Миграция дырки

Все процессы расплывания и миграции дырки, по существу, представляют собой перераспределение электронов в ионе. [c.16]

Имеются, одпако, данные, не согласующиеся с предположением о большой эффективности реакции (8) в твердых насыщенных углеводородах. В частности, при облучении замороженных алканов в присутствии акцепторов положительного заряда обнаружена миграция дырки на значительные расстояния [ИЗ—119]. [c.169]

Таким образом, эстафета протекает путем передачи легкого атома водорода и проявляется как миграция макрорадикалов. Следует отметить, что рассмотренная эстафетная модель в некотором смысле аналогична модели дырочного механизма проводимости в полупроводниках. Когда миграция дырки — тяжелого иона — осуществляется путем передачи легкой частицы — электрона. [c.60]

Ввиду того что схема переноса электрона в акцепторной части аналогична схеме переноса дырки в донорной части ФРЦ, в дальнейшем мы ограничимся подробным рассмотрением лишь миграции дырки на донорной стороне реакционного центра. Для вероятности того, что -й переносчик электронов на донорной стороне ФРЦ находится в окисленном состоянии, введем [c.198]

В результате первичного разделения зарядов в ФРЦ осуществляется перенос электрона от >1 к А после чего происходит перенос этого электрона в акцепторной части и заполнение освободившегося места в донорной части [см. схемы (9.8 и 9.9)]. Процесс переноса электронов в донорной части, приводящий к заполнению свободного места, можно рассматривать как перенос дырки в противоположном направлении. Сходство процессов переноса дырки в донорной и электрона в акцепторной частях ФРЦ приводят к тому, что эти процессы описываются аналогичными выражениями. Важнейшая особенность процесса темновой релаксации ФРЦ при нециклическом транспорте электронов состоит в том, что миграции дырки в донорной и электрона — в акцепторной частях ФРЦ происходят независимо друг от друга. Это позволяет полностью проанализировать кинетику темновой релаксации ФРЦ. Редокс-превращения переносчиков электронов описываются суммой экспоненциальных членов. Существенным является, однако, то, что если в исходных общих формулах (9.11) и (9.12), описывающих изменение редокс-состояний переносчиков, принимались во внимание все предшествующие стадии переноса электронов, то учет иерархии величин констант скорости (см. пункт В) приводит к возможности локального рассмотрения, для которого важны лишь константы скорости, непосредственно примыкающие к этому переносчику. В результате кинетика переноса электрона ( дырки ) может быть описана достаточно простыми соотношениями (9.13) и (9.14). Из этих формул вытекает, что время жизни переносчиков электронов в неравновесных состояниях после вспышки света тем меньше, чем ближе данный переносчик электронов находится к начальной световой стадии в цепи переноса. Такая функциональная организация ФРЦ позволяет ему, с одной стороны, быстро возвратиться в реакционноспособное состояние после очередного возбуждения, а с другой — предотвратить обратные реакции разделенных зарядов. Важнейшей особенностью этой организации является практическая необратимость стадий переноса электронов, которая обусловлена большой разницей редокс-потенциалов соседних переносчиков электронов (см. рис. 42). В данном случае имеет место [c.204]

Временная задержка в окислении переносчиков электронов на донорной стороне ФРЦ обусловлена тем, что вследствие быстрого переноса электронов между ними приход возбуждения приводит к окислению D и быстрой (быстрее времени прихода следующего возбуждения) миграции дырки к Dn. Приход второго возбуждения [c.239]

Передача заряда в газовой фазе происходит с достаточно-высокой скоростью, характерной для диффузионно-контролируемых реакций. В конденсированной фазе первичный ион представляется в виде дырки (до локализации), и миграция дырки по существу является передачей заряда от одной группы молекул к другой. [c.61]

Активационная теория самодиффузии в плотных кристаллических и аморфных средах исходит из положения, что в кристаллической решетке вследствие теплового движения происходит непрерывное перераспределение дефектов структуры (вакансий). Движение вакансий эквивалентно миграции частиц. Перенос массы возможен при одновременном соблюдении двух условий возникновении вакансии и достижении достаточно большой энергии колебаний частицы около положения равновесия. Если энергия колебаний велика или размеры частицы незначительны (водород, азот, углерод) возможна их миграция в междоузлиях решетки, что имеет место в металлических мембранах. В твердых растворах замешения движение частиц может происходить не только за счет вакансий, но и в результате обмена с соседними частицами. В матрицах аморфной структуры роль вакансий играют микрополости или дырки . [c.77]

Так как органические полимеры являются менее жесткими по сравнению с неорганическими кристаллами или стеклами, для них существенными могут оказаться процессы миграции зарядов. Они состоят в том, что при разогреве облученного полимера часть глубоких ловушек разрушается или начинает мигрировать в его объеме еще до того, когда из них освобождаются захваченные электроны. Миграция ловушек и их разрушение сопровождаются рекомбинацией связанных зарядов в отличие от рекомбинации электрона с дыркой . Миграции ловушек со стабилизированным зарядом становятся все более вероятными по мере размораживания подвижности отдельных звеньев, сегментов и макромолекул как целого. Таким образом, скорость высвечивания образца полимера при некоторой фиксированной температуре будет определяться временем релаксации определенной группы атомов макромолекул. Так как спектр фотолюминесценции полимера, облученного при 77 К, практически не меняется во время его нагревания вплоть до размягчения (или плавления), можно сделать вывод, что его РТЛ происходит за счет рекомбинации зарядов, захваченных в [c.238]

На рис. 8.17,6 обе зоны загибаются вверх в области перехода по мере того, как материал приобретает свойства р-ти-. па. Миграция электронов по зоне проводимости из р- в л-область происходит так легко потому, что они двигаются вниз по градиенту в область меньшей энергии. Наоборот, дырки двигаются в свою область меньшей энергии (обратной по смыслу энергии электронов), мигрируя из п- в р-область. Миграция дырок или электронов в противоположных направлениях затрудняется потенциальным барьером, обусловленным смещением зон. Подразумеваемое в этой картине разделение зарядов означает, что в темноте в равновесных условиях потенциал изменяется поперек перехода, л-область имеет отрицательный потенциал относительно р-области, а собственно область перехода будет обеднена переносчиками заряда. [c.275]

В связи с развитием электронных теорий адсорбции, согласно которым свободные валентности (свободные электроны и дырки) не локализованы в решетке кристалла, а способны перемещаться, стали складываться представления о миграции самих активных центров. Появились взгляды о непрерывном возникновении и исчезновении активных центров в процессе контакта катализатора с реагентами [60]. [c.152]

При изучении полупроводников следует иметь в виду, что проводимость может осуществляться как непосредственно электронами в зоне проводимости, так и косвенно, посредством мест, не занятых электронами, т. е. положительных дырок. Миграция положительной дырки в верхней заполненной зоне считается при этом аналогичной передвижению недостающего электрона в противоположную сторону. [c.167]

Возможно, что существуют другие механизмы рекомбинации электронов и дырок. При смещении атомов в решетке могут появиться места, где будут захватываться и локализоваться электроны и дырки. Возможны локальные изменения поляризации, способствующие возникновению неглубоких ловушек, глубина которых равна примерно десятым вольта в большинстве полярных кристаллов. Эти ловушки способны передвигаться, вследствие чего такой захват не препятствует миграции электронов или дырок при нормальных температурах, хотя подвижность последних оказывается меньше, чем в случае свободных изолированных носителей тока. [c.173]

Однако теоретическое рассмотрение явлений переноса в металлических сплавах [69—71] с точки зрения термодинамики необратимых процессов существенно поколебало правомочность-выводов о знаке заряда частиц водорода на основании миграции под действием электрического поля к положительному или отрицательному полюсу. Только при отсутствии взаимодействия между частицами мигрирующего компонента и носителями заряда в металле (электронами и электронными дырками) эффект переноса будет определяться зарядом частиц [c.20]

Миграция электронов по катионным дыркам 0 -е —> Миграция электронов по катионным 0 и анионным — дыркам -е —> Миграция электронов по анионным дыркам -е —> [c.120]

Миграция положительного заряда происходит, вероятно, в ре-.зультате туннельного перехода электрона соседней молекулы к катиону. Расстояние, на которое перемеш ается дырка в твердых парафинах, при 77° К составляет —25A [337, 355]. [c.268]

Между молекулами хлорофилла, принадлежащими к одной спектральной форме и расположенными упорядоченно, возможен экситонный тип миграции энергии (обмен энергией за счет сильных диполь-дипольных взаимодействий между молекулами). Экситоном называют передвигающуюся вместе неподеленную пару — эл ктрон-Ь электронная дырка, в виде которой энергия электронного возбуждения может мигрировать по упорядоченной системе молекул. [c.147]

Эта черта фотосинтеза привела некоторых ученых к представлению о фотосинтезе как о процессе, аналогичном процессу превращения света в обычных полупроводниках. Согласно так называемой концепции твердого состояния , ламеллы состоят из плотно упакованных, жестко ориентированных молекул, которые допускают миграцию зарядов, а не фотонов. По существу предполагается, что при каждом возбуждении происходит удаление электрона из поглощающей молекулы пигмента, после чего электрон (так же, как и дырка , которая остается после удаления электрона) мигрирует к улавливающему центру. [c.558]

Образование катион-радикалов, по-видимому, происходит в результате миграции положительной дырки и сближения ее [c.161]

II. Процессы миграции зарядов к радикалам. В этом случае принимается, Что радикалы образуются в результате рекомбинации зарядов и по мере накопления радикалов ввиду того, что они обладают положительным сродством как к дырке, так и к электрону [3], все с большей вероятностью происходит миграция зарядов на радикалы, где затем они рекомбинируют без образования новых радикалов. В этом случае получается аналогичный асимптотический закон накопления радикалов [c.179]

Возможны различные механизмы, приводящие к исчезновению радикалов из поля зрения ЭПР по реакции первого порядка относительно их концентрации. Это может быть отрыв боковой группы у атома углерода в а- или р-положении, что соответственно ведет к образованию бирадикала или же ненасыщенное . На другую возможность обратил внимание В. Л. Тальрозе [2], указавший, что радикалы в органических веществах должны играть роль р- и л-ловушек (см. также [3]). Они могут захватывать дырки или электроны и превращаться в ионы, а также могут сами подвергаться ионизации в результате возбуждения, образовавшегося в молекуле. При всех возможных механизмах большая вероятность уничтожения радикалов излучением, наблюдаемая на опыте, требует участия миграции энергии возбуждения или заряда от места первичного воздействия излучения к радикалу. [c.210]

Величина эффекта не зависела от энергии СТВ в катион-радикале антрацена— эффект был одинаков для С14Н10 и СмОш- Это означает, что миграция дырки по кристаллу происходит быстро время оседлой жизни дырки на каждой молекуле меньше времени синглет-триплетной эволюции, поэтому энергия СТВ быстро мигрирующей дырки усредняется до нуля. [c.37]

Как уже говорилось, одной из двух ионно-молекулярных реакций в газовой фазе является перезарядка. В конденсированной фазе ей соответствует миграция дырки по веществу. Очень интересным в связи с изложенным является вопрос о подвижности дырок в конденсированных веществах, являющихся объектами радиационно-химических исследований. Подвижность электронов в чистых жидких углеводородах составляет 10 см /сек-в, подвижность электронов в монокристаллах, конденсированных ароматических веществ, измеренная Кеплером [42], составляет 1 сл /сек-в. Измерения Франкевича и Яковлева [43], правда, уже несколько более косвенные, показали, что миграция заряда, образованного излучением, по углеводородной цепи имеет эффективную энергию активации 1,5 ккал/молъ, а перескок дырки с молекулы на молекулу активирован в 10 раз сильнее. [c.196]

Из условия электронейтральности следует, что с выходом, равным С(естаб)-. в облученных спиртах стабилизируются также положительные ионы. Такими ионами могут быть RHOHJ или непарамагнитные осколочные ионы. Молекулярные катионы RHOH и другие можно исключить, так как в спектрах ЭПР облученных спиртов не наблюдается сигналов, обусловленных положительными ионами. В масс-спектрах большинства простых спиртов [149] наиболее интенсивные пики соответствуют осколочным ионам ROH+. Однако сомнительно, чтобы диссоциативная ионизация эффективно протекала в конденсированной фазе. Молекулярные ионы, по-видимому, в основном участвуют в ионно-молекулярных реакциях (7) и (8), приводящих к образованию протонированного иона RHOHg. На возможность реакций переноса протона с участием молекул спирта при 77° К указывает, например, эффективное ингибирование миграции дырки спиртами и другими соединениями с большим сродством к протону при радиолизе парафинов [150]. Последнее можно объяснить реакцией переноса протона от молекулы матрицы к спирту [c.219]

Основные исследования хмиграции дырки при облучении замороженных смесей проведены методом оптической спектроскопии. Сенсибилизированное образование катион-радикалов ароматических аминов [112, 150, 159, 337, 339, 357-360], олефинов (150, 349, 361], ароматических углеводородов [337, 339, 340], кетонов [112], алкилгалогенидов [32, 361, 362], диалкилсульфидов [264], высших парафинов [363, 364] наблюдается при облучении замороженных растворов этих соединений в алифатических углеводородах и алкилгалогенидах. Во всех случаях происходит передача заряда молекуле с меньшим потенциалом ионизации. Выход катион-радикалов в матрицах алканов возрастает в присутствии акцепторов электронов, что объясняется уменьшением вероятности рекомбинации зарядов. Спирты, эфиры, вода, алифатические-амины — вещества, способные остановить миграцию дырки в результате ионно-молекулярной реакции (У.35), — ингибируют образование катион-радикалов. Таким образом, акцепторами положительного заряда могут быть вещества с более низким, чем у растворителя, потенциалом ионизации, или соединения с большим сродством к протону. Акцепторы положительного заряда, в свою очередь, увеличивают выход стабилизированных электронов и анион-радикалов в неполярных матрицах [337, 345, 365]. [c.266]

R(i) H OOR(2)[R(3)], увеличивается с понижением температуры. В работе [247] дано следующее объяснение этому явлению. При облучении аддуктов карбамида с эфирами карбоновых кислот в канале соединения включения образуются катион-радикалы М+ из молекулы карбамида, алкильный радикал и непарамагнитный анион. Расстояние между катион-радикалом и парой радикал — анион определяется миграцией дырки или электрона, зависящей от температуры облучения. Расстояние радикалов R(ij от дырки тем больше, чем выше температура образца при облучении. При 77 К подвижность включенных молекул и радикалов в канале очень мала и никаких реакций не происходит. При увеличении температуры подвижность вдоль канала растет и радикалы R [при этом анион рекомбинирует с катионом М+ с образованием еще одного радикала R(3>], или участвуют в реакции M++R(i)+ +А-—>-Продукты, приводящей к уменьшению суммарной концент- [c.61]

Вместе с тем адсорбированный атом может вызвать образование электронов проводимости. Пусть, например, атом натрия адсорбируется на поверхности хлористого натрия вблизи иона хлора. Для увеличения связи этот атом может отдать свой электрон одному из положительных ионов решетки. В результате в решетке возникнут нестехиомегричность и электронная проводимость. Введение бора в кремний приводит к образованию ненасыщенного атома кремния, так как валентность бора меньше валентности кремния. Свободная валентность соседнего с бором ненасыщенного атома кремния может захватывать электрон от других атомов кремния. В результате происходит миграция этой свободной валентности по решетке. Если такая валентность окажется на поверхности твердого тела, то она сможет связать адсорбированный атом или молекулу. Естественно, что вследствие образования такой связи молекула может активироваться. Электроны проводимости и дырки как адсорбционные и каталитические центры отличаются от обычных центров, так как они подвижны и их число зависит от температуры. [c.412]

На еще больших расстояниях возможны переходы в кристаллах, твердых растворах и некоторых жидкостях за счет миграции экситона, при этом наблюдается зависимость типа 1/г . Понятие экситона было введено Френкелем при интерпретации некоторых спектров кристаллов в этом случае пара электрон — дырка рассматривается как некая частица, которая может перемещаться по кристаллу в результате взаимодействий узлов решетки. Для наших целей можно принять электронновозбужденную облучаемую частицу за экситои, блуждающий по значительному числу узлов решетки. Далее мы не будем обсуждать этот механизм. [c.121]

Галогениды серебра обладают эффектом фотопроводимости. Считается, что освещение галогенида серебра перебрасывает фотоэлектроны из валентной зоны в зону проводимости галогенида (см. разд. 8.9.2). Механизм образования свободного серебра в этом случае включает миграцию фотоэлектронов и внедренных ионов серебра в избранные точки на зерне, а затем появление свободных атомов серебра в результате соединения ионов и электронов. Образовавшиеся таким образом свободные атомы серебра действуют как эффективные ловушки возникающих впоследствии фотоэлектронов, и новые ионы серебра превращаются в нейтральные атомы вблизи того места, где появился первый атом. Поэтому крупицы серебра растут в отдельных исходных точках. Остающиеся после отрыва электронов положительно заряженные дырки могут обладать некоторой подвижностью и диффундировать к поверхности галогенидосеребряных зерен, выделяя свободный галоген. На рис. 8.14 показан механизм образования изображения, базирующийся на представлениях Гёрни и Мотта. Альтернативная схема, предложенная Митчеллом, предполагает первоначальный захват электрона ионом Дg+ с последующей адсорбцией Ag+ на растущей крупице серебра для захвата возникающих позже электронов. В обоих случаях основные процессы аналогичны. Стадии до образования крупицы из двух атомов обратимы, что согласуется с экспериментальным фактом стабильности скрытого изображения лишь при формировании агрегатов из более чем двух атомов (см. выше). [c.247]

Дальнейшее развитие представлений о механизме электролюминесценции связано с исследованием под микроскопом свечения кристаллов электролюминофоров. В работах [59, 69—72] показано, что это свечение сосредоточено в отдельных точках (или линиях). Предполагается [69], что светящиеся линии, наблюдаемые под микроскопом, обусловлены линейными дефектами в кристаллах ZnS. Так как свеченио по длине линии неравномерно (ярче всего светится голова линии), то, цо-видимому, начало линии находится в плоскости р— г-перехода. Механизм электролюминесценцип определяется двумя стадиями. На первой — стадия активации — положительное напряжение приложено к тг-области, а отрицательное — к р-области. Это приводит к миграции электронов и дырок из области р—тг-перехода. Вторая стадия начинается при изменении знака напряжения дырки инжектируются в тг-область, захватываются на линейных дефектах и переносятся к центрам люминесценции. При рекол1бинации электронов с дырками происходит излучение. [c.139]

Причем проводимость, возможно, осуществляется путем пере-скока неспаренного электрона в решетке из ионов Сг + до известной степени аналогично механизму, предложенному Хейк-сом [174] для миграции дырок в N10, содержащей добавку ЫгО. Наблюдаемый р-тип проводимости Сг-гОз в атмосфере кислорода обусловлен преимущественно дырками в твердом веществе, состоящем главным образом из СггОз. Для образцов. СггОз — АЬОз с малой концентрацией СггОз, в которых интенсивность резонанса уфазы максимальна, хром находится преимущественно в шестивалентном (-1-6) состоянии [167]. [c.95]

Возбуждение родамина Do на поверхности антрацена Ао рождает ион-радикальную синглетную пару, в которой электрон локализован на молекуле родамина, а дырка (катион-радикал антрацена) мигрирует по объему кристалла. Динамика миграции в принципе подобна молекулярной динамике пары в жидкости ион-радикаль-ная пара за счет СТВ претерпевает синглет-триплетпую эволю- [c.36]

Эти соображения позволяют дать новое и более правдоподобное объяснение результатов, полученных Эстерманом, Лейво и Стерном. Эти авторы, облучая КС1 рентгеновскими лучами (стр. 59), обнаружили, что в глубине кристалла быстро появляются анионные вакансии. Действие рентгеновских лучей на кристалл приводит к появлению электронов с большой энергией (и положительных дырок), которые, проходя около внутренних дислокаций, вызывают местное нагревание, достаточное для того, чтобы произошло образование вакансий на уступах Зейтца. Возникшие таким образом анионные вакансии захватывают электроны, образуя /"-центры, в то время как катионные вакансии захватывают положительные дырки, причем получаются так называемые 1/-центры, вызывающие поглощение в ультрафиолетовой области. Применяя этот новый механизм, можно избежать трудностей, которые встречаются при объяснении относительно быстрой миграции вакансий с поверхности (стр. 60) кроме того, он объясняет с более общей точки зрения результаты экспериментов Пржибрама и других, которые отмечали влияние механической и термической обработки кристал- [c.63]

В настоящее время считают, что решающее значение в электропроводности расплавов имеет наличие в них дырок. При наложении электрического поля ближайший (по направлению миграции) ион перескакивает в дырку, оставляя на прежнем месте новую дырку, в которую в свою очередь перескакивает следующий ион и т. д. Таким образом, миграция ионов носит характер не плавного перемещения в вязкой среде, а ионодырочных переходов. [c.216]

Весьма важно изучение условий реакций при очень низких температурах в поликристаллических замороженных газах. Здесь обнаружены неожиданно большие скорости реакций, но-видимому, вследствие коллективных эффектов, а также миграции электронов, дырок (места в кристалле, где недостает электронов) и экси-тонов — короткоживущих водородоподобных атомов, в которых протон заменен дыркой. Все это снижает, а может быть, и уничтожает активационный барьер. Отметим, что применение низких температур оказывается особенно эффективнрлм при воздействии проникающих излучений, инициирующих соответствующие реакции в твердом теле. Здесь химия высоких энергий и низких температур соединяются в од1тп мощный метод. [c.22]

Подробное обсуждение механизма переноса энергии между молекулами пигмента в хлоропластах выходит за пределы данной книги. Однако некоторые понятия, широко используемые в литературе по фотосинтезу, заслуживают разъяснения. Б начале 1950-х годов такой перенос энергии связывали обычно с индуктивным резонансом. Считалось, что этот относительно медленный перенос может происходить между слабо связанными друг с другом молекулами в растворе, например между молекулами хлорофилла Ь и хлорофилла а [259] (см. стр. 31). Позже, с развитием физики твердого тела, некоторые исследователи пришли к выводу, что молекулы хлорофилла расположены в двумерной молекулярной кристаллической решетке и ведут себя подобно полупроводнику. В таком случае соседние молекулы должны взаимодействовать так сильно, что их орбитали будут перекрываться. Миграция экситона (представляемого как электрон и положительно заряженная дырка, движущиеся вместе по решетке [187]) должна при этом происходить столь быстро, что приписать этот экситон в любой данный момент какой-либо определенной молекуле не представляется возможным. Арнольд и Шервуд [4] показали, что если высушенные хлоропласты сначала осветить при комнатной температуре, а затем нагреть до 140° С, то они будут излучать свет. Такого рода результаты подтверждают представление о том, что хлоропласты— это система, обладающая свойствами твердого тела. Описанные процессы происходили бы в полупроводнике, если бы часть возбужденных электронов захватывалась дефектами кристаллической решетки, а затем в результате поглощения кванта дальнего красного света освобождалась и попадала обратно в дырки. Аналогичные явления наблюдались в опытах со све-. жими суспензиями hlorella и листьями (по техническим причинам, однако, их не удалось исследовать количественно). Было высказано предположение, что такой же механизм лежит в основе очень слабого послесвечения, наблюдаемого в темноте при нормальной температуре после освещения зеленых тканей [285]. [c.49]

Возможны процессы образования сшивок и без возникновения промежуточных активных частиц, например, механизм электронных процессов, который состоит как из быстрых ( 10 с) реакций, протекающих "под пучком" (в областях сближения участков молекул после электронного возбуждения или ионизации), так и несколько "замедленных" ( 10 с), связанных с миграцией эк-ситона или возбужденной дырки в области возможного сшивания молекул [ 9,52]. [c.83]

Некоторые считают, что одна из двух фотохимических реакций локализована в фотосистеме 1, другая — в фотосистеме 2. Большинство исследователей отводит роль непосредственного окислителя воды фотосистеме 2. Например, Толлин (1968), основываясь на изучении электронного парамагнитного резонанса в системе хлорофилл — гидрохинон, предложил схему, по которой выделение кислорода осуществляется дважды окисленным хлорофиллом фотосистемы 2 (фиг. 81). Образование дважды окисленного хлорофилла происходит в результате миграции электронной дырки от двух одно-окисленных радикалов хлорофилла, появившихся в реакционном центре фотосистемы 2. [c.177]

Другая, более интересная попытка дать количественную теорию электропроводности была сделана Хайксом и Джонстоном 21]. Согласно этой теории, миграция дырок рассматривается как процесс диффузии с преодолением определенного потенциального барьера. Энергия активации процесса определяется как работа, необходимая для движения дырки из одного равновесного состояния в другое. Исходя из выражения коэффициента диффузии и соотношения Эйнштейна, получено уравнение электропроводности. Согласно этому уравнению, электропроводность пропорциональна концентрации Ы+-иона между тем экспериментально установлено, что такая зависимость не соблюдается (за исключением очень малой концентрации) входящие в уравнение многие [c.325]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология