Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Центр распределения и рассеяние

    Предположение об изотропности рассеяния в системе центра масс позволяет достаточно точно описать процесс упругого рассеяния, особенно в интервале энергий нейтронов от тепловых до порядка килоэлектронвольт однако условие изотропности рассеяния нарушается в области тепловых энергий, где становятся заметными энергии химических связей. Такое предположение несправедливо также и для области высоких энергий нейтронов (>1 кэв). Угловое распределение рассеянных нейтронов высоких энергий для неподвижных ядер не изотропно в системе центра масс, причем распределение имеет пики в прямом и в обратном направлениях. [c.55]


    ЦЕНТР РАСПРЕДЕЛЕНИЯ И РАССЕЯНИЕ г [c.586]

    Набухание клубков в хорошем растворителе происходит неоднородно расстояния между более удаленными звеньями цепи возрастают в среднем значительно больше, чем между близкими. На расстояния же между соседними (и ближайшими к ним) звеньями цепи объемные эффекты вообще не влияют, так как эти расстояния определяются целиком близкодействием (или скелетными эффектами) в цепи. Неоднородность набухания клубков, нарушающая их гауссову структуру, неизбежно влечет за собой изменение углового распределения рассеянного светя. Это изменение, очевидно, незначительно проявляется в рассеянии под большими углами (см. рис. 3.4), так как практически не влияет на число пар рассеянных под некоторым углом б лучей, идущих в противофазе и гасящих друг друга при интерференции. Напротив, рассеяние под малыми углами, в которое вносят свой вклад все рассеивающие центры, должно измениться значительно. Этим различным влиянием объемных эффектов на рассеяние под большими и малыми углами и обусловлено наблюдаемое искажение индикатрисы рассеяния. [c.304]

    Нейтроны с начальной энергией Ед после упругого столкновения не могут иметь кинетическую энергию меньше аЕ -, таким образом, (Е) для Е<аЕа- Максимальная же энергия, которую может иметь рассеянный нейтрон, есть его первоначальная энергия Ед. Из уравнения (4.34) ( о) = 1, как и следует ожидать из формулировки функции распределения. Функции распределения и рассеяния в зависимости от энергии для изотропного рассеяния в системе центра масс показаны в виде графиков на рис. 4.6. Аналитические выражения для этих функций приведены в табл. 4.1 [c.56]

    Отверстия в прессовальной крышке для прохода пара имеют в диаметре, как правило, около Аб или 7за дюйма причем расстояние между центрами отверстий составляет 1 дюйм 2 . После открытия клапана прессовальной крышки находящийся под давлением пар стремительно проходит через эти отверстия с большой скоростью. Так как никакого рассеяния пара, снижающего скорость его движения, здесь не происходит, то он проходит через решетку крышки с той же большой скоростью. Пару не предоставлено ни времени, ни простора, чтобы отдать свой перегрев и конденсироваться. Поэтому он ударяется о предмет одежды, подвергающийся окончательной обработке, и проходит через него в перегретом состоянии. Это действие происходит на ограниченной площади, а именно в местах, находящихся под отверстиями для впуска пара. Площади, расположенные в промежутках между впускными отверстиями, продолжают оставаться на некоторое время в сравнительно прохладном состоянии. В соответствии с этим перегретые места, находящиеся непосредственно под впускными отверстиями, увлажняются конденсированным паром в значительно меньшей степени, чем окружающая их площадь. В конечном итоге предмет одежды, находящийся в утюжильной машине, подвергается неравномерному распределению как теплоты, так и влаги. [c.254]


    Если центр спектрального распределения падающего излучения достаточно близок к резонансной частоте возбуждения ядра атома (в пределах ширины линии), то рассеяние идет по двум каналам и вследствие когерентности процессов полная амплитуда рассеяния равна сумме парциальных амплитуд релеевского и резонансного рассеяний  [c.226]

    Для образца со степенью ориентации 300—500 % получают рентгенограмму по методике, описанной в работе VI. 2. Полученную рентгенограмму фотометрируют на микрофотометре с помощью приставки, позволяющей вращать рентгенограмму вокруг центра в горизонтальной плоскости. На экваторе рентгенограммы выбирают интенсивную дугу, расположенную возможно ближе к пятну от первичного пучка. Вращая рентгенограмму, измеряют по визуальной шкале изменение интенсивности прошедшего через рефлекс пучка света, причем измерения проводят через каждые 5°. Поскольку почернение дифракционного пятна определяется не только рассеянием рентгеновских лучей упорядоченно расположенными областями, но и некогерентным рассеянием, то фон, им обусловленный, необходимо исключить. Распределение фона на пленке от центра к периферии определяют фотометрированием по радиусу рентгенограммы в направлении, в котором отсутствуют рефлексы, обусловленные когерентным рассеянием. Фотометрирование по кругу и меридиану обязательно проводят при одинаковой настройке прибора. Почернение собственно дифракционного пятна в каждой точке дуги Еп рассчитывают по формуле [c.194]

    Для разрешения этой проблемы Резерфорд предложил новую модель атома , в которой положительный заряд сконцентрирован в небольшом объеме в центре атома, а электроны движутся вокруг центра положительного заряда по различным орбитам, как планеты в солнечной системе. Эта модель была лучше модели Томсона, так как предполагала такое распределение положительного и отрицательного зарядов в атоме, которое соответствовало наблюдаемому рассеянию альфа-частиц. С одной стороны, электроны нельзя рассматривать как неподвижные, потому что противоположные заряды электрона и ядра вызвали бы их сближение. С другой стороны, если предположить, что электроны движутся вокруг ядра, [c.28]

    Параметры распределения случайных величин — постоянные величины, входящие в закон или функцию распределения. (В принципе, постоянными являются только параметры генеральных совокупностей). Параметры при неизвестном законе или функции распределения характеризуют, хотя и не так полно как последние, центр рассеяния — математическое ожидание и интенсивность или степень рассеяния — дисперсию. [c.816]

    Электронная плотность любого атома распределена определенным образом по пространству. В формуле структурной амплитуды подразумевалось, что результат рассеяния лучей различными точками каждого атома, взятого по отдельности, уже известен он и дается в виде значений /(sin /X), Можно, однако, поступить и иначе рассматривать элементарную ячейку кристалла как непрерывное распределение электронной плотности с максимумами-сгустками в центрах тяжести разных атомов. При таком подходе суммирование в формуле (28) следует заменить на интегрирование по ячейке, а /j на амплитуду рассеяния электронной плотностью в бесконечно малом объеме dV. И так как амплитуда выражается в электронных единицах, то ее величина равна просто p xyz)dV [где p xyz) —электронная плотность в точке хуг]. В результате получим [c.81]

    Молекулы воды, соединенные водородными связями, не могут свободно вращаться вокруг своих центров масс. Колебательное и вращательное движения молекул НаО в значительной степени заторможены действием направленных водородных связей. Об этом свидетельствуют также данные неупругого рассеяния медленных нейтронов. з ,мэв Напомним, что нейтронные исследования динамики жидкостей основаны на измерении энергетического распределения нейтронов, неупруго и квазиупруго рассеянных под [c.234]

    Измерения распределения частиц-продуктов по скоростям и углам рассеяния позволили установить существование разл. типов р-ций. Для нек-рых р-ций угловые распределения продуктов оказались асимметричными в координатах центра масс, т. е. частицы продуктов разлетаются преим. в определенном направлении. Это означает, что время протекания такнх р-ций порядка длительности столкновений 10 -10 с. Их наз. прямыми реакциями, т.к. при этом не происходит образования комплекса сталкивающихся частиц. Различают прямые р-ции срыва (срывные р-ции) и прямые р-ции рикошета (рикошетные р-ции). Для реакций [c.123]

    Рамановская спектроскопия гораздо более приспособлена к использованию оптоволоконной технологии, чем инфракрасная спектроскопия. Разработаны оптоволоконные зонды для измерения рассеяния света и люминесценции. При использовании лазера в качестве источника света эти устройства можно применять и для реализации метода рамановской спектроскопии. Эти датчики состоят из оптоволоконного пучка и оптического окна в конце волокон. В пучке оптические волокна распределены таким образом, что в центре находится одно-единственное волокно, по которому идет свет от источника, и несколько других сходных волокон по краям пучка собирают рассеянный пробой свет (рис. 16.4-4). Этот тип распределения волокон обеспечивает максимальную эффективность сбора рассеянного излучения. Линзы обычно фокусируют свет от [c.660]


    Для прямых трехцентровых реакций можно ввести более детальную классификацию в зависимости от характера углового распределения продуктов реакции. Если продукты ВС рассеиваются в основном в направлении движения (в системе центра масс) частицы С (рассеяние вперед), то такие реакции называют срывными. Если же продукты рассеиваются в направлении движения молекул АВ ( рассеяние назад), то такие реакции называют рикошетными. Подавляющее большинство прямых трехцентровых химических реакций, обладающих заметной энергией активации, идут по механизму, близкому к рикошетному. Сечения таких реакций невелики и сильно зависят от энергии. [c.87]

    В табл. 2.17 затабулированы коэффициенты ослабления, рассеяния, поглощения и нормированная индикатриса рассеяния водяных капель с гамма-распределением числа частиц по размерам а=1, 6=9, с = 0,5. Водяные капли практически не поглощают коротковолновую радиацию, но довольно сильно поглощают инфракрасное излучение в областях спектра 2,7—3,9 мкм (с центром полосы поглощения 3 мкм) и A > 5,5 мкм. В дальней инфракрасной области спектра величина достигает максимума при К — [c.114]

    Искажения кристаллической решетки, вызванные когерентными выделениями новой фазы, приводят к диффузному рассеянию рентгеновских лучей и электронов, распределенному в непосредственной близости от узлов обратной решетки. Теоретические результаты, полученные в предыдущих параграфах, позволяют получить простые выражения для распределения интенсивностей диффузного рассеяния на картинах дифракции, справедливые в рамках кинематического приближения. Первые результаты такого рода были опубликованы в работе Хуанга [181]. В ней рассматривалось диффузное рассеяние, обусловленное точечным дефектом — дилатационным центром в упруго-изотропной среде. Более общие результаты были получены в [182], где учитывалась упругая анизотропия среды, и в [183, 184], где принималась во внимание произвольная геометрия перестройки кристаллической решетки при фазовом превращении и конечные размеры включений. [c.241]

    Изучение иономеров показало [205], что широкоугольный рентгеновский пик является мерой усредненного расстояния между ионными центрами, распределенными в полимере. Малоугловое рассеяние вызвано существованием кристаллических ламелей в иономерах этилена. [c.74]

    Столкновительный член в выражении (2.13) учитывает влияние на функцию распределения столкновения частиц друг с другом или с центрами рассеяния. В элементарной теории этот член определяют интуитивно, допуская, что число столкновений за время равно произведению вероятности нахождения частиц в единичном объеме пространства и числа центров рассеяния. При этом существенно используют допущение молекулярного хаоса, означающее в данной проблеме, что динамические связи между последующими столкновениями быстро теряются из-за большого числа и случайного распределения центров рассеяния, а также бинарность соударений. [c.42]

    Исследовалось влияние механоактивационной обработки и количества дисперсной фазы на полидисперсное строение нефтяных остатков. В качестве сырья использовались нефтяные остатки первичного происхождения (мазут и гудрон западносибирской нефти) и асфальт пропановой деасфальтизации с различным количеством дисперсной фазы, косвенно оцениваемой по содержанию асфальтенов (5,7 8,4 и 12 %, соответственно). Исходное сырье обрабатывалось ультразвуковым диспергатором УЗДН - 2Т в течение 5-30 минут при частоте 22 кГц. Затем образцы анализировались методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей, который позволяет изучать НДС, размеры частиц в которых значительно больше межатомных расстояний и составляют от 10 до 10000 А. Размеры частиц и их распределение относительно друг друга приведены в таблице, где К -радиус инерции частицы относительно ее центра масс, V - относительный объем, %. [c.122]

    Расслютренный способ определения функций распределения электронной плотности допускает математически нестрогие приемы. Более общим, логически последовательным является вариант определения функций распределения атомно-электронной плотности, разработанный В. Н. Филипповичем. Изложим основные положения его теории. Предположим, что монохроматический поток рентгеновского излучения падает на образец вещества, состоящий из т сортов атомов, образующих устойчивые молекулы. Число атомов данного сорта равно Nj (/ = 1,2,. .., т). Вычислим интенсивность рассеяния в направлении, определяемом единичным вектором п. Выберем в образце произвольное начало координат. Положения центров отдельных атомов определяются радиус-векторами Ru, R12, . Rj , где — радиус-вектор центра атома и номера к относительно начала координат (рис. 3.4) Zjn = Zj — число электронов в атоме /. [c.78]

    Выше уже отмечалось, что набор из п параллельных результатов химического анализа следует рассматривать как выборочную со вокупнрсть неравномерно распределенной случайной величины Однако неравномерность распределения результатов обнаружи вается лишь при достаточно большом числе параллельных анали зов и проявляется в том, что для отдельных групп значений, за ключенных внутри промежутков равной ширины, частота их появ дения оказывается разной. В предельном случае, когда выбранная ширина промежутков равна естественному пределу точности метода анализа, а объем выборки хотя и конечен, но достаточно велик,, все результаты разбиваются на группы дискретных значений, и неравномерность распределения результатов анализа ста-ловится очевидной. Выборочную совокупность результатов такого анализа можно представить двояким образом 1) в виде набора отдельных, отличных друг от друга значений случайной величины, характеризующихся неравномерным распределением в силу своей разнократности 2) как выборочную равномерно распределенную совокупность отдельных результатов, часть.из которых совпадает друг с другом. Очевидно, что математическое ожидание такой выборочной совокупности совпадает со средним арифметическим всех результатов. Следовательно, среднее арифметическое ряда параллельных анализов наилучшим образом характеризует центр рассеяния полученных результатов и отягощено минимальной случайной ошибкой. Естественно, что конечный результат химического анализа, по данным ряда параллельных определений, должен в качестве оптимальной оценки содержать именно среднее арифметическое. Вполне очевидно также, что единицы измерения этой величины совпадают с единицами измерения результатов отдельных анализов. [c.75]

    Контурные диаграммы интенсивности углового распределения продуктов для Р-1ШЙ К + 1г - К1 + I (4 К + СНз1 - К1 + СНз (б) и Hg + I, - HgI + I ( ) в системе координат центра масс (ц м). Указаны углы рассеяния (град) и скорости ста-ттавающихся части (м/с). Контурные лишга изображают детальное дифференц. сечение р-ций. [c.124]

    Полезно также рассмотреть плотность вторичных электронов, эмиттированных с единицы площади за счет этих двух процессов, т. е. от падающих электронов пучка и отраженных электронов. В работе [44] отмечено, что генерация вторичных электронов первичным пучком происходит на расстоянии до Я/2 от траектории электрона пучка. Для металлов это расстояние, на котором яроисходит генерация, составляет приблизительно 0,5 нм. Вблизи поверхности в пределах глубины выхода, составляющей 5Я, первичный пучок не испытывает существенного рассеяния, так что диаметр области выхода вторичных электронов, создаваемых первичным пучком, соответствует диаметру падающего пучка, расщиренному на 2X 2=Я. Вторичные электроны, создаваемые отраженными электронами, эмиттируются со всей поверхности вылета отраженных электронов, размер которой может быть микрон или более в диаметре. Для того чтобы оценить эту величину, мы примем за диаметр размер области, с которой выходит 90°/о отраженных электронов (рис. 3.22). Отметим, что, вследствие того что распределение отраженных электронов имеет максимум в центре этой области, плотность вторично-электронной эмиссии, индуцированной отраженными электронами, будет обязательно неоднородной. [c.62]

    В качестве простейшего и наиболее ясного примера использования этих явлений можно указать случай, иозволяюш пй вывести закон отран<ения рентгеновских лучей от поверхности кристалла — закон Брэгга—Вульфа. В самом деле, каждый атом или ион в кристалле действует в качестве центра, от которого излучение рассеивается во всех направлениях, совместимых с законами оптики. Однако излучение, рассеянное в направлении связи между двумя атомами, многократно усиливается рассеянием излучения в том же направлении другими атомами. Суммарная дифракция в избранном направлении составляет одно из брэгговских отражений. Другое применение, некоторые обоснования которого были даны в гл. VII, принадлежит Дебаю, Менке и Принсу опо позволяет установить распределение атомов в жидкости. Наконец, метод смешанных порошков, развитый независимо Гуллом, а также Дебаем и Шерером, позволил сэкономить большое количество труда. В этом методе рентгеновские лучи рассеиваются во всех направлениях маленькими частицами смеси кристаллов, причем структура одного из них (обычно каменной солп) долл<на быть известна. В этом случае измерение межъядерных расстояний производится относительным методом, который сводится к измерению диаметров дифракционных колец, принадлежащих изученному и неизученному рассеивающим веществам. [c.463]

    Производственные погрешности представляются в виде кривых плотности вероятности распределений, которые могут быть описаны рядом числовых характеристик. На рис. 26.11 изображено в общем виде распределение производственных погрешностей массы дозы в упаковке. Здесь е — отклонение центра группирования погрешностей д (среднего значения) от номинала дго, характериззтощее систематическую составляющую производственной погрешности д макс — Хыш, — поле рассеяния, характеризующее случайную составляющую производственной погрешности. [c.1176]

    На рис. 26.13 приведено распределение погрешностей массы дозы в упаковке, подчиняющихся нормальному закону распределения при различных полях рассеяния погрешностей 65, заданных в поле допуска 25 и центре грзшпирования погрешностей Г, совпадающем с серединой поля допуска. При Т> 1 дозатор функционирует с высокой точностью, поскольку имеется запас точности. При Т= 1 поле допуска совпадает с границами кривой плотности вероятности распределения массы дозы и имеется опасение, что в любой момент могут появиться дефектные упаковки. В режиме Т< появление дефектных упаковок уже возможно как результат функционирования дозатора. [c.1177]

    Это различие для расстояния О—Н в среднем составляет 0,15.Д. (нейтронограф. 1,0 А рентгенограф. 0,85 А). Эффект несколько меньше для более тяжелых атомов он связан, по-видимому, с несферичностью электронного распределения, обусловленного образованием химической связи. Это сказывается на рентгеновском факторе рассеяния атома (который зависит от орбитальных электронов), но не на рассеянии нейтронов, которое для диамагнитных атомов определяется лишь ядерными свойствами. В методах уточнения структур кристаллов используются рассчитанные атомные факторы рассеяния, так что если предполагается сферическое электронное распределение, а положение атомного ядра определяется как центр тяжести его электронной оболочки, то рентгенографическая позиция атома может отличаться от позиции, определенной нейтронодифракционным методом 1]. [c.26]

    Чувствительность определения примесей в уране методом Скрибнера и Л уллина составляет /г -10 "% [888, 473. Роль носителя заключается, как это было показано позднее [27], в принудительной концентрации определяемых элементов в центре плазмы дуги в соответствии с распределением в плазме самого носителя. Это имеет своим следствием уменьшение степени рассеяния и выноса атомов элементов-примесей из зоны разряда и, следовательно, увеличение чувствительности определений. Отсутствие в спектре линий урана увеличивает возможности выбора чувствительных аналитических линий определяемых элементов. [c.359]

    Представление об активных центрах как о выступах делает понятным (если учесть статистическое распределение, их по высоте) появление параметра рассеяния Л в кинетическом уравнении дегидрогенизации, оправдавшемся, согласно работам на111ей лаборатории, приблизительно для сотни пар веществ (бинарных смесей реагирующего и прибавленного заранее вещества на разных катализаторах [7]). [c.77]

    В образцах из <с>-пирамиды, ориентированных параллельно зонам роста, после отжига выявляются центры молочно-белой окраски, которые декорируют акцессорный рельеф поверхности базиса (см. рис, 28, б). Вследствие тиндалевского рассеяния аналогичные явления наблюдаются и в неотожженных образцах при интенсивном боковом освещении. Плотность окраски понижается к вершинам куполовидных акцессорий, что может быть вызвано оттеснением примеси к границам конусов нарастания акцессорий. О возможности такого процесса свидетельствуют также результаты съемок кварцевых препаратов методом теневой проекции. На фотографиях отчетливо выявляется ячеистое распределение неструктурной примеси. Участки, обогащенные примесью, обнаруживаются при визуальном просмотре в поляризованном свете пластин, ориентированных перпендикулярно к оптической оси. В отожженных кристаллах молочно-белые пленки нередко возникают непосредственно на поверхности базиса. [c.116]

    Проведенные наблюдения свидетельствуют о том, что опалес-цирующий синтетический кварц содержит частицы коллоидно-дисперсной примесной фазы, равномерно распределенные в кристалле. В процессе нагревания (в результате диффузии) примесь образует более крупные сегрегаты, в центре которых возникают изометрические (частично ограненные) пустоты, которые (наряду с микротрещинами) вызывают интенсивное рассеяние света. [c.124]

    Синие кристаллы кварца впервьге были получены в 1958 г. на затравках базисной ориентации при введении в систему Н2О— 5102 — Na20 — СО2 соединений кобальта, растворимых в гидротермальных условиях. Концентрация пигментирующей примеси в исходном растворе и температурные параметры режима выращивания существенно влияют на интенсивность окраски, распределение которой подчиняется закономерностям зональной и секториальной сегрегации неструктурной примеси. На основании результатов спектрального анализа окрашенных кристаллов и характера распределения синей окраски можно заключить, что ион-хромофор Со + адсорбируется коллоидно-дисперсными комплексами силиката натрия и вместе с ним захватывается во время роста кристалла гранью пинакоида. Связь центров синей окраски искусственных кристаллов кварца с ионами Со2+ подтверждена спектрами поглощения, измеренными в поляризованном свете. На всех полученных кривых отчетливо наблюдается широкий максимум с тремя пиками при 545, 595 и 640 нм. Полное отсутствие дихроизма в этих спектрах и наличие тиндалевского рассеяния света подтверждает коллоидальный характер окрашивающей примесной фазы, захват которой начинается при максимальной скорости порядка 0,2 мм/сут на сторону в направлении оси Ц. С увеличением скорости до 0,25 мм/сут массовое содержание кобальта в пирамиде <с> достигает 1-10 3 7о, что обеспечивает образование кристаллов голубого цвета. Синие ярко окрашенные кристаллы с концентрацией кобальта до 1—2 10" % вырастают со скоростью 0,3—0,4 мм/сут при температуре 330—395 °С. В процессе выращивания синего кварца на дне автоклава выделяется стеклообразный осадок тяжелой фазы , окрашенной в темно-синий цвет и содержащей около 3-10" % СоО. Интенсивность синей окраски при нагревании кварца выше точки ач=ьр перехода несколько снижается. После высокотемпературной термообработки образцы голубого цвета теряют прозрачность и, подобно бесцветному кварцу, выращенному с высокими скоростями, приобретают опаловидный характер, сохраняя прочность 12 179 [c.179]


Смотреть страницы где упоминается термин Центр распределения и рассеяние: [c.260]    [c.136]    [c.136]    [c.53]    [c.246]    [c.410]    [c.99]    [c.73]    [c.88]    [c.98]    [c.419]    [c.66]    [c.550]    [c.26]   
Смотреть главы в:

Химический анализ -> Центр распределения и рассеяние




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте