Галогены сродство к электрону

Энергня ионизации атомов фтора и хлора составляет соответственно 17,4 и 13,0 -эВ, а энергия сродства к электрону — 3,45 и 3,61 эВ. Для какого из этих элементов более характерно образование ионных соединений Указать знак заряда ионов галогенов в этих соединениях. [c.60]

Инертные газы инертны потому, что на них заканчивается заполнение -Г0 слоя, а такие системы особенно компактны и устойчивы. По той же причине атомы щелочных металлов водородоподобны. Они содержат один электрон сверх заполненных слоев, образующих компактный остов. Особой устойчивостью заполненных слоев объясняется и высокое сродство к электрону у галогенов. Атом бериллия не похож на атом гелия потому, что он легко возбудим в состоянии то вре- [c.182]

Постройте график зависимости от порядкового номера атомного радиуса, первой энергии ионизации и сродства к электрону для галогенов. Объясните характер кривых. Почему с увеличением порядкового номера энергия ионизации уменьшается немонотонно, а сродство к электрону вначале увеличивается, а затем уменьшается [c.42]

Сродство атома к электрону означает энергию, выделяющуюся при присоединении к нему электронов с образованием отрицательного иона. Измерение величины этой энергии гораздо труднее, чем определение энергии ионизации. Многие значения получены с помощью косвенных методов, которые будут рассмотрены ниже. В табл. 8 приведены значения сродства к электрону галогенов, водорода и элементов группы У1В (во всех случаях речь идет об образовании ионов с конфигурацией инертного газа). Сродство галогенов к электрону отрицательно это означает, что при присоединении электрона к нейтральному атому галогена с образованием иона галогена выделяется энергия. Это обстоятельство отражает большую устойчивость заполненной оболочки электронов. Другими словами, атом галогена, имеющий одну орбиту, занятую только одним электроном, и свободный электрон вместе образуют систему с большей энергией, чем ион галогена. Это не обусловлено непосредственно электростатическими силами, и простой зависимости между сродством к электрону и размерами атома не наблюдается. [c.79]

Стеиень сродства атомов галогенов к электрону сильно сказывается и при образовании кислородных соединений. И действительно, реакция окисления, состоящая в отрыве электронов из внешней электронной оболочки атомов галогенов, протекает легче с бромом и йодом, чем с хлором. Кислородные соединения йода более стойки, чем такие же соединения брома и хлора. Получить кислородные соединения фтора очень трудно даже косвенным путем. [c.519]

Чтобы вычислить Ig ki= g p-ri щелочных металлов, нужно брать первый потенциал ионизации, щелочноземельных металлов — второй потенциал ионизации, металлов, образующих полуторные окислы,— третий потенциал ионизации и т. д. (табл. 8). У элементов с переменной валентностью берем соответственно разные потенциалы ионизации. Например, у титана получаем две константы одну для Ti (IV), другую для Ti (П1), у железа одну для Fe (HI), другую — для Fe (II). Для галогенов, аналогов кислорода, азота, образующих отрицательно заряженные ионы, нужно брать вместо потенциала ионизации сродство электрона к атому. [c.25]

В то же время сродство атомов галогенов к электрону от Р к уменьшается. [c.93]

Объясните характер изменения следующих свойств галогенов энергии ионизации, энергии сродства атома к электрону, стандартной энтальпии диссоциации молекул Гз, агрегатного состояния. [c.108]

Высокая окисляющая способность фтора обусловлена тем, что связь Р—Р является довольно слабой, к тому же гидратация иона Р сопровождается большим понижением ДО . Несмотря на отсутствие большой разницы в сродстве атомов галогенов к электрону (гл. 2, разд. 5), наблюдается заметное различие в проявляемой ими окисляющей способности, что объясняется неодинаковыми энергиями связей между атомами и энергиями гидратации анионов. [c.98]

Роль хлора в снижении интенсивности молекулярных положительных ионов в масс-спектрах обсуждается в гл. 9. Гораздо сложнее индентифицировать ионы, образующиеся из галогенных соединений в результате возникновения ионной пары. Ввиду большого сродства галогенов к электрону положительные (и отрицательные) ионы могут быть образованы при значениях энергии электронов ниже потенциала появления молекулярного положительного иона. В подобных случаях снижение энергии ионизирующих электронов приводит к увеличению относительной интенсивности не молекулярных, а других пиков типа (М — Вг) и т. д., а иногда особенно для хлорпроизводных пиков (М — НС1), образованных в результате возникновения ионной пары. Примеры таких реакций приведены на стр. 267. [c.295]

Изменение степени сродства атомов галогенов к валентным электронам сказывается и в реакциях вытеснения одного галогена другим. Так, фтор легко вытесняет хлор, бром и иод из их соединений с водородом или металлами хлор вытесняет только бром и иод (но не фтор), а бром в состоянии вытеснить только иод. То же обстоятельство (т. е. изменение степени сродства атомов галогенов к электронам) резко сказывается в образовании [c.185]

Среди всех органических соединений наиболее чувствительными по отношению к действию излучений являются органические галоиды (кроме фторидов). Поскольку в молекулах этих веществ связь между углеродом и галогеном более слабая, чем углерод-углеродные или углерод-водородные связи, то при облучении разрывается связь углерод — галоген с последующим возникновением органических свободных радикалов и атомов галогенов. Из-за большого сродства галогенов к электрону кроме перечисленных в начале этой главы реакций возможны и такие процессы [c.290]

Уменьшение сродства к электрону от хлора к иоду связано с увеличением радиуса атома и количества электронных слоев. Аномально низкое в ряду галогенов сродство к электрону у фтора может быть объяснено высокой электронной плотностью внешнего слоя ато- [c.248]

При бомбардировке молекул электронами наблюдается появление не только положительных, но и отрицательных ионов. Так, при бомбардировке метана электронами наблюдается появление ионов СНГ, СН , С и Н . Присоединение электронов к молекулам, радикалам или атомам обусловлено наличием у них сродства к электрону. При образовании отрицательных ионов очень часто энергия, выделяющаяся в результате присоединения электрона, превосходит энергию диссоциации молекулы. Например, для галогенов наблюдается процесс [c.78]

Но наше объяснение опровергается при обращении к другим галогенам. Сродство к электрону у брома и иода чуть меньше, чем у фтора, а у хлора оно даже немного выше (3,61 эВ). Да, это действительно так, и тем не менее хлор не активнее фтора. Мы должны иметь в виду, что нельзя объяснить уникальность свойств фтора одной лишь причиной, необходим учет всех его особенностей. Некоторые из них иллюстрирует рисунок [c.20]

Сравнивая энергии сродства галогенов к электрону, нетрудно заметить, что и в этом случае фтору соответствует несколько аномальное значение энергии сродства. Следовало бы ожидать, что сродство фтора к электрону будет максимальным, тогда как в действительности он занимает промежуточное положение между хлором и бромом [c.154]

Сродство галогенов к электрону может быть связано с энергией их диссоциации и рядом других величин с помощью циклов по Борну—Габеру пример подобного цикла приведен ниже [c.27]

Сродство к электрону известно не для всех атомов. В табл.. 1.2 приводятся значения сродства к электрону Е для атомов некоторых элементов. Максимальным сродством к электрону обладают атомы галогенов. [c.33]

Сравните галогены друг с другом, пользуясь табл. 5, где в пункте 6 приведены значения сродства галогенов к электронам, а в пункте 8 значения энергии связи атомов в молекулах галогенов, характеризующих прочность связи. Как видно, прочность связи существенно меньше сродства к электрону для всех галогенов. Прочность связи для фтора равна всего 37 ктл/моль, а для хлора 57,87 ккал/моль. Очевидно, атомам галогенов энергетически выгодно находиться в состоянии, возможно близком к состоянию иона, которого он полностью достигает, становясь свободным анионом в водном растворе. Это является основной причиной того, что в природе галогены встречаются почти исключительно в виде отрицательных ионов. [c.73]

Маскирование немонотонного хода АН образования молекул из атомов при переходе к АН образования из ионов вытекает из особенностей хода ионизационных потенциалов атомов щелочных металлов. Маскирование различий АН образования из атомов при переходе от фторидов к иодидам зависит от хода сродства электрона к атомам галогенов. [c.233]

Основную роль играют ионизационные потенциалы атомов щелочных металлов и уже во вторую очередь приходится принимать во внимание колебания в сродстве атомов галогенов к электрону. На рис. 222 сопоставлены АЯ(МХ) из ионов, переходное слагаемое, равное (/м — Ех), и величины АЯ (МХ) из атомов. Наложение энергий ионизации атомов (М -f X -> -> М" Ч- Х ) ведет к особенно большому уменьшению АЯ(МХ) из атомов по сравнению с АЯ(МХ) из ионов в случаях солей Ы и Ма. [c.237]

Дать сравнительную характеристику атомов галогенов, указав а) характер изменения первых по- генциалов ионизации б) характер изменения энергии сродства к электрону. [c.221]

В табл. 90 приведено сравнение межъядерных расстояний в молекулах галогенов и сродства электронов у молекул со сродством свободных атомов. [c.242]

Галоген Сродство атома к электрону, эв Сродство молекулы к электрону,эв [c.243]

До завершения оболочки благородных газов недостает одного электрона. Поэтому галогены обладают большим сродством к электрону (табл. 8.10) и являются сильными окислителями. Атомы галогенов, присоединяя электрон, образуют однозарядные галогенид-ионы с электронной структурой соответствующего благородного газа (ля лр ) [c.369]

В каждом периоде стоящий у его конца галоген имеет самое большое сродство к электрону потому, что результирующий заряд ядра (с учетом влияния экранирующих электронов на более низких квантовых уровнях) для галогена оказывается больще, чем для любого другого элемента того же периода. Благородные газы имеют отрицательное сродство к электрону, поскольку в каждом атоме благородного газа указанный выще процесс требует размещения дополнительного электрона на следующем более высоком незанятом квантовом уровне. Таким образом, присоединяемый электрон оказывается не только значительно дальше от ядра, чем остальные электроны, но также в полной мере испытывает экранирующее действие всех имеющихся электронов. [c.400]

СЭ положительно, если присоединение электрона — экзотермический процесс. Наиболее высоким сродством к электрону обладают атомы галогенов в последовательности С1> Р>> Вг> I. Потенциалы ионизации и сродство к электрону молекул определяют аналогично тому, как это сделано для атома. ПИ и СЭ атомов и молекул выражают, как правило, в электронвольтах. [c.39]

Полярность молекулы количественно оценивается дипольным моментом а, который является произведением длины диполя, т. е. расстояния между центрами тяжести электрических зарядов, на значение этих зарядов. В таблице 7 представлены дипольные моменты некоторых двухатомных молекул. Наблюдаемые изменения диполь-ных моментов обусловлены увеличением сродства к электрону у атомов галогенов при переходе от иода к фтору. [c.32]

Бром и иод — достаточно сильные окислители, хотя и уступают по активности фтору и хлору. Поскольку в ряду F—С1—Вг—I—At сродство к электрону уменьшается, в этом ряду снижается окислительная активность простых веществ. Так, изменение изобарного потенциала в реакциях взаимодействия галогенов с водородом [c.315]

Энергия ионизации атома водорода равна 13, 595 эВ, сродство к электрону 0,78 эВ. Сравните эти характеристики водорода с соответствующими характеристиками галогенов и щелочных металлов (см. главу 17) и обсудите целесообразность помещения водорода в VII группу (главную подгруппу) периодической системы химических элементов Д. И. Менделеева, [c.108]

Интересно сопоставить данные, приведенные в табл. 21.8, с соответствующими данными для галогенов, помещенными в табл. 21.4. Обращает на себя внимание тот факт, что энергии ионизации и сродство к электрону у галогенов, как правило, выше. Соответственно атомные радиусы галогенов меньше, а их электроотрицательности выше. Потенциалы восстановления свободных элементов до устойчивого отрицательного состояния окисления больше для галогенов, как и следовало ожидать. Энергии простых связей X—X для элементов обеих групп в каждом периоде отличаются не очень сильно. Например, энергия связи 8—5 в равна 226 кДж/моль, а энергия связи С1—С1 в С12 равна 243 кДж/моль. Интересно, что в обеих группах энергия связи X—X для первого элемента каждой группы аномально низка. Учитывая все сказанное, рассмотрим отдельно физические и химические свойства кислорода, а затем сразу всех остальных элементов группы 6А. [c.301]

Величина А х равна работе, которая должна быть затрачена для удаления электрона от иона галогена эта величина известна под названием сродства электрона к атому. Ее можно онределить измерением равновесных концентраций М, X и X, например с помощью масс-спектрометра, в струе пара соли, испускаемой накаленной вольфрамовой нитью ]24]. В четвертой стадии конденсируется пар металла Ьш — теплота сублимации металла, определяемая по изменению давления нара в зависимости от телшературы (гл. XV). На пятой стадии происходит соединение двух атомов галогена в газовой фазе с образованием, одной молекулы О — выражает энергию диссоциации молекулы (гл. X и XX). В шестой стадии газообразный галоген конденсируется, переходя в кидкое или твердое состояние Lx, — теплота испарения или сублимации на 1 г-моль. Последней стадией является соедпнение твердого металла и кристаллического (или жидкого) галогена в кристаллическую соль. представляет теплоту, выделяющуюся при этой химической реакции. Из перечисленных семи стадий складывается замкнутый круговой процесс, к которому можно применить уравпение, выведенное в гл. VI [c.495]

Влияние галогенов, когда они, вступая в метильную группу толуола, постепенно уменьшают орто-параориентацию, связывается с повышенным сродством галогенов к электрону. В этом отношении галогены прямо противоположны по характеру алкильным группам, что видно, например, из следующего сопоставления выходов метапродукта при нитровании [16] [c.118]

Значительное сродство атомов галогенов к электрону (X) приводит к тому, ЧТО ДЛЯ алкилгалогенидов, энергетически выгодно гетеролитическое расщепление В—Х-связи с образованием радикала и аниона Х [О (X) — к х > 0]. Аналогичный процесс у ал-килфторидов эндотермичен. Это различие, как будет показано, влияет на образование радикалов. [c.196]

Одинаковое строение внешнего электронного слоя обусловливает большое сходство в их химических свойствах. Химическая активность галогенов убывает при ine-реходе от фтора к иоду. Это связано с увеличением эффективного радиуса их атомов и уменьшением сродства к электрону по мере возрастания атомного номера галогена. С водородом они образуют соединения HHal, водные растворы которых — кислоты. Соли их называют — галиды. Анионы галогеноводородных кислот НС1, НВг, HI — сильные восстановители. Их активность увеличивается с ростом эффективного радиуса иона галогена, т. е. от 1 к I . [c.85]

Так, в органической химии полярография позволяет часто решить вопрос о г мс-гранс-изомерии соединений, а иногда даже оценить величину угла между двумя вицинальными связями углерод-галоген, а также сравнительно просто определить содержание ротамеров в смеси (см. гл. VI). Косвенным путем полярография дает возможность оценить СН-кислотность углеводородов вплоть до величин рКл 40, что невозможно сделать другими методами [1], найти сродство электрона к углеводородному радикалу [2]. Полярографически сравнительно просто определить передачу влияния заместителя через мостики [3] или систему сопряженных двойных связей с различным числом этих связей [4]. По величинам потенциалов окисления различных органических соединений в СНзСМ на гладком платиновом микроаноде можно оценить потенциалы ионизации этих соединений [5]. [c.5]

Элементы УНА-группы имеют групповое название галогены , иначе солеобразователи . В УНА-группу входят фтор Р, хлор С1, бром Вг, иод I и астат А1. Электронная конфигурация невозбужденных атомов галогенов — п5 пр (валентные электроны). Наличие пяти электронов на р-АО, в том числе одного неспаренного, является причиной высокого сродства галогенов к электрону (см. раздел 3.6). Присоединение электрона приводит к образованию галогенидных ионов (Р , СГ, Вг , Г и А1 ) с устойчивой 8-электронной оболочкой следующего за галогеном благородного газа. [c.320]

В случае связи углерод — галоген вследствие изменения электронного сродства элементов валентные электроны смещены по направлению к галогену ( неэквивалентность электронного участия [628]). Электроноакцепторная (электрофильная) группа участвует в большей степени в смещении электронной пары, индуцируя положительный заряд па атоме, с которым она связана. Неодинаковое распределение заряда приводит к частичной поляризации молекулы, например НдС С]. Индуцированный положительный заряд сам по себе также оказывает электропоакцепторное действие на соседние атомы, которые в свою очередь вызывают последовательно убывающее индукционное смещение электронной плотности с других связей в том же направлении (/-эффект). [c.73]

Способность хлора (вообще галогенов) замещать водородные атомы бензольного кольца подряд (вицинально) не противоречит изложенному выше механизму вхождения его на место положительно заряженного водорода. Вследствие большого сродства галогенов к электрону введенный атом хлора перетягивает электрон атома углерода на себя, благода])я чему последний приобретает положительный заряд, что индуцирует положительный заряд водородного атома при соседнем углероде. [c.26]

Вг( т = 1,4)—>-Л(/ т = 1,82). Объяснение этой закономерности можно, вероятно, найти в корреляции термической энергии активации и сродства атомов галогенов к электрону. Сродство же к электрону возрастает в противоположность энергии активации в ряду Л(3,23ст)— -Вг (3,54 еи- С1 (3,82 еи), следовательно, можно предположить, что атом галоида, имеющий большое сродство к электрону, способствует перемещению электронов от атома олова к макрокольцу параллельной молекулы через экстрациклический атом азота, что при зонном характере электропроводности выражается в уменьшении ширины запрещен, ной зоны. [c.135]

Интегральные детекторы типа эвдиометра Джанка, принцип работы которых заключается в измерении объема выходящего из колонки газа, к настоящему времени вышли из употребления, а наиболее широкое распространение получили универсальные детекторы — пламенно-ионизационный и детектор по теплопроводности (катарометр). Кроме того, существуют селективные детекторы. Например, детектор по захвату электронов используется для обнаружения соединений, в состав которых входят атомы (в частности, атомы галогенов), сродство которых к электрону выше, чем у ионизованного газа-носителя, а термоионный детектор применяется для обнаружения фосфор-органических соединений. [c.27]

Несмотря на меньшую энергию сродства к электрону у фтора, чем у хлора (см. табл. 23), фтор яиляется асе же самым сильным окислителем среди галогенов. Объясняется это следующим. Превращение газообразного хлора или фтора в отрицательно заряженные нони можно рассматриаать, как состоящее из двух стадий — диссоциации молекул на отдельные атомы [c.357]

В каждом периоде периодической таблицы наблюдается общая тенденция к возрастанию энергии ионизации с увеличением порядкового номера элемента. Сродство к электрону оказывается наибольшим у кислорода и галогенов. Атомы с устойчивыми орбитальными конфигурациями.(s , s p , s p ) имеют очень небольшое (часто отрицательное) сродство к электрону. Расстояние между ядрами двух связанных атомов называется длиной связи. Атомный радиус водорода Н равен половине длины связи в молекуле Hj- В каждом периоде периодической таблицы наблюдается в общем закономерное уменьшение атомного радиуса с ростом порядкового номера элемента. Электроотрицательность представляет собой меру притяжения атомом электронов, участвующих в образовании связи с другим атомом. При соединении атомов с си.пьно отличающейся электроотрицательностью происходит перенос электронов и возникает ионная связь атомы с приблизительно одинаковой электроотрицательностью обобществляют электроны, участвующие s сбразовашг. ковалентной связи. Между атомами типа Н и F с умеренной разностью электроотрицательностей образуется связь с частично ионным характером. [c.408]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология