Кристаллизация образование гомогенное

Дендритный рост. При высоких значениях пересыщения, когда рост кристаллов ограничен диффузией, превалирует дендритный тип роста. Он заключается в образовании неправильных или ветвистых агрегатов, напоминающих снежинки. В случае ионных осадков происходит диффузия сольватированных ионов к поверх-ностл растущего кристалла, осаждение этих ионов и высвобождение молекул растворителя с последующей диффузией растворителя в сторону от поверхности растущего кристалла. На ребрах, а особенно — Б вершинах, блокирующее влияние высвобожденного растворителя не так велико, поэтому в таких точках создаются наиболее благоприятные условия роста. Этот процесс назван механизмом затора в движении [47]. Важный аспект дендритного роста состоит в том, что образующиеся при этом кристаллы легко дробятся [48], и в результате возникает так называемое вторичное образование центров кристаллизации. Таким образом число частиц, образующихся при осаждении, может значительно превышать число центров кристаллизации, даже в отсутствие гомогенной кристаллизации. При искусственном стимулировании выпадения метеорологических осадков каждый центр кристаллизации, образованный йодидом серебра, может привести к возникновению тысяч капель дождя за счет дробления дендритных кристаллов льда. Нильсен [15] показал, что получение более мелких частиц при перемешивании в период роста кристаллов, по-видимому, опять-таки связано с дроблением дендритных кристаллов на ранних стадиях осаждения. Ультразвуковая вибрация при осаждении тоже приводит к уменьшению размера частиц. Уолтон [49] считает, что фрагментация дендритных кристаллов может иногда быть альтернативной формой начала гомогенного образования центров кристаллизации. [c.170]

Следует отметить, что гомогенное зародышеобразование практически невозможно наблюдать в чистом виде. В жидкости всегда имеются посторонние частицы, приводящие к гетерогенному механизму образования центров кристаллизации. [c.221]

Для соединений низшей степени окисления d-металлов характерна значительная широта области гомогенности они сохраняют кристаллическую структуру при значительных колебаниях количественного состава. При наличии кислородных вакансий оксид титана ТЮ обладает металлической проводимостью. Эти свойства особенно часто проявляют соединения -металлов с элементами-окислителями с относительно небольшой электроотрицательностью (S, N, С, Si, В). Их назьшают металлообразными соединениями. Они обладают значительной широтой области гомогенности, проводят электрический ток и многие из них переходят в состояние сверхпроводимости. Металлообразные соединения растворяются в металлах, образуя главным образом жидкие растворы, распадающиеся в процессе кристаллизации. Образование таких соединений особенно характерно для -металлов, в которых электроны подуровня d принимают участие в образовании химических связей в первую очередь. [c.332]

Часто образование зародышей кристаллов и кристаллизацию задерживают гомогенные примеси, К замедлению кристаллизации может, в частности, привести смазка для шлифов, увлеченная с веществом или раствором, поэтому смазку на шлифы следует наносить очень тонким слоем, а в некоторых случаях шлифы лучше вообще ие смазывать. [c.58]

Кроме того, установлено сушественное снижение концентрации парамагнитного азота в кристаллах в случае присутствия в шихте для их синтеза примеси Т1 или 2г. Из характера кривых, приведенных на рис. 149—150, следует, что степень влияния, например, Т1 зависит от способа его введения в шихту. Минимальная концентрация парамагнитного азота в алмазах, как видно из рис. 152, достигается при использовании для синтеза сплава N1—Мп—Т1, причем эффект влияния возрастает с введением в шихту дополнительного источника азота в виде VN (см. рис. 149, кривая 3, рис. 150, кривые ) и 5). Следует отметить и тот факт, что независимо от способа введения влияние и 2г заметно при их массовом содержании в шихте от 0,1 до 1,2%. Обнаруженные зависимости трудно объяснить связыванием азота в среде кристаллизации путем образования нитридов титана или циркония, так как в этом случае эффективный диапазон концентраций Т1 и 2г должен зависеть от способа введения в шихту, а максимальное влияние Т1 и 2г должно проявляться при их введении в элементарном виде, а не в сплавах с компонентами шихты. Один из главных механизмов влияния добавок и 2г в среду кристаллизации на содержание азота в алмазах заключается, по-видимому, в значительном снижении растворимости азота в системе N1— Мп—И—С по сравнению с N1—Мп—С. При этом меньшая эффективность введения в шихту в элементарном виде объясняется тем, что определенная часть азота успевает раствориться в расплаве до образования гомогенной жидкости N 1—Мп—Т . Значительно меньшее влияние Т1 при увеличении его массового содержания в шихте (начиная с 1%) на растворимость азота в расплаве переходных металлов можно объяснить отрицательным и асимметричным отклонениями системы N1—Мп от законов совершенных растворов, что достоверно установлено, например, для случая растворения в ней углерода. [c.408]

