Частицы затравочные

При затравочной полимеризации водного раствора винилацетата в отсутствие эмульгатора процесс реализуется в частицах затравочного латекса [31]. Однако в результате увеличения числа частиц в 130 раз скорость полимеризации возрастает не более чем в 2 раза. Предполагается, что скорость полимеризации определяется следующим уравнением [c.89]

Имеются также данные, подтверждающие предположение о том, что при низких степенях конверсии эмульсионная полимеризация винилхлорида проходит в основном в растворе, т. е. в воде . Об этом свидетельствует малая зависимость скорости полимеризации от количества и диаметра частиц затравочного латекса. Вместе с тем при полимеризации в присутствии мелких полимерных частиц (менее 0,03 мк) скорость реакции полимеризации возрастает уже в самом начале процесса. Можно допустить, что при этом полимеризация начинается одновременно и в растворе, и па поверхности латексных частиц, которая в случае мелких частиц достигает большой величины, им объясняется наличие зависимости скорости полимеризации от концентрации и природы эмульгаторов . [c.104]

При известных размерах и количестве полимерных частиц затравочного латекса, а также заданной степени покрытия полимерных частиц коллоидным стабилизатором можно рассчитать, с какой скоростью следует прибавлять эмульгатор в реакционную смесь, чтобы полимеризация проходила только на введенных с затравкой полимерных частицах. Общее количество эмульгатора, которое необходимо ввести для получения латекса с определенными размерами частиц, также устанавливается расчетным путем . Так, зная число частиц, можно подсчитать увеличение общей поверхности систе- [c.106]

При бесконтактном вторичном зародышеобразовании источником новых центров может являться или сам затравочный кристалл, или раствор в жидком слое, контактирующий с кристаллами. Одна из теорий, объясняющих действие кристаллического источника зародышеобразования, предполагает наличие таких иглоподобных дендритов, которые при определенных условиях вырастают на поверхности кристалла и затем разрушаются от сдирающего действия жидкости, омывающей поверхность [28, 33, 36]. Отломанные частицы служат в качестве центров кристаллизации. [c.39]

Кристаллизация может быть ускорена внесением затравки — мелких частиц кристаллизующегося вещества, которые и являются зародышами кристаллов. В этом случае кристаллизация происходит в основном за счет роста внесенных в раствор затравочных кристаллов. Для получения крупных кристаллов число затравочных кристаллов должно быть невелико. [c.513]

Рассмотрим процесс кристаллизации раствора, имеющего в начальный момент величину пересыщения ojo. В раствор может вводиться начальная затравка размером Го в количестве Пд частиц. Если начальное пересыщение превышает значение, соответствующее зоне метастабильности (см. рис. 3.1), то одновременно с ростом затравочных кристаллов в растворе происходит непрерывное возникновение зародышей критического размера г г и их последующий рост. Увеличение размера кристаллов и возможный отвод растворителя приводят к непрерывному изменению концентрации раствора с. Если полагать, что выделение теплоты кристаллизации не изменяет заметно температуры раствора (или она поддерживается постоянной), то пересыщение раствора пропорционально его концентрации Oi = с — с (t). [c.141]

Начало образования зародышей кристаллов происходит не во всем объеме раствора или расплава, а в так называемых центрах кристаллизации, которыми могут быть, например, различные механические примеси они могут возникать под влиянием шероховатостей стенок аппарата и других случайных факторов. Для ускорения и равномерного образования зародышей во всем объеме раствора или расплава в аппарат подают затравку-мелкие частицы кристаллизующегося вещества, которые и являются зародышами кристаллов. Если нужно получить кристаллы крупных размеров, то число затравочных кристаллов должно быть невелико. [c.291]

Продукт кристаллизации является, как правило, полидисперс-ным, причем распределение частиц по размерам — нормальное или нормально логарифмическое. Как уже отмечено, увеличение размеров кристаллов может быть достигнуто осуществлением процесса кристаллизации при малом пересыщении (медленное охлаждение насыщенного раствора, медленная упарка). Среди других методов укрупнения кристаллов можно назвать введение в раствор затравочных кристаллов (готовых центров кристаллизации), удаление наиболее мелких кристаллов в процессе кристаллизации, а также повторную обработку кристаллического продукта в насыщенном растворе. Последний прием основан на несколько большей растворимости мелких кристаллов по сравнению с крупными, поэтому последние будут расти в насыщенном растворе за счет растворения первых. [c.688]

Гетерогенная реакция разложения метана идет на всех поверхностях. Так, в работе [301 показано, что при низких давлениях метана (< 20 мм рт. ст.) скорости роста пироуглерода на саже и на кварцевом волокне не различаются. Нами не было отмечено существенного различия в скоростях роста пироуглерода (не алмаза ) на алмазных порошках и саже. При развитой поверхности затравочных кристаллов (например, частиц сажи) основная часть углерода осаждается на ней. В наших экспериментах [271 общая поверхность навески сажи превышала поверхность реактора в несколько десятков раз. В то же время в объеме протекает гомогенная реакция разложения метана, например, по механизму, предложенному в работе [ЗП, с образованием промежуточных соединений и радикалов. Они также присутствуют на поверхности сажи [32], которая для них является стоком. Если эта поверхность мала, то происходит накопление промежуточных продуктов в газовой фазе выше некоторой критической концентрации, и тогда развивается быстрая реакция в объеме. [c.40]

Поскольку р есть скорость заращивания графитом поверхности затравочного кристалла, а экспериментально показано, что чем выше удельная скорость роста алмаза, тем больше и удельная скорость роста графита, то характерное время должно быть обратно пропорционально скорости нуклеации. На рис. 30 приведена зависимость характерного времени наращивания от обратного значения скорости роста алмаза на порошке природного алмаза размером частиц до 1 мкм (порошок AM 1/0) при давлении 0,12 мм рт. ст. Эти результаты получены на установке и по методике, описанным выше. При повышении температуры скорость роста алмаза увеличивается, но характерное время процесса уменьшается. [c.67]

Затравочный алмазный порошок марки АСМ 10/7 (синтетический алмазный порошок с размерами частиц от 7 до 10 мкм) помещался в кварцевую чашку и взвешивался. Затем в чашку вставляли графитовые электроды и на специальной кварцевой подвеске помещали внутрь вертикального реактора, который вакуумировался. Одновременно с повышением температуры через реактор пропускали водород. По достижении температуры синтеза через реактор устанавливался поток метано-водородной смеси при соотношении 1 2. Во время опыта измерялась проводимость затравочного порошка. По окончании опыта порошок охлаждался в водороде, затем в реактор напускался воздух и чашка с порошком взвешивалась. По привесу можно судить об общем количестве выделившихся алмаза и графита, а по проводимости — об относительном количестве графита. [c.81]

Изучение влияния состава металла-растворителя на скорость роста затравочных кристаллов осуществлялось с учетом данных, полученных при исследовании процесса спонтанной кристаллизации. В частности, применялись разжижающие добавки к основным компонентам N1 и Мп таких элементов, как 1п, Си, Са, 8Ь, массовая доля которых составляет до 10%- Установлено, что введение в металлическую шихту указанных добавок заметно снижает скорость роста затравок. Причем эффект от присутствия в шихте 1п, Са или Си практически одинаков в изученном интервале концентраций. Кроме того, показано, что введение в исходную шихту порошка графита (массовая доля 2 %) с размером частиц до 100 мкм значительно сокращает время насыщения расплава металлов углеродом и позволяет тем самым ограничить длительность предварительного растворения затравок не более чем пятью минутами. [c.390]

Не только затравочные кристаллы, но и многие другие твердые вещества ускоряют образование зародышей кристаллизации. Если контактный угол между кристаллическим осадком и поверхностью твердой частицы меньше 180°С, работа образования кристаллического зародыша на примеси меньше работы образования зародыша в объеме раствора и, следовательно, механические примеси будут увеличивать вероятность образования зародышей, [c.363]

Метод Вернейля основан на плавлении тугоплавких веществ в кислород-водородном пламени (рис. 58 а) и заключается в том, что исходное вещество (шихта) в виде порошка диаметром частиц 2 100 мкм из бункера через газовую горелку попадает на верхний оплавленный торец затравочного монокристалла. Пролетая через кислород-водородное пламя, частицы шихты оплавляются, подпитывая тем самым тонкую пленку расплава (толщиной порядка 100 мкм). Так как затравочный монокристалл опускается, то пленка расплава кристаллизуется с нужной скоростью, постоянно пополняясь исходной шихтой. При согласованных расходах, с одной стороны, шихты, водорода и кислорода, а с другой — скорости опускания монокристалла, толщина пленки расплава поддерживается практически постоянной. Этот метод относится к методам с ограниченным объемом расплава. На рис. 59 представлен один из первых аппаратов Вернейля, конструкция которого в настоящее время значительно изменена. В нашей стране работами по усовершенствованию этих аппаратов активно занимались С. К. Попов [94] и выдающийся конструктор кристаллизационной аппаратуры Н. П. Ильин, создавший серию кристаллизационных аппаратов различного назначения. [c.87]

Добавление в раствор кристаллов в большем количестве (Р >5%) приводит к тому, что средний размер частиц в продукте уже практически не зависит от темпов охлаждения раствора и оказывается больше его значения по сравнению с кристаллизацией без затравки. Причем средний размер получаемых кристаллов оказывается довольно близким к его значению для затравочных кристаллов. Это объясняется тем, что присутствие в растворе сильно развитой кристаллической поверхности способствует быстрому снятию пересыщения уже в момент его возникновения частично на рост затравочных кристаллов, а главным образом на образование новых центров кристаллизации 20-22] увеличении интенсивности охлаждения, а следовательно, и пересыщения при кристаллизации, с одной стороны, возрастает скорость роста затравочных кристаллов, а с другой — еще в большей степени увеличивается скорость образования новых зародышей. Оба фактора, по-видимому, перекрывают друг друга в интервале испытанных значений 0, поэтому изменение скорости охлаждения и связанное с этим изменение пересыщения раствора не оказывает заметного влияния па величину d,.p получаемых кристаллов. [c.219]

Конструктивное решение всех камер — вертикальное, т. е. вертикальные размеры больше горизонтальных. Такая конструкция позволяет максимально использовать площадь пола затравочных комнат, а прн работе с пылью — использовать силу земного притяжения для отделения крупных частиц от необходимых для затравки животных более мелких частиц пыли. [c.70]

Fi, Pl (R), til Рг, Рг (В) — характеристики потоков между реактором и регенератором pj (й) — характеристики потока затравочных частиц . [c.430]

Воспользуемся этой простой, но вполне реальной зависимостью, определяющей изменение размеров частиц. Обычно в слое содержатся широкие фракции частиц, и некоторые из них полностью исчезают в регенераторе, поэтому для обеспечения непрерывности процесса необходимо производить подпитку свежими частицами. Чтобы поддерживать количество частиц постоянным, нужно вводить в реактор некоторое число затравочных частиц, компенсирующих исчезновение вещества в регенераторе. Схематически этот процесс изображен на рис. ХУ-5 и хотя рост затравочных частиц происходит внутри слоя, его можно рассматривать как поток очень мелких частиц, поступающих в слой извне со скоростью [c.430]

Количество <(затравочных частиц, введенных в реактор] [c.430]

Кристаллизация на возникающих в растворе зародышах более сложна для анализа. Когда затравочные частицы отсутствуют в (3.17) первые слагаемые левой и правой частей баланса исчезают, но сохраняется последний член уравнения. При этом сложная зависимость скорости возникновения зародышей от пересыщения (3.2) не позволяет решить задачу периодической кристаллизации без дополнительных существенных упрощений. В одном из приближенных методов [13] кривая /(П) разбивается на два участка, при этом полагается, что в зоне высоких пересыщений происходит мгновенное образование зародышей одинакового размера, а на второй стадии процесса возникновение зародышей полагается практически отсутствующим. На этой второй стадии происходит лишь кристаллизация вещества на образовавшихся ранее однородных зародышах. Такое допущение приводит задачу о периодической кристаллизации на зародышах к задаче о кристаллизации на затравочных кристаллах одинакового размера. [c.163]

Аналогичные процессы, вероятно, происходят и при затравочной эмульсионной полимеризации. Роль мицелл в этих системах в значительной мере, а иногда и полностью подавлена. Если инициирующие группы химически или адсорбционно связаны с поверхностью частиц затравочного латекса, то это приводит к дополнительному снижению вероятности выхода радикалов из частиц, Например, при получении АБС-пластиков под влиянием поверхностно-активного инициатора процесс полностью реали- [c.130]

Широко регулировать дисперсность латексов ПВХ и получать латексы с частицами крупных размеров (до 2 мк) позволяет предварительное введение в зону реакции готового латекса (так называемая затравка ), полученного в предшествующих операциях При полимеризации в присутствии затравочного латекса заметно повышается скорость полимеризации, так как реакция протекает в основном на введенных полимерных частицах . При этом в ходе полимеризации происходит постепенный рост частиц затравочного латекса. Изменяя количество затравки , ее дисперсность и размеры исходных полимернь1Х частиц, можно синтезировать латексы с частицами достаточно большого диаметра как с узким, так и с широким распределением их по размерам. Этот метод особенно удобен для получения пастосбразующего полимера . [c.106]

В работах [103—105] была исследована кинетика процесса кристаллизации на основании вышеизложенной модели при условии, что л—1 и /Птах—максимальный размер кристалла. Эти предположения могут быть приняты в качестве первого приближения, но их уточнение было бы весьма желательно. Действительно, всегда существует некоторая вероятность того, что настоящий кристалл-лидер не окажется в пробе, отобранной для дисперсионного анализа возможна ошибка и в противоположную сторону, когда в качестве кристалла-лидера будет зафиксирован кристалл, выросший на случайной затравочной частице, находившейся в растворе или на стенке сосуда до начала кристаллизации. Уточнение величин /Итах и п требует дополнительной и1 формации. Для этой цели в работе [106] использовали функцию M t), которую нетрудно построить по экспериментальной кривой с(О, исходя из уравнения баланса кристаллизующегося вещества [c.301]

Большое влияние на процесс кристаллообразования в расплаве оказывают различные примеси. Особенно важную роль в этом отношении играют механические примеси, находящиеся в расплаве в виде взвешенных частиц микронного и субмикронного размера и играющие роль затравки при образовании зародышей. Последнее объясняется тем, что работа образования зародышей на готовой поверхности (гетерогенное зародышеоб-разование) меньше, чем работа флуктуативного образования зародышей (гомогенное зародышеобразование) в объеме расплава. Такое гетерогенное зародышеобразование возможно лишь, когда расплав является лиофильным по отношению к поверхности частицы. Возникающий на ней в этом случае адсорбционный слой вызывает соответствующее структурирование прилегающего расплава, что приводит к облегчению образования зародышей на данной поверхности по отношению к зародыше-образованию в объеме расплава. Вследствие этого начало кристаллообразования обычно смещается в сторону меньших переохлаждений по сравнению с тем, что было бы, если бы исходный расплав был тщательно очищен от взвешенных частиц. Аналогичное явление имеет место и в случае кристаллизации на специально вводимых в расплав затравочных кристаллах, что широко применяется в различных способах выращивания монокристаллов. [c.109]

Эмульсионная полимеризация по периодич. и непрерывной схеме. Используют р-римые в воде инициаторы (Н2О2, персульфаты), в качестве эмульгаторов-ПАВ (напр., алкил- или арилсульфаты, сульфонаты). Радикалы зарождаются в водной фазе, содержащей до 0,5% по массе инициатора и до 3% эмульгатора затем полимеризация продолжается в мицеллах эмульгатора. При непрерывной технологии в реактор поступают водная фаза и В. Полимеризация вдет при 45-60 °С и слабом перемешивании. Образующийся 40-50%-ный латекс с размерами частиц П. 0,03-0,5 мкм отводится из ниж. части реактора, где нет перемешивания степень превращения В. 90-95%. При периодич. технологии компоненты (водная фаза, В. и обычно нек-рое кол-во латекса от предыдущих операций, т. наз. затравочный латекс, а также др. добавки) загружают в реактор и перемешивают во всем объеме. Полученный латекс после удаления В. сушат в распылит, камерах и порошок П. просеивают. Хотя непрерывный процесс высокопроизводителен, преимущество часто отдается периодическому, ибо им можно получить П. нужного гранулометрич. состава (размеры частиц в пределах 0,5-2 мкм), что очень важно при его переработке. Эмульсионный П. значительно загрязнен вспомогат. в-вами, вводимыми при полимеризации, поэтому из него изготовляют толыо пасты и пластизоли (см. пластикат). [c.621]

Приводит к большей подвижности структуры кремнезема. Например, как это было отмечено Милликеном, Миллсом и Обладом [356], добавление 2 % АЬОз к силикагелю при нагревании до 1160°С дает более прочную кристаллическую решетку кристобалита, чем в случае чистого силикагеля, не содержавшего оксида алюминия. С другой стороны, при еш,е большем содержании оксида алюхминия кристаллическая решетка кристобалита начинает ослабевать. Наиболее важной концентрационной точкой оказывается такая, когда незначительное количество оксида алюминия в наибольшей степени упрочняет кристаллическую решетку кристобалита в кремнеземе после нагревания силикагеля до высокой температуры. Эти авторы констатировали, что поскольку кристобалит имеет ту же самую структуру, что и алюминат калия, но в отсутствие ионов калия, то влияние кремнезема на склонность оксида алюминия к кристалличности, вероятно, оказывается очень большим. Аналогично структура алюмината влияет на ориентацию кремнекислородных тетраэдров, примыкающих к алюминатной структуре, так что на границе раздела, вероятно, существуют отчетливые кристобалит-ные кольца. Такое влияние кристаллизации, или кристобалит-ных центров кристаллизации , по-видимому, простирается только на глубину в несколько молекул внутрь частицы кремнезема. Эти кристобалитные центры кристаллизации могут действовать как затравочные центры для роста кристаллов, как это наблюдалось, когда силикагелевые катализаторы с низким содержанием оксида алюминия нагревались до 1150°С. [c.756]

Так, согласно [1], вначале в системе образуется твердый аморфный предшественник , после чего происходит кристаллизация в растворе. Этот механизм был рассмотрен Ждановым [146], который описывает квазиравновесие между твердой и жидкой фазами в геле и приходит к выводу, что ядра кристаллизации образуютсяи растут в жидкой фазе. Гель непрерывно растворяется, и растворенные частицы переносятся к ядрам кристаллизации в жидкой фазе. Предложенный Ждановым механизм аналогичен механизму роста в растворе, описанному Керром [142]. Раствор гидроокиси натрия циркулировал через аморфный натрийалюмо-силпкат КаАЮ2-0,82 3102, а затем через затравочный кристалл цеолита А. Как оказалось, при 100 °С весь алюмосиликат растворился и превратился на затравке в цеолит А. [c.348]

При синтезе алмаза из газа обязательно образуется неалмазный углерод (графит). Блокируя поверхность затравочного кристалла алмаза, графит уменьшает суммарную скорость роста алмаза. Обозначим через скорость зарастания поверхности затравочного кристалла алмаза графитом. Тогда, при равнодоступной поверхности всех частиц алмазного порошка (так же как и монокристалла), поверхность роста алмаза Sa убывает со скоростью [c.66]

Количество адсорбированных частиц примеси варьирует на различных участках поверхности акцессорий. Следствием этого является сложное макромозаичное распределение неструктурной примеси, которое наиболее отчетливо прослеживается в наружных зонах кристалла. Весьма малые (в пределах градуса) искривления поверхности базиса вызывают резкие изменения градиента концентрации примеси вдоль зон, параллельных растущей поверхности. На разрезах, параллельных плоскости х, видно, что наиболее активно примесь адсорбируется склонами акцессорий, обращенными в стороны грани отрицательного ромбоэдра. Вдоль границ секторов <с> и <х>, а также <с> и часто наблюдаются примесные шлейфы , возникающие в результате адсорбирования неструктурной примеси поверхностями положительной и отрицательной бипирамиды. Такие поверхности интенсивно развиты вдоль ребер с/—X и / + s на кристаллах, удлиненных вдоль оси у. Если интенсивность молочно-белой окраски на затравке выше, чем в прилегающих слоях кристалла, то это свидетельствует о более высокой концентрации неструктурной примеси в кристалле, из которого вырезаны затравочные пластины. [c.115]

Координационно-насыщенные комплексы вследствие неустойчивости проявляют склонность к поляризации. При этом часть ионов 51 (0Н)5 " образует агрегаты на основе водородной связи, которые в процессе дальнейшей эволюции превращаются в крупные полианионы, адсорбирующие ионы натрия. Происходит образование коллоидных частиц, которые могут адсорбироваться растущими кристаллами в виде неструктурной примеси. Дальнейшее агрегирование коллоидных частиц приводит к появлению самостоятельной фазы — геля кремневой кислоты с переменным содержанием Na02, 5102 и Н2О. В результате взаимодействия Дегидрационной поликонденсации с формированием прочной си-локсановой связи и устойчивого аниона [5120(0Н)8] реализуется гидротермальный рост кристаллов кварца на затравочных поверхностях при их взаимодействии с истинно растворенной формой кремнезема. С поликонденсацией координационно-ненасыщенных ионов до образования устойчивых форм [5 0(ОН)в] и [51з02 (ОН) ]з- может быть связан процесс спонтанного зарождения кристаллов кварца, причем устойчивость силикатных ионов повышаете с возрастанием щелочности среды, что приводит к снижению вероятности спонтанной кристаллизации. Подтверж- [c.29]

Во многих случаях причины размножения тривиальны кристалл при введении в раствор был недостаточно хорошо обмыт и на его поверхности присутствовали мелкие кристаллические частицы кристалл при перемешивании соприкасается со стенками кристаллизатора, лопастями мешалки или соседними кристаллами, вследствие чего образуются мелкие осколки кристалл при росте растрескивается, что также приводит к возникновению осколков. Внесение кристалла в пересыщенный раствор, даже при его тщательной обмывке и уравнивании температур кристалла и раствора, практически всегда вызывает появление новых центров кристаллизации, в том числе и при малых пересыщениях, — видимо, из-за попадания кристаллообразующих пылинок из воздуха. Именно поэтому затравочные кристаллы всегда вносятся в недосыщенный раствор и лишь затем задается пересыщение. Однако даже при исключении всех перечисленных причин наличие растущего кристалла в пересыщенном растворе увеличивает вероятность запаразичивания. Причины этого истинного размножения кристаллов пока не ясны. [c.26]

Рис. 1.6 Влияние концентрации миристата калия Са в водной фазе затравочного латекса на число частиц N (1) и скорость полимеризащш (2). Число частиц затравки во всех опытах ЫО t=70° , концентрация персульфата калия 0,1%
При отсутствии, мицелл в начальном периоде реакции образующиеся олигомерные радикалы реком бинируют в водной фазе, образуя олигомерные ПАВ. Эти молекулы, выпадая из раствора, рождают частицы, в которых может начаться полимеризация. Если в системе имеются частицы с достаточно развитой поверхностью, например при затравочной полимеризации с большим числом частиц, олигомеры легко адсорбируются на растущих частицах. Поэтому в таких системах не отмечается образование новых частиц, которые могли бы возникнуть в водной фазе. [c.24]

Авторы привели экспериментальные данные [Ш], подтверждающие, что структура латексных частиц контролируется молекулярно-термодинамическими факторами. При проведении затравочной полимеризации стирола в затравочный латекс подавали до равновесного насыщения свежий мономер, содержащий бутадиен. Методом электронорадиографии [113] было обнаружено, что полученный полимер концентрируется на периферии частицы, а затравочный латекс —в центре. Кинетическими исследованиями [111, 113] было показано, что кривые конверсия — время линейны в широком интервале концентраций эмульгатора до глубины превра- [c.29]

Вернемся к нашему крайнему случаю — осуществлению непрерывной полимеризации в единственном аппарате идеального смешения. В этом случае реактор все время заполнен латексом гари требуемой конечной степени конверсии мономера (или мономеров), и поступающая в него исходная эмульсия должна вести себя, по крайней мере частично, ка лри затравочной полимеризации [18] мицеллы эмульгатора, капли мономера и свободные радикалы должны взаимодействовать не столько между собой, сколько с уже имеющимися частицами, увеличивая их размеры. Относительное число возникающих лри этом новых частиц должно зависеть от ряда факторов, в частности а) заданной конечной конверсии, б) средней продолж ительности пребывания смеси в реакторе, в) масштаба турбулентности, связанного с условиями перемешивания (т. е. отклонения смешения от идеального). [c.166]

Наконец, в последние годы все большее внимание обращается на комплексный синтетический подход к производственной среде. Все чаще исследователей привлекает изучение совместного действия физических и химических факторов ее — в первую очередь микроклимата, который, с одной стороны, влияет на изучаемое вещество (скорость и полнота испарения, скорость гидролиза, дисперсность образующегося аэрозоля, растворения ядовитых паров в водяном тумане, величина адсорб-нии газов и паров на частицах аэрозоля при совместном их присутствии н др.), с другой стороны, влияет на живой организм, изменяет его реактивность по отношению к изучае1м0му яду. В силу сказанного особое значение придается возможности поддержания в затравочной камере строго определенного микроклимата. [c.71]

Смотреть страницы где упоминается термин Частицы затравочные: [c.92] [c.131] [c.103] [c.15] [c.309] [c.393] [c.309] [c.249] [c.537] [c.29] [c.110] [c.110]

Промышленное псевдоожижение (1976) -- [ c.430 ]

ПОИСК

Смотрите так же термины и статьи:

ДНК-затравочная

Справочник химика 21

Химия и химическая технология