Термический отжиг

Зависимость р (Г) после отжига представляет собой классическую экспоненту с показателем 1,0 0,1 для всех образцов, на которую не накладываются участки аномального из.менения р. Это свидетельствует как будто о том, что под влиянием термического отжига происходит упорядочение структуры нейтрализация акцепторны.х уровней захвата, связанных с дислокациями и вакансиями. Однако такое упорядочение обратимо по прошествии определенного времени первоначальный ход кривых р (Т) восстанавливается. Эта закономерность представляется крайне интересной, расшифровка физической сущности обнаруженного явления— задача последующих исследований. [c.197]

Зависимость коэффициента затухания от размера зерна используют для оценки качества термообработки материала. Известно, например, о контроле качества закалки и последующего термического отжига по амплитуде УЗ-волн. Уменьшение амплитуды, обусловленное превышением средним размером зерна значений 0,2...0,3 мм, служит указанием на необходимость отбраковки. [c.46]

Когда внимание исследователя сосредоточено на принципиальных сторонах явления, исследования получаются более целенаправленными, а выводы — более общими и глубокими. В частности, для упомянутого случая оказывается возможным предсказать что термический отжиг, устраняющий основную часть дефектов решетки, может уничтожить и ряд наблюдаемых аномалий. [c.7]

Целью работы является определение форм стабилизации Мп после (и, y)-реакции и изменения распределения по различным валентным формам в результате термического отжига. [c.212]

Количество нитрит-иона и кислорода определялось в опытах по растворению в воде облученных нитратов значение С (—N07) у различных нитратов колеблется от 0,01 до 3 [7]. В нитратах, как и в щелочно-галоидных кристаллах, образуются / -центры, но в данном случае картина несколько сложнее, так как центры окраски могут реагировать с ионами МОГ и Ог. Термический отжиг ведет к некоторой рекомбинации продуктов радиационного разложения нитратов [8]. [c.359]

При термическом отжиге в течение 8 недель при 300° С объемное электросопротивление пленки в течение первых двух недель [c.277]

Мы начнем эту главу с краткого введения, посвященного некоторым вопросам радиационной физики ионного кристалла. Исследования по радиационной физике и химии необходимы для развития теории реального кристалла, имеют самостоятельный интерес и важны для практики в связи с разнообразными применениями атомной энергии [1]. При изучении дефектов в ионных кристаллах используется ряд методов изменения концентрации дефектов. В дополнение к таким воздействиям, как термический отжиг, пластическая деформация, введение различных примесей, можно применять оптическое излучение, рентгеновские и гамма-лучи, потоки частиц высокой энергии и т. п. [c.163]

В работе [22] постулируется, что термический отжиг, приводящий к образованию формы Р + в растворе, идет через образование химической связи Р—С1 в кристаллах КС1. В качестве предшественников возникшего в процессе растворения иона 2 Р04 предположены четырех- и пятивалентные формы, такие, [c.171]

Авторы этих работ фиксировали наличие кнудсеновского потока в образцах ПП, не подвергнутых термическому отжигу. Заметим, что образование дисперсной структуры кристаллитов в матрице полимера может сопровождаться появлением при [c.177]

При увеличении жесткости полимера и уменьшении молекулярной подвижности увеличивается период индукции и немного уменьшается начальная скорость окисления. Предварительный отжиг приводит к рассасыванию усадочных напряжений и увеличению конформационной подвижности. Такой же результат вызывает химическая релаксация напряжений, которая происходит при окислении и разрыве вытянутых макромолекул. Термический отжиг или химическая релаксация восстанавливает запас свернутых конформаций проходных цепей макромолекул и молекулярную подвижность при этом уничтожаются различия в скоростях окисления образцов с разной степенью ориентации. [c.272]

Одним из наиболее важных требований к подвеске является создание хорошего контакта ее с окрашиваемыми деталями, обеспечивающего длительную ее работу без зачистки контактов от отложившейся при электроосаждении краски. Последнее обстоятельство весьма существенно, так как после первого же прохода через установку электроосаждения и сушильную камеру покрытие на подвеске теряет проводимость и не обеспечивает контакта с изделиями. Изделия на такой подвеске перестают прокрашиваться. Очистка подвесок от отложившегося слоя краски является к тому же трудоемкой операцией, требующей затрат ручного труда. Обычно такая очистка производится термическим отжигом покрытия с последующей- механической обработкой или обработкой его 20%-ным раствором горячей щелочи с последующей механической очисткой.- [c.35]

Перестройка структуры конденсированных углеродсодержащих материалов. Впервые этот подход был реализован Ugarte при воздействии пучка электронов на сажу полученную в результате испарения фафита в электрической дуге. Banhart с сотрудниками обнаружили взаимное преобразование частиц УЛС в алмаз и наоборот алмазных частиц в УЛС под пучком электронного микроскопа. В дальнейщем формирование полых частиц УЛС было целенаправленно осуществлено при термическом нагреве сажи в вакууме или атмосфере инертного газа. Следует отметить, что ранее полые углеродные частицы наблюдали также при профеве саж при температуре выше 2500 К. Нами был разработан метод получения макроскопических количеств УЛС, базирующийся на термическом отжиге наноразмерньгх алмазов. [c.125]

Галоидирование (в частности, хлорирование) проводят непосредственно после термического отжига, не допуская контакта образцов с воздухом. При хлорировании на поверхности углеродных твердых веществ образуются хлорфункциональные группы по следующим схемам [c.75]

Для предотвращения коррозионного растрескивания сварных соединений по месту шва наиболее распространенным методом является снятие остаточных напряжений термическим отжигом. Его рекомендуется проводить при текшературах 620-700 °С (остаточное напряжение снимается практически полностью). [c.130]

Концентрация кристаллитов карбина зависит от ионов, поступающих на подложку в процессе роста пленки, и возрастает с ее увеличением. Изменение энергии в исследуемом интервале не сказывается заметно на плотности кристаллических включении. Но с увеличением энергии ионов претерпевает весьма существенные изменения параметр а кристаллической решетки карбина от 1,03 нм при Е=30 эВ до 0,831 нм при Е=150 эВ. Аналогичные изменения параметра а наблюдаются при термическом отжиге микрокристаллов карбина, которые появляются в аморфной матрице в процессе кристаллизации при бООТ. [c.30]

Сравнение данных для кристаллов Na l и КС1 показало, что их поведение в процессах механической обработки и термического отжига подобно. В обоих случаях на начальных стадиях механической обработки наблюдается измельчение материала, а уширение линий на этой стадии блочное . Микродеформации появляются по завершении этапа измельчения, в результате механической обработки они достигают своего максимального значения ( 0,12-0,14%). Обработка образцов с 0,12 - 0,14% приводит либо к снижению величины , либо к полному устранению микродеформаций. В обоих случаях устранить микродеформации можно путем отжига образцов при определенных температурах или выдерживая образцы при комнатной температуре в течение 1 года. [c.27]

На примере кристаллов граната с лютецием было изучено влияние высокотемпературного отжига на поглощение АВ. Известно, что отжиг кристаллов уменьшает внутренние напряжения и устраняет некоторые дефекты в структуре, которые в свою очередь могут повлиять на акустические характеристики граната. Измерено затухание АВ в неотожженных образцах ИАГ состава (У д Еи с)зА15012 и в образцах после отжига. Термический отжиг 13 Заказ № 270 93 [c.193]

В 1925 г. Тейлор [40] предположил, что на поверхности катализатора имеются активные центры — специфические образования, содержащие относительно небольшое число атомов металла с аномально низким координационным числом (числом ближайших соседей). Другим фактором, влияющим на структуру поверхности катализатора, является индекс кристаллографической грани. Несмотря на значительное количество экспериментальных исследований, картина остается недостаточно ясной, особенно в отношении активных центров Тейлора и роли поверхностных дефектов. Возникающие затруднения можно проиллюстрировать несколькими примерами. Шутер и Фарнсуорт [41], исследуя реакцию обмена Нг — D2 на кристаллах никеля, очищенных в сверхвысоком вакууме (СВВ), не обнаружили различия в активности подвергнутой бомбардировке ионами поверхности до и после термического отжига. По-видимому, достаточно уверенно можно заключить, что топография поверхности этой системы не влияет на протекание реакции. Однако Ухара и др. [42] нашли, что с увеличением продолжительности отжига никеля, подвергнутого холодной обработке, каталитическая активность в отношении орто — пара-превра-щения водорода уменьшается. Расхождение между результатами указанных работ, несомненно, связано с влиянием поверхностных примесей, которому Ухара и др. не уделили достаточного внимания. [c.35]

И /г. Содержание примеси железа в образцах менее 1 10" вес.5 . Образцы предварительно тренировали 5 чао в вакууме при температуре Т = 600°С, затем 2 часа в атюсфере О2 (р = 40 тор) при той же температуре и снова в вакууме до остаточного давления 1 10 5ор. Для улучшения теплоотвода при импульсном облучении и термическом отжиге ампулы с образцами заполняли инертным газом А г или Не, р = 400 тор). Образцы облучали при Т = 77°К на ускорителе электронов типа У-12М и У -лучами Со° в ампулах из стекла СК-4Б. Спектры ЭПР регистрировали на длине волны 3,2 см в условиях, иск-лючащих насыщение сигнала. [c.49]

Нами изучались значения коэффициентов электропроводности и коэффициентов самодиффузии серебра в прессованных образцах 7-AgJ как подверженных, так и неподверженных предварительному термическому отжигу [11]. [c.323]

Графит образует довольно обширные месторождения. Хорошо сформированные кристаллы графита встречаются редко. Графит гибок, мягок, обладает слабым металлическим блеском, отличается маркостью. Природный графит часто загрязнен другими элементами (до 20 °/о), поэтому для нужд современной техники и прежде всего атомной энергетики используют искусственный графит высокой чистоты. Для производства искуственного графита используют в основном нефтяной кокс как наполнитель и каменноугольный пек как связующее. В качестве добавок к наполнителю применяют природный графит и сажу. Иногда в качестве связующего используют некоторые синтетические смолы, например фурановые или фенольные. Производство искусственного графита состоит из ряда механических операций (дробления, размола, рассева кокса по фракциям, смешения кокса со связующими, формовки заготовок) и термических отжигов при разной температуре и длительности. Графити-зация — окончательная термическая обработка, превращающая углеродный материал в графит, проводится при 3000—3100°С. [c.196]

При термическом отжиге концентрация дефектов (по Фрекнелю или Шотки) меняется экспоненциально [c.185]

Недавно были исследованы четыре кристаллические системы, включающие колшлексные ионы хлорренит [64], хлориридат, дихлор-бис-этиленди-аминкобальт (П1) [65] и кобальт (П1)-пентамин [66]. В первой из них отжиг перрената, основного продукта отдачи обратно в хлорренит — материнскую форму — изучался как функция температуры (112—186° С) и дозы облучения электронами с энергией 1,8 Мдв. Были изучены реакции термического отжига изотопов Ве и Re , причем скорости отжига были очень близкими. Это поведение находится в заметном противоречии со случаем бромата калия, где было найдено, что Вг отжигается быстрее, чем Вг [67]. Эффекты радиационного отжига для двух изотопов рения были также близкими. [c.120]

Пинкертон и Грин (Pinkerton and Green) [72] при изучении выходов Se и Se i в виде элементарного селена из облученной нейтронами двуокиси селена нашли доказательство радиационного и термического отжига в течение облучения в реакторе. Образцы, облучавшиеся один месяц в Харуэлле, давали только 0,5% Se (период полураспада 127 дней) в виде элементарного, в то время как короткое облучение лабораторным нейтронным источником (ноток 6 -10 нейтр1см - сек) давало почти 70% Se . Они также нашли доказательство термического отжига в последнем образце нагревание в течение 105 мин нри 70° С снижало выход примерно до 35%. [c.121]

В заключение можно сказать, что в газовой фазе горячее замещение и термализованные атомнорадикальные реакции по-видимому, являются процессами первостепенной важности, причем имеется мало или вообще отсутствуют доказательства протекания ионно-молекулярных реакций. К жидкой фазе применимы те же соображения сопутствующее протекание побочных реакций как источник помех принимает даже более угрожающие размеры, поскольку исследователи используют излучения реактора для осуществления реакций с горячими атомами. Для твердого состояния, конечно, больший интерес представляет роль радиационного и термического отжигов и их взаимосвязь с радиационным разложением их истинная природа почти ясна. [c.121]

Нет оснований ожидать, что в процессе полимеризации будут снова образовываться метастабильные складки или напряженные макромолекулы, и потому можно предположить, что при этом образуются проходные молекулы или длинные петли. На рис. 7.28 показано/как совершенствуется кристалл при отжиге. Для четырех олигомерных ламелей (О, Ое, К, Не), полученных в различных условиях, температура плавления с увеличением скорости нагревания может изменяться в широких пределах - от уменьшения до повышения. Уменьшение температуры плавления свидетельствует о протекании отжига при низких скоростях нагрева, а увеличение температуры плавления с увеличением скорости нагрева свидетельствует о перегреве, обусловленном проходными макромолекулами (гл. 9 т. 3). Плотность в процессе отжига уменьшается, а большой период существешо не изменяется (большой период в пределах 120 — 170 К). Это можно объяснить жшь образованием несовершенных поверхностных слоев между ламелями. Условия для более совершенной агломерации кристаллов еще не найдены. Сравнение отожженных олигомеров с отожженными образцами 5 3 (рис. 7.28) показывает, что эфирный обмен возможен даже в процессе кристаллизации или термического отжига и что для всех исходных материалов образуются примерно одинаковые по структуре меж-кристаллитные области. [c.542]

Методом дифференциального термического анализа Хибарт и Платт [ 102] установили существование двух пиков плавления у найлона-6,6. Изменение положения и размеров этих пиков в зависимости от условий отжига описано в работах [36-38]. Характер плавления найлона-6,6 в целом подобен характеру плавления найлона-6. Один пик плавления (около 258°С) оказался практически не зависящим от условий термического отжига, в то время как второй — сильно зависящим от этих условий (ср. с кривыми 1 ш 4 на рис. 9.31) Иллерс [108] наблюдал также маленький пик плавления при температуре несколько выше температуры кристаллизации (аналогичный пику 5 на рис. 9.31). Можно ожидать, что природа пиков плавления у найлона-6,6 такая же, как и у найлона-6. Однако сложности в определении плотности аморфных областей (табл. 8.6.), существование различных кристаллических структур (табл. 2.16), а также разнообразная морфология кристаллов (разд.3.7.4) осложняют отнесение пиков плавления. Плавление ряда полиамидов на основе тра с-4-октен-1,8-дикарбоновых кислот и аминов с нечетным числом атомов углерода было проанализированно Ланзетта и др. [c.263]

Для повышения жаростойкости образцы сталей и сплавов были подвергнуты термическому отжигу при температуре 1200°С, - выдержка I час + охлаждение в воду, а образцы плавок 52 и 59 (на никелевой основе) -отжигу при температуре I400° - выдержка I час + охлаждение воздухом. [c.138]

Для модификации структурных и эксплуатационных характеристик плотных мембран их подвергают обработке после формования. Так, термический отжиг, особенно при температурах выше температуры стеклования (18], можно использовать для увеличения как размера кристаллитов, так и степени кристалличности. Отжиг аморфных пленок приводит к возрастанию среднего числа межцепных перемещений. Увеличение подвижности пепи при добавлении пластификаторов или выдержке плотной мем браны в атмосфере паров растворителя может так же опособствовать кристаллизации даже при комнатной темпе ратуре. Кристалличность поликарбонатных пленок, например, увеличивают выдержкой в парах ацетона (19]. [c.233]

Изучение распределения примеси в облученном кристалле до и после термического отжига уже само по себе может дать ценные сведения о характере вхождения примесных ионов в решетку кристалла. Чаще всего химические свойства радиогенной примеси сильно отличаются от химической природы собственных ионов- Поэтому такие атомы примеси неюбразуют устойчивого раствора и в процессе нагревания в той или иной атмосфере покидают решетку кристалла. Здесь могут быть два предельных случая 1) атомы примеси диффундируют к свободной поверхности кристалла и, испаряясь с нее, поступают в газовую фазу 2) атомы примеси уходят из объема кристалла и бсажда-ются на его поверхностях. Если мы имеем дело с достаточно совершенными кристаллами, то такими поверхностями являются наружные грани кристалла. [c.140]

Особого внимания заслуживает вопрос о роли дислокаций в химической судьбе атомов отдачи. Многие сложные эффекты часто объясняются влиянием дислокаций. Однако до сих пор в этом направлении выполнена единственная работа [21], однозначно связывающая концентрацию дислокаций в кристалле перед бомбардировкой с выходом различных радиоактивных форм атомов отдачи фосфора. Авторы достаточно убедительно показали, что изменение концентрации дислокаций в кристаллах КС1 примерно на 4—5 порядков совершенно не сказывается на химическом состоянии радиофосфора в процессе протонной бомбардировки. Однако, небольшой восстановительный эффект был замечен для кристаллов Na l лишь при очень высоких концентрациях дислокаций (более 10 ° см в 1 см ). На основании этих результатов можно сделать вывод, что для тех образцов щелочно-галоидных кристаллов, с которыми обычно приходится иметь дело экспериментаторам, химическими эффектами влияния дислокаций на атомы отдачи можно пренебречь. Правда, участие дислокаций в термическом отжиге атомов отдачи остается до сих пор не исследованным. [c.171]

Термический отжиг облученных в реакторе кристаллов галогенидов щелочных металлов приводит к падению выхода фракции 3 5 , за счет чего растет выход 35504 . Рис. 52 показывает, что выход снижается после термической обработки облученных хлоридов калия, рубидия и цезия. Значение псевдоплато наиболее низкое для объемноцентрированной кубической решетки s l. Полученные кривые показывают, что процесс окисления не удовлетворяет уравнению реакции первого порядка, что следовало бы ожидать, если б он осуществлялся за счет взаимодействия атомов этой фракции с ближайшими дефектами окружения. Окисление и других предшественников этой фракции, которые могут существовать в кристалле, во фракцию 55042- протекает, возможно, через состояние вида или некие промежуточные соединения S— I. Нейтральные атомы, такие, как могут при этом занимать межузлие или вакантные анионные узлы. Обращение предшественников 3552- в предшественники S04 может обусловливаться как электронными процессами, так и диффузией атомов серы. [c.174]

Рис. 4.19. Зависимость Оц бензола /) и воды (2, 3) от составов сополимеров СКС (I) и частично омыленного поливинилацетата (2, 3) при Т<Т . Заштрихованная область соответствует стеклообразному состоянию сополимеров (влияние термического отжига)

Обобщая литературные данные, можно с достаточной степенью уверенности говорить, что изучение переноса газов и паров в кристаллических полимерах не позволило установить зависимость между степенью кристалличности и диффузионными параметрами матриц в явном виде. Для интерпретации диффузионных свойстй таких систем приходится привлекать представления о структурно-морфологических особенностях строения полимерных кристаллов, сферолитов, что не удается описать количественно. Такое положение, как нам кажется, вызвано двумя обстоятельствами. Во-первых, как уже отмечалось, больщинство работ посвящено высококристаллическим полимерам фкр>0,6. Малый объем аморфной фазы, сложная морфология, особенно в образцах, подвергнутых термическому отжигу, показывают, что в таких полимерах диффузионные свойства аморфных областей не идентичны обычному аморфному состоянию полимера и зависят от степени кристалличности образца. Во-вторых, в системах газообразные вещества — полимер доступность кристаллических образований проникновению молекул диффузанта достаточно высокая, что осложняет интерпретацию опытных данных и требует иного подхода уже на стадии обработки экспериментальных данных по кинетическим кривым проницаемости и сорбции. Значительно большей информативностью обладают органические растворители, размеры молекул которых велики, чтобы пренебречь их проникновением в кристаллиты полимерной матрицы. [c.170]

Для этих условий формирования адгезионного соединения в процессе термического отжига изменение концентрационного профиля происходит лишь в областях крайних составов. При 7 = onst не изменяются также со/ и со/. При 7 ф>215°С концентрационный профиль, возникающий в области адгезионного соединения ПВДФ с ПхММА, представляет собой плавную S-образную кривую, каждая точка которой непрерывно изменяет свою координату по мере увеличения времени отжига или дублирования. Протяженность профиля в этих условиях до- [c.258]

От концентрации электронов проводимости зависит не только термическая устойчивость адсорбированных радикалов, но и их реакционная способность. Этот вывод был сделан нами при изучении реакций радикалов-07, адсорбированных на анатазе различной степени восстановления и Т102, нанесенной на силикагель, с молекулами СО и ЗОа [17]. О реакционной способности адсорбированных частиц мы судили по увеличению скорости исчезновения их спектров ЭПР в атмосфере этих газов по сравнению со скоростьк> термического отжига в вакууме. Из приведенных на рис. 6 экспериментальных данных видно, что скорость взаимодействия адсорбированных радикалов Оа с СО на сильно восстановленной Т102, содержащей большое число электронов проводимости, выше, чем на слабо восстановленной. На Т1О2, нанесенной на силикагель, скорость гибели О2 в атмосфере СО вообще не увеличивается. Аналогичные данные были получены и для взаимодействия адсорбированных радикалов 0 с 802. [c.82]