Реакция протекает быстро с выделением водяного пара и аммиака и образованием гомогенного расплава. После охлаждения кристаллическую массу измельчают, растворяют приблизительно в 100 мл горячей воды и оставляют для кристаллизации. Кристаллы фильтруют и сушат. Еш е некоторое количество кристаллов несколько меньшей степени чистоты можно получить упариванием фильтрата. Выход зависит только от числа порций кристаллов, извлеченных из фильтрата, и может быть почти количественным. [c.27]

Общим для процессов азеотропной и экстрактивной ректификации является проведение процесса в присутствии разделяющих агентов, изменяющих относительную летучесть компонентов заданной смеси в желательном направлении. Различие заключается в технологическом оформлении этих процессов и условиях регенерации разделяющих агентов. В процессах экстрактивной ректификации регенерация разделяющих агентов может быть осуществлена с помощью обычной ректификации, поскольку они не образуют азеотропов с компонентами заданной смеси. В процессах же азеотропной ректификации в случае образования гомогенных азеотропов для их разделения приходится использовать иные методы (экстракцию, кристаллизацию и т.д.). Наиболее просто осуществляется регенерация разделяющего агента при образовании им с отгоняемыми компонентами заданной смеси, гетероазеотропов, или азеотропов, разделяющихся на две жидкие фазы после охлаждения. [c.558]

Разложение фосфатов без кристаллизации твердой фазы. Скорость разложения фосфата фосфорной кислотой с образованием гомогенного раствора монокальцийфосфата в избытке кислоты определяется законами диффузии. Она пропорциональна концентрации ионов водорода, величине реагирующей поверхности, интенсивности перемешивания и т. д. По мере нейтрализации свободной кислоты и накопления в растворе ионов кальция вплоть до образования насыщенного раствора скорость процесса уменьшается. Однако вследствие значительного избытка кислоты и абсолютной малой степени ее нейтрализации (табл. 26), скорость разложения фосфата достаточно велика даже при использовании кислоты относительно небольшой концентрации. [c.91]

Следует заметить, что проследить за появлением признаков кристаллизации сравнительно легко, так как обе фазы подвижны и полное расслоение с образованием прозрачных слоев достигается сравнительно быстро. Нагревание и охлаждение приводят к образованию гомогенного раствора и новому расслоению в полном соответствии с законами фазового равновесия при распаде на аморфные фазы. [c.183]

Установлено, что в процессе проявления раствором, содержащим азотнокислое серебро, первоначально образующееся ртутное изображение растворяется, и из раствора осаждается эквивалентное количество кристаллов серебра, которые служат в последующем центрами кристаллизации [36]. Скорость осаждения зависит от величины pH раствора и регулируется только в области низких значений pH при высоких значениях осаждение происходит очень интенсивно и приводит к образованию гомогенного серебряного покрытия (зеркало). [c.230]

Кристаллизация полимера в форме крошки не вредит процессу получения гомогенного расплава при последующем плавлении крошки, даже помогает этому. Дело в том, что аморфный полимер, размягчаясь в точке стеклования, образует слипшиеся агломераты из крошки, затрудняющие равномерное плавление продукта во всем объеме плавильного котла. Плавление же закристаллизованной крошки осуществляют в достаточно узком температурном интервале, что облегчает образование гомогенного [c.532]

Распределение примеси в твердой фазе определяется соотношением скоростей кристаллизации и диффузии. При быстрой кристаллизации, когда скорость диффузии в твердой фазе меньше скорости кристаллизации, может происходить образование гомогенных твердых растворов или могут возникать, промежуточные ступени между состоянием частичного равновесия и образованием гомогенных растворов. Вследствие недостаточно быстрой скорости диффузии в твердой фазе кривая плавления гомогенных твердых растворов имеет большую изотермическую площадку и не может быть использована для определения примеси. [c.140]

Все перечисленные выше факты свидетельствуют о большом влиянии способа подготовки образца на ход кривой плавления смеси, образующей твердые растворы. Чтобы предотвратить образование гомогенных твердых растворов и захват маточного раствора кристаллизующейся твердой фазой, Смит [171] рекомендует поддерживать скорость кристаллизации не более 1 мм/ч в системах без эффективного перемешивания. [c.140]

Процесс кристаллизации, приводящий к образованию сферолитов, делится на две стадии возникновение зародыщей и их рост. При кристаллизации полимеров возможно образование гомогенных и гетерогенных зародышей Гомогенные зародыши возникают [c.68]

Плавиковая кислота из мерника поступает в реактор и промешивается с остатком суспензии от предыдущей операции до образования гомогенного раствора. Обнаружить в такой жидкости взвешенные кристаллы не удается даже под микроскопом. Кристаллы фторида алюминия, остающиеся на дне реактора после каждой операции, в литературе [4, 6] обычно называются затравкой для следующей операции. Однако онисанные выше многократные наблюдения растворения остатка кристаллов до начала видимой последующей кристаллизации не согласуются с общепринятым представлением о процессе кристаллизации с затравкой . [c.140]

Конденсационный путь образования дисперсных систем связан с выделением новой фазы из гомогенной системы, находящейся в ме-тастабильном состоянии, например,кристаллизация из пересыщенного раствора, конденсация пересыщенного пара и т. п. Этот процесс протекает в том случае, если химический потенциал вещества в новой (стабильной) фазе меньше, чем в старой, метастабильной. Однако этот выгодный в конечном счете процесс проходит через стадию, требующую затраты работы, - стадию образования зародышей новой фазы, отделенных от старой фазы поверхностью раздела. Условия для возникновения зародышей новой фазы возникают в метастабильной системе в местах, где образуются местные пересыщения - флуктуации плотности (концентрации) достаточной величины. Радиус равновесного зародыша новой фазы связан со степенью пересыщения. [c.39]

Для получения стекло кристаллического, покрытия пригодны стеклообразные системы с выраженными областями расслаивания, причем одна фаза, получающаяся в результате расслоения, легко кристаллизуется, другая же остается стекловидной [265]. Чтобы подавить влияние обычного расстекловывания, которое происходит в зонах с низкой энергией образования центров, пользуются методом направленной кристаллизации. Максимальная прочность, химическая устойчивость, надежность свойств обусловливаются идеальной структурой — тонкозернистой, однородной, без полостей [265]. Однако при эмалировании довольно трудно достичь однородной структуры стекла [280]. Глина и другие мельничные добавки за непродолжительное время обжига не успевают раствориться во фритте с образованием гомогенного стекла. [c.267]

В некоторых случаях при значительных концентрационных переохлаждениях в расплаве перед движущимся фронтом кристаллизации наблюдается гомогенное зарождение кристаллов [71]. Это приводит к образованию мелких равноосных кристаллов в зоне концентрационного переохлаждения вблизи поверхности раздела (рис. 1Х-11), что также понижает эффективность разделения. [c.235]

Несколько иная картина имеет место при кристаллизации расплавов, в составе которых содержится больше компонента А по сравнению с составом е твердого раствора, равновесного с эвтектическим расплавом. Так, при охлаждении расплава Ь" его кристаллизация начинается в точке Ь, при этом, как и прежде, происходит выделение твердого раствора и обогащение расплава компонентом В. Это, однако продолжается до точки а, где последние следы расплава равновесны с твердым раствором состава Ь, совпадающего с составом Ь" исходной системы. Иначе говоря, в этом случае окончательный результат кристаллизации — образование одной фазы твердого раствора состава Ь. Этот состав не изменяется при дальнейшем охлаждении, т. е. движении фигуративной точки по вертикальной прямой bf через область а гомогенных твердых растворов В и А. Однако в точке / твердый раствор может находиться в равновесии с раствором/. Дальнейшее понижение температуры, соответствующее, например, перемещению фигуративной системы в точку к, должно быть связано с образованием двух фаз — твердых растворов к и к". [c.323]

В последнее время развивается специальная группа приемов осаждения — гомогенное осаждение, или, правильнее, метод возникаюш их реактивов. Принцип этого метода заключается в том, что осадитель вводится в скрытой форме , чаще всего в виде органического соединения, которое медленно распадается в растворе. Таким образом, ионы осадителя медленно образуются и равномерно распределяются во всем объеме раствора. Концентрация этих ионов во время формирования осадка мала, механическое перемешивание отсутствует, поэтому скорость образования центров кристаллизации уменьшается. Эти условия способствуют росту отдельных кристаллов. В то же время уменьшается влияние внутренней адсорбции, и осадок захватывает меньше примесей. Методу возникающих реактивов посвящено много статей и монографий . [c.80]

