Эффекты в идеальных кристаллах

Таким образом, идеальные газы смешиваются при постоянных температуре и давлении без теплового эффекта. Это соответствует тому, что между молекулами идеальных газов нет ни притяжения, ни отталкивания. Следовательно, если рассматривать энергию системы, то нет разницы между случаями, когда газы смешаны и когда они изолированы друг от друга. Движущая сила , приводящая к смешению, связана исключительно с изменением энтропии. С точки зрения статистической механики (гл. 17) равновесию отвечает именно смесь, так как вероятность этого состояния больше. Об этом уже говорилось в разд. 2.9 в связи с диффузией в идеальных кристаллах. [c.148]

Одной из первых попыток оценить энергетический эффект формирования смешанных (вюртцит/сфалерит) нитридов А1, Ga, In явились расчеты [26] в рамках одномерной модели типа Изинга [27], где энергетические параметры заимствовались из зонных расчетов идеальных кристаллов (глава 1). [c.35]

Здесь следует отметить, что схематические представления, подобные изображенным на рис. 17.9, основаны на предположении о бесконечных размерах кристалла без ограничивающей его повер.хности и без внутренних дефектов структуры. Однако на самом деле любой образец металла имеет границы, а большинство образцов состоит из огромного числа крошечных кристалликов, в которых имеются дефекты. Эти кристаллики соприкасаются своими внешними гранями, и их поверхности потенциальной энергии претерпевают большие изменения при переходе нз одного кристаллика в другой. Наличие примесей и дефектов кристаллической структуры та кже приводит к искажениям формы потенциальных поверхностей. Вследствие этого во многих случаях свойства реального кристалла в большой мере определяются характером его внешних граней, дефектами структуры и наличием примесей, чем видом поверхностей потенциальных энергий чистого монокристалла. Однако вое указанные эффекты можно интерпретировать как деформации потенциальных поверхностей идеального кристалла, делая соответствующие допущения о характере таких деформаций. Так, например, известно, что почти все примеси снижают электропроводность чистого металла сопротивление меди увеличивается почти на 200% при введении в нее 2 мол.% никеля. [c.521]

Однако широко распространенные методы рентгеновской топографии являются чисто эмпирическими и обычно характеризуются качественной, иногда неоднозначной, интерпретацией получаемых картин. Совершенно очевидно, что основой этих методов должна быть полная и строгая теория рассеяния как в идеальных кристаллах, так и в кристаллах с дефектами в совокупности с надежным и прецизионным количественным изучением дифракционных эффектов. [c.3]

Важным этапом в разработке динамической теории было рассмотрение случая поглощающего кристалла и вывод формул для коэффициентов и интегральных величин отражения и прохождения. Существенно отметить, что один из важнейших эффектов, наблюдаемых при динамическом рассеянии в идеальных кристаллах, именно, эффект аномального прохождения в области максимума, не был предсказан теоретически, а обнаружен чисто экспериментально в работах 1941 г. и главным образом 1951 г. и был назван эффектом Бормана по имени автора этих работ [21]. Между тем Захариасен в своей книге [15] (1945 г.) ничего не говорит об аномальном прохождении, хотя приведенные им формулы при незначительном преобразовании однозначно указывают на наличие такого эффекта. Фактически в работе Лауэ 1949 г. [22] эффект Бормана показан как очевидный вывод из динамической теории. [c.12]

Наряду с исследованием поглощающего кристалла, на протяжении главным образом 60-х годов началось всестороннее изучение интерференционных эффектов, сопровождающих динамическое рассеяние в кристаллах со слабо выраженным поглощением. Эти интерференционные эффекты, представляющие большой интерес с чисто физической точки зрения, открывают совершенно новые пути для точных определений важных количественных параметров как волнового поля в кристалле, так и самого кристалла. Значение интерференционных эффектов, в частности, определяется тем, что они позволяют измерить не только параметры идеальных кристаллов, но и характеристики различных искажений в реальных кристаллах. [c.13]

Теория рассеяния рентгеновских лучей идеальными кристаллами при отражении по Брэггу исторически начала разрабатываться раньше теории Эвальда. Она была впервые дана в трудах Дарвина и Принса [87], который включил в рассмотрение эффект [c.173]

Совершенный ионный раствор характеризуется следующими признаками 1) он состоит только из ионов 2) близлежащими соседями в нем, как и в кристалле, являются только ионы разного знака 3) энергия взаимодействия между ионами в растворе остается такой же, как и в отдельно взятых чистых компонентах. Значит, образование совершенного раствора из компонентов протекает без теплового эффекта (теплота смешения равна нулю). От идеального совершенный ионный раствор отличается вторым признаком, предусматривающим существование определенного порядка в расположении частиц. [c.185]

Реальные кристаллы содержат различные несовершенства структуры - дефекты, которые во многом определяют их физические, а иногда и химические свойства. Эти несовершенства структуры в дифракционной картине проявляются как эффекты второго порядка, поэтому при рентгеноструктурном исследовании в первую очередь определяется усредненная, идеальная структура и с большим трудом отклонения от этой идеальной структуры. [c.228]

При растворении электролита диполи воды за счет ориентационного или ион-дипольного взаимодействия (гл. 4 4.4) притягиваются к полярным молекулам или к ионам растворяемого вещества. Упрощенно, без учета системы Н-связей в воде, этапы электролитической диссоциации представлены на рис. 45. Полярные молекулы (например, НС1) в силовом поле окружающих их диполей растворителя поляризуются, и вследствие сильного смещения связывающих электронов связь становится ионной. Происходит ионизация молекулы (этап II), а затем гетеролитическая диссоциация связи с образованием свободных ионов. Подготовительным этапом электролитической диссоциации является сольватация вещества. Для ионных кристаллов ее эффект зависит от состояния их поверхности. В первую очередь сольватируются и переходят в раствор ионы, расположенные на выступах поверхности, так как к ним облегчен доступ растворителя, а связь их с кристаллом ослаблена. Вероятно, сольватация ионов, расположенных на идеально гладкой поверхности кристалла, будет протекать в меньшей степени, и диссоциация замедлится. [c.204]

С тепловым эффектом переноса ионов из кристалла в идеальный ионный пар. [c.173]

При выводе изотермы адсорбции Ленгмюра неявно делаются следующие допущения 1) адсорбируемый газ в газовой фазе ведет себя как идеальный 2) адсорбция ограничивается мономолекулярным слоем 3) поверхность однородна, т. е. все адсорбционные центры имеют одинаковое сродство к молекулам газа 4) молекулы адсорбата не взаимодействуют друг с другом 5) адсорбированные молекулы газа локализованы, т. е. не передвигаются по поверхности. Первое предположение справедливо при низких давлениях. Второе почти всегда перестает соответствовать реальности при увеличении давления газа. Как показано на рис. 8.6, когда давление газа приближается к давлению насыщенного пара, пар начинает неограниченно конденсироваться на всех поверхностях, если краевой угол 0 равен нулю. Третье допущение неудовлетворительно, потому что реальные поверхности неоднородны разные грани кристалла обладают разным сродством к молекулам газа, а ребра, трещины и дефекты кристалла образуют дополнительные адсорбционные центры. Неоднородность приводит к уменьшению энергии адсорбции по мере заполнения поверхности. Неправильность четвертого допущения была показана экспериментально, когда обнаружилось, что в некоторых случаях теплота адсорбции может увеличиваться с увеличением поверхностной концентрации адсорбированных молекул. Этот эффект, противоположный тому, к которому должна приводить неоднородность поверхности, обусловлен взаимным притяжением адсорбированных молекул. Пятое допущение неправильно, так как имеется ряд доказательств того, что поверхностные пленки могут быть подвижными. [c.251]

Первое противоречие в теории кристаллических решеток, которое мы встретили в области идеальной упругости, ныне разрешено в том смысле, что все осложняющие явления упругое последействие, упругий гистерезис, упругая усталость и т. п. — отсутствуют в чистых одиночных и правильно построенных кристаллах. Эти эффекты связаны с существованием неправильностей в неоднородных телах, с переходом через предел упругости пли прочности в некоторых малых областях внутри тела и с взаимодействием между кристаллическими зернами. [c.239]

Пассивационные и концентрационные эффекты играют важную роль в процессах роста кристаллов, однако они не исчерпывают всех причин, вызывающих отклонение реальной картины кристаллизации от идеализированной модели Фольмера. Отклонения от модели Фольмера объясняются и нарушениями идеальной структуры кристалла, т. е. дефектами кристаллической решетки, и в первую очередь появлением- участков с расположением структурных элементов отличным от их расположения в идеальной решетке данного кристаллического тела, та называемых дислокации. [c.353]

Несмотря на правильность некоторых оценок, следует констатировать, что теория теплоемкостей практически бессильна в количественном предсказании температурной зависимости теплоемкостей, кроме случаев идеального газа и идеального кристалла. Вместе с тем без знания этой зависимости невозможно решать ваяенейшие физико-химические задачи о тепловых эффектах реакций и о химических равновесиях. Поэтому для решения поставленного вопроса приходится обращаться к опыту. [c.31]

ТТс ытавЖйе преломление распространяющиеся прямолинейно световые лучи несут не всю вступающую световую энергию часть последней переходит в боковое диффузно рассеянное излучение — известный эффект Тиндаля (Tyndall), который происходит тем интенсивнее, чем (больше неоднородность среды. Наоборот, если молекулы последней >были бы расположены в порядке, например, в идеальном кристалле при абсолютном нуле, когда в каждом элементе объема находится всегда одинаковое число молекул, то такое боковое рассеяние не имело бы места, потому что рассеянные в сторону волны полностью бы уничтожились вследствие интерференции. В твердых веществах при высокой температуре, еще в более сильной степени в жидкостях и, в особенности, в идеальных газах с возрастанием температуры в большей мере появляются колебания плотности, Снаружи их можно бщо бы заметить только, если производить наблюдения в течение очень коротких промежутков времени. Тем не менее, по отношению к очень [c.90]

СТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ - анализ структуры материала и его дефектов. Для исследования атомно-кристаллической структуры исполт,зуют дифракцию и рассеяние рентгеновских лучей (см. Рентгеноструктурный анализ), электронов (см. Электронографический анализ) и нейтронов (см. Нейтронографический анализ). Получили распространение методы анализа с использованием ориентационных эффектов при рассеянии тяжелых заряженных частиц (см. Ме-тодом ориентационных аффектов анализ), а также автоионный микроскопический анализ, в к-ром используют ионизацию атомов (или моле-ку.т) газа в неоднородном электр. поле у поверхности образца. При рассеянии потоков излучений атомами, находящимися в узлах идеальной кристаллической решетки, возникают резкие максимумы и диффузный фон вследствие комптоновского рассеяния. По положению и интенсивности максимумов определяют тип кристаллической решетки, размеры элементарной ячейки и расположение атомов в ней. Нарушения идеальности кристалла, напр, колебания атомов, наличие атомов различных хим. элементов, дислокаций, частиц новой фазы и др., изменяют положение, форму и интенсивность максимумов и вызывают дополнительное диффузное рассеяние, что дает возможность получать информацию об этих нару-шеннях. Дифракционными методалш изучают также строение веществ (напр., аморфных), пе обладающих строгой трехмерной периодичностью. Теории дифракции всех излучений имеют много общего, в то же время в них есть особенности, обусловли- [c.470]

Энергию образования этого реального кристалла из идеального бездефектного кристалла представим как результирующий эффект последовательного удаления атомов А из субрещетки А идеального кристалла [c.187]

Высокочистые и совершенные монокристаллы полупроводников нашли не только блистательное применение в практике, но и решающим образом повлияли на развитие ряда разделов физики, прежде всего физики твердого тела, предоставив возможность исследовать собственные свойства кристаллов, близких к идеальным. Так, на них впервые были обнаружены и изучены ударная ионизация и туннельный эффект. Изучением примесных атомов, дозированно вводимых в вещества полупроводниковой чистоты, выявлены некоторые закономерности поведения и характер их взаимодействия. Представляется такая картина в идеальном кристалле малые концентрации примесей ведут себя как квазигаз с частицами, совершающими тепловые колебания, но свободно не перемещающимися. С увеличением их концентрации уменьшается среднее расстояние между частицами и усиливается их взаимодействие. [c.167]

Когда длина волны сопоставима с шагом спирали, оптические свойства коренным образом меняются. Прежде чем обсуждать строгую электромагнитную теорию проблемы, поучительно вначале рассмотреть ее с точки зрения теории дифракции рентгеновских лучей [9, 25]. Поскольку динамическая теория дифракции рентгеновских лучей (и ее приложения) для идеальных кристаллов в настоящее время исчерпывающим образом разработана и понята, то этот подход может быть полезным при объяснении оптического поведения холестериков, а также для нахождения новых оптических аналогий некоторых эффектов, хорощо известных в рентгеновской области. Примером такого нового явления может служить сообщение об эффекте Боррмана в холестерических веществах [26]. [c.218]

Твердое тело не имеет сплошь заполненного атомами пространства. Даже при плотнейшей упаковке в идеальном кристалле имеется некоторое свободное пространство, состоящее-из пустот сложной формы и каналов между ними. Это пространство принято называть свободным объемом. Если при распаде входящего в состав твердого тела иона или молекулы возникает радикал с геометрическими размерами, близкими к характерным размерам свободного объема, то эти радикалы имеют определенную вероятность выскользнуть через эти каналы из зоны образования и тем самым избегнуть рекомбинации в исходную молекулу или ион. Согласно этому выход продуктов--радиолиза должен возрастать с увеличением свободного объема в соединениях одного типа. Это и наблюдалось для ряда-солей неорганических кислот [380] по конечным продуктам. Известен пример, где эффект свободного объема проявляется и для радикалов. Из рис. 5.7. видно, что для различных ацетатов сумма выходов свободных радикалов (СНз, СН2СОО ,, СНзСОО=) в функции свободного объема укладывается на одну прямую, исходящую из свободного объема, численно равного объему радикала СНз. [c.255]

Для получения заданной температуры образцы охлаждались до температуры несколько ниже тройной точки, что приводило к затвердеванию аргона и ксенона. Твердое состояние образцов обнаруживалось при наблюдении дифракционных максимумов, характерных для кристалла. Затем каждый образец слегка подогревали до тех пор, пока эти максимумы не исчезли. Разность между температурой, при которой наблюдалась смесь твердой и жидкой фаз, и температурой, при которой дифракционные максимумы соответствовали только жидкой фазе, составляли 0,3 0,1 К. Кривые интенсивности получены в монохроматическом молибденовом излучении с помощью 0 — 0 -дифрактометра. Регистрация рассеянного излучения производилась в интервале 5 от 0,3 до 14 Дифракционные эффекты наблюдались до значений 5=9 А 1 для аргона и S = 8 А для ксенона. Положение максиму MOB интенсивности и вычисленные по ним кра1чайшие межатомные рас стояния Ri и средние числа ближайших соседей приведены в табл 15. Там же указаны значения энергии парного взаимодействия атомов Экспериментальные кривые атомного распределения были соиоставле ны с теоретическими, рассчитанными методом идеальных пиков [c.159]

Силы Ван-дер-Ваальса (ориентационный, индукционный и дисперсионный эффекты). Очень слабые силы притяжения между нейтральными атомами или молекулами, проявляющиеся на расстояниях, превосходящих размеры частиц, называют межмолеку лярным притяжением или силами Ван-дер-Ваальса . Они действуют в веществах, находящихся в газообразном или жидком состоянии, а также между молекулами в молекулярных кристаллах. Своа название они получили по имени голландского исследователя Ван-дер-Ваальса, постулировавшего их существование введением поправочного члена в уравнение состояния идеального газа. Эти силы обусловливают отступление реальных газов от идеального состояния. Кроме того, межмолекулярное притяжение определяет возможность агрегации вещества, сопровождающейся выделением энергии. Оно играет важную роль в процессах адсорбции, катали- [c.133]

Следует отметить, что ХеОзРз в данном обсуждении модели ОЭПВО является единственным соединением, для которого использованы кристаллографические данные во всех остальных случаях полученные результаты относятся к газовой фазе. Вследствие образования межмолекулярных мостиков Хе - О соединение ХеО Рз имеет слоистую структуру в кристалле, как показано на рис. 3-79. Можно считать, что взаимодействие Хе - О уменьшит силу отталкивания от неподеленной пары ксенона и двойных связей Хе=0. Однако в отсутствие данных для газовой фазы нет никакой возможности без точного сравнения оценить величину такого эффекта. Для нас не важно отметить, что отклонения углов от идеальных значений в экваториальном и аксиальном направлениях имеют противоположный знак. Этот эффект определенно указывает на различную направленность сил отталкивания от неподеленной пары и двойной связи Хе=0. [c.167]

Может возникнуть вопрос, при каком уровне величины > захват примсси твердой фазой заметно влияет па снижение коэффициента очистки кристаллов в сраииснии с идеальным коэффициентом очистки. Нетрудно убедиться, что роль захвата примсси твердой фазой усиливается при высокой степени кристаллизаций основного вещества а и при малой растворимости основного вещества п конечных условиях кристаллизации. Так в процессах высаливания, когда нередко достигается степень осаждения основного вещества 95—99%, уже при. значении О порядка 0,001 и даже 0,0001 нередко наблюдается очень резкое снижение эффекта очистки в сравнении с нсзахватываемой твердой фазой примесью, для которой О = 0. [c.75]

Теперь рассмотрим нагревание охлажденного полимера. Для краткости проанализируем только случай частично закристаллизованного полимера. Кривые 3 и 3" показывают ход зависимости гиббсовой энергии при быстром и медленном нагреваниях. В обоих случаях ход обратной зависимости не совпадает с ходом прямой зависимости, т. е. имеется гистерезис. При быстром нагревании за температурой стеклования будет сохраняться та структура, которая заморозилась при температуре стеклования и поскольку степень кристалличности этой структуры выше, чем при соответствующей температуре при охлаждении (кристаллизация продолжалась вплоть до температуры стеклования), кривая 3 будет лежать ниже, чем кривая 3. Еще ниже будут лежать значения гиббсовой энергии при медленном нагревании, так как при этом в процессе нагревания выше температуры стеклования кристаллическая структура будет не разрушаться, а, напротив, совершенствоваться (этот эффект называется отжигом). Наконец, из-за того, что дефектные кристаллы плавятся при более низкой температуре, чем идеальный, переход на кривую, отвечающую аморфному состоянию (расплаву), произойдет тем раньше, чем больше скорость нагревания. [c.32]

Роль геометрических факторов. В теории катализа значение геометрических факторов получило наиболее общее выражение в принципе геометрического соответствия мультиплетной теории Баландина. Близкий принцип лежит в основе теории матричных эффектов, общепринятой в современной молекулярной биологии для объяснения действия ферментов, нуклеиновых кислот и других регуляторов биохимических процессов. Применительно к выяснению возможности ускорения сравнительно простых реакций использование геометрических характеристик требует большой осторожности. Трудности начинаются с выбора геометрических параметров поверхности. Во-первых, эти параметры различны для идеальных плоскостей разных индексов (одного и того же монокристалла), которые обычно одновременно наблюдаются на поверхности. Во-вторых, как показывают прямые исследования дифракции медленных электронов, не только расстояния, но и тип структуры могут быть различными на поверхности и в объеме кристалла. Так, в частности, Ое и 81 в объеме имеют кубическую структуру алмаза, а на поверхности — гексагональную структуру расстояния З — 81 или соответственно Се — Се в объеме и на поверхности различаются, как известно, весьма существенно. В-третьих, по данным электронографии и эмиссионной микроскопии, атомы поверхности [c.25]

В основе многочисленных приемов практического использования магнитной обработки водных систем лежат, естественно, определенные изменения их физических и физико-химических свойств. Выявлению таких изменений посвящено большое число исследований как в нашей стране, так и за рубежом. Следует отметить, что идеально чистую воду, как правило, не изучали. Опыты проводили с бидистиллятом, дистиллятом, технической водой, искусственными растворами, суспензиями и биологическими системами. Эти исследования были сопряжены с большими трудностями. Прежде всего, изменения свойств гомогенной жидкой фазы водных систем часто весьма невелики. Это, конечно, не предопределяет невозможность достижения существенных конечных эффектов. Усиление и стабилизация малых начальных изменений свойств могут происходить с помощью промежуточных механизмов, во много раз увеличивающих эти изменения. В подавляющем большинстве случаев такое усиление свойственно гетерогённым системам и фазовым переходам. Например, малейшее стимулирование образования кристаллов может вызвать лавинную и необратимую кристаллизацию в объеме, со всеми вытекающими из этого технологическими последствиями. Небольшое уменьшение степени гидратации поверхности твердых частиц в определенных условиях может привести к их массовой коагуляции, существенному улучшению фильтрования и др. [c.22]

Водят К отклонениям от идеальной кубической симметрии. Сюда могут относиться разнообразные эффекты, начиная от смещений и искажений, обусловленных влиянием растворителя (если предполагать, что растворитель и растворенные молекулы обладают в растворе квазикристаллической структурой), и до искажений, обусловленных взаимодействием спинов электронов с нормальными колебаниями кристал.тической решетки, или до искажений, вызывающих ферромагнитное поведение кристаллов. Несоседние взаимодействия в решетке также могут вызвать отклонения от простого поля, обусловленного ближайшими соседями, и Ван Флек показал, что этот эффект может быть существенным даже для спектров. [c.246]

Поверхностное состояние атомов в ковалентных кристаллах f43m исследуется с помощью дифракции медленных электронов, а также нуклонов. На атомночистых гранях куба и октаэдра обнаруживаются модулированные сверхструктуры с периодами повторяемости, заметно превышающими периоды повторяемости идеальных двухмерных решеток (100) и (111). Сверхструктурный эффект имеет высокомолекулярную природу и связан с переходом значительного числа поверхностных а-радикалов в делокали-зованные я-состояння. Не испытавшая фазового поверхностного перехода часть а-радикалов стабилизируется за счет образования различных двух-мериоупорядочеиных конфигураций. Относительное смещение атомов в поверхностных слоях Si и Ge по отношению к межатомным расстояниям в [c.51]

Для целей, преследуемых в данной главе, большую пользу может принести тот воображаемый идеальный растворитель, к представлению, о котором мы принуждены были обратиться, желая как-либо конкретизировать нулевое состояние газа. Вспомним, что главное свойство упомянутого ю-юбражаемрго растворителя заключается в том, что раствор любой концентрации в нем подобен идеальному газу. Допустим еще, что в этом идеальном растворителе любое вещество растворяется при предельно низких температурах без теплового эффекта, так что Го = О- Иными словами, мы предполагаем, что когда молекулы какого-либо реального вещества попадают в среду идеального растворителя, то силы взаимодействия между молекулами вещества исчезают и заменяются сторонними силами, связывающими молекулы растворенного вещества со средой растворителя, причем энергия этой связи молекул со средой растворителя как раз равна энергии -сублимации кристалла при Т = 0° К и р = 0. Сверх того, ради удобства можно наделить наш идеальный растворитель свойствами абсолютной несжимаемости, нетеплоемкости, невесомости и еще тем свойством, что молекулы растворенного вещества движутся в нем, не испытывая сопротивления со стороны среды растворителя, как в вакууме. В таком виде назовем этот идеальный растворитель (и-фазой, а растворенное в нем вещество а-паром. [c.202]

На основании экспериментальных данных делается попытка решить вопрос, действительно ли электропроводность диэлектрических кристаллов суп] вственно обусловлена дефектами (нерегулярностями) кристаллической решетки, как это неоднократно подчеркивал А. Смекал. Имеющиеся данные о зависимости злектропроводности от темературы, напряженности поля, времени, размеров кристалла не согласуются с представлением о том, что при комнатной температуре ток сосредоточен главным образом в областях дефектов. Опыты по изменению электропроводности, с одной стороны, при добавлении химических примесей и, с другой стороны, за счет влияния неоднородностей структуры показывают, что первый эффект выражен чрезвычайно ярко, в то время как очень сильные физические неоднородности влияют на электропроводность совершенно незначительно. Имеющийся экспериментальный материал не содержит фактов, противоречащих предположению о том, что проводимость обусловлена ионами решетки. Мы приходим к выводу, что отклонения структуры реального кристалла от идеальной решетки, которые, несомненно, часто присутствуют, не оказывают заметного влияния на электропроводность. Существенной для нее оказывается практически только нормальная диссоциация кристаллической решетки и ее изменение за счет посторонних примесей. [c.263]

Открытие Лауэ рентгеноструктурного анализа, получившего впоследствии разнообразнейшие применения, имело своим следствием то, что реальное твердое тело стали обычно рассматривать как идеальную математическую решетку. Однако уже первые опыты Брэгга показали, что кристаллы в том виде, в каком они встречаются в природе, должны рассматриваться, скорее, как мозаичные картины, составленные из отдельных кусочков, слегка сдвинутых по отношению друг к другу. Неравномерность процесса роста, а также высокие давления, которым подвергаются природные кристаллы, изменяют их решетку в такой мере, что полная регулярность наблюдается лишь в пределах тонких слоев, толщина которых часто составляет всего несколько тысяч межатомных расстояний. После разработки методов выращивания металлических монокристаллов тонкая мозаичная структура была ясно показана, в частности, Хауссером. Я хотел бы еще отметить интересные опыты Пржибрама с окраской кристаллов, которые в особенно наглядной форме продемонстрировали эффект возникновения плоскостей [c.263]