Возбуждение локальное

Рис. 2.1. Схема образования в локальном объеме жидкости активированного комплекса и возбуждения многоатомной молекулы

ЛВ-ЛЗ (локальное возбуждение - локальное зондирование) [c.151]

ОВ-ЛЗ (общее возбуждение - локальное зондирование). [c.151]

Более подробный анализ полученных решений, условия захвата атома поверхностью, доля энергии падающей частицы, идущая на возбуждение локальных колебаний и колебаний из области собственных частот кристалла, составят предмет следующей статьи. [c.235]

Отличительная черта полос ПЗ — очень сильная зависимость их положения от полярности растворителя при увеличении полярности они испытывают большой батохромный сдвиг (см. пример с п-нитрофенолом). Этим полосы ПЗ существенно отличаются от полос локальных п—>т -переходов в ароматических кольцах (например, В и), которые очень слабо реагируют на изменение полярности растворителя. По-видимому, в случае переноса заряда полярные растворители стабилизируют молекулы в возбужденном состоянии, характеризующемся появлением эффективных зарядов, и тем самым снижают энергию возбуждения локальные же я—>-я -переходы в ароматических системах не сопровождаются появлением эффективных зарядов, вследствие чего существенного различия в действии растворителя на молекулу в основном и возбужденном состоянии нет (табл. 1.12)-Гиперхромный эффект поляризующих заместителей. Действие ЭД- и ЭА-заместителей на соединения с сопряженными двойными связями не исчерпывается сдвигом поглощения в длинноволновую область спектра (т. е. углублением цвета, если поглощение происходит в видимой части спектра). Делая я-электронную систему более подвижной, ЭД- и ЭА-заместители увеличивают вероятность электронных переходов, т. е. вероятность избирательного поглощения фотонов, переводящих молекулу из основного состояния в возбужденное. А от этого зависит интенсивность поглощения света, т. е. интенсивность [c.66]

Эффект Мессбауэра имеет непосредственное отношение к тем процессам испускания и поглощения у-лучей, в которых квантовое состояние твердого тела остается неизменным. Однако предшествующие процессы ядерного превращения или кулоновское возбуждение могут передать кинетическую энергию мессбауэровскому ядру и его окружению. Это может вызвать локальный разогрев, возбуждение локальных решеточных ветвей колебаний или даже смещение атома из его положения в решетке. [c.492]

Работоспособность плазмотрона определяется катодом, который играет важную роль в процессе плазмообразования. Основные технологические показатели, характеризующие работу катодов при плазменных процессах максимально допустимая сила тока, эрозионная стойкость, способность к возбуждению дугового разряда и поддержанию его стабильного горения. В прилегающей к катоду области происходят важнейшие физические процессы, существенно влияющие на общую характеристику сжатой дуги. Вследствие высокой температуры сжатой дуги и большой плотности тока катоды работают в очень тяжелых термических условиях. Температура поверхности катода в местах локального контакта с плазмой может достигать 2000 - 4000 К и выше. [c.61]

В рассмотренном случае частота возбуждения локального участка дендрита определяется той Н е формулой, что и частота [c.38]

В основе рассмотренного механизма перехода молекул жидкости в возбужденное состояние лежат обусловленные самопроизвольно протекающими в жидкости флуктуациями процессы локальной самоорганизации структуры жидкости типа беспорядок— порядок . В последние годы такого рода процессам, приводящим к образованию пространственного порядка в физических, химических, гидродинамических и других системах, уделяется большое внимание. Возникла новая научная дисциплина— синергетика, изучающая процессы самоорганизации в различных системах [14, 15]. Описанный механизм возбуждения молекул в жидких углеводородах и их смесях — одно из проявлений изучаемых синергетикой процессов самоорганизации. [c.28]

В точке активированного комплекса можно дифференцированно возбуждать нормальные колебания, что позволяет исследовать влияние начального возбуждения различных нормальных мод на динамику процесса. В численных экспериментах, как правило, задавалась лишь кинетическая энергия нормальных колебаний. Расчет траекторий проводился с использованием исходного потенциала, а локальное разделение полной энергии на энергии нормальных колебаний проводилось только в точке перевала ППЭ и использовалось для задания начальных условий. [c.74]

Следует заметить, что т равно произведению локального напряжения и возбужденного объема. Этот объем определяется поперечным сечением пространства, занятого частицами, и смещением этих частиц в процессе возбуждения. Необходимо, чтобы объем и энергия относились к одному и тому же процессу возбуждения. [c.78]