ГОМОГЕННОЕ ОБРАЗОВАНИЕ ЦЕНТРОВ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ [c.219]

Так как возникновение -поверхности раздела фаз сопровождается затратой энергии, то для образования зародыша кристаллизации необходимо преодоление определенного энергетического барьера. Местное увеличение свободной энергии, обусловливающее возможность образования областей новой фазы, может происходить вследствие появления в гомогенной системе флуктуаций, т. е. сгустков с иным значением свойств и степени упорядочения в результате непрерывного движения ионов или молекул жидкости. [c.220]

Задание. Определить индукционный период кристаллизации сопоставить значения к для двух температур кристаллизации, различающихся на 1° наблюдается ли такое изменение констайты скорости при кристаллизации низкомолекулярных веществ Описать морфологию образующихся структур, приняв механизм образования зародышей кристаллизации а) гомогенный, б) гетерогенный. [c.198]

Если в процессе образования осадка (при логарифмическом характере распределения) в любой момент времени между поверхностным слоем кристалла и раствором будет успевать устанавливаться истинное равновесие и выпавшая твердая фаза не будет успевать перекристаллизовываться, то коэффициент кристаллизации 1 примет свое максимальное значение, равное О — коэффициенту кристаллизации при гомогенном распределении микрокомпонента в твердой фазе. Коэффициент кристаллизации % в этом случае та1кже является физико-химической константой, характеризующей данную систему. [c.265]

Таким образом, результаты исследования композиций на основе термодинамически несовместимых кристаллизующихся полимеров согласуются с представлением о том, что при определенном режиме термообработки в системе возможно образование размытых межфазных областей, в которых наряду с явлением пластификации полимерного наполнителя (полиэтилен) полимерным связующим (олигоэфир) наблюдается ограничение подвижности макромолекул связующего при его кристаллизации на поверхности раздела с полимерным наполнителем. Крижевский [396 проследил, как происходит диффузия на границе раздела ПЭ—ПП при разных температурах, и в качественной форме установил влияние компонентов на их кристаллизацию. Он предположил, что, когда оба компонента кристаллизуются, диффузия на границе раздела зависит от надмолекулярной структуры компонентов. При этом допускается существование критической концентрации каждого компонента в другом, при которой возможно образование гомогенной смеси в расплаве выше этих концентраций промежуточный слой существует и в расплаве. Охлаждение расплава и кристаллизация компонентов ведет к расслоению и возникновению независимых надмолекулярных структур. При этом концентрация компонентов в промежу- [c.239]

Настоящая книга посвящена теоретическому и экспериментальному исследованию кинетики начальной стадии образования зародышей в объемных образцах расплавов и растворов веществ, обладающих большой линейной скоростью роста спонтанно возникающих центров твердой фазы. К таким веществам относится большинство элементарных, бинарных и тройных соединений полупроводников и диэлектриков, которые в виде крупных монокристаллов выращиваются не только в лабораториях, но и в широких промышленных масштабах. Процесс образования центров кристаллизации в расплавах указанных веществ обычно разделяется на два этапа индукционный период метастабидьного переохлажденного состояния до возникновения первого центра кристаллизации и период динамической нуклеации, протекающий с большой скоростью в присутствии уже возникшей твердой фазы. Анализ результатов исследования второй стадии значительно затрудняется так как возрастает число факторов и побочных явлений, изме няющих кинетику процесса кристаллизации. Изучение же кинетики начальной стадии требует развития и использования статистических методов исследования и обработки экспериментальных данных, поскольку образование центров кристаллизации, как гомогенное, так и гетерогенное, является случайным процессом во времени и в пространстве. [c.4]

Таким образом, полученные данные показывают, что применимость закона Хлопина или логарифмической формулы Дернера и Госкинса к распределению микрокомпоиента между твердой и жидкой фазами определяется условиями кристаллизации. Детальное изучение влияния условий кристаллизации солей на характер распределения микро-компопепта между твердой и жидкой фазами привело к пониманию этого процесса. Прежде всего следует отметить, что в механизме образования смешанных кристаллов принципиальное значение имеют условия их роста, т. е. происходит ли он из насыщенных или пересыщенных растворов. В случае роста кристаллов из насыщенных растворов возникают неоднородные субмикроны, которые затем образуют кристаллы. Поэтому в таких условиях трудно представить себе образование гомогенных кристаллов, и распределение отвечает логарифмической формуле. Риль и Кэдинг показали, что при медленном испарении насыщенных растворов галогенидов бария, содержащих радий, К остается строго постоянной, а О при этом растет. Следовательно, нри [c.224]

Брек и Фланиген [461] считают, что образование гомогенного геля и его кристаллизация протекают следующим образом [c.29]

Как уже отмечалось, со, времен Р. Бойля образование трудно растворимых соединений широко используется как для распознавания отдельных веществ, так и для их выделения из растворов. Т. Е. Ловиц был первым исследователем процесса кристаллизации. Он установил условия выделения трудно растворимого вещества из пересыщенного раствора и в частности роль затравки , т. е. маленького кристаллика, вокруг которого начинается кристаллизация. Н рнст в 1889 г. разработал теорию кристаллизации из раствора, находящегося в равновесии с выпадающим из него осадком, и показал, что количественное выражение константы этого процесса можно записать, формально применяя к равновесию между раствором и выпавшими из него кристаллами закон действия масс. Таким образом, теория ионных равновесий была распространена и на гетерогенные системы. Несколько позже русский химик П. П. Веймарн ввел представление об относительном пересыщении и его влиянии на скорость кристаллизации и тетановил основные правила кристаллизации из гомогенного раствора. Эти правила дают нам возможность изменять по своему" усмотрению размеры и свойства выпадающих кристаллов. Наконец, тот же Вейма рн доказал, что меняя растворитель и условия [c.11]

Кристаллизация расплавов областей A fh и В 1кС происходит с образованием гомогенных твердых растворов а и р. В области fhkl кристаллизация начинается с выделения одного какого-нибудь тройного твердого раствора а или р, а заканчивается выделением эвтектики (а 4- Р)- [c.41]

Сендеров [22], основываясь на работах Вернадского [74, с. 105], допускает возникновение в растворе промежуточных алюмокремниевых комплексов, предшествующих образованию цеолитов. Брек с соавт. [7] образование гомогенного геля и его кристаллизацию представил следующей схемой [c.32]

Проводя позднее аналогичное исследование, Коллинз и Лей-нуибер показали зависимость критической степени пер.есыщения от чистоты использованных растворов реагентов. Они не наблюдали образования центров кристаллизации в гомогенной фазе и зародыши кристаллов сульфата бария возникали на посторонних центрах. В 1957 г. Нильсен подтвердил это и обнаружил, что центры образовывались большей частью на стеклянных стенках кристаллизатора. [c.36]

Образование зародьппей кристаллизации бактериального магнетита может происходить прямо в водном растворе или идти через стадию образования промежуточного твердого вещества (предшественника), термодинамически менее стабильного, чем магнетит. Процессы зарождения кристаллов могут носить гомогенный или гетерогенный характер. Реакцию считают гомогенной, когда образование центров кристаллизации происходит спонтанно в перенасыщенном растворе, и гетерогенной, когда центры кристаллизации образуются на поверхности субстратов, присутствующих в водной среде. В биологических системах реакция кристаллизации по гомогенному механизму весьма маловероятна, поскольку эти системы содержат множество органических включений, на поверхности которых реакция кристаллизации может протекать по гетерогенному механизму с большим энергетическим выигрышем. [c.76]

Пусть пересыщения в системе недостаточно для образования зародышей гомогенным или гетерогенным путем и зародыши возникают за счет истирания кристаллов несущей фазой. Зародыши будем считать самостоятельной фазой, средняя плотность и объемное содержание которой р, и з (причем рз=р2"ПаЛ ЯзГз= = , Пз=/зГз —число зародышей в единице объема). Перейдем к выводу уравнений термогидромеханики для описания процесса массовой кристаллизации с учетом роста кристаллов и бесконтактного вторичного зародышеобразования. [c.39]

Исследуем устойчивость процесса массовой кристаллизации в кристаллизаторе MSMPR при условии образования зародышей гомогенным или гетерогенным путем. [c.330]

Намного легче осуществляются гетерогенное зародышеобразование и кристаллизация. Скорость образования центров кристаллизации новой фазы ускоряется в присутствии поверхностей раздела, существовавших до образования центров новой фазы. Такими поверхностями раздела могут служить стенки сосуда, инородные включения в виде зерен и коллоидных частиц, дислокации и т. д. Наличие поверхностей раздела повышает поверхностную энергию системы, а это способствует снижению АРкр, т. е. величины энергии гомогенного зародышеобразования за счет уменьшения энергии поверхности раздела Д/ . [c.221]