Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Электроны второго рода распределение

    Квантово-механическое рассмотрение сопряженной системы, которое мы проведем на примере бутадиена, приводит к следующему представлению о распределении электронов в основном состоянии бутадиена. Прежде всего необходимо представить, что три связи между четырьмя С-атомами бутадиена осуществляются тремя парами ст-электронов. На эти связи, которые могут быть представлены в виде черточек, налагаются действия, вызванные электронами второго рода эти действия обозначены пунктирными линиями  [c.364]


    Приведенная оценка влияния параметров разряда на интенсивность спектральных линий носит безусловно схематический характер. На самом деле, при вычислении интенсивности излучения данной спектральной линии следует учесть возможные отклонения от максвелловского распределения электронов по скоростям рз] и наличие ряда вторичных процессов каскадные переходы с более высоких уровней, удары второго рода, поглощение фотонов, рекомбинацию ионов, реабсорбцию излучения и другие процессы [ 2]. [c.34]

    На основании экспериментальных данных все заместители по их направляющему действию, характеру влияния на ядро ароматического соединения в основном разделяются на два типа. Ориентанты первого рода — это электродонорные (отдающие) группы (ОН, ННг, 5Н, ОК, ННН, галогены и т. д.), ориентанты второго рода — электроноакцепторные (принимающие) группы N02, sN, СРз, СООН, СООК, ЗОзН и т. д. Когда атакующим реагентом является катион или группа, несущая положительный заряд (реакция электрофильного замещения), то ориентанты первого рода направляют вступающий заместитель в орто- и ара-положение, а второго рода — в мета-положение. Это объясняется характером распределения электронного облака, имеющего повыщенные электронные плотности в положениях в зависимости от введенной группы (заместителя). [c.160]

    Объяснение преимущественной ориентации при введении второго заместителя в однозамещенный бензол следует искать в нарушении равномерности распределения электронной плотности, происходящем в результате вступления первого заместителя в молекулу бензола. Направление этого смещения электронной плотности в случаях наличия в бензольном ядре заместителей первого и второго рода различно. [c.240]

    В случае термического равновесия газа и большой его плотности чрезвычайно простой вид приобретает и распределение атомов по возбуждённым уровням, устанавливающееся в результате неупругих ударов первого и второго рода и процессов излучения и поглощения атомами света. Подобно тому, как при термическом распределении частиц по скоростям, т. е. по кинетическим энергиям, можно было не интересоваться скоростями отдельных атомов и электронов, при термическом равновесии для изучения распределения атомов по энергиям возбуждения можно не интересоваться индивидуальностью данного уровня. В условиях термического равновесия число неупругих ударов первого рода равно числу ударов второго рода. Благодаря этому функция возбуждения, различная, как мы указывали, для различных уровней каждого атома, выпадает из окончательного результата. Распределение атомов и ионов по энергиям возбуждения также остаётся постоянным по времени и даётся простой формулой, так называемой формулой Больцмана, выполняющей здесь роль максвелловской формулы в отношении распределения атомов по кинетическим энергиям. Концентрация атомов в данном возбуждённом состоянии с энергией оказывается равной  [c.36]


    Неупругие соударения второго рода. В явлении перехода атома из метастабильного состояния при столкновении с какой-либо другой частицей в нормальное мы встречаемся с новым элементарным процессом в газе, называемом неупругим соударением второго рода. Представление о необходимости существования соударений второго рода было выведено из теоретических соображений при рассмотрении условий равновесного состояния газа, предоставленного самому себе. В этом случае постоянно происходят процессы взаимодействия между атомами, с одной стороны, световым излучением и свободными электронами—с другой. Для того чтобы равновесие не нарушалось и концентрация какого-либо рода частиц и распределение их но скоростям оставались постоян- [c.107]

    Ход элементарных процессов фактически определяет состояние плазмы и, в частности, заселенность уровней. Поэтому в общем случае отсутствие точных сведений об эффективных сечениях практически исключает возможность количественных расчетов процессов излучения и поглощения света. В некоторых частных случаях, имеющих, однако, очень большое практическое значение, эти трудности можно обойти. Особо важное значение имеет случай, когда плазма находится в состоянии, близком к термодинамическому равновесию. При этом осуществляется так называемое детальное равновесие, т. е. каждый элементарный процесс уравновешивается обратным ему процессом, а не каким-либо другим. Так, при термодинамическом равновесии число актов возбуждения атомов электронным ударом (число ударов первого рода) будет в точности равно числу гасящих соударений с электронами (ударов второго рода) и т. д. Тогда, как это следует из теории, распределение атомов по возбужденным состояниям описывается формулой Больцмана  [c.22]

    Распределение электронной плотности р-орбиты промежуточного иона лиганда имеет форму гантели. Поэтому величина интеграла переноса р, а следовательно, и /эфф имеет наибольшее значение в случае 180°-ного выстраивания цепочки К—А—К, т. е. когда все три атома лежат на одной прямой . Этот вывод подтверждается тем, что все двухвалентные окислы (МпО, FeO, СоО, N 0, СиО) с кубической решеткой обладают магнитной структурой так называемого второго рода , при которой катионы, имеющие 180°-ную конфигурацию, выстроены антипараллельно друг другу. В противоположность этому, ближайшие соседи с 90°-ной взаимной ориентацией безразличны друг к другу и их спины взаимно перпендикулярны. В большом числе ферритов катионы тетраэдрических (Г) и октаэдрических (О) узлов имеют антипараллельные спины. Здесь связь /Ст—А—Ко чаще всего является 125°-ной. [c.93]

    Для плазменных лазеров источником электронно-возбужденных атомов является рекомбинационный поток из непрерывного спектра на верхние дискретные уровни атома. Как было показано выше, сшивание функции распределения уровней, лежащих выше узкого места, с заселенностями, определяемыми формулой Саха, аналогично заданию рекомбинационного потока на верхние уровни. Рассмотрим уравнения для заселенностей уровней атомарной плазмы с учетом неупругих столкновений атомов с электронами первого и второго рода, а также вынужденных переходов за счет поля излучения между лазерными уровнями  [c.135]

    До сих пор исследовалась атомарная плазма, в которой главную Роль играют столкновения первого и второго рода атомов с электронами. В данном разделе рассмотрен процесс формирования функции Распределения заселенностей колебательных уровней двухатомных Молекул газа. Здесь, кроме колебательно-поступательных (УТ-про-Цессов) существенное значение имеют процессы обмена колебательными квантами (УУ-процессы). Уравнения баланса являются нелинейными. Однако для не очень больших колебательных возбуждений газа (Условия будут сформулированы ниже) систему уравнений можно линеаризовать и построить ее аналитическое решение. Полученное решение хорошо совпадает с результатами численного счета и позволяет определить константу скорости диссоциации молекулы с учетом УТ- и У-процессов /51/. [c.140]

    На первый вопрос следует ответить утвердительно. Да, электроны существуют термин электрон ученые применяют при рассмотрении определенных явлений, таких, как пучок лучей в электрической разрядной трубке, изученный Дж. Дж. Томсоном электроном называли носитель единичного электрического заряда на капельках масла в приборах Милликена электрон — это то, что присоединяется к нейтральному атому фтора и обусловливает превращение его во фторид-ион. Что касается второго вопроса — как выглядит электрон, то на него нельзя ответить. Никто не знает, как можно рассмотреть электрон —он слишком мал, чтобы быть видимым в результате рассеяния им обычного видимого света, и пока не будут открыты более совершенные, чем известные ныне способы изучения природы, этот вопрос останется без ответа. Тем не менее можно кое-что сказать о том, как выглядят протон и нейтрон. При изучении рассеяния быстро движущихся электронов протонами и нейтронами получена информация о распределении в пространстве электрического заряда в этих частицах. Результаты такого рода исследований описаны в разд. 20.4. [c.73]


    Во второй части книги мы рассмотрели методы, с помощью которых можно выяснить формально-кинетический механизм ферментативной реакции, а в гл.Х и XI — методы, позволяющие установить число и тип кинетически значимых промежуточных соединений. Такого рода исследования позволяют оценить некоторые константы скорости и константы равновесия при определенных условиях реакции. Дальнейшая задача состоит в том, чтобы использовать эти данные для выявления тех особых химических свойств фермента, которые проявляются на каждой индивидуальной стадии процесса. Один из самых главных вопросов, который может быть исследован экспериментально, касается качественной оценки вызываемых ферментом изменений распределения электронов в молекуле субстрата. [c.191]

    Целесообразно различать два рода процессов упорядочения, один из которых связан с распределением катионов и вакансий по доступным узлам решетки, а второй — с упорядочением катионов, находящихся в разных валентных и спиновых состояниях. Последнее определяет кооперативные магнитные и электрические свойства кристаллов, а также вносит большой вклад в куло-новскую энергию. Переход, вызванный магнитным или электронным разупорядочением, сопровождается Л-образным изменением свойств. Возникновение структурного беспорядка снимает ограничение, связанное с постоянством состава, но в настоящее время еще отсутствуют данные, показывающие, как переход порядок-беспорядок влияет на стехиометрию реальных оксидных кристаллов. [c.141]

    Заместители первого рода обладают электронодонорным характером и увеличивают электронную плотность ароматического кольца, заместители второго рода действуют в противоположном направлении, оказывают электроноакцепторное влияние. Как электронодонорное, так и электроноакцепторное действие заместителей является результатом их индуктивного эффекта и эффекта сопряжения. Считают, что индуктивный эффект передается по 0-связям и быстро уменьшается с расстоянием орто- > > мета- > пара-. Эффект сопряжения распространяется по я-свя-зям, затухает значительно медленнее и передается только в сопряженные орто- и пара-положения, не затрагивая дгета-положение. Индуктивный эффект и эффект сопряжения могут оказывать согласованное или не согласованное влияние на распределение электронной плотности ароматического субстрата. [c.42]

    При малых давлениях, когда /. / , ионы и электроны, где бы они ни возникали, движутся к стенкам, изредка сталкиваясь с. молекулами газа. На стенках возникает сильный отрицательный заряд. В результате большая часть электронов отталкивается от стенок этим зарядом обратно в газ, а ионы увлекаются им на стенку. Хотя столкновения между электронами и молекулами газа редки, все же число их достаточно для того, чтобы, во-первых, вызвать необходимое число актов ионизации, равное числу зарядов, теряющихся на стенках, и, во-вторых, чтобы обеспечить максвелловское распределение электронов по энергиям, которое пред1Юлагается и при малых давлениях. Обмен энергией между электронами происходит в результате непосредственного взаимодействия электронов друг с другом, а также в результате столкновений второго рода или плазменных колебаний. Средняя энергия электронов может быть найдена из условия равенства скорости исчезновения зарядов и скорости ионизации [2]. Детальное вычисление дает  [c.262]

    В спектрально-аналитичзской литературе иногда под термическим возбуждением понимают возбуждение за счёт соударений с атомами, противопоставляя его электронному возбуждению, осуществляющемуся за счёт соударений с электронами. Такая классификация процессов, однако, неправильна. Характеристикой термического возбуждения спектра является распределение атомов по возбуждённым состояниям, согласно (4.2), что является следствием одновременного выполнения условий (4.1) для распределения частиц по скоростям и равновесия между неупругими соударениями первого и второго рода. Вопрос о том, какие частицы являются непосредственно возбуждающими, определяется исключительно температурой газа. В соответствии со сказанным на стр. 33 наиболее эффективны соударения с электронами, и следовательно, при высоких температурах газа (дуга, искра), когда концентрация электронов высока, доминирующую роль будут играть именно электроны, при более низких же температурах (пламя), когда концентрация электронов очень низка,— атод ы и молекулы. [c.36]

    Неупругие соударения второго рода. В явлении перехода атома из метастабильного состояния при столкновении с какой-либо другой частицей в нормальное мы встречаемся с новым элементарным процессом в газе, называемым неупругим соударением второго рода. Представление о необходимости существования соударений второго рода было выведено Клейном и Россе-ландом [694] нз теоретических соображений при рассмотрении условий равновесного состояния в газе, в котором постоянно происходят процессы взаимодействия между атомами, с одной стороны, световым излучением и свободными электронами, с другой. Такие равновесные состояния можно наблюдать экспериментально при высоких температурах в предоставленном самому себе газе (изотермическая плазма см. гл. XV). Между тем в этом случае, для того чтобы равновесие не нарушалось и концентрация любого рода частиц и распределение их по скоростям оставались постоянными, необходимо, чтобы в газе, наряду с каждым из разнообразных элементарных процессов ионизации, возбуждения, излучения и т. д., имел бы место также и процесс, прямо проти Боположный первому. Так, например, если бы в газе происходило только возбуждение частиц газа ударами электронов, то концентрация быстрых электронов непрерывно бы уменьшалась. В действительности же в случае равновесного состояния число быстрых электронов пополняется за счёт соударений, при которых энергия возбуждения частиц газа передаётся взаимодействующим с ними медленным электронам, а излучение энергии возбуждёнными частицами восполняется путём поглощения фотонов невозбуждёнными частицами газа. Такая необходимость протекания в газе, находящемся в равновесном состоянии, элементарного процесса любого типа как в прямом, так и в обратном направлении (причём в общей сложности действие каждого элементарного процесса уравновешивается действием прямо противоположного) составляет содержание принципа детального равновесия. [c.212]

    При практическом применении ртутного разряда в источниках света для облегчения зажигания разряда кроме ртути в разрядную трубку вводится ешё какой-либо инертный газ — обычно аргон—при давлении в несколько лш Н . Понятно, что при одном и том же малом давлении ртутного пара присутствие аргона сушественно меняет картину распределения мощности разряда. Присутствие аргона при концентрации атомов последнего, значительно превышающей концентрацию атомов ртути, приводит вследствие многочисленных зшругих соударений электронов с атомами аргона к значительному увеличению общей длины зигзагообразного пути, пробегаемого электроном. Поэтому увеличивается число соударений электронов с атомами ртути, а, следовательно, и число возбуждающих столкновений. Поэтому в грубом приближении мы вправе ожидать примерно такого же распределения расходуемой мощности, которое Следует из диаграммы рисунка 150 для абсциссы, соответстаующей давлению в несколько мм Hg. Однако опыт показывает, что изменение парциального давления паров ртути, небольшое по сравнению с общим давлением, сильно отзывается на удельном весе резонансного излучения. Так, при диаметре трубки 3 см и силе тока 0,65 амп давление паров ртути, оптимальное по отношению к резонансному излучению, — 0,01 мм Н . Это соответствует температуре жидкой ртути в разрядной трубке 40° С при температурах 60° или 20° С, что соответствует давлениям ртутного пара 0,05 и 0,001 мм Hg, относительная интенсивность резонансного излучения значительно меньше. Объяснить такую чувствительность резонансного излучения к содержанию паров ртути и появление максимума можно так. С одной стороны, уменьшение парциального давления паров ртути приводит к уменьшению числа излучающих центров, с другой, — увеличение этой концентрации приводит к облегчению разряда путём неупругих столкновений второго рода атомов ртути с метастабильными атомами аргона и, следовательно, к понижению продольного градиента потенциала Е ,. Следствием уменьшения Е является уменьшение температуры электронов, а следовательно, и уменьшение числа электронов, обладающих значениями кинетической энергии, необходимыми для возбуждения исходных уровней резонансных линий. [c.347]

    В бензольном ядре электронная плотность распределена равномерно. Присоединение заместителя нарушает электронную плотность. Заместители первого рода увеличивают общую электронную плотность ядра и особенно в орто- и па/7а-положениях. Приближение иона карбония к орто- и гаара-положениям энергетически более выгодно, чем приближение к лета-углеродным атомам. Это приводит к облегчению замещения другими последующими заместителями. Наоборот, заместители второго рода уменьшают электронную плотность ядра вообще и особенно в орто-и иара-ноложении. В этом случае замещение затрудняется, а реагирующие с ядром последующие заместители вступают в мета-положение. Энергетически более выгодно приближение алкили-рующего агента к леша-углеродным атомам. Это подтверждается экспериментальным изучением распределения электронной плотности методом магнитного резонанса. [c.158]

    Магнитная восприимчивость—222 Магнитная восприимчивость, анизотропия-223 Максимумы неоднозначности—471 Максимумы первого и второго рода—442 Максимумы распределения межатомной функции—427, 428 и сл., 432, 438 Максимумы распределения электронной плотности--20, 181, 514, 543 и сл., 558, 561, 575 и сл., 603 Максимумы саттелитные—473 Марки почернения—161 Межатомная функция, максимумы—427, 428 и сл., 432, 438 Межатомная функция, методы расшифровки—433, 434, 436, 438, 446, 448, 470, 488 [c.622]

    Рассмотрим принципиальные основы решения уравнений атомарной кинетики на примере водородной плазмы. Введем упрощаюшие предположения. Для свободных электронов принимается максвелловская функция распределения по скоростям с постоянной электронной температурой Те. Пусть степень ионизации плазмы такова, что наиболее вероятными из элементарных процессов являются соударения атомов с электронами первого и второго рода и маловероятны процессы межатомных и атом-ионных столкновений, а также однократные столкновения, приводящие к ионизации, радиационной и тройной рекомбинации. Как показал анализ, для достаточно плотной плазмы электрон-ионную рекомбинацию и ионизацию следует рассматривать как процессы хаотического движения электрона по энергетическим уровням. В рамках сделанных допущений система уравнений баланса заселенностей в пространственно однородном случае имеет вид [c.115]

    В сумме значения всех 1Т-порядков дают число 3, т.е. три пары связывающих тт-электронов. Это число 1Т-электронов отвечает известному правилу Хюккеля, лежащему в основе теоретического определения понятия ароматичности. Если вспомнить, что фуроксановое кольцо плоское и, следовательно, оно удовлетворяет и другому требованию ароматичности, то с позиции этих критериев следовало бы признать рассматриваемую систему ароматической. Однако, во-первых, часть этого секстета 1Т-электронов выходит за пределы кольца на внециклическую связь N0, а, во-вторых, тт-электроны секстета почти не распространяются на соседнюю внутрнциклическую связь N0, которая, следовательно, почти ие участвует в делокализации тт-электронов и фактически прерывает кольцевую цель сопряжения. Наглядно распределение тт-электронов в фуроксановом кольце иллюстрируется штрихами и точками разной интенсивности (см. схематическое изображение 16) приведены также округленные значения тг-порядков связей. С точки зрения такого распределения электронов фуроксановая система представляет собой своего рода незамкнутую цепь сопряжения ОМССМО, перехваченную чисто простой связью между первым и предпоследним атомами цепи. Поэтому об ароматичности фуроксанового кольца на основании геометрических параметров и электронного распределения можно говорить лишь с известными ограничениями, хотя другие физические и химические свойства, как будет видно из следующих разделов, определенно указывают на ароматический характер системы. [c.31]

    Соединения типа МХ (п > 0), где X — обычно монодентатный лиганд, например хлорид- или бромид-ион, а связь М—X преимущественно электровалентна. Центральный ион М обладает либо полностью, либо приблизительно сферическим распределением электронного облака. К такого рода соединениям относятся Т1С14, МпС1Г, РеСи, С0С1Г, N 14 . Такой тип комплекса редко встречается у элементов второго и третьего рядов О-блока. [c.43]

    Развертка элементов с заполняющимися -оболочками приводит к широко известной длинной форме таблицы Менделеева (табл. 8), в которой между подгруппами бериллия и бора, т. е. вновь между второй и третьей группами, появляются три ряда переходных металлов с заполняющимися 3d-, 4d- и 5й-подоболочками. В этих рядах слева направо реализуется переход от щелочноземельных металлов и металлов подгруппы скандия с ярко выраженными металлическими свойствами к полуме-таллическим элементам — цинку, кадмию, ртути и далее — к галлию, индию и таллию с признаками ковалентных кристаллов. Так как заполнению d-оболочки десятью электронами соответствуют десять элементов, то в одной из восьми групп возникают триады (железо—кобальт—никель, рутений—родий—палладий, осмий—иридий—платина). Переходные металлы образуют побочные, или й-подгруппы, причем 1ПЬ следует за подгруппой Ия, а 16 и 116 предшествуют подгруппе Illa. Распределение переходных металлов по группам определяется общим числом d- и s-электронов на внешних незаполненных оболочках их атомов, причем только для подгрупп кобальта и никеля оно не равно соответственно девяти и десяти и отличается от номера группы (VIII). [c.35]

Смотреть страницы где упоминается термин Электроны второго рода распределение: [c.162]    [c.8]    [c.218]    [c.324]    [c.413]    [c.11]    [c.66]    [c.198]   
Теоретические основы органической химии Том 2 (1958) -- [ c.400 , c.428 , c.439 , c.440 ]



ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Электронная распределение

Электронов распределение



© 2025 chem21.info Реклама на сайте