Выращивание жидкой фазы

По методу Чохральского можно легировать кристалл, т. е. вводить в него примеси. При этом в расплав добавляются нужные примеси и задается скорость выращивания кристалла. При быстром вытягивании кристалла не происходит очистки, и в него полностью попадают все примеси расплава. При очень медленной скорости вытягивания примеси сильно оттесняются в расплав. Таким образом, меняя скорость роста кристалла, можно менять содержание примесей в кристалле. Предельно малое количество примесей в кристалле определяется величиной коэффициента сегрегации данного сорта примеси, т. е. отношением концентраций примеси в твердой и жидкой фазе. Вводя в расплав различные примеси и подбирая скорость вытягивания, можно управлять типом проводимости и сопротивлением кристалла и создавать электронно-дырочные переходы. При легировании кремния и германия (элементы IV группы периодической таблицы) элементами V группы — фосфором, мышьяком, сурьмой — получают кристаллы с электронной проводимостью /г-типа. При легировании кремния и германия элементами 1П группы — бором, алюминием, галлием и индием — получают кристаллы с дырочной проводимостью р-типа. [c.175]

Однако, поскольку экономичные методы выращивания идеальных кристаллов еще не найдены, приходится прибегать к более совершенным механическим методам разделения твердой и жидкой фаз. Обычно применение центрифуг для разделения кристаллов й маточного раствора заслуживает предпочтения перед фильтрами, так как использование центробежной силы обеспечивает повышенную четкость разделения. Однако в некоторых случаях фильтры дают ряд преимуществ. Различные типы центрифуг и фильтров рассмотрены в конце статьи. [c.66]

При выращивании кристаллов важную роль играют процессы тепло- и массообмена, протекающие в расплаве. От распределения температуры и концентрации легирующих примесей в жидкой фазе материала, особенно вблизи фронта кристаллизации, зависят электрические и другие свойства полученного монокристаллического материала. [c.19]

Одним из основных параметров выращивания монокристаллов является скорость подъема затравки. Процесс кристаллизации исключительно чувствителен к изменению этого параметра. Как было отмечено, программированием скорости пользуются при получении слитков с равномерными свойствами по их длине. Диаметр выращиваемого кристалла находится в прямой зависимости именно от этого параметра. Даже при незначительных колебаниях скорости подъема невозможно получить слиток постоянного диаметра. Любая из проблем процесса выращивания монокристаллов — распределение температур, концентраций примесей в слитке и расплаве, возникновение дислокаций и др., — непременно связывается с геометрией поверхности раздела твердой и жидкой фаз. Наиболее действенным средством управления этой поверхностью также является скорость подъема затравки. [c.214]

В упомянутой классификации процессов выращивания многокомпонентный рост представляют как рост посредством химического взаимодействия. Однако принципиальной границы между выращиванием из раствора при сильном взаимодействии растворителя с растворенным веществом и выращиванием посредством химического взаимодействия нет. В этом случае роль растворителя считают фактически сводящейся к роли комплексообразова-теля по отношению к растворенному веществу, обеспечивающего образование комплексов (сольватов), переводящих данное вещество в раствор. Тем не менее рост из жидкой фазы даже при наличии сильного взаимодействия между растворителем и растворенным веществом принято трактовать как выращивание из раствора, если только рост не обусловлен явно необратимыми химическими реакциями [15]. [c.313]

Аналогичные реакции известны также и для МоОз [117, 118] и ZnO [124]. Однако, при обычных давлениях водяных паров значение этих реакций для транспорта невелико, так как оксидные твердые фазы при температурах опыта обладают уже значительным давлением насыщения. Иначе обстоит дело, если перейти к более низким температурам и более высоким давлениям водяных паров. При этом уже осуществляются гидротермальный синтез и рост кристаллов, поскольку эти процессы происходят в отсутствие жидкой фазы. Особенно много экспериментов проведено с силикатами. В этом случае роль химических транспортных реакций также велика. Эти реакции в большинстве случаев еще с трудом поддаются расчету, так как имеется слишком мало сведений о природе и термодинамических свойствах участвующих в этих реакциях молекул. Транспорт силикатов осуществляют в основном методом конвекции. В качестве примера следует упомянуть хорошо изученный и практически важный процесс выращивания кристаллов кварца [125]. Транспорт ЗЮг обычно объясняют равновесной реакцией типа [c.67]

Систематические исследования были проведены при гидротермальном выращивании кристаллов (кварц) [125]. Эти процессы можно рассматривать как транспортные реакции с жидкой фазой или с водяным паром высокого давления (см. раздел 3.1.4.2). [c.114]

Некоторые технологические особенности процесса выращивания микроорганизмов на мелассной и зерно-картофельной барде связаны в основном со свойствами данного вида сырья, а также с возможностью использования вторичной барды после отделения от жидкой фазы кормовых дрожжей. [c.212]

Почти все твердые тела, включая минералы и металлы, являются кристаллическими. Кристаллические тела представляют собой более или менее крупные одиночные монокристаллы или сростки большого числа кристаллов — поликристаллы. Монокристалл образуется из жидкой фазы выращиванием вокруг единичного зародышевого центра. В зависимости от условий роста монокристаллов (различают равновесную и неравновесную формы), они могут иметь различную огранку. [c.141]

Проведенный расчет ограничен случаем одномерного температурного поля. Разумеется, в практических условиях, например при выращивании монокристаллов, их форма, близкая к цилиндрической, требует решения объемной задачи теории термоупругости, и проблема усложняется. Однако возможна ситуация (например, кристаллизация тонких пленок из жидкой фазы на подложке), при которой условия близки к рассмотренным выше. [c.247]

Метод плавающей зоны чрезвычайно плодотворен при исследовании физико-химических процессов на границе раздела твердой и жидкой фаз, построении диаграмм состояния сложных систем. Если при изучении металлических систем благодаря зонным методам получен богатый теоретический и экспериментальный материал, то применительно к окисным системам проведено еще очень мало исследований, для того чтобы считать проблему изученной с должной полнотой. Особого внимания заслуживает проблема взаимоотношения дворика кристаллизации и остального расплава, так как именно малый объем расплавленного участка по сравнению с площадью фронта кристаллизации делает процесс получения монокристаллов весьма чувствительным к составу исходной шихты. Имеющиеся к настоящему времени отрывочные сведения показывают, что при целенаправленном управлении факторами процесса выращивания можно корректировать отклонения, вызванные одним из этих факторов. Например, отклонение в исходном химическом составе исправляется путем изменения скорости движения зоны. [c.240]

VII. 121. Предельные скорости роста. В случае монокристаллов предельная скорость роста определяется одним из трех факторов 1) началом дефектного роста 2) началом поликристаллического роста 3) началом зародышеобразования в жидкой фазе. При росте кристаллов в промышленной кристаллизации третий фактор имеет, по-видимому, наибольшее значение. Скорость роста по большей части ограничена размножением кристаллов при столкновениях. Другими словами, скорость роста ограничена используемым пересыщением, а это пересыщение в свою очередь ограничено необходимостью снизить размножение кристаллов до приемлемого уровня, чтобы получать кристаллы не менее какого-то определенного размера. Уровень пересыщения достаточно низок для того, чтобы дефектный рост не играл такого большого значения, как в случае выращивания монокристаллов. [c.269]

Концентрация примеси или активатора сильно зависит от того, как протекает затвердевание в процессе выращивания кристалла из жидкой фазы. Рост кристалла называют консервативным, если общее количество материала в двух фазах (жидкой и твердой) остается постоянным, т. е. материал не добавляется извне и не удаляется из той или другой фазы [11]. Примером могут служить многие нормальной кристаллизации" ) [15]. При нормальной кристаллизации посредством консервативного процесса в начальный период роста весь материал представляет собой жидкую фазу и твердая фаза кристаллизуется из жидкости на определенной поверхности в пересыщенном растворе. В итоге граница раздела между твердой и жидкой фазами перемещается через расплав контролируемым образом. В таких [c.71]

Происходит все последующее наращивание. Обычное устройство для такого выращивания представляет собой тигель с коническим дном. В тигель помещают расплав и опускают его через зону с температурным градиентом так, чтобы затвердевание началось в самой вершине конуса (фиг. 2.4, а). Затем по мере опускания тигля граница раздела между твердой и жидкой фазами перемещается через расплав. Обычно у оконечности тигля зарождается один кристалл. Если же образуется несколько зародышей, то в дальнейшем на поверхности раздела доминирует кристалл, растущий быстрее всех других. В некоторых случаях [c.72]

Материал, выращиваемый в системе газ —твердое тело, должен обладать достаточно высоким давлением пара. Если давление пара недостаточно высоко, можно использовать комплексо-образователи или другие реагенты для создания летучих соединений, при разложении которых образуется нужное вещество. В таких случаях рост идет уже из многокомпонентной системы, о чем речь пойдет несколько дальше. Для практического выращивания из газовой фазы при температурах ниже температуры пла вления не требуется, чтобы давление было равно атмосферному. Процесс роста кристаллов называют сублимацией, если в одной части системы испаряется твердый материал, а в другой он конденсируется из газа. Не обязательно материал испарять из твердого состояния. Например, в окрестности тройной точки ) возможно испарение жидкой фазы с последующей быстрой конденсацией пара и образованием твердой фазы в другой части системы. Поскольку нас интересует рост кристаллов, ограничимся анализом равновесия между газом и твердой фазой. [c.81]

При условии, что система близка к идеальной и вместо активностей можно пользоваться мольными долями X. Существуют немногие реакции в жидкой фазе с константой К, близкой к единице, которые пригодны для выращивания кристаллов, так что рост посредством химических реакций чаще всего проводится в газовой фазе ). Известен ряд рекомендаций по использованию реакций с большими значениями константы К, которые, однако, рассматриваются не здесь, а в гл. 7. Для реакций же в твердом состоянии требуется много времени для установления равновесия, поскольку такие реакции проходят с участием твердофазной диффузии. [c.91]

Разные методы выращивания кристаллов в многокомпонентных системах, содержащих жидкую фазу, имеют так много общего, что естественно все их рассматривать в одной главе. Поскольку при таких методах сверх кристаллизующейся фазы всегда имеются дополнительные компоненты, им присущи все недостатки, связанные с ростом в многокомпонентных системах (см. гл. 2, особенно разд. 2.10). Но эти методы дают и определенное преимущество, связанное с низкими температурами процессов (см. разд. 2.1). Поскольку кристаллы выращиваются из многокомпонентной жидкости, их рост во всех случаях можно рассматривать как кристаллизацию из раствора. И действительно, основные различия разных методов носят технический, а не принципиальный характер и связаны с типом применяемого растворителя. В конце главы мы остановимся также на некоторых других методах, тесно примыкающих к методам выращивания из растворов. [c.271]

Процесс выращивания кристаллов можно автоматизировать единственным способом, используя приборы с радиоизотопными датчиками, реагирующими на разницу в плотностях жидкой и твердой фаз кристаллизующегося вещества. На рис. 145 показана принципиальная схема автоматического регулирования процесса выращивания кристаллов. Пучок радиоизотопного излучения от излучателя 3, пройдя через границу раздела твердой и жидкой фаз кристаллизующегося вещества, падает на детектор излучения 4. Сигнал, возникающий на выходе детектора, усиливается прибором 5 и попадает в преобразователь 6, где непрерывно сравнивается с сигналом, поступающим от эталонного устройства. Это устройство состоит из компенсационного источника излучения 12, эталонного поглотителя 11, выполненного в виде клина, и детектора излучения 13. Нулевое положение преобразователя устанавливают в начале процесса регулирования при помоши рукоятки клина 10. Скорость кристаллизации задают скоростью перемещения источника и связанного с ним детектора излучения. [c.272]

При выращивании кристаллов методом Бриджмена с горизонтальным расположением контейнера кристалл и контейнер имеют постоянные и равные площади поперечных сечений. Для этого случая можно принять, что отношение плоЩади контакта жидкой фазы и [c.91]

При выращивании кристаллов методом Бриджмена с вертикальным расположением контейнера, методом Чохральского и другими подобными методами площадь контакта жидкой фазы с внешней средой остается постоянной, так что можно записать [c.93]

Исследования по распределению вещества между жидкими и кристаллическими фазами [5301—5307, 5340] восходят к работам В. Г. Хлопина [5301, 5302]. К ним относится, в частности, исследование [5305] по теории распределения изоморфных примесей между твердой и жидкой фазами при выращивании кристаллов методом вытягивания и зонной перекристаллизации. [c.49]

Следующей основной стадией технологического процесса производства микробных белковых препаратов (см. схему 1) является культивирование микроорганизмов. В период пуска производства эта стадия слагается из подготовки исходного посевного материала и выращивания его в промышленных ферментаторах с последующим отделением образовавшихся микробных масс от жидкой фазы среды. При установившемся производстве чистую культуру посевного материала подают в ферментаторы для постоянного обновления культуры. Поэтому независимо от способа культивирования и периода работы завода процесс выращивания микроорганизмов имеет 2 ступени [c.92]

Большинство твердых материалов является поликристал-лическими оии состоят из множества отдельных беспорядочно ориентированных мелких кристаллич. зереи (кристаллитов), иапр. ми. горные породы, техи. металлы и сплавы. Крупные отдельные однородные К. с непрерывной кристаллич. решеткой называют монокристаллами. Таковы К. минералов, иапр. громадные (до сотен кг) К. кварца (горного хрусталя), флюорита, кальцита, полевого шпата или относительно мелкие К. берилла, алмаза и др. К. образуются и растут чаще всего из жидкой фазы-р-ра или расплава возможно получение К. из газовой фазы или при фазовом превращ. в твердой фазе (см. Кристаллизация, Монокристаллов выращивание). Существуют пром. и лаб. методы выращивания синтетич. К.-аналогов прир. К. (кварц, рубин, алмаз и др.) и разл. техи. К., напр. 81, Ое, лейкосапфира, гранатов. К. образуются и из таких прир. в-в, как белки, нуклеиновые к-ты, а также из вирусов. При определенных условиях можио получить К. синтетич. полимеров. [c.536]

После осаждения и уплотнения белкового осадка отстаиванием в течение 1 ч жидкая фаза сыворотки отфильтровывается. Полученная осветленная молочная сыворотка используется для выращивания кормовых дрожжей. На осветленной молочной сыворотке выход биомассы выше, чем на необработанной (табл. 25). [c.223]

Складывается впечатление, что многие дефекты в кристаллах, выращенных методом вытягивания, возникают из-за кратковременных флуктуаций температуры, почти всегда существующих в таких системах. Эта проблема заслуживает дальнейшего изучения, и как минимум во всех статьях, касающихся метода вытягивания из расплава, должна содержаться информация относительно постоянства температуры вблизи границы кристалл — расплав. Мюллер и Вильгельм [51] наблюдали аналогичные флуктуации при выращивании кристаллов 1п5Ь зонной плавкой, и это позволяет предполагать существование подобных температурных флуктуаций, обусловленных нерегулярной конвекцией, в большинстве методов выращивания кристаллов из жидкой фазы в одно- и многокомпонентных системах и даже при выращивании кристаллов из газовой фазы. [c.206]

Э. использ. для глубокой очистки металлов в жидкой фазе, выращивания монокристаллов металлов и эпитаксиальных слоев полупроводниковых соед., папр. GaAs. [c.703]

Для создания р—га-перехода применяют два принципиально различающихся способа диффузию и эпитаксиальное наращивание . Суть первого состоит во внедрении, например, акцептора (цинка) из газовой фазы в поверхность моно-кристаллической подложки с проводимостью /г-типа. В настоящее время диффузию не используют как самостоятельный метод легирования, а применяют для изготовления светодиодов только в сочетании с эпитаксиальными методами. Последние заключаются в наращивании слоя вещества с проводимостью, например р-типа, на подложку (или предварительно выращенный на ней слой) с проводимостью га-типа. Для этого используют кристаллизацию вещества как из газовой, так и из жидкой фазы. Газофазная эпитаксия служит в настоящее время для получения твердых растворов типа Оэх.лАзлР и 1п1 дОад Р, а жидкофазная— для выращивания GaP и Alj. xGa>jAs. [c.147]

Стеклоуглерод - твердый продукт карбонизации отвержденных термореактивных смол (напр., феноло-фор-мальд.), целлюлозы, ароматич. углеводородов и др. в-в, к-рые, минуя жидкую фазу, превращаются в карбонизованные продукты. Процесс осуществляют медленным нафевом в-в в восстановит, или инертной среде, иногда с введением наполнителей (напр., сажи). При т-ре выше т-ры фафитации стеклоуглерод сохраняет мелкокристаллич. изотропную структуру, устойчив к диффузии неуглеродных примесей (напр., металлов). Изделия из него получают прессованием или литьем. Как особо чистый материал стеклоуглерод используют гл. обр. при изготовлении электродов для электрохим. произ-в, термостойкой хим. посуды для вакуумного испарения металлов, тиглей для выращивания монокристаллов полупроводников. [c.24]

Э. используют в полупром. масштабах для глубокой очистки металлов (Ga, In, РЗЭ) в жидкой фазе. Для РЗЭ Э. в твердом состоянии - осн. метод очистки, т. к. РЗЭ реагируют со всеми газами, кроме благородных, и здесь недоступны традиц. методы очистки, особенно от примесей кислорода, азота и углерода. Э. применяют для выращивания монокристаллов и эпитаксиальных слоев полупроводниковых соед., напр. GaAs (элжтроэпитаксия). Э. в тв дой фазе - одна из причин отказов полупроводниковых приборов и электронных устройств, работающих при высоких плотностях тока. Изучение закономерностей Э. позволяет сильно увеличить срок службы этих приборов. В области Э. можно ожидать новых открытий, особенно в случаях Э. на фанице твердых и жидких фаз, при фазовых переходах. Об этом свидетельствует факт аномально высокой подвижности примесей при зонной плавке и резании металлов (эффект Бобровского). [c.453]

Отсутствие каких-либо закономерностей возникновения локальных неоднородностей в кристаллах создает трудности в определении методов и способов их устранения. Больщое значение придается геометрии поверхности раздела между твердой и жидкой фазами. При хороше.м перемешивании расплава концентрация примесей в ием постоянна в любой точке объема. Поэтому поверхности равной концентрации в кристалле будут расположены в плоскостях, параллельных фронту кристаллизации. В случае кривизны фронта в сечении кристалла должна наблюдаться неравномерность свойств, закономерно изменяющаяся от центра к периферии слитка. В связи с этим представляет интерес выявление возмож-1ЮСТИ получения плоского фронта при выращивании кристаллов и а существующих печах, определение факторов, с помощью которых можно управлять тепловым полем в кристалле и расплаве вблизи фронта кристаллизации. [c.204]

Э. использ. для глубокой очистки металлов в жидкой фазе, выращивания монокристаллов металлов н эпитаксиальных слоев полупроводниковых соед., напр, GaAs. ф М и X а S л о в В, А., Б о г д а н о в а Д. Д., Элактропере- нос в жидких металлах, Новосиб., 1978. С. И. Дракин, [c.703]

В монографии рассмотрены кинетические закономерности нестационарного и неизотериического процесса спонтанного образования кристаллов из жидкой фазы. Проведен теорети-иеский анализ статистических закономерностей кинетики начальной стадии зарождения центров кристаллизации, на основе него разработаны экснернлсентальные мегоды определения кинетических параметров процесса образования кристаллов одной или различных полиморфных модификаций. Описана установка статистического термического анализа и результаты исследования кинетики фазовых превращений в расплавах металлов, полупроводников, диэлектриков и в водных растворах неорганических солей, реально используемых для выращивания технически ценных кристаллов. [c.2]

Широкое использование кристаллизации из жидкой фазы в промышленности и в лабораторной практике предопределяет необходимость дальнейшего изучения механизма и кинетики фазового перехода жидкость — кристалл. Особая потребность в этом ош ущается при разработке научно обоснован-ШЕХ методов и технологических режимов выращивания совершенных монокристаллов, тонких слоев и пленок для новых направлений прикладной физики. [c.3]

Если при кристаллизации из жидкой фазы (раснлава или раствора) росту кристалла ничто не препятствует, то получается тело, имеющее правильную огранку. Так, если ввести зародыш кристалла соли в слабопересыщенный раствор, что обеспечивает медленную кристаллизацию, можно получить хорошо образованный монокристалл. Чтобы вырастить металлический кристалл с естественной огранкой, нужно создать условия, в которых зародыш мог бы расти сравнительно медленно, не встречая препятствий. Этого можно достичь, используя подробно разработанную технику выращивания монокристаллов [1 ]. В производственных условиях благоприятная обстановка создается иногда в зоне усадочной раковины медленно затвердевающего слитка. Примером может служить знаменитый кристалл Чернова , описанный многократно в курсах металловедения. Обычно же кристаллизация приводит к образованию конгломерата беспорядочно ориентированных друг относительно друга кристаллитов, огранка которых не связана с определенными кристаллографическими плоскостями. [c.19]

Если в жидкой фазе присутствзгют примеси в относительно больших количествах, то они влияют на кинетические характеристики процесса и смещают температуры равновесия жидкость — кристалл, а также меняют плотность активных точек роста на перемещающейся поверхности кристалла. Кроме того, примеси наследуются в какой-то мере твердой фазой и меняют ее свойства [154]. Получение желательного распределения примесей требует привлечения специальных способов кристаллизации, нахождение которых должно быть облегчено построением соответствующей теории. Аналогичное положение имеет место при осаждении из пара [155, 156]. Изменение распределения примесей путем варьирования временной зависимости скорости кристаллизации требует построения теории захвата инородных атомов и образований из жидкости [14]. Свойства кристалла данного химического состава во многом определяются его структурным состоянием (количеством и распределением дефектов строения кристаллической решетки различного типа [139]). Так, например, плотность и распределение дислокаций, образующихся в кристаллах при их формирований из расплава, существенно зависят от скорости перемещения фронта фазового превращения и от атомного механизма процесса. При этом возможно образование линейных дефектов как непосредственно при кристаллизации, так и при охлаждении от температуры плавления. Решение вопроса о выращивании кристаллов, имеющих высокое структурное совершенство, необходимое для нужд науки и техники, должно основываться на специальной теории. [c.250]

При выращивании монокристаллов любьдаи методами максимальная скорость роста ограничена тремя факторами дефектным ростом, поликристаллическим ростом или зародышеобразованием в жидкой фазе. Кристаллы могут обычно расти совершенными только при очень низких пересыщениях. При более высоких пересыщениях образуются включения или другие формы дефектного роста. Может происходить также поликристаллический рост, т. е. рост новых кристаллов на контакте с материнским кристаллом. Наконец, может происходить зародышеобразование в жидкой фазе или на стенках сосуда вдали от растущего кристалла. [c.284]

Рост кристаллов представляет собой гетерогенную химическую реакцию одного из следующих типов а) твердая фаза —> кристалл, б) жидкая фаза — кристалл или в) газ —> кристалл. Такая реакция возможна в системе, в которой помимо следов загрязнений или специально введенных в малых концентрациях активаторов ) имеется только один компонент ), а именно кристаллизуемый материал. Выращивание в таких условиях назы- вается здесь однокомпонентной кристаллизацией. Рост может происходить и в системе с высокой концентрацией примеси или введенного активатора в этом случае подлежащий кристаллизации материал растворен в растворителе ) или образуется в результате химической реакции. Такой рост наблюдается в системе, где кроме компонента, образующего кристалл, есть еще другой компонент или другие компоненты. Этот случай называется здесь многокомпонентной кристаллизацией. Подобное деление полезно при анализе теорий роста и классификации методик роста, хотя между одно- и многокомпонентным ростом и нет четкой границы, выраженной в виде определенной концентрации второго компонента. [c.52]

При кристаллизации с использованием равновесия между жидкостью и твердой фазой процесс роста может быть как консервативным, так и неконсервативным. К выращиванию из раствора можно приспособить большую часть консервативных способов, показанных на фиг. 2.4. Однако в процессе роста из раствора часто приходится понижать температуру, чтобы поддерживать пересыщение ), потому что основная задача при выращивании из раствора сводится к помещению отдельных участков системы в зону, где раствор будет пересыщенным, и потому что температура насыщения в процессе кристаллизации меняется с изменением концентрации растворенного вещества. Поскольку из раствора кристаллизуется чистое растворенное вещество, состав раствора и температура изменяются, что нередко делает уравнения, выведенные для распределения примеси при консервативном выращивании, неприменимыми. Если нет неограниченной растворимости в твердой фазе растворенного вещества в растворителе (диаграмма фиг. 2.3, а), то раствор рано или поздно достигнет той области составов, где образуются эвтектика или какие-то другие фазы и где нельзя выкристаллизовывать только одно растворенное вещество. Однако выращивать небольшие кристаллы из большой массы раствора можно по методикам, показанным на фиг. 2.4 (с заменой на этом графике слова жидкость словом раствор ), медленно понижая температуру фронта кристаллизации. При этом уравнения, описывающие распределение примеси при консервативном процессе выращивания, часто могут служить хорошими приближениями. Нельзя забывать, что диффузия, связанная с ростом кз поликомпонентой системы, создает дополнительные трудности (гл. 3) и обычно заставляет вести процесс с пониженными скоростями роста. Конечно, расчеты распределения примеси более просты, если рост происходит на единственной границе раздела между твердой и жидкой фазами, т. е. если процесс в многокомпонент- [c.86]

Фиг. 7.31. Схема метода выращивания кристаллов GaP за счет эпитаксии в жидкой фазе, или метода к чающейся лодочки .

Хороший результат дал метод хроматографической очистки метилтрихлорсилана — исходного продукта для синтеза полупроводникового карбида кремния [22—25]. Для выращивания монокристаллов 5 С методом высокотемпературного пиролиза паров СНз51С1з необходимо иметь очень чистый метилтрихлорсилан. Поэтому из технического продукта необходимо удалить примеси хлоридов А1, Ре, Mg, Са, Р, Си, В, Н , Сг, 5п, Л (10-5 10- вес. %), а также растворенные в метилтрихлорсила-не кислород и азот (0,02%). Очистку проводили при 50 °С на автоматическом препаративном хроматографе, предназначенном для разделения и очистки веществ с температурой кипения до 100 °С [24, 25], на колонке из нержавеюшей ста.ли, заполненной диатомитовым носителем ИНЗ-600 с 20% силикона ОС-701. Исследование семи жидких фаз различной полярности (вазелиновое масло, ВКЖ-94, ПФМС-2, ВС-701, фторсиликоновое масло 169, динонилфталат и дибутилфталат) показало [c.214]