Электромагнитное поле в этом случае локализуется и формируется сквозным отверстием в неферромагнитном электропроводящем экране 6, одновременно являющемся корпусом, внутри которого располагаются катушки 1 и 2. Локальные электромагнитные поля можно получить, используя преобразователи с короткозамкнутым витком 7 и магнитопроводом 4 (рисунок 3.3.9, д, е которые назьшаются проводниковыми вихретоковыми преобразователями, так как поле возбуждения у них создается проводом с током [41]. [c.130]

ЛВ-03 (локальное возбуждение - общее зондирование) [c.151]

В результате диагностики физических параметров факела ИСП было установлено отсутствие локального термодинамического равновесия, а основным механизмом возбуждения в ИСП является электронный удар. За счет высоких п,-. и энергий электронов степень ионизации введенных в ИСП веществ также высока. Большое значение в процессах ионизации и образования воз- [c.71]

Возбуждение частиц в пламени, распределение Больцмана. Как показано в уравнении (3), интенсивность излучения атомов или молекул зависит от числа свободных атомов или молекул Мт- Так как методом эмиссионной фотометрии пламени определяют элементы в зоне пламени, где достигается равномерное распределение энергии по отдельным степеням свободы, т. е. имеет место локальное термическое равновесие (ЛТР), то количество атомов (молекул), находящихся в состоянии с энергией Е, может быть рассчитано в этом случае по формуле Больцмана [c.13]

Удельный вес реакций возбужденных молекул, ионов и радикалов друг с другом, с одной стороны, и с молекулами, с другой стороны, зависит от характера излучения. Например, при прохождении 7-лучей через вещество возникновение первичных продуктов (активных частиц) происходит равномерно по всему объему облучаемого вещества, поэтому преобладают реакции взаимодействия первичных продуктов с молекулами. При облучении а-частицами ионы и радикалы образуются в треке каждой частицы, их локальная концентрация высока, а следовательно, и их взаимодействие протекает с высокой скоростью. [c.209]

Перспективная система ультразвукового контроля будущего возможно будет основана на сочетании методов когерентной обработки сигналов, например акустической голографии, с лазерным способом излучения и приема импульсов. Этот способ обеспечит возбуждение и прием волн в локальной области, что соответствует требованию акустической голографии о широкой [c.271]

Картина магнитного расщепления по спектрам Мессбауэра часто оказывается довольно сложной, поскольку она определяется двумя значениями магнитных моментов ядер — в основном и возбужденном состояниях — и двумя различными значениями локальных магнитных полей для ядер излучателя и поглотителя. [c.344]

Возникновение парамагнитных свойств в веществах с развитой системой сопряженных связей обусловлено, по-видимому, низкой энергией возбуждения электронов и большой вероятностью локального распаривания электронов. [c.410]

При освещении атом активатора, поглощая квант, возбуждается, а при его дезактивации происходит люминесценция. Время существования центра свечения в возбужденном состоянии индивидуально для каждого центра. Затухание люминесценции обычно подчиняется экспоненциальному закону в течение первого периода, длящегося 10 10 1 сек, после чего наблюдается весьма длительное слабое послесвечение, называемое рекомбинационным. В это время электроны, оторванные от центра свечения, некоторое время остаются свободными, а большую часть времени проводят на локальных уровнях, созданных в кристалле различными дефектами. [c.365]

Наилучшими источниками коротких мощных импульсов света являются лазеры. В настоящее время разработано и выпускается промышленностью большое количество импульсных лазеров различных типов. Лазеры, работающие в режиме модулированной добротности, дают импульсы длительностью 10 —10 с, а ]В режиме синхронизации мод — до 10 2 с (см. таблицу). Возможность использования умножения частот ((при прохождении лазерного импульса через некоторые сильно поляризующиеся кристаллы возникает излучение с частотой 2v, Зv или 4v) и лазеров на красителях позволяет получать лазерные импульсы любой необходимой длины волны в диапазоне 250—1300 нм. К недостаткам лазеров следует отнести то, что в результате большой мощности импульсов в образцах могут возникать специфические лазерные эффекты (эффекты, связанные с большой локальной концентрацией возбужденных молекул и их взаимодействием между собой и нелинейные эффекты), и кроме того, в фотохимически активных системах происходит быстрый фотолиз вещества. Характеристики некоторых импульсных лазеров приведены в таблице на с. 209. [c.210]

Выяснив электрические свойства клетки в состоянии покоя, рассмотрим процессы, связанные с возбуждением мембраны. Состояние возбуждения можно определить как временное отклонение мембранного потенциала от потенциала покоя, вызванное внешним стимулом. Этот электрический или химический стимул возбуждает мембрану, изменяя ее ионную проводимость, т. е. сопротивление в контуре снижается (рис. 5.4). Возбуждение распространяется от стимулированного участка к близлежащим областям мембраны, в которых наблюдается изменение проводимости, а следовательно, и потенциала. Такое распространение (генерация) возбуждения называется импульсом. Различаются два типа импульсов потенциал действия, когда сигнал распространяется неизмененным от участка возбуждения к нервному окончанию, и локальный потенциал,. быстро уменьшающийся по мере удаления от участка возбуждения. Локальные потенциалы обнаружены в синапсах воз-буждающие постсинаптические потенциалы (е. р. з. р.) и ингибиторные постсинаптические потенциалы ( . р.з.р.)) и в сенсорных нервных окончаниях рецепторные или генераторные потенциалы). Локальные потенциалы могут суммироваться, т. е. они могут увеличиваться при последующих возбуждениях, тогда как потенциалы действия не обладают такой способностью-и возникают по принципу все или ничего . [c.115]

Появились примеры измерений узких линий поглощения, соответствующих возбуждению локальных колебаний, в ионных кристаллах. В работе [150] с помощью перестраиваемого полупроводникового лазера РЬо.ввЗподДе измерена при различных температурах линия поглощения внутримолекулярным колебанием V3 в области 10,8 мкм молекулярного иона Ве04 в кристалле KJ. При Г С 20 К линия уширена неоднородно ее форма — гауссова, ширина по полувысоте не зависит от температуры (и составляет 0,016 см-1). Дрд г > 30 К уширение однородное, форма линии лорентцева. [c.204]

Отличительная черта полос ПЗ — очень сильная зависимость их положения от полярности растворителя при увеличении полярности они испытывают большой батохромный сдвиг (см. пример с /г-нитрофено-лом). Этим полосы ПЗ существеино отличаются от полос локальных л—>-я -переходов в ароматических кольцах (например, В1и), которые очень слабо реагируют на изменение полярности растворителя. По-видимому, в случае переноса заряда полярные растворители стабилизуют молекулы в возбужденном состоянии, характеризующемся появлением эффективных зарядов, и тем самым снижают энергию возбуждения локальные же п—>-я -переходы в ароматических системах не сопровождаются появлением эффективных зарядов, вследствие чего существенного различия в действии растворителя на молекулу в основном и возбужденном состоянии нет. Это видно, в частности, на примере полос ПЗ о и В1и -нитроанилина [c.57]

Положительные ионы и электроны образуются в шпоре — локальном следе у-кванта диаметром л 10 нм и существуют там при- рио 10-4 с, а затем рекомбинируют с образованием возбужден- х молекул. При поглощении 60—100 эВ концентрация активных астей в шпоре может быть значительной — до 0,07 моль/л, а их адиационнохимический выход равен 5 молекул на 100 эВ. По-Кольку энергия уквантов позволяет осуществлять и реакции гид- [c.71]

Локальный метод вынужденных колебаний чаще всего применяют для измерения толщины объектов при одностороннем доступе, например тонкостенных труб и оболочек. Применению эхометода в этом случае мешает мертвая зона. Приборы для реализации этого метода называют резонансными толщиномерами. Они основаны на возбуждении в стенке по толщине ОК ультразвуковых колебаний и определении частот, на которых возникают резонансы этих колебаний. В простейшем случае, представляя стенку ОК как пластину, поверхности которой с обеих сторон свободны, условие возбуждения упругих резонансов записывают в виде [c.166]

Последняя гипотеза была затем проверена Годовским и др. [31]. Волокна ПА-6, вытянутые до значения Х = 5,5 при 210°С, неоднократно растягивали при комнатной температуре. Эти авторы выявили для ПА-б такие же характерные различия между первым и последующими циклами нагружения, какие обнаружил Мюллер в отношении ПИБ приращение 6I7, по существу, отличалось от нуля лишь в первом цикле нагружения. Они получили, что отношение 8Wi/6Ui не зависит от макроскопического напряжения и равно 7,0. Такое постоянство значения 8W[ 8Ui вызывает удивление. Оно указывает, что процессы, обусловливающие увеличение внутренней энергии, не зависят от а, если происходит локальное превышение критического возбуждения цепей. Годовский и др. предполагают, что данные процессы представлены разрывами цепей. С учетом bUi они получили число Ni разрывов цепей, каждый из которых вносит вклад в приращение внутренней энергии, равный l,7 10- Дж (100 кДж/моль). За один акт разрыва цепи 8WilN рассеивается энергия 700 кДж/моль. Эти значения лишь немного меньше значений энергии, полученных ранее с учетом упругости цепи для вклада механической энергии в разрыв цепи (110 кДж/моль) и для энергии, рассеиваемой втягиваемыми в ламеллы сегментами (870 кДж/моль). Однако данное поразительное совпадение не доказывает предыдущую гипотезу о том, что приращение 8Ui можно объяснить только путем увеличения энергии химической связи из-за разрыва цепи. [c.260]

Эти критерии описывают распределение локальных возбуждений и деформаций сегментов цепей. Критерий разности напряжений [86, 139] неявно имеет отношение к двум механизмам кавитации в поле растягивающих напряжений и стабилизации каверн в расходящемся поле напряжений. Эти механизмы более точно учтены Ховардом и др. [137] с помощью математической модели расширения полости в твердом пластике, а также Аргоном [152] и Каушем [11] с помощью молекулярных моделей. [c.367]

Ядра изолированы от окружающей их решетки электронными оболочками и не могут отдать избыточную энергию путем соударений. Вероятность спонтанного (самопроизвольного) излучения в радиоволновом диапазоне ничтожно мала (например, время жизни протона в возбужденном состоянии равно лет). Существует, однако, безызлучательный путь отдачи энергии ядрами, называемый релаксацией. Дело в том, что в каждом образце, содержащем магнитные ядра, возникают слабые флуктуирующие (хаотически меняющиеся) локальные магнитные поля, обусловленные межмолекулярными и внутримолекулярными движениями. Эти магнитные поля содержат весь спектр колебаний, в том числе и тех, которые совпадают с частотой ларморовой прецессии магнитных ядер данного изотопа. Соответствующая компонента этого локального поля может вызвать переход того или иного прецессирующего ядра с верхнего уровня на нижний путем резонансного взаимодействия с ним. Энергия этого перехода передается элементам решетки в виде дополнительной поступательной, вращательной или колебательной энергии, т. е. превращается в тепловую энергию образца. Такой процесс охлаждения ядерных спинов называется спин-решеточной релаксацией. Он будет происходить довольно часто, поскольку, как показывает расчет, вероятность вынужденного излучения или ядерного магнитного резонанса велика (в противоположность спонтанному излучению). Система возбужденных ядер получает возмож- [c.22]

При оптимизации условий возбуждения спектров тех или иных эле.мсшии необходимо уметь измерять температуру плазмы используемого источника света. В случае электрической дуги, горящей при атмосферном давлении, между частицами плазмы устанавливается локальное термодинамическое равновесие (температуры атомов и свободных электронов одинаковы), и засе-ленноб Гь энергетических уровней атомов определяется формулой Больцмана] [c.130]

Применительно к металлам метод используют для высокоточного измерения толщины изделий, в частности труб. При этом трубу помещают в локальную иммерсионную ванну. Согласно одному из способов, получившему название метода предеф, колебания возбуждают импульсом. После окончания возбуждения стенка изделия продолжает колебаться свободно на частоте, соответствующей полуволновой толщине к= к/2. По частоте свободных колебаний измеряют толщину. Для этого используют описанный ранее прием измерения интервала времени соответствующего определенному числу N периодов свободных колебаний. Тогда Н=с1/ 2Ы). [c.165]

УФ - спектр хорошо согласуется с этой формулой длинноволновая по-(VaK 272 нм), характеризу.ю-высоким молярным коэффициентом погашения е= 1,46-148/0,01 = = 21 600, является типичной К -поло-сой и соответствует присутствию длинной цепи сопряжения кратных связей полоса при 220 нм (е = 0,94-148/0,01 = = 13 900) соответствует локальному возбуждению бензольного хромофора. [c.222]

У молекулы Ь1ВН4 (рис. 1.3) энергия конфигурации Ь лишь ненамного (на 15,9 кДж/моль) менее выгодна, чем конфигурации конфигурация т невыгодна (ее энергия выше / на 99 кДж/моль). Поэтому равновесная смесь изомеров состоит в основном из конфигураций ( н Ь. Вдобавок энергетический барьер на пути (—Ь—I мал ( 17 кДж/моль). Поэтому при малых возбуждениях ион Ь1+ смещается в пределах одной грани диапазон смещений 0,1 — 0,15 нм, но конфигурация I сохраняется. При больших возбуждениях начинается миграция Ы+ по маршруту I—Ь—I (с одной грани тетраэдра ВН4- на другую через середину ребра). Молекула становится глобально нежесткой различные конфигурации, которые она принимает, отвечают разным локальным минимумам энергии. [c.42]

Различные физические методы анализа по существу представляют собой микроаналитические методы. К ним относятся особенно эмиссионный спектральный анализ (спектрография) и рентгеноспектроскопия. Эти методы играют ведущую роль в современном микроанализе. В табл. 8.19 приведены важнейшие микрохимические методы анализа. Элементный анализ можно проводить как химическими, так и физическими методами. Особое место среди методов микроанализа занимает спектрография, так как этим методом можно проводить анализ жидких и твердых веществ. При правильном выборе источника возбуждения можно провести анализ чрезвычайно малых участков поверхности [68, 72]. Из полученных данных можно сделать вывод о степени гомогенности данного материала и о распределении отдельных элементов ( локальный анализ ). Структурный анализ микропроб проводят методами ИК-, УФ- и масс-спектрометрии. При анализе смесей веществ необходимо их предварительно разделить. При этом широко применяют сочетание методов газовой хроматографии с ИК- или масс-спектроско-пией [61]. Микроанализ газохроматографических фракций можно проводит [c.422]

Если вводить в кристаллическую решетку германия (кремния) атом галлия или другого элемента 11IA подгруппы, то у атома замещающей примеси не хватит одного электрона для осуществления четырех нормальных связей с соседними атомами германия. Одна из связей будет незаполненной (одноэлектронной), но атом галлия и смежный с ним атом германия будут электронейтральными. Однако при небольшом возбуждении электрон из какой-либо нормальной соседней связи между атомами германия может перейти в место незаполненной связи. Тогда у атома галлия появится отрицательный заряд, а где-то вблизи возникнет дырка (рис. 74). Таким легированием германия (кремния) элементами IIIA подгруппы можно повышать концентрацию дырок, которые станут основными носителями подвижных зарядов, а электроны — неосновными. Так как энергия возникновения дырки вблизи акцепторной примеси Д а тоже порядка сотых долей электрон-вольта, то появление галлия в решетке германия как примеси замещения, по-видимому, приводит к появлению локального уровня Ец вблизи верхнего края валентной зоны (рис. 74,6). Уже при невысокой температуре электроны из валентной зоны переходят на этот акцепторный уровень оставляя дырку в валентной зоне. Полупроводники с избытком дырок (с акцепторными примесями) называются дырочными или р-типа полупроводниками (от лат. positive — положительный). [c.240]

При внутреннем фотоэффекте первичным процессом является поглощение фотона с энергией, достаточной для возбуждения электрона в зону проводимости или на локальнью уровни, расположенные в запрещенной зоне полупроводника (см. гл. V). Если оптическое возбуждение электронов происходит из валентной зоны в зону проводимости, то наблюдается собст-венная фотопроводимость, которую 11111 [c.425]

Настоящая работа (№ государственной регистрации 01.20.00 00161) направлена на решение фундаментальной проблемы протекания в твердых телах особого типа бимолекулярных химических реакций, не сопровождающихся массопереносом - реакций с участием квазичастиц, создаваемых внешними воздействиями. Новизна подхода заключается в изучении прежде всего особенностей химических механизмов деградации электронных возбуждений в ионно-молекулярных кристаллах. Автолокализация в ионных кристаллах, таких как ЩГК, процесс по сути физический, т.к. взаимодействие квазичастиц с решеточными фононами приводит, как правило, только к изменениям межъядерных расстояний. Аналогичный процесс в ионно-молекулярных кристаллах (ИМК) происходит при участии как решеточных, так и локальных, внутренних колебаний, что зачастую приводит к разрыву или перераспределению химических связей внутри сложных ионов с образованием различного рода новых частиц-изомеров, комплексов с переносом заряда, соединений с необычной степенью окисления. [c.97]

Направление, в котором происходит электронный переход, зависит от природы заместителя. Напрнмер, в спектре N,N-днмeтилa-нилина при 296 нм наблюдается полоса локального возбуждения феннльного хромофора, которая немного смещена и имеет несколько большую интенсивность по сравнению с соответствующей полосой самого бензола. Прн 250 нм имеется полоса электронного перехода, в то время как третий максимум (200 нм) соответствует второму локальному возбуждению феннльного хромофора, эквивалентному полосе 200 нм в спектре бензола. [c.100]