Диффузия при облучении

В этой схеме [А-В]с — комплекс, образованный двумя радикалами, находящимися в одной клетке растворителя. Стадия 1 (диссоциация) может протекать либо термически, либо под влиянием облучения светом. Стадия 3 представляет собой диффузию частиц А и В из клетки растворителя на расстояние, сравнимое со средним расстоянием между молекулами А — В в растворе. [c.465]

Если частице, не обладающей магнитными свойствами, сообщить электрический заряд д путем ее облучения [уравнение (Х.ЗО)] или ионной диффузии [уравнение (Х.36)], а затем поместить частицу в поле магнита напряженностью Н А/м, то на нее будет действовать сила, направленная под прямым углом к направлению поля и к направлению движения частицы, в связи с чем она отклонится от своей первоначальной траектории. Уравнение для частицы в вакууме запишется в виде [c.545]

Электронное возбуждение полимерной сетки может быть вызвано электромагнитным излучением (свет, ультрафиолетовое излучение, -излучение) или облучением частицами. Для передачи энергии соударения частиц или кванта излучения электрону необходимо, чтобы энергия оказалась достаточной для перехода последнего в возбужденное состояние н чтобы существовал механизм взаимодействия. При облучении светом в видимой части спектра фотон, скажем, длиной волны 330 нм обладает достаточной энергией для разрыва С—С-связи.. Однако фотон не будет поглощаться алканами, и в них нет электронных состояний с такой же или меньшей энергией возбуждения. Для эффективного разрыва связей фотон должен поглощаться и взаимодействовать с электроном связи. Подобное взаимодействие происходит либо непосредственно, либо косвенно с помощью механизмов переноса энергии путем диффузии экситона, одноступенчатой передачи или поглощения флюоресцентного света, испускаемого той же самой или другой (примесной) молекулой [11]. Природа и последовательность этих важных процессов, которые определяют фотохимическую стабильность (или нестабильность) полимеров, не будут здесь подробно рассматриваться. Интересно, однако, определить уровни энергии, на которых начинается возбуждение электронов или ионизация молекул, и изменения энергии связи, вызванные в свою очередь возбуждением или ионизацией. [c.109]

При жестком облучении нейтронами или другими высокоэнергетическими частицами кристаллическая решетка металла претерпевает изменения, напоминающие те, что происходят при глубокой холодной деформации. Появляются вакансии в решетке, межузельные атомы, дислокации это увеличивает скорость диффузии специфических примесей или легирующих компонентов. В процессе облучения может происходить локальное повышение температуры — так называемый температурный пик . Существуют два типа пиков термические, при которых практически все атомы остаются на своих местах в решетке, и пики смещения, когда множество атомов перемещается в междоузельные положения. [c.154]

Влияние внешних условий и температуры. Как уже упоминалось выше, кислород легко взаимодействует с реакционноспособными радикалами, образовавшимися при диссоциации органических молекул под действием излучения. Поэтому в воздухе распад в результате облучения больше, чем в инертной среде. Установлено, что у резиновых или шинных смесей при облучении в воздухе разрыв цепи происходил быстрее, а структурирование медленнее, чем в инертной атмосфере. Поэтому доступ кислорода к облучаемому продукту имеет важное значение. Тонкие слои или порошкообразные материалы разрушаются больше, чем эти же материалы в сплошной массе. Следует учитывать также мощность дозы излучения. При высоких мощностях дозы первоначально растворенный кислород расходуется, и его количество не может быть восполнено за счет диффузии достаточно быстро, чтобы участвовать в процессах, вызываемых излучением. [c.164]

При облучении, как и при большинстве химических процессов, важное значение имеет температура. Начальные стадии процессов, вызванных излучением, почти не зависят от температуры. Но вторичные реакции обычно зависят от скорости диффузии реакционноспособных радикалов, на которую температура оказывает большое влияние. Установлено, что реакции соединения, или структурирования значительно ускоряются, в то время как скорость разрыва молекул и газообразования при облучении в условиях повышенных температур возрастает в меньшей степени. [c.164]

Эффективность процесса окисления в таком типе реактора несколько ниже и не превышала (8,5 9,0)%, что объяснимо с позиций процесса диффузии углеводородных молекул к поверхности катализатора. Повышение эффективности процесса возможно за счет уменьшения диаметра реакционных трубок, однако это приводит к усложнению технологии нанесения катализатора, увеличению металлоемкости и т.д. Оснащение такого реактора источником ИК-излучения снижает общие энергозатраты, но незначительно сказывается на эффективности процесса окисления, т.к. основной движущей силой является конвективный перенос углеводородных соединений, поглощающих кванты света, и диффузия их к поверхности катализатора. Процесс окисления в этом случае происходит только на поверхности катализатора, находящегося в зоне облучения, а в порах и каналах катализатора процесс окисления не происходит вследствие низкой температуры. [c.272]

В дальнейшем было установлено, что если облучение ведется прн комнатных температурах, то щелочной ион диффундирует от образовавшегося А1-центра, однако понижение температуры кварца до 80—90 К и ниже препятствует такой диффузии (в этом случае наблюдается СТС от щелочного иона), и характеристики наблюдаемых в этом случае А1-центров несколько отличаются от вышеприведенных. Аналогичным образом основные спектроско- [c.53]

Полимерные соединения сравнительно легко реагируют с кислородом воздуха. Результатом этого процесса является окислительная деструкция макромолекул. Чем выше молекулярный вес полимера, тем в большей степени полимер подвергается окислительной деструкции. Интенсивность этой реакции возрастает под влиянием таких воздействий, которые способствуют активации кислорода и увеличению скорости его диффузии внутрь полимера (ультрафиолетовое облучение, повышение температуры, растворение полимера и др.). Деструкция вг зывает разрыв макромоле-кулярных цепей и изменение состава отдельных звеньев цепи. [c.15]

Учитывая, что энергия активации диффузии после облучения полиэтилена не изменяется и что уменьшение коэффициента диффузии вызвано почти исключительно изменением предэкспоненциального фактора Оо, следует считать, что снижение газопроницаемости опре- деляется в основном уменьшением энтропии активации диффузии. [c.103]

Метод декорирования основан на образовании очень маленьких частиц в активных центрах твердых тел. Обычно при нагреве кристалла до определенной температуры вдоль дислокационных линий появляются частицы, которые можно наблюдать либо в проходящем, либо в рассеянном свете. Декорирование дислокаций возможно из-за более быстрой диффузии частиц вдоль дислокационных линий, преимущественного зарождения частиц на дислокациях, способности дислокаций служить источниками вакансий. Декорирующими частицами не всегда являются частицы примеси. Известны два способа декорирования деф тн ой структуры кристаллов. В одном случае исходный образец помещали в кварцевую ампулу, в которой создавали вакуум 0,66 Па. Затем ее запаивали, нагревали до температуры 350°С и выдерживали 1 ч. Во втором случае дефекты в кристалле декорировались после облучения образцов рентгеновским излучением. Вдоль дислокационных линий появлялись микроскопические поры. [c.160]

Исследования с временным разрешением ясно показывают эволюцию как эксимерных, так и эксиплексных систем. Вслед за возбуждающим световым импульсом наблюдается коротко-живущая (около 1 нс) эмиссия от изолированной молекулы. Однако через 10 нс начинает появляться излучение эксимера или эксиплекса, и через промежуток времени более 100 нс после импульса спектр излучения становится неразличимым со спектром излучения при непрерывном облучении. Скорость, с которой возникает излучение комплекса, близка к скорости диффузии возбужденных частиц через растворитель к своему партнеру. [c.133]

Кроме того, может иметь место диффузия продуктов деления через оболочки твэлов, причем в первую очередь в воду I контура попадают радиоактивные благородные газы (Аг, Кг, Хе). Продукты деления — короткоживущие и долгоживущие радиоактивные изотопы. Процентное соотношение изотопов в спектрах р- и у-активности облученного урана зависит от времени и интенсивности облучения. [c.49]

В первом случае процесс прививки легче поддается контролю. Степень прививки определяется дозой облучения, величиной поверхности полимера, температурой, временем контакта мономера, его растворимостью в полимере и скоростью диффузии к реакционным центрам. В зависимости от выбранных условий прививать можно как ко всем макромолекулам полипропилена, так н только к макромолекулам поверхностного слоя изделий. [c.153]

При облучении полимера в нем протекают реакции деструкции и сшибания. Растворимость и диффузия газов, а также проницаемость облученного полимера зависят в основном от соотношения процессов сшивания и деструкции Полимеры, которые [c.233]

В качестве интенсификатора процесса химического эмульгирования при рельефной и пористой поверхности обрабатываемых изделий применяют ультразвук. Здесь главную роль играют газовые пузырьки, которые всегда присутствуют в жидкости вследствие тепловых флуктуаций. Возникнув, они не сразу растворяются, потому что на их оболочке (поверхность раздела) образуется монослой из адсорбированных органических молекул, препятствующий диффузии газа в окружающую жидкость. Пузырьки преимущественно возникают на жировой пленке, так как между ней и полярными молекулами воды наиболее слабое взаимодействие. Под воздействием ультразвуковых колебаний часть пузырьков входит в механический резонанс. В таком режиме интенсивность их Воздействия на жировую пленку велика и пленка легко разрывается. Длительность процесса при интенсивности облучения 1 Вт/см составляет 1—2 мин. [c.127]

Анодное запирание тока на окислах титана вызвано истощением поверхностного слоя пленки носителями заряда. При облучении (366 Нм) это ограничение частично снимается, так как генерируются пары носителей заряда. Скорость анодного процесса определяется диффузией неосновных носителей тока (дырок) к поверхности анода. [c.127]

Как показывают эти наблюдения, само уменьшение вязкости еще не является доказательством, что разрывы цепочки полимера являются основной реакцией эту точку зрения мы настойчиво подчеркивали выше. Однако имеются и другие доказательства, подтверждающие, что действие Ионизирующего излучения на нуклеиновые кислоты вызывает их деградацию. Спарроу и Розенфельд [127] показали, что рентгеновские лучи снижают двойное лучепреломление в потоке дезоксирибонуклеогистоиа зобной железы и свободной дезоксирибонуклеиновой кислоты. Измерения констант седиментации и диффузии облученных нуклеиновых кислот [124, 129, 139] также показали, что происходит деградация, при которой образуются недиализуемые с )раг-менты [144], молекулярный вес которых колеблется в широки.х пределах. [c.257]

Ясно, что, хотя экспоненциальный реактор и критические сборки требуются, в конечном счете всегда при создании реактора больших размеров вое же желательно провести некоторую предварительную экспериментальную проверку расчета реактора с помощью других, более простых методов. Такой эксперимент, но-видимому, весьма подходящий для этой цели, основан на использовании пульсирующего нейтронного пучка. Этот метод применялся для определения коэффициента диффузии тепловых нейтронов и макроскопических сечений поглощения реакторных материалов [С8—711. Позднее он был использован Кэмпбеллом и Стелсеном нри изучении корот-коживущих изотопов и измерении параметров размножающей среды в реакторе [72]. Эксперимент, в сущности, заключается в облучении образца реакторного материала очень коротким импульсом нейтронов и в измерении постоянной распада основного радиоактивного изотопа, возбужденного в образце. Интересующие параметры реактора могут быть затем получены из рассмотрения зависимости постоянной распада от формы и размеров образца (т. е. от геометрического параметра). Этот эксперимент особенно полезен при определении свойств материала ио отношению к тепловым пей- [c.409]

О воздействии радиации на коррозионное поведение металлов известно мало. Влияние облучения на коррозионные свойства можно сравнить с действием холодной деформации, с той разницей, что при облучении в коррозионной среде образуются локальные пики смещения и химические вещества (например, HNOз или Н2О2), влияние которых на коррозию вторично. Это значит, что стойкость тех металлов, скорость коррозии которых лимитируется диффузией кислорода, практически не изменится после облучения. В кислотах скорость коррозии облученной стали (но не чистого железа) повысится, а стойкость облученного никеля останется прежней, так как он менее чувствителен к механической обработке. [c.154]

КОН, следу ет уменьшить размер кристаллитов, имеюших более совершенное строение. В качестве технологических приемов, придающих углеродным волокнам дополнительную жесткость и прочность, используют легирование их бором с помощью диффузии из газовой фазы, облучение волокон нейтронами в атомном реакторе, введение в них перед пиролизом буры, а также вытягивание в процессах окисления и графитации. [c.71]

В данной работе для определения содержания олова в стекле использовали метод нейтронно-активационного анализа, позволивший существенно повысить точность определения толщины снимаемого слоя стекломассы, а, следовательно, и точность определения параметров диффузии. Образцы стекломассы размером 1 X 1 X X 0,3 см с примесями олова в граничном слое облучали в изотопном канале реактора ВВР-М ИЯИ АН УССР в потоке тепловых нейтронов — 5 нейтронов см сек, в течение 100 ч. Активность радиоактивных изотопов олова в снимаемых слоях стекла достигала 10 се/с-. Для исключения примесного v-излучения Na , которое наблюдается при облучении стекла, образцы выдерживались в течение двух недель (период полураспада равен 14,9 ч). [c.210]

При наличии в дисперсионной среде градиентов т-ры или концентрации частицы А. движутся даже при отсутствии внеш. сил соответствующие явления наз. термо- и диф-фузиофорезом. В свободномолекулярном режиме тер-мофорез аналогичен термодиффузии (сК1. Диффузия) в континуальном режиме он обусловлен тангенциальной силой, действующей на частицу вследствие возникновения потока газа (термич. скольжения) вблизи неоднородно нагретой пов-сти частицы. Частный случай термофореза-фотофо-рез движение частиц под действием светового облучения. Этот эффект обусловлен неравномерным нагревом частиц и среды, гл. обр. из-за различной их способности отражать и поглощать свет. Диффузиофорез, обусловленный градиентом концентрации при постоянном полном давлении, происходит, напр., вблизи пов-стей испарения или конденсации. [c.236]

Поскольку мы хотим исследовать поверхность материала, важно удал1ить примеси, которые оказывают вредное влияние на втор1Ичную электро,н ную эмиссию. Под воздействием электронного пучка может происходить растрескивание пленки углеводородов, приводя к осаждению углерода и других продуктов разрушения на поверхность образца в процессе исследов1ания. Появление загрязнений в процессе исследования часто можно обнаружить, получая серию изображений с разным увеличением— от высокого (малая площадь сканирования) до низкого (большая площадь сканирования). Слой загрязнений быстро образуется при р аботе с большим увеличением из-за повышенной степени облучения. При переходе к низкому увеличению на изображении виден квадрат растра загрязнений (рис. 9.1). Таким образом, важно избегать попадания летучих соединений в РЭМ. Наличие остаточных углеводородов от масла диффузи- [c.162]

На примере определения растворимости паров СНзВг в облученном и необлученном полиэтилене было показано, что облучение мало влияет на растворимость. Следует считать, что изменение газопроницаемости полиэтилена может быть отнесено в основном за счет изменения коэффициента диффузии. [c.103]

Влияние у-излучения на диффузию Не, Аг и Хе через пленки полиэтилена, полиамида 54/10, метилолио-ли мида 2/10, каучука СКС-30 и политетрафторэтилена изучалось в работах 5. Ко фициенты О и Р по гелию после дозы 400 Мрад при 25 °С и 95 °С для полиэтилена и полиамидов уменьшались. Для политетрафторэтилена и поливинилхлорида после облучения наблюдалось резкое увеличение скорости диффузии газов, что, по-видимому, можно объяснить эффектом растрескивания пленок полимеров, находящихся в стеклообразном со- [c.103]

В исследовании Бикслера и др. , посвященном диффузии гелия, азота, метана и пропана в образцах полиэтилена низкой плотности, было показано, что при облучении на воздухе при температурах от О до 55°С изменяется не только морфология, но и топология и химическая структура полиэтилена. Это в свою очередь влияет на процесс диффузии газов в полиэтилене. В результате облучения в полиэтилене возникают поперечные сшивки, несколько изменяется степень кристалличности и появляются полярные кислородсодержащие группы. [c.104]

Авторы считают, что влияние радиации на сорбционные свойства полиэтилена объясняется главным образом химическими изменениями в полимере. Влияние этих химических изменений позволяет объяснить изменение растворимости и теплот растворения газов в полиэтилене. Как видно из данных, приведенных в табл. 12, при облучении полиэтилена наблюдается уменьшение коэффициентов диффузии (возрастающее с увеличением размеров диффундирующих молекул) и небольшое увеличение энергий активации диффузии. Предпрлагается, что при облучении полиэтилена происходит пространственно-неравномерное образование поперечных связей, приводящее к возникновению участков полимера с высокой плотностью сшивок. Эти участки вероятно расположены друг от друга на расстояниях, больших, чем протяженность зоны активации В этом случае Ео должна оставаться постоянной, а коэффициенты диффузии [c.105]

Растворение линейных аморфных полимеров в отличие от низкомолекулярных веществ начинается с набухания [76]. Молекулы растворителя проникают в полимерную структуру посредством диффузии и образуют набухший поверхностный слой между растворителем и исходным полимером. В случае позитивных резистов достигается минимальная деформация рельефа из-за слабого набухания области, соседней с экспонированной, которая удаляется растворителем. В случае негативных резистов желательно минимальное набухание облученных областей при экстракции растворимой фракции (золя) полимера из структурированной нерастворимой фракции (геля). В результате набухания и увеличения объема полимера происходит распрямление макромолекул и диффузия сольватированных полимерных клубков в растворитель. Скорость набухания и растворения уменьшается с ростом ММ гюлимера. Коэффициент диффузии оказывает влияние на кинетику растворения, а термодинамический параметр растворимости — на толщину набухшего слоя [77]. Скорость растворения и степень набухания определяются концентрационной зависимостью коэффициента диффузии растворителя в полимер [78]. Факторы, определяющие подвижность растворителя в полимерной матрице (тактичность, и характер термообработки полимера, размер молекул растворителя), влияют на растворимость полимера нередко больше, чем его ММ [79]. [c.50]

Что касается переориентации магнитных осей, то можно предположить, что она связана с диффузией щелочных ионов, имеющей место при радиационном воздействии. Выше отмечалось, что Реобл + составляет лишь небольшую (по концентрации) часть исходного спектра ЭПР Ре +. Это означает, что большая часть ионов при облучении переходит в другое валентное состояние. Предположение о том, что таким состоянием может быть Ре +(3с( ), высказывалось М. Лемманом и другими исследователями, но впервые это было подтверждено прямыми ЭПР-изме-рениями в работе С. Кокса. Наблюдался спектр ЭПР активного центра с эффективным спином 5 = 2. Из-за больших начальных (нулевых) расщеплений наблюдался переход с ДЛ = 4, который характеризуется следующими константами спин-гамильтониана = 1,9874 0,0025 эфф = 7,9502 0,0025 Дз= 10,166 ГГц. Грубая оценка величины начального полного расщепления дает величину Д>320 ГГц [39]. [c.63]

Выше отмечалось, что облучение при комнатных температурах приводит к своеобразной перестройке спектра. При этом увеличивается интенсивность полос 3320 и 3385 см" , приписываемых валентным колебаниям ОН-групп, принадлежащих тетраэдрам, в которых ЗИ замещается АР+. Одновременно наблюдается уменьшение интенсивности ряда других полос, относящихся к валентным колебаниям ОН-групп алюминиевых тетраэдров с расположенными вблизи междоузельными ионами-компенсаторами. Для природных кристаллов (с Ь1+ в качестве компенсаторов) это полосы — 3490 и 3530 см-, а для синтетического кварца (с Ма+-компенсатором) — 3590 см- . Причиной отмеченной перестройки спектров является, по нашему мнению, миграция щелочных ионов-компенсаторов к электронзахватывающим центрам, т. е. процесс радиационно-стимулированной диффузии, [c.78]

Для того, чтобы убедиться в правильности предположения о радиационно-стимулированной диффузии, были сняты ИК-спектры в указанной области для образцов природного и синтетического (в том числе с примесью германия) кварца, облученного при 78 К. Оказалось, что как в кристаллах, не содержащих примесь германия (а следовательно, практически не окрашивающихся), так и в кристаллах с примесью германия (т. е. окрашивающихся), облучение при 78 К никакой перестройки не вызывает. В тех же самых образцах с примесью германия ЭПР-изме-рения позволяют проследить диффузию щелочных ионов. Процесс перестройки в ИК-области начинается и идет симбатно с процессом образования германийщелочных центров. Ясно, что именно миграция щелочных ионов и является причиной изменений в ИК-спектре ОН-колебаний. Несложный расчет показывает, что величина потенциального барьера, который преодолевает щелочной ион в процессе диффузии, составляет 0,05 эВ, а скорость диффузии приблизительно отвечает одному перескоку в секунду между квазиравновесными положениями в решетке. Отметим, что в аметистах, где диффузия щелочных ионов практически отсутст-78 [c.78]

В последние годы был получен ряд новых данных об особенностях ИК-спектров ОН-дефектов в синтетическом кварце. Все кристаллы, выращенные в щелочных (МагСОз) системах, имеют сходные ИК-спектры независимо от пирамиды нарастания (исключая диффузную полосу 3400 см с интенсивностью, пропорциональной содержанию неструктурной примеси). При этом коэффициенты захвата такой примеси для различных пирамид роста существенно отличны. Основными полосами в синтетическом кварце являются, как уже отмечалось выше, полосы 3400, 3440, 3585 см . Облучение (7-, р-облучения, рентгеновские) приводит к вышеописанному эффекту перекачки , однако, хотя ИК-спектры разных пирамид и близки, скорость такого процесса и в особенности скорость отжига спектров в исходное состояние зависит от пирамиды роста. Наибольшую длительность при заданных температурах отжига имеет процесс отжига в образцах пирамиды (+х) по сравнению с образцами из пирамиды роста (с). В кристаллах кварца, выращенных на затравках ромбоэдрического среза, спектр А1-ОН-дефектов отсутствует. Следует отметить, что в образцах синтетического кварца с большой концентрацией неструктурной гТримеси диффузия щелочных ионов фактически отсутствует и ИК-спектр не изменяется при облучении. Электролиз таких образцов также малоэффективен. [c.79]

Можно предполагать, что электролиз в вакууме сводится к пе-резахвату электронов с А1-центров на наиболее глубокие уровни электронзахватывающих центров с последующей диффузией щелочных ионов к этим центрам. При этом, по-видимому, имеет место частичный вынос двухвалентных ионов и, в меньшей степени, щелочных ионов. Происходит видоизменение электронзахватывающих центров, однако сохранение щелочных ионов в объеме образца приводит к восстановлению способности терять окраску при отжиге и вновь окрашиваться у таких кристаллов после реакторного облучения (дозы 10 нейтрон/см и более). [c.80]

Эти данные показывают, что воздействие ионизирующей радиации приводит к радиационно-стимулированной диффузии примесных щелочных ионов в кристаллах кварца. Такая миграция обусловлена тем, что щелочные ионы-компенсаторы расположены вблизи [Л104 +]-комплексов, теряющих при облучении электроны. В результате в местах локализации таких комплексов образуются области положительного заряда и электронные центры в других местах решетки. Поскольку кулоновские силы с расстоянием убывают очень медленно, то потеря заряда в какой-либо точке кристаллической решетки вызывает миграцию подвижных ионов — носителей заряда. Этому в значительной степени способствует открытый характер структуры кварца, содержащей структурные пустоты, соединенные каналами диаметром до 0,2 нм. Что же касается протонов, то, поскольку энергия Их связи с кислородами дефектных (алюминиевых) тетраэдров много больше, чем для щелочных ионов, радиационно-стимулированная диффузия протонов в кварце практически отсутствует. В этом случае при облучении происходит рекомбинация непрерывно генерируемых стационарных дырок с выбитыми электронами, а центры дымчатой окраски на алюминиево-водородных дефектах не образуются. Именно этим, как выше отмечалось, объясняется образование не окрашивающегося облучением кварца при термохимической обработке или электролизе на воздухе, когда алюмощелочные центры преобразуются в алюмоводородные. [c.149]

Химическое модифицирование поверхности проводят также прививкой мономеров (стирола, метилметакрилата и др.), находящихся в газовой фазе, при воздействии ионизирующего излучения [27, с. 131 —136]. Количество привитого мономера, завпсящее от дозы облучения и температурно-временных режи-моб и обусловлено влиянием ряда факторов. Обычно на начальном этапе облучения выход возрастает из-за снпження скорости реакции обрыва цепи, а затем уменьшается вследствие затруднения диффузии мономера к поверхности. [c.125]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология