Кристаллиты идеальной формы

Первые дошедшие до нас эскизы снежинок, сделанные в Европе, относятся к XVI в. и не отражают их гексагональной формы. Первым европейцем, отметившим гексагональную симметрию снежинок, стал Иоганн Кеплер. Он посвятил этому вопросу свой трактат на латинском языке под названием О шестиугольных снежинках , опубликованный в 1611 г. [2] К тому времени, когда Кеплер обратил внимание на снежинки, он уже открыл первые два закона движения планет и, следовательно, установил истинное строение солнечной системы. Кеплер исследовал идеальную форму снежинок, их симметрию и впервые поставил вопрос, не отражает ли она их внутреннее строение. Современные представления о существовании связи между внешним видом кристалла и его внутренней структурой излагаются в главе о кристаллах (гл. 9). [c.48]

Важнейшей проблемой при разработке идеального варианта конструкции прибора по этому методу является организация выращивания кристаллов в формах (одной гранью) с постоянством скорости протекания жидкости вдоль поверхности кристалла. [c.116]

Пленки никеля, палладия и золота [20] состоят из хорошо ограненных кристаллитов большей частью правильной геометрической формы с гранями (111), параллельными подложке. На рис. 9 и 10 показаны такие пленки золота и палладия. На снимках видно много кристаллов треугольной формы, которые на самом деле, несомненно, представляют собой тетраэдры, вероятно усеченные в вертикальном направлении в газовую фазу обраш,ены, безусловно, только грани (111). Часто встречаются также пяти- (рис. 9) и шестиугольники (рис. 9 и 10). Обе эти неидеальные формы можно считать структурами многократного двойникования по тетраэдрическим граням (111). Иногда наблюдаются и другие двойниковые структуры [20]. Доказательства многократного двойникования можно получить из электронно-микроскопических снимков темного поля или данных по относительным интенсивностям на дифрактограммах [20]. Очевидно, что пятиугольные кристаллиты не могут иметь идеальную кристаллографическую структуру кубической симметрии. Очень маленькие пятиугольные частицы наблюдаются для ряда систем, в том числе дыма (аэрозоля) серебра [23], золота, напыленного на золотую подложку [24], золота, осажденного из водных растворов [25] или нанесенного на поваренную соль [26, 27], а также для приведенных ранее случаев [20]. Пятиугольная частица фактически является пентагональной бипирамидой (рис. И, а), которая может образоваться в результате многократного двойникования пяти тетраэдров по граням (111) (рис. 11, б) [20, 23, 26]. Электронно-микроскопические снимки не показывают деформации, дислокации или другие дефекты, соответствующие щели на рис. 11, б. По-видимому, структура реальных кристаллитов релаксирует, и поэтому между двойниками не образуются дислокации. Структуру с гексагональной в плане симметрией и отвечающими эксперименту дифракционными свойствами на первый взгляд можно получить двойникованием 16 тетраэдров, однако нерегулярный характер одной из граней делает труднообъяснимой частоту появления гексагональной структуры. Двойникование 20 тетраэдров дает трехмерный икосаэдр (рис. 11, в), имеющий гексагональную проекцию и требуемые дифракционные свойства. Кристаллиты с гексагональной проекцией скорее всего представляют собой икосаэдры. [c.261]

Форма и симметрия кристаллов. Форма кристаллов, определяясь в первую очередь относительной скоростью отложения частиц на гранях разного строения, сильно зависит также и от внешних условий роста. Идеальные формы развиваются, когда ко всем граням имеется свободный доступ материала из раствора, при равномерной и по возможности небольшой скорости роста кристаллов. [c.8]

Даже и идеальные комбинации кристаллических многогранников чрезвычайно разнообразны, ио реальные формы кристаллов отличаются бесконечным разнообразием. Условия, в которых растет кристалл, взаимодействие кристалла с окружающей средой, дефекты внутреннего строения — все накладывает отпечаток па габитус кристалла. По внешней форме реального кристалла часто можно судить об условиях его образования и его истории, но далеко не всегда можно определить его симметрию так, как это делается на моделях идеальных форм кристаллов (подробнее об этом см. 67). [c.96]

При искусственном выращивании кристаллов из растворов идеальная форма, пе искаженная действием силы тяжести, образуется лишь при условии непрерывного перемешивания раствора или движения растущего кристалла, т. е. при устранении в среде выделенных направлений и придании ей сферической симметрии, так чтобы сим- [c.187]

Если не все грани кристаллографически идентичны, грани каждой кристаллографической формы должны иметь собственную характерную скорость роста при данных внешних условиях, и эти скорости роста будут определять идеальную форму кристалла. Если внешние [c.14]

Полезно указать на различия между реальной формой кристалла, которая возникает в зависимости от случайных условий роста кристалла, и его идеальной формой, которая диктуется требованиями симметрии кристалла и которая также может быть представлена с помощью [c.16]

Идеальная форма кристалла — набор граней, определяемых требованиями симметрии, которая присуща данному кристаллу. Одной из характеристик кристалла является стереографическая проекция его идеальной формы, основанная на наборе нормалей, проведенных из центра кристалла к его граням. [c.17]

С помощью наборов соответствующих элементов симметрии можно описать- не только идеальную форму кристалла, представив ее в стереографической проекции, но и 7 кристаллических систем, 14 решеток Браве и симметрию структуры кристалла относительно точки, являющейся началом координат элементарной ячейки. Можно показать, что а) путем комбинации элементов симметрии 14 решеток Браве и 32 точечных групп и б) путем введения двух новых элементов симметрии — плоскостей скольжения и винтовых осей — получится 230 так называемых пространственных групп , которые описывают симметрию всех возможных положений эквивалентных точек в кристаллах. [c.18]

Необходимо отметить, что изображенная здесь картина роста кристалла чрезвычайно упрощена. В частности, мы предполагали, что форма растущего кристалла идеально правильная. Растущие реальные кристаллы всегда обнаруживают отклонения от такого идеального строения, в особенности при заметных пересыщениях. Как показывает более детальный анализ, наличие таких отклонений уменьшает работу образования двухмерных зародышей и снижает границу пересыщения, при которой еще возможен рост кристалла с заметной скоростью [3]. [c.28]

Теория двухкомпонентных систем была предметом обсуждения в [3943—3953]. Были получены уравнения, характеризующие форму кривых в бинарных системах жидкость — пар и кристалл — идеальный расплав [3944], и рассмотрена применимость законов Вревского для бинарных систем конденсированная фаза — неидеальный пар [3947]. Близки к этим работам и [3954—3958, 3960—3968], связанные в основном с растворимостью (в частности с правилом Семенченко [3957, 3958, 3967]), а также с системами с малыми концентрациями [3969—3974] (например, [3969] посвящена энтропийно-информационному характеру разделения и очистки). Авторы работ [3974, 3975] коснулись вопроса о метастабильном равновесии. [c.44]

С физико-химической точки зрения образование кристаллов является фазовым переходом вещества из стабильного жидкого состояния в стабильное кристаллическое. На практике, однако, при фазовых переходах идеальное стабильное состояние практически не достигается. Так, процесс кристаллизации большинства веществ завершается обычно образованием поликристаллического агрегата, находящегося в менее устойчивом состоянии, чем монокристалл. Этот агрегат состоит из нескольких кристаллов, более или менее прави.льно расположенных друг относительно друга. Отдельные кристаллы в таком агрегате могут быть ограничены гранями и ребрами в этом случае говорят о множественных сростках. Во многих случаях сростки кристаллов можно характеризовать некоторыми преимущественными направлениями кристаллов (волокнистые формы, чешуйчатые, сферолиты и т. д. [3]). [c.74]

В любом идеально развитом кристалле кубической формы можно провести следующие плоскости симметрии три взаимно перпендикулярные, параллельные граням куба и проходящие через середины его граней плоскости, делящие куб пополам, которые могут проходить через диагонали двух противоположных его граней и два противоположных ребра. Таким образом, в кубе может быть только девять плоскостей симметрии — три параллельные его граням и шесть диагональных (это число является максимальным для кристаллов). [c.16]

Вопрос о структуре Fe (С0)5 долгое время оставался нерешенным две возможных формы — тригональная бипирамида и тетрагональная пирамида — казались в равной мере вероятными [224—227]. Однако методами электронографии и рентгенографии [228, 229] было доказано наличие у Fe( 0)5, тригонально-бипирамидальной формы, где пять карбонильных лигандов расположены в вершинах пирамид [48, 230, 231] (структура II). Межатомные расстояния для Fe( O)s (в А) Fe—С 1,84 + 0,03 С — О (концевые) 1,15 + + 0,04 группировка Fe—С—О линейна [9, 48, 228, 229, 232, 233]. Данные спектров комбинационного рассеяния для Fe( O)j [235, 236], а также ИК-спектров [229, 237] подтвердили форму тригональной бипирамиды. С этим согласуются результаты измерения диэлектрической постоянной, а также термодинамические данные [238, 239]. Рентгеноструктурный анализ монокристалла при низкой температуре подтвердил эту структуру, однако в кристалле наблюдались незначительные отклонения от идеальной формы тригональной бипирамиды атомы кислорода смещены на 0,13 А [2281 [c.28]

Углы погасания. Как было показано на стр. 250, при вращении кристалла между скрещенными николями кристалл проходит каждые 90° через положение погасания. По отношению к внешним огранениям и спайности погасание может быть прямое, симметричное и косое эти случаи показаны на рис. 66. Прямое и симметричное погасания характерны для кристаллов гексагональной, тригональной, тетрагональной и ромбической систем независимо от ориентировки кристалла. Погасание называется симметричным, если плоскости колебаний анализатора и поляризатора делят пополам двугранные углы между гранями кристалла. При неправильном росте и развитии кристалл по внешнему виду может сильно отличаться от соответствующей ему идеальной формы, тем не менее деление углов пополам сохранит свою силу. Прямое погасание, а реже — симметричное, имеет место у моноклинных кристаллов только в том случае, когда кристалл рассматривается перпендикулярно к оси Ъ. За этим исключением, моноклинные и триклинные кристаллы дают прямое или симметричное погасание только в исклю- [c.266]

Эти данные приводят меня к постулату асимметрия порождает функцию, а симметрия создает форму. Другими словами если данная система в состоянии симметрии порождает некую форму, то та же система в условиях асимметрии порождает функцию (рис. 4.1). Надо заметить, что в природе нет идеальных форм и совершенной симметрии. Есть только приближения к геометрически строгим формам, существующим лишь в нашем воображении. Нет ни цветка с четырьмя одинаковыми лепестками, ни насекомого с шестью идентичными ножками, ни кристалла с идеально правильными гранями. Ни одно дерево не растет строго по прямой и никто не видел фрукта абсолютно сферической формы. Почему форма и симметрия существуют лишь в приближенном виде Дело в том, что жизнь и существование вообще суть динамические процессы, в которых всегда проявляется функция. Форма и функция — это два полюса неизменно противоречивого состояния. Его симметрия постоянно нарушается, возникающая асимметрия так же постоянно преодолевается с возвращением к симметричным условиям. Плодами этого изначального и постоянного противоречия являются вещества, минералы и живые организмы. [c.112]

Если твердая фаза состоит из углеводородов различных гомологических рядов и их растворимость в охлаждаемой жидкой фазе такова, что в момент кристаллизации выделяется более одного типа углеводородов, то твердая фаза образует либо смешанные кристаллы, либо нечетко выраженную кристаллическую форму. При достаточном избытке жидкой фазы, способной при данной температуре удерживать в растворе все группы твердых углеводородов кроме одной, по мере охлаждения раствора остальные группы могут кристаллизоваться на решетках первично образовавшихся кристаллов. Если сохраняется некоторое оптимальное соотношение между выделяющимися углеводородами, то форма кристалла соответствует первично образующейся. В идеальном случае на решетке первично образующихся кристаллов накапли- [c.128]

Твердые вещества в данных условиях тоже могут находиться в состояниях, обладающих различной термодинамической устойчивостью, например, в различных кристаллических формах. В свою очередь для любой из этих форм более устойчивым является состояние, соответствующее идеально правильному кристаллу. Дефекты структуры, вызванные условиями образования кристалла или последующей деформацией под действием внешних механических сил, в какой-то степени уменьшают его устойчивость, так как образование этих деформаций связано с затратой энергии и сопровождается возрастанием энтропии. Точно так же кристаллическое тело в измельченном состоянии, т. е. обладающее большей поверхностью, менее устойчиво. Во всех подобных случаях уменьшение устойчивости сопровождается возрастанием изобарного потенциала. В таких состояниях вещество обладает большей химической активностью и меньшей химической стойкостью, большей способностью к фазовым переходам (большим давлением насыщенного пара, большей растворимостью и т. д..) Выделение вещества в более активных формах и состояниях может происходить самопроизвольно только из состояний с еще большим изобарным потенциалом (еще более активных в данных условиях). Обычно такими состояниями служат сильно пересыщенный раствор или переохлажденная жидкость. Кроме того, такое вещество может получаться при химической реакции, происходящей в условиях, достаточно далеких от равновесных. [c.227]

При применении кипящего слоя в качестве тяжелой псевдожидкости для гравитационного обогащения полезных ископаемых высота слоя определяется временем осаждения и всплытия фракций, близких по своему удельному весу к демаркационному уровню разделения. При проведении массовой кристаллизации из растворов в кристаллизаторах со взвешенным слоем (типа Кристалл-Осло) необходимое среднее время пребывания определяется скоростью линейного роста кристаллов и заданным размером кристаллического продукта. Кроме того, более четкая классификация по размерам достигается тем, что мелкие кристаллы выносятся из кристаллизатора циркулирующим потоком жидкости, а оседание и отбор нужных крупных регулируется подбором нужной формы кристаллизатора (см. ниже). Точно так же, при сушке сыпучих материалов (если только процесс не лежит в балансовой области ) среднее время пребывания выбирается из условий отклонения реального сушильного аппарата от схем идеального смешения или вытеснения и заданного теоретически или экспериментально времени сушки зерна [239]. [c.218]

При достаточном избытке жидкой фазы при данной температуре, способной удерживать в растворе все группы твердых углеводородов, кроме одной, по мере охлаждения раствора остальные типы углеводородов могут кристаллизоваться на решетках первично образовавшихся кристаллов. Если будет сохраняться некоторое оптимальное отношение между выделяющимися углеводородами, то форма кристалла будет соответствовать первично образующейся. В идеальном случае на решетке первично образующихся кристаллов будут накапливаться все более низкоплавкие углеводороды. Та часть их, которая при данной температуре не перешла в кристаллическое состояние, в конечном слое кристаллической решетки представляет собой ориентированные жидкие кристаллы. Образование ориентированных жидких кристаллов обусловлено стремлением молекул расположиться энергетически наиболее выгодным образом вплотную и параллельно друг другу. Зто так называемое вообще говоря, ха- [c.96]

По степени распространенности среди твердых тел основным является кристаллическое состояние, характеризующееся строго определенной ориентацией частиц друг относительно друга. Это определяет и внешнюю форму вещества в виде кристалла. В идеальных случаях кристалл ограничен плоскими гранями, сходящимися в точечных вершинах и прямолинейных ребрах. Одиночные кристаллы (монокристаллы) иногда встречаются в природе в большом количестве их получают искусственно. Однако чаще всего кристаллические тела представляют собой поликристаллические образования — сростки большого [c.132]

В обычных условиях правильно образованные крупные кристаллы полу-с другом. Но даже при неискаженной внешней форме кристалла идеальная упа-кояг.а его структурных единиц всегда бывает в большей или меньшей степени чаются крайне редко, что о.бусловлспо главным образом их срастанием друс [c.383]

Важная роль работы Накайя состояла не только в том, что он изучал идеальную или близкую к идеальной форму снежинок он также занимался и отклонениями от гексагональной симметрии. Разумеется, микроструктура на атомном уровне остается гексагональной, но морфология или внешний вид кристалла могут отклоняться от идеальной гексагональной симметрии. Накайя называет такие кристаллы плохо сформированными (неправильными) и утверждает, что именно эти асимметричные кристаллы могут быть более обычными, чем строго симметричные. Конечно, симметрию следует рассматривать с точки зрения степени симметричности. Ведь даже снежинки, которые выглядят наиболее симметричными, при тщательном рассмотрении обнаруживают небольшие различия в своих ветвях. На рис. 2-45 показана снежинка с ярко выраженной асимметрией, чье развитие, вероятно, было обусловлено неоднородностью окружавшего ее водяного пара. [c.55]

Уже в 1669 г. датский кристаллограф Н. Стено провел детальное изучение идеальных и искаженных кристаллов кварца (рис. 9-4). Он начертил ик на бумаге и нашел, что соответствующие углы между различными гранями были всегда одинаковы независимо от их действительных размеров и формы. Поэтому все кристаллы кварца, как бы ни были они искажены по сравнению с идеальной формой, могут быть получены в результате одного и того же основного способа роста и, таким образом, соответствовать одной и той же внутренней структуре. [c.406]

Вследствие трехмерной периодичности атомного стросиия основными признаками кристаллов являются однородность и анизотропия св-в и симметрия, к-рая выражается, в частности, в том, что прн определенных условиях образования кристаллы приобретают форму многогранников (см. Мо-иокриста.иов выращивание). Нек-рые св-ва в-ва на пов-сти кристалла и вблизи от нее существенно отличны от этих св-в внутри кристалла, в частности нз-за нарушения симметрии. Состав и, соотв., св-ва меняются по объему кристалла нз-за неизбежного изменения состава среды по мере роста кристалла. Т. обр., однородность св-в так же, как и наличие дальнего порядка, относится к характеристикам идеального К. с. [c.534]

При вытягивании кристаллов методом Чохральского форма наружной поверхности жидкого столбика оказывает непосредственное влияние на геометрию растущего кристалла. Поэтому имеющиеся работы по исследованию поверхностных явлений касаются главным образом определения формы наружной поверхности столба расплава и нахохадения связи между высотой столба и диаметром вытягиваемого кристалла. Работа [29] является первой попыткой рассмотреть влияние механизма смачивания на форму кристалла. Автор считает, что при отсутствии потерь тепла с поверхности кристалла (идеальная экранировка) диаметр кристалла полностью опередляется механизмом смачивания. В работе приводится приближенное решение уравнения наружной поверхности жидкости столбика в случае вытягивания из расплава кристалла цилиндрической формы. [c.95]

Отклонения внешней формы реальных кристаллов от вдеальньгх геометрических законов. В первой части этой книги, посвященной геометрии кристалла, уже упоминалось о реальном кристалле, о степени отклонения его формы от идеальных геометрических форм. Уже первые работы, посвященные изучению внешней формы кристаллов, показали, насколько она может быть разнообразна и неправильна у кристаллов одного и того же вещества (см. рис. 6, стр. 13). Однако пренебрежение небольшими отклонениями от некоей идеальной формы привело к открытию закона постоянства углов. Однако и этот закон оправдывался только с определенной точностью. На примере хорошо образованного кристалла шпинели (см. рис. 14, стр. 17) можно проследить степень отклонения реального кристаллическо- [c.254]

Алмазы, полученные из среды, содержащей бор, имеют кубический и кубооктаэдрический габитус во всем исследованном интервале концентраций этой примеси в шихте (массовая доля 0,5—4%), и вариации параметров синтеза не нарушают эту закономерность (рис. 141, а). Такие кристаллы обладают часто идеальной формой, и искажения наблюдаются только при массовой доле бора более 2%. Они проявляются в основном в наличии существенно разновеликих граней одноименных форм в сильном уплощении вдоль Li. Цвет алмазов с увеличением содержания примеси бора в шихте изменяется от полупрозрачного с фиолетовым оттенком до непрозрачного черного. При этом установлено, что бор интенсивно захватывается гранями октаэдра (см. рис. 141, б). И поскольку примесь бора увеличивает интегральную скорость роста алмаза, естественно предположить, что влияние бора на форму кристаллов заключается в относительно большем увеличении скорости роста октаэдрических граней, которое приводит к их быстрому выклиниванию. [c.394]

Рассмотрим, например, упаковку атомов в тригональной пирамиде г. ц. к. структуры с плоскостями (111). В идеальном случае кристаллит представляет собой тетраэдр с четырьмя эквивалентными гранями (111). Однако, если количество атомов в упаковке недостаточно для формирования тетраэдра, может образоваться пирамида неправильной формы, например с моноатомными террасами (рис. 14, а), которые могут иметь уступы (рис. 14,6). Очевидно, что у такого неправильного кристаллита доля угловых поверхностных атомов значительно больше, чем у кристаллита идеальной формы. Число поверхностных атомов Ns в идеальном тетраэдрическом кристаллите меняется приблизительно пропорционально Р, где I — линейный размер кристаллита (еще раз подчеркиваем — приблизительно, так как в квадратичном выражении зависимости Ns от I слагаемое /2 является только главным значащим членом). Число угловых атомов N в идеальном тетраэдре постоянно и равно 4, поэтому доля угловых атомов на поверхности NdNg меняется приблизительно обратно пропорционально Р. Для картины, показанной на рис. 14, а, где каждая терраса содержит три угловых атома, величина N приблизительно пропорциональна /, а отношение N /Ns — обратно пропорционально /. Такая же зависимость от I наблюдается в том случае, когда каждая терраса содержит постоянное число уступов, хотя при этом для [c.266]

И, наконец, к третьей группе можно отнести слои платины, в которых для хемосорбцйи доступно менее 30% атомов. Доля реберных атомов в этом случае становится меньше 15%, а остальные — это атомы с координационным числом 9, как и для идеальных граней бесконечных кристаллов. Сказанное относится не только к кристаллам в форме правильных многогранников, но и к недостроенным структурам, при условии, что образуется максимально возможное число связей. [c.127]

Следующий важный шаг в исследовании кристаллов — это выявление их симметрии. Естественно, что чем идеальнее форма, тем легче выявляется симметрия кристаллов однако приближенное суждение о ней часто оказывается возможным и при несовершенном кристаллообразовании. Так, хЛороплатинат калия (см. гл. 3, рис. 1) кристаллизуется в октаэдрах и их сростках, кубическая сингония которых ясно обнаруживается одновременно присутствуют всегда скелетные и дендритные формы, у которых тоже видна четверная или тройная ось симметрии. Совместное присутствие. этих обеих осей является признаком кубической сингонии. У большинства кристаллов трехвод-ного щавелевокислого кальция (см. гл. 3, рис. 24) тоже отчетливо видна четверная ось симметрии, однако отсутствуют кристаллы с трехугольным контуром, чтй естественно для кристаллов с тетрагональной сингонией, к которой относится щавелевокислый кальций. [c.9]

Если вообразить грани кристалла передвинутыми параллельно самим себе так, что равнозначные грани передвигаются на одинаковое расстояние от центра, то образующиеся многогранники принимают идеальную возможную форму растущего кристалла. Однако на практике вследствие внещних воздействий обычно имеют место значительные отклонения от идеальной формы. Прежде всего при наличии соседних кристаллов, стесняющих его рост, кристалл приобретает сплющенную или удлиненную форму. Но выделяя грани кристалла и мысленно продолжая их, на основе закона постоянства гранных углов всегда можно определить, к какому классу данный кристалл относится, а следователыю, узнать его основную характеристику. На рис. 45 показаны реальный кристалл оловянного камня (ЗпОз) и его идеализированная форма. [c.141]

Это обстоятельство практически важно, так как класс симметрии определяет внешнюю симметрию свободно растущего кристаллического образца. Это так называемая симметрия идеальной формы роста, или макросимметрия кристалла, часто определяемая независимо от структурного исследования. [c.59]

Физика дифракционных методов 5.1. Основные определения и формулы (определения символов, формулы для рассеяния электронов, атомного мнг жителя рассеяния). 5,2. Интенсивность излучения, дифрагированного кристаллом (структурный мксжитель, температурный множитель, интегральное отражение, угловые множителн интенсивности, мнсшители Лоренца и поляризационный). 5,3, Поправки на поглощение (малый кристалл в узком пучке, большой кристалл или поликристаллический обра-еец, пересекающий узкий пучок отражение узкого пучка от плоскостей, параллельных вытянутой грани кристалла при отсутствии и наличии пропускания, отражение от кристаллических плоскостей, наклоненных к вытянутой грани поглощающего блока поглощение при перпендикулярном и наклонном расположении поверхности кристаллического блока по отношению к отражающим плоскостям поглощение в цилиндрическом кристалле, омываемом однородным пучком рентгеновских лучей, нормальным к оси кристалла, поглощение сферой, поглощение кристаллом произвольной формы, поправки на поглощение при исследовании преимущественней ориентировки в листовых образцах), 5.4, Мозаичная теория (различия между совершенным и идеально несовершенным кристаллом, первичная и вторичная экстинкция). 5,5. Сводка формул интегральной интенсивности, [c.323]

Даже при неискаженной внс шней форме кристалла идеальная упаковка еро структурных единиц всегда бывает в большей или меньшей степени нарушена разнообразными внутренними дефектами. Одним из них является т. н. мозаичная структура. Уже давно предполагалось, а затем было и экспериментально подтверждено, что крупные кристаллы не являются идеально однородными, а состоят из множества сросшихся друг с другом мельчайших кристалликов ( блоков ), взаимное расположение которых не вполне соответствует строго правильному. В зависимости от природы вещества и условий роста кристалла блоки могут иметь различные размеры (большей частью порядка И) см). По мере их уменьшения прочность материалов возрастает. Наблюдать уюзаичную [c.136]

В следующий момент благодаря образовавшейся мелкозернистой корке температурный градиент резко снижается, переохлаждение металла уменьщается. Эти условия способствуют росту крупных ори- ентированных перпендикулярно к стенкам кристаллов вытянутой формы. Подобная ориентация определяется направлением отвода тепла, кристаллы называются столб- чатыми, а сам процесс —транс-, кристаллизацией. Поэтому зона 2 называется зоной столбчатых кристаллов, или транскристаллизационной зоной. По мере роста толщины зоны 2 растет теплоизоляция жидкого металла, находящегося в центральной части. При этом соз-. даются условия медленного и рав- номерного охлаждения, напомина- ющие условия образования идеального слитка, показанного на рис. 7. Поэтому зона 3 является зоной равноосных кристаллов и имеет зернистое строение. [c.14]

Представленная на рис. 3.22 кристаллическая решетка графита отвечает идеальному кристаллу в зависимости от условий получения обра уются углеграфитовые материалы с более или менее искаженной структурой. В частности, получены и широко используются стекловидная форма графита (стеклографит), пирографит—материал с сильно выраженной анизотропией тепло- и электропроводности (значения этих свойств различаются в зависимости от направления в образце почти на 2 порядка), тончайшее и очень прочное графитовое волокно (из него изготовляют ткань, выдерживающую в отсутствии окислителей температуру 2000 °С). [c.354]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология