Дальнее взаимодействие дефектов

Работа дефектоскопов всех типов основана на взаимодействии проникающих полей и излучений с веществом, и только дальнейшие успехи в изучении более глубоких процессов этого взаимодействия позволят создать принципиально более совершенные приборы. Именно поэтому наиболее актуально сегодня дальнейшее совершенствование методов оптической и ультразвуковой голографии и других методов, воспроизводящих объемную трехмерную информацию об объекте контроля. Нужно развивать соответствующую теорию взаимосвязи полей и дефектов в трехмерной системе координат. Необычайно остро встают вопросы метрологического обеспечения дефектоскопической аппаратуры, создания поверочных схем, контрольных образцов изделий, имитаторов. [c.62]

Принцип метода. Как отмечалось в разд. 2.1.2, дифракционно-временной метод (ДВМ) реализуется с использованием пары преобразователей, расположенных по разные стороны от дефекта (рис. 2.81, г). Пучок УЗ-лучей, излученных одним преобразователем, взаимодействует с поверхностью дефекта и принимается другим преобразователем. В дальнейшем рассматривается и комментируется британский стандарт [366] по ДВМ контроля, в последующем именуемый БС. [c.252]

Дальнее взаимодействие дефектов [c.137]

При облучении вещества электронами энергия отдается атомами малыми порциями, недостаточными для того, чтобы первично выбитый атом мог вызвать дальнейшие смещения. Таким образом, в результате рассеяния электронов могут создаваться лишь одиночные дефекты [пары Френкеля — вакансия и межузельный атом (см. гл. V) 1. Облучение вещества 7-лучами по результатам близко к облучению электронами. Это происходит потому, что у-лучи взаимодействуют с атомами облучаемого вещества не непосредственно, а через первоначальное образование быстрых электронов, которые в свою очередь воздействуют на атомы через упругие столкновения. Особенностью 7-облучения является то, что благодаря малому поглощению в веществе глубина проникновения 7-лучей и, следовательно, глубина повреждения вещества существенно больше, чем в случае облучения пучком электронов. Разумеется, при этом интенсивность воздействия соответственно меньше. [c.212]

Рассмотрим применимость понятия о кооперативном взаимодействии дефектов с более общих позиций на примере превращений того или иного рода в простом твердом теле постоянного состава. Несомненно, что именно такую природу имеют превращения типа порядок — беспорядок, магнитные и ферроэлектрические эффекты упорядочивания [13]. Еще одним примером подобного перехода служит процесс плавления, для которого известны связанные с опережением эффекты, проявляющиеся в макроскопических свойствах, но не существует ни одной строго обоснованной модели [14]. Наиболее существенными физическими особенностями процесса плавления являются 1) сохранение дальнего порядка вплоть до температуры плавления и его полное исчезновение при такой температуре, 2) внезапное разрушение кристалла при температуре плавления и 3) существование эффектов, предшествующих плавлению, и эффектов, проявляющихся непосредственно после плавления. Они проявляются в различных физических свойствах, таких, как теплоемкость, коэффициент теплового расширения и т. д. Излагаемые здесь предположения о механизме плавления основываются на существовании дефектов типа вакансий. Несомненно, что наиболее важное различие между твердым и жидким состояниями состоит в том, что в твердом теле существует дальний порядок, а в жидкости он отсутствует. В различных моделях, предложенных ранее, такое изменение порядка связывалось с резким изменением энтропии, которое действительно происходит при плавлении. В свое время были предприняты попытки связать процесс плавления с изменением упорядоченности структуры за счет увеличения числа вакансий при достижении температуры плавления. На этой основе было предложено несколько теорий [151, против которых, однако, можно высказать следующие возражения 1) равновесная концентрация вакансий должна быть очень небольшой вплоть до температуры плавления и 2) концентрация вакансий в кристалле должна [c.380]

В ходе дальнейшего изложения рассматриваются вопросы, касающиеся образования в твердых телах собственных дефектов разных типов и соотношений между их концентрациями. Затем обсуждаются процессы, происходящие при одновременном присутствии различных собственных дефектов, т. е. взаимодействие дефектов между собой, влияние этого взаимодействия на их концентрации и на фазовые равновесия. [c.191]

Подводя итог трех различных статистических аспектов разрушения, можно сказать, что в первом случае (разрушение как статистическое событие) свойство (вероятность разрушения) относится к материальному телу в целом. Во втором случае один дефект, т. е. одна микронеоднородность в теле (из многих) считается доминирующей при его ослаблении. В третьем случае отдельные акты разрушения взаимодействуют и влияют друг на друга, определяя свой дальнейший рост. Тот же самый подход, который был использован здесь для объяснения разброса данных разрушения, мы встретим, например, в теории прочности, опирающейся на механику сплошных сред, механику разрушения и молекулярную структуру. [c.66]

В реальных кристаллах дефекты не являются независимыми и взаимодействуют друг с другом встречаются не только единичные дефекты, но и их ассоциаты ассоциаты вакансий, ассоциаты из вакансии в своей подрешетке и междоузельного атома в другой подрешетке и др. Взаимодействия между дефектами существенно влияют на свойства кристалла и учет их —важная задача современной теории дефектов. Рассмотрение независимых дефектов составляет первое, самое грубое приближение, сравнительно оправданное при очень малой концентрации дефектов. Это приближение в дальнейшем и будет обсуждаться, [c.190]

Ухудшение свойств при превышении оптимальной концентрации наполнителя объясняется дальнейшим повышением жесткости молекул, взаимодействующих с наполнителем- в пределах аморфной фазы, а следовательно, повышением хрупкости и снижением прочности. Таким образом, при средних степенях наполнения влияние наполнителей распространяется главным образом на аморфные области. При больших степенях наполнения на механических свойствах начинают сказываться факторы, связанные с возникновением перенапряжений, дефектов, ростом менее совершенных структур и т. п. [c.178]

Термическую стабильность цеолитов не удается описать каким-либо простым законом. Теоретически можно рассмотреть силикатные каркасы, состоящие из чистого кремнезема. В отсутствие паров воды тридимит стабилен до 1550°С. Стабильность широкопористых каркасов должна быть меньше, так как в них ослабляются взаимодействия дальнего порядка. В то же время такие каркасы могут быть весьма стабильными благодаря высокой энергии активации разрыва связей Si—О, однако влияние, угла Si—О—Si на вклад ковалентной составляющей в энергию связи пока не изучено. Реальная скорость реакции должна в значительной степени зависеть от присутствия дефектов. Дальнейшее усложнение картины связано с введением в каркас алюминия и влиянием компенсирующих катионов. Экспериментальные данные показывают, что термостабильность, как правило, понижается с увеличением соотношения Al/Si, но сильная зависимость стабильности от химической природы катионов не позволяет получить четкую зависимость. Для разрыва связи А1—О требуется меньшая энергия активации, чем для разрыва связи Si—О, и цеолиты с большим содержанием алюминия легче перекристаллизовываются в фельдшпатоиды. Влияние топологии каркаса на стабильность цеолитов пока не удалось убедительно объяснить. Попытки рассматривать цеолитные каркасы как инженерные сооружения нельзя считать удачными, хотя построение проволочных моделей каркасов позволяет интуитивно понять причины снижения стабильности при уменьшении углов Т—О—Т. [c.89]

Наоборот, реакции в твердой фазе происходят между кристаллическими веществами, решетки которых на первый взгляд представляются идеальными. Подвижность элементов такой решетки очень ограничена и сложным образом зависит от наличия в ней различных дефектов. Кроме того, взаимодействие может иметь место только в точках тесного соприкосновения реагирующих фаз. Накопление молекул продуктов в газообразной среде или в растворе приводит к установлению равновесия, определяемого законом действия масс. При реакциях между твердыми веществами в местах их контакта образуется относительно неподвижный слой продукта и дальнейшее протекание реакции зависит от механизма диффузии, посредством которой реагирующие частицы могут проходить через этот слой. Уже из этих немногих замечаний ясно, что кинетика реакций между твердыми веществами определяется рядом факторов. [c.391]

Дефекты могут быть собственными, если они образуются вследствие теплового движения в кристалле, находящемся в условиях теплового равновесия при температурах выше 0°К. В дальнейшем мы коротко рассмотрим несколько примеров. Другие дефекты, такие, например, как химические примеси, могут появиться в твердом веществе случайно или в результате преднамеренного введения добавок. Собственные дефекты могут присутствовать в концентрациях, отличных от тех, которые можно ожидать в чистых кристаллах в состоянии равновесия. Это может быть результатом случайного или намеренного введения в кристалл различного рода дефектов, взаимодействия между дефектами или следствием неравновесных условий. Нам необходимо прежде всего описать и классифицировать различные типы дефектов, поскольку они определяют многие химические свойства твердых веществ, которые будут рассмотрены в последующих главах, а также и физические свойства. В гл. 5 говорится о концентрации дефектов. [c.50]

В результате дальнейшей термической обработки при 500— 600 °С цеолит теряет 1 молекулу воды, образовавшуюся из 2 соседних ОН-групп, или 1 молекулу воды на каждые 2 тетраэдрически координированных атома алюминия. Удаление воды сопровождается потерей атомов кислорода вблизи положений 8110(3)] и образованием вакансий в решетке. Предполагается, что соседние атомы алюминия и кремния имеют тенденцию к образованию 5р -конфигурации с оставшимися 3 атомами кислорода. После частичного дегидроксилирования остающиеся ОН-группы на 0(2) вблизи положений 8 могут обладать более сильными кислотными свойствами вследствие индукционного взаимодействия с расположенным рядом дефектом решетки. Безусловно, возможны и иные схемы, основанные на других типах расположения атомов в каркасе цеолита и включающие 0(1) атомы. [c.489]

Модель плавления [16], которую мы кратко опишем ниже, основана на механизме агрегации дефектов. Однако это не означает, что при взаимодействии вакансий из них могут образоваться крупные агрегаты или пустоты, объем которых во много раз превышает объем одной вакансии. В данной модели рассматривается взаимодействие между малыми пустотами (т. е. агрегатами, состоящими из небольшого целого числа вакансий) и атомами (либо молекулами и ионами в дальнейшем для простоты будем называть все эти частицы атомами), находящимися в узлах решетки, которые окружают эти пустоты. Атомы, находящиеся на поверхности такого агрегата из вакансий, в силу энергетических особенностей своего положения стремятся вырваться из нормального положения в решетке в пустоты, испариться . Поскольку поверхность потенциальной энергии [c.381]

Приведенными примерами мы пытались показать большой интерес исследований, проведенных на металлах высокой степени чистоты, достигнутой благодаря зонной плавке. Этот метод очистки в дальнейшем может быть усовершенствован применением вертикальной зонной плавки и с большими количествами вещества. При достигнутой степени очистки некоторые атомы примесей в решетке металла играют очень важную роль, которую можно объяснить на основе теории дислокаций. Взаимодействие между атомами примесей и дефектами решетки, а также взаимодействия между дефектами оказывают влияние на многие свойства металла, такие, как рекристаллизация при низкой температуре, полигонизация, внутрикристаллическая коррозия, химические и структурные свойства поверхности, диффузия. [c.368]

В целях упрощения дальнейшего описания предположим, что расстояние образец — антенна выдерживается постоянным, а материал свободен от существенных дефектов. Таким образом, взаимодействие микроволн с объектом определяется составом материала (е и 6) и его геометрическими размерами. Пусть из размерных параметров переменной является только толщина. Следующее допущение заключается в том, что изменение состава влечет за собой изменение только одной электрической характеристики материала tg б или е. Например, в пластмассовых листах изменение б часто весьма мало, поэтому изменение в составе целиком определяется изменением е. Таким образом, объект характеризуется только двумя параметрами толщиной и составом (е ). Следует подчеркнуть, что сделанные выше допущения не накладывают ограничений на применение метода. [c.269]

Для дальнейшего рассмотрения и приложения зонной теории важно следующее. Концентрация различных видов дефектов, естественных или созданных искусственно, может быть достаточно большой, но все же расстояние между дефектами в кристаллической решетке всегда будет исчисляться по крайней мере несколькими периодами решетки, т. е. будет отсутствовать тесное взаимодействие между ними. Поэтому в отношении -дефектов нельзя использовать представления о зонах, но можно считать, что образуются локальные уровни возможных электронных состояний, расположенные между зоной проводимости и валентной зоной. [c.60]

При изучении влияния добавок галогенов на дальнейшее поведение альдегидов выяснилось [78], что модифицирование катализатора препятствует их окислению (рис. 2). Полагают, что на поверхности катализатора имеются два типа активных центров, включающих электроны, и положительно заряженные вакансии, на которых избирательно хемосорбируются молеку, 1ы кислорода и олефина. Поверхностные дефекты катализатора влияют на скорость переноса зарядов между взаимодействующими частицами и катализатором, а также на равновесную поверхностную концентрацию заряженных частиц. Продукты мягкого и [c.28]

Имеется и другой тип режимов конвекции с постоянно присутствующей нестационарностью, который получил название хаоса спиральных дефектов. Такие режимы впервые наблюдались Моррисом с соавторами [187] (см. также описание дальнейших экспериментов в [188]). Авторы экспериментировали с углекислым газом под давлением 32,7 бар (Р = 0,96) в цилиндрическом резервуаре с Г = 78, наружная стенка которого была сделана из фильтровальной бумаги и оказывала очень слабое вынуждающее действие. При е < 0,050 устанавливалась стационарная система прямых валов (рис. 29, й). При увеличении е валы все больще стремились подходить к стенке под прямым углом. В результате на стенке возникали сингулярности типа фокуса и появлялись структурные границы, разделяющие отдельные текстурные фрагменты (рис. 29, ). Такой режим (скажем, при е 0,1) нестационарен — для него характерно движение дефектов. При е и 0,4 во внутренней части резервуара конвективные валы начинают образовывать вращающиеся спирали (рис. 29, ( ), и при > 0,5 наблюдаются многочисленные взаимодействующие вращающиеся спирали и другие дефекты. С увеличением резервуар постепенно заполняется ими — развивается хаос спиральных дефектов (рис. 29, г). Как сказано в работе [187], обычно спираль делала несколько оборотов, сдвигаясь на расстояние, сравнимое с ее диаметром, прежде чем разрушиться или изменить число рукавов . Большинство спиралей имели один рукав, хотя имелись также спирали с двумя и тремя рукавами, а также участки с концентрическими валами (мишени). Корреляционная длина структуры резко убывала с увеличением е. В отличие от того, что наблюдалось в [114] (см. п. 4.1.3), спирали не вписываются во внешнюю границу, из чего авторы делают вывод, что их формирование есть составная часть хаотической динамики. [c.113]

При повышении температуры сдерживающее влияние сил молекулярных взаимодействий уменьшается в результате термического расширения до тех пор, пока молекулы не будут удалены друг от друга настолько, что энергия решетки станет сравнима с энергией теплового движения. После этого наступает катастрофическое увеличение количества групп, способных к свободному вращению. Дальний порядок нарушается, и образец плавится. Предполагают, что в непосредственной близости от дефектов интенсивность движения отличается от интенсивности движения в совершенном кристалле и во многих случаях оказывается выше, инициируя таким образом более интенсивное движение соседних молекул при данной температуре. [c.19]

В. К. Опарой, Н. И. Медведевой и Г. В. Левенковой на кафедре коррозии металлов МИСиС, получена сложная кривая с двумя максимумами (рис. 94), первый из которых с повышением температуры окисления смещается в область более низких значений ро, с примерно неизменяющейся максимальной скоростью окисления меди, а второй существенно увеличивается с повышением температуры при неизменном критическом давлении ро, = 16 мм рт. ст. Наступление высокотемпературной пассивности при первом максимуме может быть обусловлено взаимодействием дефектов в окисле СпаО с образованием устд-йчивых комплексов типа /СиЦ /Си2 /СиЦ7, что приводит к уменьшению эффективной концентрации катионных вакансий и электронных дырок в окисле, а это в свою очередь ведет к уменьшению скорости окисления вследствие торможения процесса Си —> Си +е. При дальнейшем увеличении ро, объединение дефектов в упорядоченные агрегаты облегчает появление новой фазы СиО и усиление окислительного действия [c.134]

В предлагаемой схеме принимается, что установление стехиометрических отношений между компонентами происходит уже нри образовании одномолекулярного слоя окиси. Возникающее при этом тангенциальное давление снижает вероятность дальнейшего взаимодействия металла с кислородом, но качественных особенностей в процесс не вносит. Во вторичной стадии окисления на поверхность пленки выходят ионы металла, подчиняющиеся правилу разностей между энергиями образования соединения компонентов и теплотой испарения металла. Это обеспечивает активацию процесса химической сорбции молекул кислорода на различных участках поверхности окись — 133. Освобождаемые уходящими на поверхность пленки атомами места в кристаллической решетке металла замещаются атомами кислорода, и, благодаря этому, создается система пустых кислородных узлов в окисле. При образовании и перемещении пустых кислородных и металлических узлов и одновременном перемещении атомов компонентов, большую роль должны играть другие дефекты нарождающейся кристал- лической решетки, которые возникают оттого, что явления адсорбции молекул кислорода и передвижение компонентов (кислорода — внутрь твердой фазы, металла — наружу) происходят независимо на различных участках пленки. Величина этих независимых участков значительно меньше, чем размеры исход- [c.194]

В любом случае для возниююветт адгезии необходимо перемещеипе молекул адгезива (транспортная стадия) к дефектам и активны. центрам поверхности субстрата и их взаимодействие между собой. Механизм адгезии заключается в различных типах. межмоле-ку.трного взаимодействия. молекул контактирующих (раз. На дальних расстояниях, многократно превосходящих размеры взаимодействующих частиц, действуют ван-дер-ваальсовы силы типа дисперсионных, ориентационных, индукционных взаимодействий На расстояниях порядка молекулярных размеров действуют силы обменного и ионного взаимодействия. Роль взаимодействий проявляется в зависимости адгезии от структурных функциональных групп молекул адгезива, что установлено Притыкиным Л.М. В работе [2] установлено, что для данного субстрата каждая функциональная группа органических соединений вносит строго определенный вклад в энергию адгезии. Кроме того, адгезия зависит от природы субстрата, так прочность органических адгезивов к металлическим субстратам изменяется в ря- [c.8]

В процессе адгезии играют роль поверхностные (двумерные) силы, так как в процессе участвует только тонкий приповерхностный слой жидкости. В предложенной нами модели поверхность адгезива (раствора) рассмотрена как двумерный газ полимерных молекул, а процесс адгезии - как изобарное изотермическое расширение этого газа в поле вандервальсовых и химических сил субстрата. Предполагается, что при расширении двумерного поверхностного газа заполняются поры и дефекты поверхности субстрата. В дальнейшем этот газ взаимодействует с его активными центрами. [c.11]

Развитие электрономикроскопической техники за последнее время показало, что такие квазикристаллические образования, называемые периодическими коллоидными структурами, широко распространены в природе и технике. Не имея возможности в рамках настоящего курса остановиться подробно на свойствах этих интересных и важных в практическом отношении систем, отсылаем читателя к монографии Ефремова [16]. На фотографиях, взятых из этой книги (рис. ПО и 111), мы видим квазикристал-лическое строение структурированных систем, наличие дальнего порядка и дефектов, характерных для реальных кристаллов. ПКС образуются преимущественно за счет фиксации частиц во втором минимуме. Расчет, проведенный Ефремовым и Нерпиным для моделей коллективного взаимодействия, показал, что симметричное расположение частиц как раз отвечает минимуму потенциальной энергии системы. [c.284]

На фотографиях, взятых из этой книги (рис. XIV. 9, XIV. 10), видно квазикри-сталлическое строение структурированных систем, наличие дальнего порядка и дефектов, характерных для реальных кристаллов. ПКС образуются преимущественно за счет фиксации частиц во втором минимуме. Расчет, проведенный Ефремовым и Нерпиным для моделей коллективного взаимодействия, показал, что симметричное расположение частиц как раз отвечает минимуму свободной энергии системы. [c.277]

В большинстве случаев Т.р. начинаются в области протяженных дефектов кристаллич. решетки (дислокаций, границ зерен и т. п.), где потери энергии на деформацию связей хим. подсистемы с решеткой уменьшаются и существует нек-рый свободный объем, облегчающий переориентацию реагирующих частнц и их взаимодействие (см. Реакции в твердых телах). В результате образуются зародыши новой фазы продукта и формируются новые протяженные дефекты-межфазные границы между исходной твердой матрицей и твердой фазой продукта. Дальнейший рост фазы продукта происходит вследствие р-ции на этих грашщах, а скорость процесса пропорциональна площади пов-сти раздела фаз, к-рая вначале растет, а затем уменьшается по мере слияния отдельных частиц фазы продукта. [c.612]

Возможность взаимодействия тяжелой фазы с растущими кристаллами кварца рассматривались Л. В. Брятовым [5]. Он указывал, что влияние тяжелой фазы на процесс роста кварца сводится к осаждению ее на растущем кристалле, что затрудняет доступ питательного материала. Консервация коллоидно-дисперсных частиц, выделяющихся при расслоении растворов, конечно, может иметь место. Она неоднократно нами наблюдалась в тех случаях, когда опыты проводились при относительно низких (<0,70) степенях заполнения. Кристаллы с зональными (опалесцирующими) прослоями кварцевого геля описывались Н. Н. Шефталем еще в 1955 г. Если процесс расслоения протекает интенсивно в начальную стадию кристаллизации, то на затравках появляются потеки , образованные выделениями тяжелой фазы , которые в дальнейшем зарастают, причем в наросшем слое возникают дефекты, обусловленные блокировкой. Наряду с этим материал пирамиды <с> может формироваться со скоростью свыше 1 мм/сут в условиях, когда один из основных компонентов неструктурной примеси (натрий) включается в кварц в весьма больших (свыше 5- 10 % количествах, но явлений, сопровождающих блокировку растущих поверхностей, при этом не наблюдается. [c.125]

Никель при увеличении его содержания в а-железе до 10% довольно слабо влияет на водородопроницаемость сплавов [238, 253, 260]. В этом случае происходит замещение атомов железа кристаллической, решетки на атомы никеля, которое мало влияет на концентрацию и расиределение электронов и на энергию межчастнчного взаимодействия. В высоколегированных (12— 30% N1) сплавах происходит резкое возрастание энергии акти-ваци 1 диффузии и практически полное подавление диффузии при ко.мнатных температурах [256, 261], что обусловлено фазовым наклепо г и резким возрастанием концентрации дефектов кристаллической решетки [262]. Так же влияют кобальт, ванадий и отчасти марганец [253]. При высокотемпературной диффузии (в области существования а-фазы), увеличение содержания никеля до 6% вызывает рост проницаемости, а дальнейшее увеличение содержания никеля до 74% снижает проницаемость, что с зяэьгвается с образованием фазы [263]. Увеличение [c.82]

Подробное обсуждение механизма переноса энергии между молекулами пигмента в хлоропластах выходит за пределы данной книги. Однако некоторые понятия, широко используемые в литературе по фотосинтезу, заслуживают разъяснения. Б начале 1950-х годов такой перенос энергии связывали обычно с индуктивным резонансом. Считалось, что этот относительно медленный перенос может происходить между слабо связанными друг с другом молекулами в растворе, например между молекулами хлорофилла Ь и хлорофилла а [259] (см. стр. 31). Позже, с развитием физики твердого тела, некоторые исследователи пришли к выводу, что молекулы хлорофилла расположены в двумерной молекулярной кристаллической решетке и ведут себя подобно полупроводнику. В таком случае соседние молекулы должны взаимодействовать так сильно, что их орбитали будут перекрываться. Миграция экситона (представляемого как электрон и положительно заряженная дырка, движущиеся вместе по решетке [187]) должна при этом происходить столь быстро, что приписать этот экситон в любой данный момент какой-либо определенной молекуле не представляется возможным. Арнольд и Шервуд [4] показали, что если высушенные хлоропласты сначала осветить при комнатной температуре, а затем нагреть до 140° С, то они будут излучать свет. Такого рода результаты подтверждают представление о том, что хлоропласты— это система, обладающая свойствами твердого тела. Описанные процессы происходили бы в полупроводнике, если бы часть возбужденных электронов захватывалась дефектами кристаллической решетки, а затем в результате поглощения кванта дальнего красного света освобождалась и попадала обратно в дырки. Аналогичные явления наблюдались в опытах со све-. жими суспензиями hlorella и листьями (по техническим причинам, однако, их не удалось исследовать количественно). Было высказано предположение, что такой же механизм лежит в основе очень слабого послесвечения, наблюдаемого в темноте при нормальной температуре после освещения зеленых тканей [285]. [c.49]

Совершенно иная ситуация реализуется в кристаллах, характе-ризуюш ихся однородной (дальний порядок мономерных единиц) и неоднородной анизотропией (дефекты, линии дислокаций, примесные молекулы и т. д.). В силу значительного межмолекулярного взаимодействия в кристаллах мономерные молекулы должны рассматриваться не как изолированные осциляторы, а как единый ансамбль с набором обш их вырожденных уровней энергии возбуждения Волновая функция для такого ансамбля является волновой функцией гигантской объединенной молекулы-кристалла или ее части. Следует отметить, что если в основном состоянии ван-дер-ваальсово взаимодействие приводит лишь к понижению энергетического уровня состояния, то в случае возбужденного состояния должно наблюдаться расщепление на подуровни Набор новых возбужденных подуровней будет описываться новыми волновыми функциями 11) , которые являются линейными комбинациями функций ф,- и отличаются друг от друга значениями коэффициентов в следующей системе уравнений [c.100]

Из результатов [155] следовало, что столь сильная зависимость г от N обусловлена не дальними объемными взаимодействиями, а эффектами ближнего порядка, т. е. зависимость т N сохранялась при запрете самопересечений только соседних звеньев. Механизм проявления этих странных эффектов был выявлен в [156]. Было показано, что при использовании кинетических единиц только одного типа некоторые конформации цепи не могут рассосаться за счет внутренних движений. Примером такой конформации являются воротики - П-образная конформация цепи (см. рис. V.28). За счет движения только Г-элементов эти конформации могут расширяться или перемещаться вдоль цепи, но они не могут исчезнуть иначе, чем сместившись на край цепи. При встрече двух таких альтернирующих конформаций они не могут проникать друг через друга (рис. V.31). Возможно, что в результате движение цепи становится сходным с рептационным движением цепи, вдоль которой перемещается дефект. Для такого рода движений де Жен получил Трепт [21]. [c.143]

В дальнейшем мы не будем накладывать особых ограничений на концентрации точечных дефектов, допуская некоторое взаимодействие между ними. В соответствии с этим энергия любого дефекта, вообще говоря, предполагается зависящей от концентраций всех имеющихся дефектов. Однако взаимодействие предполагается достаточно слабым для того, чтобы не повлиять на хаотичность распределения дефектов по узлам или междуузлиям, и это распределение считается совершенно беспорядочным. [c.58]

Несмотря на существенные достижения теории, которые, по нашему мнению, отражены в данной книге, следует отметить, что пока речь идет лишь о некоторой полевой модели, а не о термодинамике сплошной среды. В связи с этим хотелось бы указать на некоторые возможности, открывающиеся на избранном авторами пути, и на дальнейшее развитие принятой ими схемы. Во-первых, в таком подходе хорошо удается описать взаимодействие электромагнитного классического излучения со средой, содержащей дефекты, так как фактически речь идет о распространении электромагнитных волн в пространстве с заданной неевклидовой геометрией. Во-вторых, привлечение калибровочных полей, соответствую- щих дефектам на пространственной решетке, открывает возможность для органического слияния микро- и макроподходов. В-третьих, открытым остается вопрос описания точечных дефектов и дефектов в средах с внутренними степенями свободы, например в средах, в которых каждая частица обладает классическим спином и зарядом. [c.7]

Мы не останавливаемся на теории электронного парамагнитного резонанса, открытого в 1944 году Е. К. Завойским. Ограничимся кратким изложением важных для дальнейшего рассмотрения результатов. Метод ЭПР стал применяться для изучения природы нарушений структуры в реальных кристаллах сравнительно недавно. Число работ здесь относительно невелико, но быстро растет. В случае спин-.электронного резонанса исследуется поглощение сантиметровых электромагнитных волн, обусловленное электронами в атомах, и электронами, локализованными на дефектах, суммарные спины которых отличны от нуля. В качестве примера можно указать хотя бы на работы Уоткин-са 14, 15] и Кувалара [16], изучавших спин-электронный резонанс кристаллов Li l, Na I и K I, содержащих примесь ионов Мп2+ и V +. Мп + является наиболее пригодным парамагнитным ионом для т их исследований. Марганец характеризуется большим временем спин-решеточной релаксации, и поэтому его спектр легко наблюдать даже при комнатной и более высоких температурах. Правда, исследования с Мп2+ затрудняются сложностью спектров ЭПР, так как спин ядра / равен 5/2 и велико сверхтонкое взаимодействие. При введении иона Мп + в кристаллы щелочных галогенидов избыточный положительный заряд в кристалле компенсируется положительными вакансиями или отрицательным зарядом примесей, подобным, например 0 . Взаимодействие иона Мп + с этими дефектами легко проследить в спектре ЭПР. При более детальном исследовании в кри- [c.226]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология