Влияние характера изображения

Изучение закономерностей приготовления эпоксидных компаундов в статических смесителях с винтовыми элементами осуществляли на заливочной установке (рис. 3.3), основной частью которой являлся статический смеситель с прозрачным корпусом. Киносъемка процесса диспергирования отвер-дителя осуществлялась на прозрачном модельном составе, в котором стандартный отвердитель полиэтиленполиамин заменен на низкореакционный три-этаноламин. Состав содержал эпоксидную смолу ЭД-20 и полиэфирную смолу МГФ-9,6. Дозирующая система обеспечивала движение потоков на скоростях объемной подачи в широком диапазоне. Изучение влияния технологических режимов процесса и конструктивных особенностей оборудования на характер увеличения межфазной поверхности проводили по замерам диаметров капель диспергируемой среды, образующихся из цилиндрических полос ламинарного потока в системе после остановки дозирующей системы. Замеры производили при 50-кратном увеличении изображения канала смесителя. Схема выбора участка канала для проведения измерений показана на рис. 3.4. Для выявления характера поля скоростей движущихся в потоке смешиваемого материала частиц в диспергируемый компонент модельного состава добавляли трассер (просеянные частицы алюминия размером 5—6 мкм) [c.62]

Влияние характера изображения. В процессе проявления фотослоя происходит восстановление галоидного серебра до металла, в результате чего восстанавливающее вещество проявителя окисляется. Проявитель постепенно начинает действовать медленнее и в конце концов перестает действовать вообще. [c.300]

Влияние характера изображения. В процессе проявления фотослоя происходит восстановление галоидного серебра до металла, в результате чего восстанавливающее вещество проявителя окисляется. Проявитель [c.295]

Пока отдельные разности d,(t) случайно рассеиваются под влиянием только сг , кумулятивная сумма остается постоянной во времени. Если в показателях качества появляются отклонения от среднего или заданного значения, они действуют на кумулятивную сумму 0(1) и вызывают ее отклонение от постоянного значения в ty или другую сторону. При правильном выборе масштаба в изображении ку-сумм даже небольшие смещения — где-то в пределах <7 — можно распознать уже через несколько точек. Контрольные карты для таких кумулятивных сумм разностей (метод ку-сумм ) целесообразно строить так, чтобы величина 2<г на оси ординат и временной отрезок между двумя измерениями на оси абсцисс имели одинаковый масштаб. При таком выборе случайные колебания проявятся так, что небольшие смещения ку-сумм в пределах .2<Гх дадут линию под углом 45° относительно горизонтали. Характер прямой линии постоянно проверяется при каждой новой точке на графике с помощью У-образной маски. Для предложенного здесь масштаба по осям абсцисс и ординат угол маски составляет 14°, а последняя, подлежащая проверке, точка находится на расстоянии п = 8 единиц времени от вершины угла. (Для выбора п см. [15].) [c.213]

При допущении, что подвижность ионов слабого электролита не зависит от концентрации, следует учесть влияние степени диссоциации, которая увеличивается при разбавлении раствора. У сильных электролитов, которые можно считать всегда диссоциированными нацело, при разбавлении увеличиваются расстояния между ионами, уменьщаются силы взаимодействия и взаимное торможение ионов, отражаемые коэффициентом электрической проводимости /х- С ростом разбавления раствора и степень диссоциации слабого электролита, и коэффициент электрической проводимости сильного электролита возрастают до единицы при бесконечном разбавлении, что приводит к увеличению молярной (и эквивалентной) электрической проводимости до величины Х.°, хотя и вследствие различных причин [уравнения (11.34) и (11.35)]. Этим закономерностям отвечает характер кривых Я, изображенных на рис. 11.2. [c.221]

На контраст сканирующего изображения в РЭМ решающее влияние оказывают топография поверхности объекта и его химический состав. Поскольку количество отраженных электронов зависит от химического состава и микрорельефа (топографии) поверхности, то можно получить два соответствующих изображения 1) распределение химических элементов по поверхности образца 2) микрорельеф поверхности образца. Получение изображения осуществляется с помощью специальных парных детекторов отраженных электронов по принципу, изображенному па рис. 61. Образец / состоит из нескольких частей разного химического состава. Детекторы А и Б. расположенные симметрично к падающему пучку электронов С, будут фиксировать равное количество отраженных электронов и давать синхронные сигналы на регистрирующую систему (линии а и 1в). При движении пучка на экране получится изображение, согласующееся с характером изменения химического состава материала. Наоборот, образец II химически однороден, но имеет неровную поверхность. Это приводит к несимметричному отрал<ению электронов от разных точек поверхности. Следовательно, в детекторы А Б будут попадать разные количества отраженных электронов и их выходные сигналы будут различными по фазе (линии Па и IIб)- При вычитании этих сигналов будет исключаться влияние химического состава вещества и полученная разность (линия Па-б) даст изображение микрорельефа поверх- [c.150]

Учитывая сложный характер взаимного влияния этих факторов, выбирая режимы просвечивания новой партии изделий, целесообразно сделать несколько пробных снимков при различных экспозициях. В этом случае согласно ОСТ 26896 - 73 плотность потемнения изображения контролируемого участка сварного соединения для любой точки изображения не должна быть менее 1,2 единиц оптической плотности. В этом ОСТе приведены подробные схемы просвечивания стыковых, угловых, тавровых и других видов сварных соединений. Однако следует отметить, что радиационные методы контроля малоэффективны при просвечивании [c.122]

Теоретический расчет процессов экстракции в случае многокомпонентных смесей чрезвычайно затруднен из-за сложного характера взаимного влияния компонентов системы на их равновесное распределение между фазами. Кроме того, когда число компонентов системы больше четырех, изображение равновесных данных в диаграмме, удобной для инженерных расчетов, оказывается невозможным. В связи с этим проектирование экстракционных установок для многокомпонентных систем производится пока иа основе результатов лабораторных экспериментов. И лишь применительно к простейшим случаям, изложенным ниже, возможен расчетный подход. [c.583]

Таким образом, если при построении кривых, изображенных на рис. 66, откладывать по оси ординат вместо Р значения функции [В Р /Сщ, то эти кривые в значительной степени утрачивают свой специфический характер и результаты для всех 1,1-валентных солей, за исключением данных для лития, хорошо укладываются на одну кривую. Этот факт убедительно свидетельствует о том, что влияние объемов ионов имеет существенное значение. [c.261]

Устройства третьего и четвертого поколений обладают общими чертами веерообразным пучком, охватывающим все поле исследования, одинаковым углом раскрытия, характером движения подвижных частей, близкими значениями скорости сканирования, большим числом измерительных трактов, аппаратурной сложностью, сильным влиянием рассеянного излучения на качество изображения. [c.189]

В работах [4, 6], где также была отмечена исследованная нами аномалия теплового расширения ориентированных полимеров, дано объяснение этому явлению. Оно сводится к представлениям о влиянии двух факторов — обычного теплового расширения тела и стремления ориентированных макромолекул к увеличению их конформационного набора. Схема кристаллического полимера по Журкову [7,8] воспроизведена на рис. 4, а. При нагревании кристаллиты и аморфные прослойки ведут себя различно. Кристаллиты расширяются, а макромолекулы в аморфных прослойках благодаря энтропийному характеру упругости будут стремиться к сокращению. Воздействие растягивающей и сокращающей сил при нагревании наглядно иллюстрируется рис. 4, б, на котором изображен фрагмент модели, приведенной на ри( . 4, а. Сокращающая упругая сила в аморфных прослойках [c.334]

Картина, изображенная на рис. 14, показывает, что в принципе не существует барьера для продолжения складывания молекул вдоль границ доменов, поэтому кристаллы могут расти очень просто, путем повторяющейся конденсации молекул с образованием монослоев, которые спирально развиваются по периферии кристаллов. Это, конечно, идеальный случай, и легко видеть, что даже у кристаллов, ограниченных гранями (ПО), молекулы могут в какой-то степени складываться также в плоскостях (100). Действительно, нет оснований считать, что молекулы не могут складываться в данном индивидуальном кристалле самыми разными способами. Поэтому такой кристалл должен иметь субструктуру доменов складывания, а границы доменов должны быть уже, чем у больших доменов, которые были отождествлены выше с секторами, образуемыми в идеальном случае, представленном на рис. 14. Так как в кристалле данной внешней формы возможны многие способы складывания молекул, то, по-видимому, складывание на молекулярном уровне является беспорядочным, и можно предполагать, что неупорядоченность будет возрастать при более высоких скоростях роста. Однако обнаружить на электронном микроскопе границы доменов складывания не легко, если только они не вырисовываются под влиянием неупорядоченности. Различные способы складывания почти не будут влиять на характер дифракционной картины, потому что последняя зависит в основном от порядка расположения молекул в объеме кристаллов. [c.438]

Потери энергии электронов при прохождении через объект могут происходить по разным механизмам, описанным в гл. 19. Наиболее существенное влияние имеют характеристические потери энергии. При энергии плазмонов Д л 15-=-20 В с увеличением толщины объекта возрастает как доля электронов, потерявших часть энергии на возбуждение плазмонов, так и суммарные потери, обусловленные многократным рассеянием. В случае аморфных объектов разрешающая способность может лимитироваться именно хроматической аберрацией, определяемой через толщину объекта / по формуле б бхр (1/10) I. Для кристаллических объектов благодаря особому характеру рассеяния такой зависимости нет. Хотя те же процессы неупругого рассеяния происходят и при прохождении электронов через кристаллический объект, контраст в изображении за счет интерференции когерентно рассеянных электронов настолько велик, что вклад неупруго рассеянных электронов не так заметен. Однако неупругое рассеяние при изображениях очень толстых объектов все же сказывается как на контрасте, так и на разрешающей способности. [c.453]

Естественно, возникает вопрос, почему некоторые вещества взаимодействуют с поляризованным светом подобным образом,тогда как другие вещества таким свойством не обладают Мы приведем здесь крайне упрощенное объяснение этого явления, так как более строгое рассмотрение требует применения довольно сложного математического аппарата. Тем не менее нетрудно понять, что электрические силы светового луча, падающего на молекулу, вступают в некоторое взаимодействие с электронами, содержащимися в молекуле. Хотя поглощение энергии излучения молекулой, сопровождающееся переходом в энергетически более высокое электронное состояние, может фактически не происходить (см. гл. 2), возможно возмущение электронной конфигурации молекулы. Этот процесс можно наглядно представить себе как поляризацию электронов, происходящую под действием колеблющегося электрического поля, связанного с излучением (разд. 6-7). Это взаимодействие имеет важное значение в связи с рассматриваемым вопросом, так как оно заставляет электрическое поле излучения изменить направление колебаний. Влияние, оказываемое одной молекулой, чрезвычайно мало, но при действии большого числа молекул суммарный эффект может быть измерен как результирующее вращение плоскости поляризации поляризованного света. Молекулы, которые подобно метану, этилену и ацетону достаточно симметричны для того, чтобы каждая из них была идентична своему зеркальному изображению, не вызывают вращения плоскости поляризации. Причина отсутствия у них оптической активности заключается в таком характере симметрии каждого из этих веществ, что поворот плоскости колебаний в одном направлении уравновешивается равным по величине поворотом в противоположном направлении. Однако, если атомы в молекуле расположены таким образом, что симметрия недостаточна, для совмещения молекулы с ее зеркальным изображением, молекула окажет влияние на поляризованный свет — результирующая электромагнитных взаимодействий в этом случае не будет равна нулю. Такие вещества называются оптически активными. [c.605]

Кривые 2в(а) на рис. 1У-19 похожи на кривые, изображенные на рис. IV-17. С увеличением степени превращения исходного вещества производительность реакционного аппарата по продукту В монотонно снижается, а кривые, выражающие производительность реактора по продукту О, экстремальны, причем характер влияния а на величину экстремума кривых 1о а.) и на величину оптимальной степени превращения для реактора полного вытеснения и реактора полного смешения одинаков. [c.306]

На фиг. 73 изображен излом образцов диаметром 10 мм, изготовленных из сталей Ст. 5, Ст. 3, после испытания иа изгиб при различных режимах нитроцементации. Изломы характери.-зуют мелкое строение как нитроцементованного слоя при температурах 860—950° С, так и сердцевины. Увеличение длительности выдержки не оказало заметного влияния на размер зерна. [c.128]

Линейные или цепные макромолекулы построены в виде длинных цепей, в которых основные атомы или группы атомов связаны друг с другом в одном направлении. Схематический бид цепей изображен на рис. 115. Четырехвалентные атомы углерода как основные атомы в органических соединениях, расположены в цепи в силу направленности ковалентных связей углерода, под углом 109° 28 в виде зигзага. Прямолинейный характер молекулы в целом и зигзагообразная связь между звеньями цепи оказывает существенное влияние на свойства высокомолекуляр- [c.350]

Все это было представлено в математическом, но простом виде Лондоном. Он указал, что расположения, изображенные на рис. 8.3, бив, если их рассматривать с достаточного расстояния, можно считать простыми электрическими диполями. Поэтому при относительно больших межъядерных расстояниях, наблюдаемых в жидком гелии, энергии конфигураций гид могут быть приближенно приравнены легко вычисляемой энергии взаимодействия диполей. Рис. 8.4 демонстрирует характер приближения для рассмотрения двух конфигураций рис. 8.3, гид. Остается только определить отношение вероятностей благоприятной (рис. 8.4, а) и неблагоприятной конфигурации (рис. 8.4, б). При вычислении этого отношения предполагается, что один из атомов может рассматриваться как подвижный носитель заряда, который может быть поляризован в диполь под влиянием мгновенного дипольного момента своего соседа. Подобный наведенный диполь всегда возникает в энергетически более благоприятной системе, т. е. расположен так, что способствует конфигурации, соответствующей притяжению. [c.250]

Влияние скорости скольжения на величину д. Влияние скорости скольжения на коэффициент трения наполненного фторопласта-4 показано на рис. 31. Характер кривых, изображенных на рис. 31, показывает, что коэффициент трения увеличивается с увеличением скорости скольжения до 1,2—1,35 м1сек при дальнейшем увеличении скорости скольжения коэффициент трения изменяется незначительно. [c.79]

Сопоставление ряда других возможных ненормальностей с соответствующим анализом опытных кривых, изображенных на рассматриваемом рисунке, подтверждает, что механизм исследуемого процесса действительно должен быть представлен двумя различными схемами. При этом каждая из них будет охватывать закономерности поглощения лишь в определенных интервалах сочетания определяющих его параметров. Так, если исходить из указанных позиций, то характер зависимости концентрации раствора от диаметра капель, отвечающих правым ветвям на всех кривых, легко объяснить схемой, согласно которой в каплях устанавливается особый режим циркуляции частиц [1], имеющий решающее влияние на формирование закономерностей исследуемого процесса. [c.112]

Изложенные представления позволяют представить энергетический спектр адгезионного соединения, состоящего из двух субстратов с заключенным между ними слоем адгезива. Схематически типичный спектр изображен на рис. 1. Детальное обсуждение спектра включает вопросы о наличии и влиянии граничных и переходных слоев, которые мы рассмотрим далее. Здесь достаточно подчеркнуть, что форма спектра, т. е. существование экстремумов или плавный характер изменения полной энергии межфазной зоны,- определяется соотношением между когезионными энергиями обоих субстратов и заключенного между ними слоя адгезива. [c.20]

Переходя к реальным системам, следует иметь в виду, что подобные корреляции осложнены неучитываемым влиянием технологических факторов формирования клеевых соединений на их прочность. Обычно соответствующие зависимости не имеют строго линейного характера, однако их симбатность и монотонность подтверждают общую закономерность относительно существования прямой связи между прочностью адгезионных соединений полимеров и их поверхностной энергией. Примером может служить изображенная на рис. 29 зависимость, полученная при изучении клеевых соединений политетрафторэтилена, поливинилиденхлорида, поливинилхлорида, поливинилфторида, полиметилметакрилата и полистирола, адгезивом в которых служит эпоксидный состав. [c.79]

Результаты обширных исследований влияния изменения концентрации, нагрузки на КС, температуры и высоты КС на размер образующихся гранул и сдвиг плотности распределения при изменении параметров процесса приведены на рис. П1.3 и П1.4. При обезвоживании растворов следует учитывать влияние исходной концентрации установлено, что понижение ее оказывает влияние, аналогичное повышению температуры слоя, сдвигая гранулометрический состав в сторону мелких классов. Обращает на себя внимание бимодальный характер экспериментальных кривых, особо четко проявляющийся при изображении состава в виде так называемых численных кривых. [c.54]

Для применения к двум основаниям однэй и той жз функции кислотности необходимо, чтобы для нлк бли одинаковы величины бд11 (авн ), где оператор описывает влияние изменяющейся концентрации кислоты. Линейный характер отдельных участков графиков, изображенных на рис. 9.3 и 9.4, требует, что5э1 в пределах этих участков величины б ig(a н+/iJ fl) Д я оснований различных классов были пропорциональны друг другу и, кроме того, пропорциональны величине [c.359]

Поверхности большей части промышленных товаров слишком сложны и не поддаются анализу на базе предложенных выше моделей. Вместе с тем во многих случаях их можно классифицировать по проявлению глянца. Субъективную оценку глянца называют глянцевитостью. В табл. 3.1 представлено пять различных типов глянцевитости [263, 277]. Каждому типу глянцевитости соответствует определенный характер распределения отраженного света. В табл. 3.1 показано, как на практике определяют показатели глянца, предназначенные для описания каждого типа субъективной оценки. Этот перечень типов глянцевитости, разумеется, не исчерпывает всех возможных случаев, он лишь показывает, что глянец далеко не простое свойство поверхности и что один-единственный показатель глянца не может выразить многообразные свойства поверхности. При рассмотрении гониофотометрических характеристик трудно определить, какая из двух поверхностей будет обладать более высоким глянцем, ибо суждение наблюдателя будет зависеть от направлений освещения и наблюдения, от угловых размеров источника, от того, на что обращает внимание наблюдатель. Однородность поверхности также будет влиять на суждение из двух лакированных поверхностей с одинаково высоким зеркальным глянцем та, которая свободна от пузырьков, кажется более глянцевой. Аналогичное влияние оказывается на оценку блеска, контрастной глянцевитости глянцевитости с отчетливостью изображения, глянцевитости без ореола. Зависимость суждения от перечисленных факторов особенно явно выражена в случае высокоглянцевой отделки структурированных материалов, таких, как отделочная фанера. Если поверхность настолько однородна, что нет ни царапин, ни выбоин, ни пузырей, ни других видимых дефектов, то наблюдатель не может сфокусировать глаз на самой поверхности, однако он видит текстуру дерева через поверхность. Это называется глубиной отделки. Этот особый случай можно было бы назвать поверхностно-однородным глянцем. Хантер [269] опубликовал фотографии множества объектов для иллюстрации различных типов глянцевитости, приведенных в табл. 3.1. [c.454]

Рассмотрим влияние параметров охлаждающей вс ды на работу вихревого охладителя. Поскольку при вихревом температурном разделении газа температура периферийных слоев вихря превышает температуру исходного сжатого газа, то логичен вывод о возможности охлаждения стенок камеры разделения прн температуре охлаждающей среды выше температуры газа на входе в аппарат. Необходимо определить лишь пределы повышения температуры охлаждающей среды. В работе [7] показано, что при работе вихревой трубы в режиме 1=1 при степени расширения воздуха 8 = 3...6 температура охлаждающей воды не должна превышать Т охл = = (1,22...1,38)Гс (ббльшие значения Т охл соответствуют большим значениям е). Зависимость Гх/7 с=/(Г охл/Гс) линейна во всем исследованном диапазоне изменения 7 "охл/7 с и 8. Иной характер этой зависимости выявлен в работе [15] при рс = 0,58 МПа и д,= 1 с ростом Г охл/Гс скорость уменьшения эффекта охлаждения АГх несколько возрастет. Например, при 7 охл/7 с = = 0,95...1,045 уменьшение АТх при повышении температуры воды на 1 К составляет 0,1К, а при 7 %хл/7 с = = 1,16...1,23—около 0,25 К. Можно предположить, что это различие вызвано разными расходами, охлаждающей воды. В работе [7] нет данных о значении Сохл, но в предыдущей работе этих же авторов указано, что охл =3... 12 л/мин, а в работе [15] приведены значения Сохл = 2,8...3,9 л/мин. Действительно, как следует из работы [15], с ростом Оокл влияние температуры Г охл возрастает. Так, при Оохл = 3 л/мин повышение температуры воды с 276 до 299 К(7 охл/7 с = 0,95...1,08) приводит к уменьшению АГх приблизительно на 3 К, а при Оохл = = 12 л/мин АГх падает почти на 6 К, причем, чем ниже температура охлаждающей воды, тем больше влияние ее, расхода. Например, при Г охл = 293 К уменьшение расхода с 12 до 3 л/мин приводит к падению АГ на 2,5 К, а при Г охл = 27б—на 4 К. Характер зависимостей АГх = /(Г охл, Сохл) позволяет предположить возможность пересечения их графических изображений,. [c.78]

Для согласования всего имеющегося экспериментального материала по межатомным расстояниям молекул органических соединений с теорией строения Бутлерова необходимо сделать одно неоднократно высказывавшееся и ранее допущение о возможности существования в ароматических соединениях не только одно- и двукратных связей, но и промежуточных — полуторных, обозначенных в нижеследующих схемах знаком Не будем говорить о характере этой связи, а постараемся показать взаим ное влияние атомов и возможность изображения любой молекулы одной единственной структурной формулой. Последнее, ко нечно, возможно только в том случае, e л и имеются экспериментальные данные по межатомным расстояниям, определенные с достаточно й точностью. Для изображения структурных формул ароматических соединений дo тa-точно использовать три типа связи простые, двойные и полуторные. При прочих равных условиях атомы, связанные этой последней связью, очевидно, располагаются на расстояниях, промежуточных между расстояниями, получающимися при простой и двойной связях. [c.337]

На характер расположения поглощаемых анионов в анионите, кроме их природы, влияет также момент окончания процесса поглощения. Опытные кривые, изображенные на фиг. 1, а и б и на фиг. 2, аибдля различных бинарных смесей анионов позволяют сделать заключение о влиянии указанного фактора на характер образующихся в анионите зон размещения ионов. [c.510]

Цель работы состояла в изучении влияния температуры на состав насыщенного пара и состав тройного гетероазеотропа. Данные, в том числе изображенные для 45° на рис.19, проверялись с помощью выражений (1), (2), (8) и (12). Проверкой установлено, что при всех температурах 1) форма кривых составов пара не согласуется с данныии о составах сосуществующих фаз 2) характер изменения давления пара и положение точек составов тройных азеотропов отвечают условиям трехфазного равновесия 3) данные об изменении парциальных давлений воды не удовлетворяют критериям устойчивости относительно непрерывных изменений состояния. В работе содержатся результаты исследования равновесия g тройной системы при 20, 40 и 60°, а также данные о давлении пара и составе тройного азеотропа при 35, 45, 55 и 64°. [c.20]

В кристалле галоидного серебра свет поглощается ионом галоида. Исследование поглощения света ионами галоида в растворах щелочных галогенидов, в которых ион галоида окружен лишь молекулами растворителя, показывает, что мы имеем дело со спектром электронного сродства, т. е. что акт поглощения кванта ведет к отрыву электрона [10]. В кристаллической решетке ионы галоида окружены не молекулами растворителя, а катионами, что изменяет характер спектра поглощения [И, 12]. В случае иона серебра наблюдается особенно сильное влияние и особенно сильный сдвиг полосы поглощения ионов галоида в сторону длинных волн. Эггерт и Ноддак [12] показали, что оптический отрыв одного электрона в кристаллической решетке также требует одного кванта света. В процессе образования скрытого изображения происходит миграция освобожденных электронов и ионов серебра к особым активным участкам кристалла. Этот [c.225]

Расчетная схема, изображенная в Т—S-координатах (рис. 13), относится к 1 кг детандируемого газа. Каждый из факторов, обусловливающих необратимость действительного рабочего процесса, учитывается лишь на том участке схемы, где этот фактор играет основную роль. В частности, необратимый характер кругового процесса, совершаемого остаточным газом Gg, относится к участку 6—1 индикаторной диаграммы и отражен в расчетной схеме приращением энтропии ASgp = 5г — 5г отклонение линии расширения 2—3 вправо определяется лишь влиянием тепловых факторов (трения колец и теплопритока извне). [c.234]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология