-излучения состоят из одного или более острых характерных фотоэлектрических пиков, соответствующих энергиям источника гамма-радиации. Поэтому эти спектры полезны для идентификации, а также для обнаружения гамма-излучающих примесей в препарате. Кроме характерных пиков, в спектре обычно имеются и другие пики, обусловленные вторичным воздействием радиации на сцинтиллятор и его окружение, таким, как обратное отражение, аннигиляция позитронов, суммирование совпадений и флуоресцентные рентгеновские лучи. Кроме того, в результате рассеяния гамма-фотонов в сцинтилляторе и окружающих материалах возникают щирокие полосы, известные как спектры Комптона (эффект Комптона). Калибровка прибора производится с помощью известных образцов радиоактивных изотопов, энергетические спектры которых определены. Форма спектров будет различной в зависимости от используемых приборов это определяется различной формой и размерами кристаллов, применяемыми защитными материалами, расстоянием между источником излучения и детектором, а также типами дискриминаторов, используемых в амплитудных анализаторах импульсов. При использовании спектра для установления подлинности радиоизотопов необходимо сравнивать спектр исследуемого образца со спектром известного вещества, радиоактивность которого измерена тем же прибором и при тех же условиях. [c.78]

Молекулярно-кинетическая теория [108, 109] игнорирует несовершенства кристалла и рассматривает рост его как последовательное повторение отдельных стадий присоединения к кристаллу одиночных ионов, атомов или молекул. Иными словами, рост кристаллов представлялся как последовательное образование слоев, состояш,их из рядов частиц. [c.65]

Рис. 4 дает общее представление о связи между температурой плавления, временем спекания и минимальным размером кристалла, который может существовать после спекания как одиночный компонент упаковки. Из этого графика можно видеть, что если, например, упаковка состоит из меди (температура плавления 1083° С) и спекается при температуре 200° С в течение 6 месяцев (в восстановительной атмосфере), то минимальный размер кристаллов должен быть более 1000 А, а если температуру повысить до 300° С, то размер кристалла будет более одного микрона, тогда как окись алюминия (температура плавления 2032° С) может находиться при температуре 500° С в течение 6 месяцев без превышения размера ее кристал- [c.37]

Формула (1.494) при аг О переходит в формулу для одиночного кристалла (Shi=l) в безграничной жидкости, имеющей концентрацию на бесконечности, равную <с/>. Формулу (1.494) можно обобщить следующим образом. Если на массообмен влияют некоторые эффекты (например, нестационарность или относительное движение), но вклад этих эффектов в массообмен мал, то справедлива следующая формула [c.129]

Модель с учетом скорости осаждения одиночного кристалла и остаточного пересыщения в слое [77—79]. Основные допущения 1) температура во всем слое остается неизменной 2) не происходит дробления или агломерации кристаллов 3) пересыщенный раствор, поступающий в нижнюю часть аппарата, свободен от взвешенных частиц 4) все кристаллы однородны 5) потери мелочи (мелких частиц, увлекаемых циркулирующим раствором) со сливом и пульпой незначительны. [c.228]

Здесь скорость одиночного кристалла 2 выражается в зависимости от режима следующим образом при ламинарном режиме / 0 [c.229]

В чистых металлах (особенно при низких температурах) теплопроводность объясняется главным образом наличием свободных электронов проводимости, т. е. электронов, способных легко перемещаться по кристаллической решетке, передавая тепловую энергию. В неметаллических кристаллах и некоторых интерметаллических соединениях теплопроводность объясняется в основном механическим взаимодействием между молекулами. Для одиночных кристаллов при весьма низких температурах этот механизм передачи тепла может оказаться очень эффективным, причем теплопроводность кристаллов может быть равной и даже превосходить [c.148]

ЛОЖНО заряженных ионов по поверхности ионного кристалла происходит значительно легче, чем движение одиночных ионов [150]. Подобная миграция ионных пар, происходящая, вероятно, посредством скачков, должна играть важную роль при процессах спекания катализаторов, приводящих к значительному уменьшению той сильно развитой гюверхности, которая создается за счет системы капилляров. [c.94]

Свойства кластеров сильно зависят от числа входящих в них частиц, что объясняется особенностями их совместного действия. В частности, с ростом числа частиц в кластерах из нескольких атомов металла происходит делокализация валентных электронов и при пяти-шести атомах возникают состояния, отвечающие электронным зонам массивного металла, хотя степень делокализации электронов меньше, чем в большом кристалле. При этом работа выхода электрона имеет промежуточное значение между работой выхода электрона массивного металла и потенциалом ионизации одиночного атома. Изменчивость свойств кластеров касается и химических связей, характер которых зависит от вида и числа частиц ядра и окружающей среды. [c.360]

При переходе от газа к жидкости н к кристаллу происходит усложнение структурной организации вещества увеличивается число связей между частицами. Например, газообразная вода (пар) состоит из одиночных молекул и их небольших объединений. Жидкая вода содержит одиночные молекулы, димеры, три-меры и т.д. вплоть до больших агрегатов молекул, обладающих специфическими свойствами, присущими кристаллу. Кристаллическая вода имеет структуру, в которой каждая молекула связана с четырьмя другими. В том же направлении происходит и увеличение энергии связи между частицами. Таким образом, усложнение структурной организации вещества теснейшим образом связано с изменением характера движения частиц. [c.7]

Простые формы получают при выращивании монокристаллов, т. е. одиночных кристаллов. Природные и промышленные кристаллы, появляющиеся в условиях массовой кристаллизации, могут быть образованы комбинацией (совокупностью) простых форм, и число таких комбинаций не ограничено. Часто такие кристаллы состоят из сростков беспорядочно ориентированных отдельных кристаллических зерен. [c.242]

Селен существует также в различных аллотропических кристаллических видоизменениях — в виде гексагональной и моноклинической, а также аморфной модификации. Кристаллы серого гексагонального селена построены из длинных спирально построенных цепей атомы разных спиралей испытывают взаимное притяжение, подобное металлическим связям. На обоих концах цепи находятся одиночные электроны [6], обнаруженные при помощи парамагнитного резонанса. [c.205]

В работе [473] показано, что сферолиты образуются из одиночного кристалла при кристаллизации из вязких жидкостей или гелей, благодаря нарушению нормального процесса кристаллизации, в результате взаимодействия между растущим кристаллом и гелем. [c.193]

Порядок в пространственном расположении частиц (атомов, молекул, ионов) у кристаллических тел — кристаллическая решетка — определяет основные внешние признаки кристаллического состояния, К таким признакам относятся 1) определенная и резко выраженная температура плавления (переход в жидкое состояние) 2) определенная геометрическая форма одиночных кристаллов 3) анизотропия. [c.29]

Широко распространены осадки из крупнокристаллического гипса, игольчатые кристаллы которого образуют каркас. Между крупными кристаллами длиной 12—25 мм находятся средние и мелкие призматические и игольчатые кристаллы солей и углеводородные соединения. В поперечном сечении у этих отложений также можно заметить у стенки трубы слой более плотный ц крупные кристаллы встречаются сравнительно редко, а по мере уда ления от стенки трубы доля крупных кристаллов значительно уве--личивается. Уменьшается также и спайность кристаллов. В не--которых случаях в трубах нет сплошных отложений гипса, а осадок представлен в виде друз крупных кристаллов длиной 20—27 мм с включением у их основания мелких и средних. Эти кристаллы образуют небольшие одиночные накопления, называемые розами , ежами , и располагаются хаотически по длине труб. Крупнокристаллические отложения встречаются в НКТ, хвостовике, реже в клапанах насоса и не обнаружены на штангах. [c.171]

Молекулярные сита типа А. Химический состав одиночного элемента кристалла типа А может быть представлен формулой [1, 2] [c.199]

При быстром замораживании образцов важно быть уверенным, что образец не плавает на поверхности жидкого охлаждающего вещества. Эта проблема обычно не возникает при изучении образцов больших размеров, а маленькие образцы необходимо помещать в перфорированные контейнеры или держать их маленькими щипчиками и погружать под поверхность. Очень мелкие частицы материи, например одиночные клетки, могут быть либо разбрызганы на холодную поверхность, либо осаждены на тонкие металлические фольги перед быстрым замораживанием. Будучи замороженными, образцы как можно быстрее должны быть перенесены на платформу аппарата для лиофильной сушки. Это достигается наилучшим образом при помещении образцов в мелкую металлическую тарелку глубиной около 5 мм, которая может быть заполнена жидким азотом. Тарелка с находящимися в жидком азоте образцами быстро переносится на предварительно охлажденный столик в камеру для лиофильной сушки, заполненную сухим азотом. Как только азот выкипит, камеру можно откачать до рабочего вакуума. Эта процедура уменьшает образование кристаллов льда на поверхности образца, которые при некоторых обстоятельствах могут скапливаться и вызывать перераспределение элементов внутри образца. Несмотря на то что невозможно установить строгое и определенное правило для определения времеии и температуры сушки, последняя должна производиться при как можно более низкой температуре в соответствии с размером и формой образца и возможностями экспериментальной системы. В процессе сушки обычно постепенно повышают температуру образца. Это [c.299]

Если считается, что следует отдать предпочтение ИК-спектроскопии (как это обычно и бывает), по крайней мере для классификации неизвестного вещества, то значительная информация может быть получена еще до съемки спектра. Очевидно, важны его физическое состояние и свойства. Например, вещество будет лучше охарактеризовано в случае бесцветных кристаллов, чем окрашенных смолистых или дегтеобразных масс. Полезную информацию могут дать испытания на вязкость (для жидкостей) и растворимость, приблизительная температура плавления, проверка вещества под микроскопом. Поведение малой пробы при внесении в пламя обычно указьшает, является ли материал органическим или неорганическим и, если верно первое, присутствуют ли в нем ароматические группы. Более совершенная методика исследований в пламенах может выявить присутствие металлоорганического соединения [243]. Для жидкостей или летучих твердых веществ сведения об их чистоте дает газохроматографический анализ. Из-за того что пики могут перекрываться или могут образовываться нелетучие остатки чаще, чем предполагают многие химики, опасно считать, что одиночный пик на хроматограмме указывает на чистый образец. [c.186]

Эксперименты на пикосекундной временной шкале и более короткой требуют других подходов. Световая вспышка, вызывающая возбуждение или фотолиз молекул исследуемого вещества, генерируется лазером с пассивной синхронизацией мод, оснащенным системой выделения одиночного импульса из цуга. Хотя пикосекундная импульсная спектроскопия опирается на методику двух вспышек — возбуждающей и зондирую -щей,— импульс зондирующего света обычно получается за счет преобразования части света возбуждающей вспышки, а необходимая короткая временная задержка легко достигается благодаря конечной скорости света. Зондирующий световой пучок направляется по варьируемому более длинному оптическому пути. Для абсорбционных экспериментов спектр этого излучения может быть уширен (например, ССЬ преобразует малую часть излучения лазера на неодимовом стекле с длиной волны 1060 нм в излучение в широком спектральном диапазоне). Для других диагностических методик, например КАСКР, это излучение может быть преобразовано в излучение другой частоты. Существует также ряд специализированных методик для изучения испускания света в пикосекундном диапазоне. Одна из них связана с электронным вариантом стрик-камеры. Для регистрации временной зависимости интенсивности сфокусированного пучка или светового пятна в механическом варианте стрик-камеры используется быстро движущаяся фотопленка. В электронном варианте изображение вначале попадает на фотокатод специального фотоумножителя типа передающей телевизионной трубки. Под действием линейно изменяющегося напряжения, прилагаемого к пластинам внутри трубки, образующиеся фотоэлектроны отклоняются тем сильнее, чем позже они вылетели из фотокатода. Для регистрации мест попадания отклоненных электронов может использоваться фосфоресцирующий экран с относительно длинным послесвечением, изображение на котором фотографируется или преобразуется с помощью электроники для последующего анализа. Этот метод носит название электронно-оптической хроноскопии. В альтернативном методе для изучения флуоресценции с пикосекундным временным разрешением Используется затвор, основанный на эффекте Керра (вращение плоскости поляризации света в электрическом поле), индуцируемом открывающим лазерным импульсом. В еще одном методе (флуоресцентная корреляционная спектроскопия) часть света возбуждающего импульса проходит через оптическую линию задержки и смешивается с испускаемой флуоресценцией в нелинейном кристалле (см. конец разд. 7.2.3), давая на выходе [c.203]

С наибольшим успехом рентгеноструктурный анализ может быть применен к веш ествам, образующим одиночные кристаллы. Однако изучение полимеров также приводит к интересным результатам. Ряд важных свойств высокополимерных соединений, в которых длинноцепочечные молекулы расположены с высокой степенью упорядоченности, стал ясным лишь после привлечения рентгенографии. [c.361]

В отличие от одиночных полос voH-колебаний воды в растворах и кристаллах (см. гл. 1П, п. 6) для сложного контура полосы валентных колебаний жидкой воды однозначного соответствия между положением максимума полосы и ее интегральной интенсивностью не суш,ествует [316]. Рассмотренную картину вряд ли можно считать неожиданной, так как в случае жидкой воды мы имеем дело со сложной voH-полосой, каждая из составляющих которой претерпевает различные изменения. Такое поведение von-полос можно [c.146]

При использовании метода дифференциального насыщения можно различать химически тождественные радикалы с разным окружением, например одиночные радикалы и радикалы, расположенные группами радикалы в аморфной и кристаллической фазе и т.д. Обычно в одиночных, изолированных радикалах времена релаксации длиннее, чем в радикалах, расположенных группами в кристаллах длиннее, чем в аморфной фазе. [c.288]

Порошок, Диагностическими элементами в порошке подземных органов являются сосуды и трахеиды с характерными утолщениями стенок, механические элементы, которые встречаются группами или одиночно, кристаллы оксалата кальция, секреторные каналы, вместилища, млечники и запасные питательные вещества. [c.265]

Диагностическое значение имеют также включения оксалата кальция, млечники, клетки с эфирным маслом. Кристаллы оксалата кальция имеют разную форму (друзы и одиночные кристаллы). Одиночные кристаллы часто встречаются в отдельных клетках паренхимы или в клетках паренхимы, окружающих лубяные волокна, образуя кристаллоносную обкладку. [c.262]

Иаиболее интересной является Д. р. л. кристаллами. Одиночные кристаллы (монокристаллы) состоят обычно из с,яегка (от нескольких секунд до нескольких [c.585]

Метод Дебая—Шеррера. Первоначально для рентгенографических исследований применяли только крупные, хорошо сформпровап-ные одиночные кристаллы изучаемого вещества. Это было очень неудобно, так как не все вещества можно получить и виде крупных монокристаллов. Поэтому стали искать новый более доступный метод рентгенографического исследования. Такой метод, позвол5Пощий выполнять рентгеноструктурные исследования с порошкообразным веществом, был разработан Лебаем и Шер-рером. [c.113]

Еще Фладе заметил [6], что пассивная пленка на железе тем дольше остается устойчивой в серной кислоте, чем длительнее была предварительная пассивация железа в концентрированной азотной кислоте. Другими словами, пленка стабилизируется продолжительной выдержкой в пассивирующей среде. Франкенталь [17] заметил также, что хотя для пассивации 24 % Сг—Ее в 1 н. НаЗО достаточно менее монослоя Оа (измерено кулонометрически), пленка становится толще и устойчивее к катодному восстановлению, если сплав некоторое время выдержать при потенциалах положительнее потенциала пассивации (см. рис. 5.1). Возможно,. наблюдаемое стабилизирующее действие является результатом того, что положительно заряженные ионы металла проникают в адсорбированные слои отрицательно заряженных ионов и молекул кислорода благодаря сосуществованию противоположных зарядов поддерживается тенденция адсорбционной пленки к стабилизации. Данные метода дифракции медленных электронов для одиночных кристаллов никеля [28], например, свидетельствуют о том, что предварительно сформированная адсорбционная пленка состоит из упорядоченно расположенных ионов, кислорода и никеля, находящихся на поверхности металла приблизительно в одной плоскости. Этот первоначальный адсорбционный слой более термоустойчив, чем оксид N10. При повышенном давлении кислорода на первом слое образуется несколько адсорбционных слоев, состоящих, возможно, из Оа. В результате образуется аморфная пленка. С течением времени в такую пленку могут проникать дополнительные ионы металла, особенно при повышенных потенциалах, становясь подвижными в пределах адсорбированного кислородного слоя. Окамото и Шибата [29] показали, что пассивная пленка на нержавеющей стали 18-8 содержит НаО аналогичные результаты получены для пассивного железа [30]. [c.83]

Кристаллизация с изменением температуры раствора. Такой способ называют изогид рическим, так как он осуществляется при постоянном содержании в растворе растворителя. Незначительные потери растворителя за счет его испарения в окружающую среду в открытых кристаллизаторах (см. ниже) в этом случае можно не учитывать. В химической промышленности наибольшее распространение имеет кристаллизация солей с положительной растворимостью. Пересыщение растворов таких солей достигается охлаждением раствора. Процесс ведут как в аппаратах периодического, так и непрерывного действия, одиночных или многокорпусных, располагаемых ступенчато (каскадом). В качестве охлаждающей среды применяют главным образом воду. При охлаждении воздухом процесс протекает гораздо медленнее, но кристаллы получаются более крупными и однородными. Реже в качестве охлаждающей среды используют холодильные рассолы. Для кристаллизации солей с отрицательной растворимостью применяют нагревание. [c.637]

Поскольку и одиночные (газообразные) молекулы галоидных солей щелочных металлов и кристаллы этих солей состояч из ионов, можно сделать заключение, что внешние слои этих кристаллов фактически также состоят и.з ионов. Этот вывод, по-видимому, распространяется на кристаллы галоидных солей щелочноземельных металлов и фторидов некоторых других металлов, например фторида свинца, а также на кристаллы комплексных фторидов, таких, как фторцирконат калия (Ка2гРс) [11]. Некоторые окислы, например окислы щелочноземельных металлов, имеют в кристаллическом состоянии ионные решетки, однако одиночным молекулам этих окислов следует приписать преимущественно гомеополярный характер [12]. Поэтому нет уверенности в том, что атомы, образующие наружный слон кристаллов этих окислов, так же сильно ионизированы, как и атомы, находящиеся внутри кристалла вполне возможно, что они обладают более гомеополярным характером. Это справедливо для многих галоидных солей тяжелых металлов, например для Ай С и AgJ. При образовании такими галоидными солями суспензий в воде (коллоидное состояние) связь между разными поверхностными атомами отдельных частиц суспензий вполне способна приобрести более ионный характер вследствие гидратации поверхностного слоя атомов. [c.24]

Все это справедливо для одиночных кристаллов (монокристаллов), линейные размеры которых достигают нескольких десятков сантиметров. В полупроводниковой технике выращивание монокристаллов — одна из важнейших задач (см. гл. X). При быстром охлаждении расплавов обычно получаются поликристаллические тела с размерами зерен в них от 10" до 10 мкм. В поликристаллических телах произвольность ориентировки отдельных зерен приводит к статисти- [c.116]

Если адсорбирующийся ион приближается к поверхности кристалла вдоль линии, перпендикулярной к этэй поверхности и проходящей через поверхностный ион с зарядом того же знака, что и его собственный заряд, то он будет- испытывать отталкивание, Электростатическое слагаемое возникаюп1их сил отталкивания также выражается уравнением (17), но направление действия последних противоположно по сравнению с направлением сил, для которых было выведено уравнение (17), Участки поверхности, расположенные точно посередине между поверхностными ионами, ие оказывают электростатического влияешя на адсорбированный иои. Поэтому в пределах тех небольших расстояний, на которые распространяется действие электростатических сил, последние вызывают появление периодического неоднородного поля. Движение одиночного адсорбированного иона вдоль поверхности может затрудняться наличием этих периодических различий в величине и направлении действующих сил. [c.35]

Дисперсность осаждаемого покрытия не определяет однозначно его характер. Очечь важно, чтобы образовавшиеся на поверхности покрываемого металла кристаллы росли слитно и компактно, а не в виде одиночных островков, вырождающихся обычно в иглы или дендриты, или в виде беспорядочного губчатого образования кристаллов (состоящего обычно из микро-дендритов). При нормальном росте осадка происходит срастание маленьких групп кристаллов, образуется конгломерат кристаллитов. Группы кристаллов распространяются и вдоль поверхности, сращиваясь и при этом образуя сплошной осадок. [c.364]

Тритимотид способен давать молекулярные соединения с гексаном, бензолом, хлороформом. Выпадающие кристаллы на вид неотличимы друг от друга, но если одиночный кристалл [c.107]

О, Н и др., и рост плоских атомных слоев. При достаточно боль ших размерах последних возможно их сближение под действием сил молекулярного притяжения. Благодаря большой анизометричности, они стремятся раслоломиться параллельно друг другу и, таким образом, сложиться в пакеты-кристаллиты. При достаточно малом расстоянии ( 3,5 2) между атомными слоями в кристаллите -электроны выходят в менслоевое пространство и становятся легкоподвижными. При этом вещество переходит в качественно новое состояние, что приводит к резкому изменению многих свойств углеродистого материала при температурах, соответствующих этому переходу резко.. возрастает электропроводность, теплопроводность и оптическая плотность [25]. Число углеродных слоев в кристаллитах углеродистых ыатериалов, как показывает результаты работ [25, 29-31], составляет 2-3. В.С.Веселовский считает [25], что после нагрева до 1000°С в углеродистых материалах практически не остается атомных групп, не входящих в структуру кристаллитов, в то же время ряд исследователей утверждает, что в углеродистых материалах, полученных при температурах - ЮОО С, значительное количество углеродных слоев составляют одиночные сетки [29, 80]. [c.8]

В листьях встречаются специальные клетки — идиобласты, содержащие кристаллы оксалата кальция, цистолиты и другие кристаллические включения. Кристаллы оксалата кальция могут быть разнообразной формы и размеров одиночные кристаллы призматической, ромбоэдрической, октаэдрической или иной формы, в виде отдельных длинных игл или мелких иголочек, собранных пучками (рафиды), сростки кристаллов (друзы, сферокристаллы), скопления мельчайших кристаллов (кристаллический песок). Клетки с кристаллами расположены среди клеток мезофилла или образуют кристаллоносную обкладку вокруг проводящих пучков или гру1шы волокон. Реже встречаются отложения других минеральных веществ — карбоната кальция, кремнезема и др. [c.254]

Монокристалл (от греч. monos — один, единый) — одиночный кристалл, имеющий единую кристаллическую решетку. Большая часть твердых тел состоит из кристаллических агрегатов — поликристаллов. М. играют огромную роль в полупроводниковой технике, в оптике, в радиотехнике, в часовой промышленности, для лазеров и др. [c.84]

Одиночный липидный бислой может быть обратимо образован из (ламеллярного) стандартного состояния следующим образом. Кристалл мембранообразующего липида помещают на поверхность водного раствора, где он набухает и растекается до липидного монослоя при равновесном давлении растекания, С помощью методики Тагаки и др. [14], проведенной в обратимых условиях, бислойная мембрана образуется за счет приложения работы при постоянном уК В ходе этих операций М 2 = М = М Г т. е. химический потенциал липидного компонента всегда тот же, что и в стандартном состоянии. [c.333]

Рис. 20. а) Зависимость удлинения кристалла- льда от растягивающей силы для ряда постоянных скоростей деформации б) зависимость относительного сдвига от величины сдвиговой деформации в одиночном кристалле льда 1 (5, кг1см ) [c.56]

Значения а>с можно находить приближенно по уравнению а>е = = 1,52рад/с, где / — потенциал ионизации, выраженный в электронвольтах. При определении значения / для конденсированных сред следует вводить поправку в соответствующие табличные значения для изолированных молекул / = / + Р, где Р — энергия поляризации одиночного заряда в диэлектрике [40]. Для многих кристаллов Р — —1,5 0,5 эВ. Для жидкостей эта поправка может быть значительно выше. [c.85]