Кристаллизация процессами перенос

Массопередача или диффузионные процессы (перенос массы вещества при дистилляции, абсорбции, сушке, кристаллизации и др.). [c.19]

Процессы переноса Скорость процесса кристаллизации [c.13]

Процессы переноса играют важную роль во многих производствах нефтепереработки и нефтехимии. Так, турбулизация системы в емкостях с мешалками влияет иа выход и качество Продукции, например при алкилировании, полимеризации винилхлорида. Турбулизация влияет также на скорость физических процессов (кристаллизация разбавленных растворов охлаждением). Эффективность перемешивания, если судить по результатам основного процесса, связана с типом и степенью турбулизации в аппарате. [c.176]

К физическому С.п. относятся процессы переноса в-ва через полимерный материал и перестройка его структуры (в частности, кристаллизация), вызываемая релаксац. процессами и изменением состава на локальном уровне. Перенос в-ва в полимерном материале сопровождается сорбцией диффундирующих в-в в разл. структурах материала, десорбцией из материала практически важных примесей (красителей, стабилизаторов, пластификаторов), что приводит к изменению его мех. св-в, плотности, объема, возникновению мех. напряжений. [c.415]

При расчетах кристаллизации и грануляции используются общие уравнения гидродинамики и процессов переноса. Основные расчетные уравнения и формулы приведены в табл. 6.3. [c.319]

Процесс, в результате которого растворенное вещество из первоначального состояния равномерного распределения в объеме раствора оказывается выделившимся на поверхности растущего кристалла, обычно рассматривается как происходящий в два последовательных этапа перенос вещества из основной массы раствора к поверхности растущей грани и собственно процесс кристаллизации, т. е. включение структурных частиц растворенного вещества в кристаллическую решетку [10]. Первый этап является задачей массопереноса, и в инженерных приложениях скорость такого процесса переноса записывается в виде уравнения внешней массоотдачи [c.138]

Теплообмен при кристаллизации может происходить путем теплопроводности, излучения и конвекции в жидкой фазе. При росте прозрачного кристалла излучение в нем не затухает, и на процесс переноса тепла существенно влияет излучение от нагревателя и стенок контейнера. Важную роль играет конвективный перенос в расплаве, который тем выше, чем больше градиент температуры в системе. [c.41]

Рассмотрим некоторые особенности простой конвекции жидкости, прежде чем переходить к описанию более сложного процесса ее переноса с участием растворения и кристаллизации. За основу примем процессы переноса, идущие в вертикальной трубке с вертикальным же градиентом температур. [c.100]

В большинстве случаев процесс переноса массы целевого компонента состоит из нескольких последовательных стадий, т. е. поток компонента преодолевает несколько сопротивлений. Так, в процессе кристаллизации из растворов кристаллизующееся вещество сначала должно преодолеть сопротивление слоя растворителя, обедненного целевым компонентом у поверхности кристалла, а затем происходит присоединение молекул вещества к кристаллической решетке последний процесс также протекает с некоторым кинетическим сопротивлением. При растворении чистого твердого вещества наблюдается обратное явление, поскольку целевой компонент вначале должен преодолеть сопротивление, связанное с разрушением кристаллической решетки на поверхности твердой фазы, и только после этого молекулы целевого компонента преодолевают диффузионное сопротивление пристенного слоя потока сплошной фазы растворителя. При экстрагировании веществ из пористой структуры [c.17]

Количественные исследования кинетики кристаллизации полимеров в присутствии низкомолекулярных жидкостей проводили главным образом методом наблюдения за валовой скоростью кристаллизации вблизи температуры плавления. Кроме того, проводились и непосредственные микроскопические наблюдения роста кристаллов из очень разбавленных растворов полиэтилена [71]. Разбавление расплава должно оказывать влияние как на свободную энергию нуклеации, так и на процессы переноса, играющие определенную роль при нуклеации и росте кристаллов. [c.265]

Хотя в принципе можно провести последовательный анализ влияния растворителя на кинетику кристаллизации при переохлаждениях, мы рассматривали здесь только роль нуклеации и не фиксировали внимания на процессах переноса и релаксации. При более детальном анализе полностью игнорировать возможные изменения этих механизмов в результате разбавления уже нельзя. [c.275]

Добавим, что из приведенных выше данных следует, что по> мере увеличения п в структурных формулах (I)—(IV) способность к изомеризации затрудняется. Это свидетельствует о том, что процесс переноса протона происходит не одним скачком , а постепенно. Наконец, для того, чтобы из упоминавшихся в данном разделе мономеров получить полимеры с высокой тактичностью, можно-использовать катализаторы Циглера — Натта [71]. Полученные на этих катализаторах полимеры отличаются высокой изотактичностью и способностью к кристаллизации. [c.125]

При наиболее полных количественных исследованиях процессов переноса посредством изоморфного замещения проводилась дробная кристаллизация и применялись умеренно растворимые соли, что давало возможность строго контролировать условия. В следующих разделах будут рассмотрены эти методы осаждения, распределение индикатора и два граничных закона, которые, повидимому, справедливы для этих распределений. [c.90]

Перечисление перспективных направлений развития теории кристаллизации можно было бы продолжить. Однако из приведенных примеров уже легко видеть, что до завершения построения количественной теории изз гаемых процессов еще далеко. Возникающие здесь многочисленные задачи относятся к различным областям физики, математики, химии и физической химии. Развитие теории кристаллизации в больших объемах непосредственно связано с достижениями перечисленных наук и, в свою очередь, помогает конкретной формулировке их некоторых проблем. Наиболее важен описанный в настоящей монографии аспект теории для совершенствования феноменологической теории процессов переноса. [c.251]

Изменение линейной скорости роста кристаллов со временем будет влиять на величину Е в соответствии с уравнениями (27) и (32). Процесс кристаллизации, когда скорость полностью регулируется процессами переноса, обсуждался в разд. 6.1.2.3. Для плоской или сферической межфазной границы анализ приводит к -зависимости размеров кристалла. Подстановка в соответствующую временную зависимость приводит к следующим значениям показателей в уравнении (33) [c.184]

Два последних члена отражают влияние свободной энтальпии активации процесса переноса через межфазную границу [уравнение (6) гл. 5] и свободной энтальпии образования зародыша критических размеров [уравнение (68) или (82) гл. 5]. Для режима П-кристаллизации оба эти члена должны быть умножены на 0,5 [уравнение (71)]. В первый член включены все остальные факторы. Общий вид уравнения (72) для первичного зародышеобразования показан на рис. 5.5. Скорость роста стремится к нулю в области температуры Т , близкой к температуре стеклования [уравнение (6) гл. 5], и при температуре плавления [уравнения (68) и (82) гл. 5]. Между этими температурами расположен максимум скорости роста. [c.210]

Существенным ограничением такого подхода является пренебрежение воздействием скорости роста кристалла на процессы переноса импульса, массы и тепла. Гидродинамика в таком подходе рассчитывается независимо от процессов тепло- и массопереноса и движения фронта кристаллизации, она является первичным фактором, определяющим параметром для определения процессов тепло- и массопереноса. Кроме того, процессы конвективного и тепло- и массопереноса, как правило, рассматриваются независимо друг от друга, что приводит к независимой постановке граничных условий как вдали от кристалла, так и непосредственно у поверхности фронта кристаллизации. Как правило, одним из процессов (массо- или теплопереносом) при этом пренебрегали. Величины потоков массы и теплоты оказа- [c.254]

Кристаллизация на раскаленной проволоке. Метод обратимого процесса переноса в замкнутой системе, по-видимому, правильно было бы называть методом Ван-Аркеля и Де-Бура [37]. Целью их работы было получение чистых тугоплавких металлов, но их метод часто позволяет получать очень хорошие монокристаллы. Метод иногда называют кристаллизацией на раскаленной проволоке его схема изображена на фиг. 6.7 в применении к 2г. Реакция [c.255]

Итак, процесс кристаллизации пространственно неоднороден и происходит лишь в некоторой части кристаллизующейся системы, а именно на поверхности раздела фаз. Следовательно, кристаллизующееся вещество должно перемещаться к этой поверхности из объема жидкой маточной среды, а при росте из расплава от фронта роста должна отводиться теплота кристаллизации. Эти процессы называют процессами переноса. Они образуют вместе с процессами, происходящими на самой поверхности раздела фаз, полную совокупность процессов, определяющих рост кристаллической затравки или зародыша. Анализ механизма роста кристаллов должен касаться обеих названных сторон явления и к тому же еще процессов зарождения кристаллов. Как показал Мотт [2], процессы переноса, в том числе и перенос тепла и диффузию вещества, обычно можно рассматривать макроскопически. Поверхностные процессы, напротив, связаны с атомной структурой. [c.363]

Скорость превращения в данной конкретной системе определяется скоростью самых медленных процессов, каковыми могут быть и процессы переноса, и поверхностные процессы, и те и другие вместе, да еще во взаимодействии друг с другом. При росте из расплава теплота кристаллизации отводится либо через кристалл, либо через переохлажденный расплав, В первом случае распределение температуры устойчиво по отношению к искажениям формы фронта кристаллизации. Во втором случае, если кинетические процессы на поверхности раздела фаз идут достаточно быстро, то распределение температуры неустойчиво, поскольку движущая сила кристаллизации на возмущенном участке тогда тем больше, чем сильнее он выступает в переохлажденный расплав. Подобным же образом при росте из пересыщенного раствора поверхность становится неустойчивой при [c.363]

Мне представляется, что статистическая механика, которая посвящена предсказанию поведения систем, состоящих из множества молекул, есть самая общая дисциплина из тех, на которых основывается наука о росте кристаллов. Однако мы начнем рассмотрение с термодинамики, которая позволит нам охарактеризовать предмет науки о росте кристаллов и установить движущие силы кристаллизации. Разумеется, термодинамика равновесного состояния не может дать ответа на интересующие нас вопросы какова скорость присоединения молекул к кристаллу при данном значении движущей силы и где они присоединяются, т. е. какова форма кристалла. На эти вопросы отвечает теория процессов переноса и теория кинетических явлений, происходящих на поверхности раздела фаз. [c.366]

Как уже отмечалось, весь опыт и все наблюдения свидетельствуют о том, что кристаллизация представляет собой не гомогенный, а гетерогенный процесс. Молекулы жидкой фазы не превращаются в молекулы кристалла во всем объеме и постепенно, хотя такое представление и согласуется с теорией, нередко развиваемой так, как это было сделано в гл. II. Напротив, в кристаллическое состояние переходят совокупности молекул в разных местах жидкой фазы, образуя центры кристаллизации. Эти центры, или зародыши, затем разрастаются благодаря процессам переноса до значительных размеров. Молекулы, осаждающиеся на поверхность зародыша, поступают из той или иной отдаленной области раствора или пара, а при кристаллизации расплава теплота, выделяющаяся при присоединении молекул к кристаллу, должна как-то отводиться от поверхности раздела фаз. Процессы переноса рассматриваются в настоящей главе, а процессы зарождения — в гл. IV. (Разумеется, если в систему ввести затравку, то процесс переноса молекул на такую затравку может начаться сразу же без всякого дополнительного зародышеобразования в объеме жидкой фазы.) Скорость фазового превращения в конкретном случае определяется либо процессом зарождения, либо процессом переноса. Другими факторами, лимитирующими скорость превращения, могут быть так называемые кинетические процессы на поверхности раздела фаз — перемещения отдельных молекул, в результате которых молекулы переходят из своего положения в жидкой фазе вне поверхности раздела кристалл — жидкость на относительно постоянное место на поверхности кристалла. Различные механизмы, лежащие в основе поверхностной кинетики, рассматриваются в гл. V, хотя об использовании различных законов этой кинетики для установления граничных условий в задачах о переносе упоминается и в настоящей главе. [c.382]

Плоскость, сфера, цилиндр. 1. Влияние примеси. Как уже отмечалось, теплоперенос и диффузия вещества описываются одинаковыми дифференциальными уравнениями (9.1) и (9.36), решения которых должны удовлетворять сходным граничным условиям (9.3), (9.4), (9.37) и (9.38). До сих пор в задачах рассматривался только один из двух процессов переноса. При исследовании направленной кристаллизации считалось, что кристалл растет из чистого расплава. При решении же задачи о кристаллизации цилиндра из пересыщенного раствора тепловые эффекты не учитывались. Но, как показал Франк [54], характер роста может определяться совместным действием обоих процессов переноса. В частности, расплав, из которого растет кристалл, может содержать примесь в таком количестве, что она, накапливаясь на фронте кристаллизации, приведет к снижению на нем температуры плавления. При кристаллизации из раствора температура у фронта роста может из-за выделения теплоты кристаллизации повыситься настолько, что равновесная концентрация там изменится. При одновременном учете обоих процессов значения температуры и концентрации, входящие в граничные условия, меняются, хотя форма граничных условий остается прежней. Уравнения переноса также сохраняют свой вид, [c.398]

Теплообменом называется процесс переноса теплоты, происходящий между телами, имеющими различную температуру. При этом теплота переходит самопроизвольно от более нагретого к менее нагретому телу. В результате передачи теплоты происходят нагревание — охлаждение, парообразование — конденсация, плавление — кристаллизация. Теплообмен имеет важное значение для проведения процессов выпаривания, сушки, перегонки и др. [7, 8]. [c.182]

В этих условиях тело, несмотря на высокую степень кристалличности, с точки зрения процессов переноса приобретает свойства капиллярно-пористого. Если учесть, что образование дисперсной структуры кристаллитов должно происходить неоднородно по объему, то, очевидно, пустоты, разрыхления начнут появляться задолго до начала вторичной стадии кристаллизации, т. е. уже на начальной стадии формирования образцов можно ожидать в объеме наличия областей с высокой скоростью переноса низкомолекулярных веществ. Это согласуется с имеющимися в настоящее время опытными данными [285— 287]. [c.177]

Массообменные (диффузионные) процессы, характеризующиеся переносом одного или нескольких компонентов исходной смеси из одной фазы в другую через поверхность раздела фаз. Наиболее медленной и поэтому лимитирующей стадией массообменных процессов является молекулярная диффузия распределяемого вещества. К этой группе процессов относятся абсорбция, перегонка (ректификация), экстракция из растворов, растворение и экстракция из пористых тел, кристаллизация, адсорбция и сушка. Протекание процессов массообмена тесно связано с гидродинамическими условиями в фазах и на границе их раздела и часто — с сопутствующими массо-обмену процессами переноса тепла (теплообмен). [c.8]

Рассмотренные эффекты первого, второго, третьего и четвертого уровней иерархической структуры процесса массовой кристаллизации находятся в тесной взаимосвязи друг с другом и образуют совокупность так называемых микрогидродинамических факторов, влияющих на процессы переноса субстанций в гетерофазной системе. [c.11]

В процессе кристаллизации при прочих равных условиях решающую роль играет концентрация пара иода в ампуле. При л л 0,5—1,5 мг/см происходит рост объемных кристаллов с ровными зеркальными гранями, при 3—4 мг/см вследствие везрастаю-щей скорости переноса в образующихся кристаллах наблюдаются пустоты и раковины, при более высокой концентрации носителя происходит растравливание кристаллов парами иода. Наиболее благоприятные условия, приводящие к образованию достаточно крупных кристаллов, = 1 мг/см , /3 = 920— 930° С, — 900—910° С. При этом общее давление газообразных компонентов системы не превышает 3 атм (верхний предел давлений диффузионной области). В закрытом процессе перенос определяется диффузией при постоянном градиенте конце)1траций. Скорость переноса при диффузионном контроле обратно пропорциональна интегральному давлению в системе. Поскольку в данном синтезе давление сравнительно велико, то время процесса должно быть достаточно большим (не менее 6 ч) для получения кристаллов приемлемых размеров. По окончании процесса печь охлаждают таким образом, чтобы весь иод сконденсировался в области источника. После полного охлаждения ампулы ее извлекают из печи, вскрывают под тягой, полученные кристаллы отмывают спиртом от возможных следов иода. [c.82]

Теоретич. и эксперим исследования совместного протекания хим. р-ции и процессов переноса с использованием методов совр. мат. физики и вычислит, техники привели к значит, успехам в изучении гетерог. катализа, горения и взрь ва, электрохим кинетики, физико-химической гидродинамики, кристаллизации, растворения и др. Знание макрокинетич. закономерностей в реальных условиях химико-технол. процесса, в частности нелинейных эффектов, послужило основой для разработки новых технол. направлений. Яркое подтверждение тому - самораспространяющийся высокотемпературный синтез. [c.635]

Рассмотрим теперь процесс переноса примесей, когда скорость кристаллизации изменяется скачкообразно от нуля до значения, равного Шц. Это соответствует началу роста кристалла. Нестационарное одномерное поле парциальных плотгюстей описывается следующим уравнением [c.72]

Если процесс переноса происходит при относительно малых значениях скорости кристаллизации, то осевая компонента скорости течения расплава может быть i представлена следующим обра- [c.80]

Планомерные исследования по разработке промышленного метода производства кристаллов пьезокварца начались в 30-е годы в Германии. В изотермическом режиме в водных растворах бикарбоната натрия при 60 7о-ном заполнении свободного пространства кристаллизатора при температуре 410°С Р. Наккеном были выращены отдельные кристаллы массой до 5 г. В качестве питающего материала использовалось кварцевое стекло, которое обладало на порядок большей растворимостью по сравнению с кварцем. Вследствие различной растворимости двух сосуществующих фаз диоксида кремния в изотермических условиях раствор оказывался пересыщенным в отношении кварца. Кварцевое стекло растворялось и непрерывно питало раствор, а кристаллическая затравка росла. Однако процесс переноса вещества ограничивался кристаллизацией кварцевого стекла, что привело к необходимости осуществления циклического процесса для замены шихтового материала. Перенос нарастающих кристаллов из опыта в опыт при- [c.4]

Одна из особенностей высокотемпературной кристаллизации состоет в том, что окончательное формирование реальной структуры монокристаллов не завершается актом фазового перехода. В условиях высоких температур и критических по величине температурных градиентов интенсивно протекают всевозможные процессы. Среди них важное место занимают процессы, связанные с остаточными термоупругими напряжениями и их релаксацией (в результате пластической деформации монокристаллов). Кроме того, в высокоградиентном температурном поле возможны и процессы переноса вещества, а также процессы, связанные с кристаллизацией вещества во включениях, содержащих расплав нестехиометрического состава. Не исключены и твердофазные химические реакции, влияющие на плотность точечных дефектов, а также на валентное состояние отдельных компонентов вещества и примесей. [c.64]

Область Б может соответствовать температурам релаксационных переходов и, в частности, температуре стеклования полимера или кристаллизации диффундирующего вещества. При стекловании подвижность кинетических элементов полимерной структуры резко уменьшается, скорость диффузионных процессов скачкообразно (и значительно) замедляется. В области Т <СТ относительный свободный объем системы очень мал и почти не меняется. Поэтому следует предположить об очень незначительном влиянии механических напряжений на кинетику процессов переноса. При растягивающих напряжениях в полимерах, находящихся в стеклообразном состоянии, возможна фазовая поверхностная диффузия по образующимся в полимере субмикрополостям и трещинам. Растворители в этом случае ускоряют разрушение напряженного полимерного образца. [c.82]

Особенностью этой стадии процесса кристаллизации является образование ламелярных отростков со складчатыми цепями, которые кинетически более предпочтительны, чем кристаллы с выпрямленными цепями, в то время как кристаллы, образованные вытянутыми цепями, термодинамически более стабильны, чем кристаллы со складчатыми макромолекулами. Это полностью согласуется с важным результатом Вундерлиха и др. [18], установивших, что зародыши кристаллов с вытянутыми цепями не инициируют роста кристаллов аналогичного строения. Образование пачечного зародыша связано с необходимостью преодолеть более высокий барьер свободной энергии образования зародыша ЛОб, чем при образовании зародыша со складчатыми цепями. Это обусловлено тем, что свободная поверхностная энергия, связанная с удалением цепей с поверхности (001) пачечного зародыша, больше, чем свободная поверхностная энергия грани, содержащей складки цепей. Поэтому образование пачечных зародышей менее вероятно. Вторым фактором, определяющим в классической теории [17, 18] скорость образования зародышей и скорость их роста в стационарном состоянии, является свободная энергия активации АОа процесса переноса через поверхность раздела жидкость — кристалл. При действии гидродинамических сил значение свободной энергии активации может быть уменьшено на величину АОц, [c.119]

Как указывалось в этом разделе, метод кристаллизации влияет на распределение индикатора и, следовательно, на эффективность процесса переноса. Индикатор переносится тем эффективнее, чем больше значения В и X. Количества перенесенного индикатора (в процентах) при различных значениях О и X показаны на рис. 23. Ясно, что когда О и X имеют одинаковые значения, как это, повидимому, обычно бывает (см. стр. 96), то методы, ведущие к логарифмическому распределению, более эффективны, чем методы, приводящие к однородному распределению. Например, если значение коэффициента распределения равно 6, то в результате осаждения 50°/о носителя перенссится 99,4°/ индикатора, если внедрение происходит по закону логарифмического распределения, но переносится лишь 86°/ , если внедрение происходит при однородном распределении. Следовательно, быстрое осаждение индикатора из пересыщенного [c.98]

В разд. 6.1.2.2 было показано, что кристаллизация из газовой фазы при условиях, когда кинетика определяется условиями протекания процессов на поверхности, изучена достаточно детально. Процесс образования зародышей, контролирующий кристаллизацию, был рассмотрен в разд, 5.2.1. Третий предельный тип кристаллизации - это тот случай, когда единственным процессом, определяющим скорость кристаллизации, является процесс переноса. Протяженные плоские грани, которые наблюдаются для кристаллов, образующихся из газовой фазы, а при определенных условиях и из расцлава и раствора, служат доказательством того, что в этих случаях рост не Контролируется диффузией, поскольку наличие поля диффузии приводит к более высоким пересыщениям вблизи ребер и углов (см. разд. 3.6.1). [c.170]

При определенных условиях всегда можно добиться того, что процесс переноса на поверхность кристалла будет определяющим фактором. При росте кристаллов из расцлава процессом, определяющим скорость кристаллизации, может быть процесс переноса тецла через кристалл или через переохлажденный расплав. При кристаллизации из раствора лимитирующим процессом является диффузия кристаллизующихся молекул к поверхности кристалла. [c.170]

Серия данных по скорости роста сферолитов в полиэтилене, пзо-тактическом полипропилене, полиоксиэтилене и полиэтиленсебацина-те из расплава и из вязких концентрированных растворов, полученная Асаубековым и др. [7], указывает на то, что при постоянном переохлаждении исследованные полимеры кристаллизуются из расплава быстрее, чем из раствора. Например, для полиэтиленсебацината соотношение скоростей кристаллизации из расплава и из раствора (2 вес.% в ксилоле) составляет почти 10 при степени переохлаждения 20-30°С. О более быстрой кристаллизации расплава свидетельствуют и данные Гофмана и др. ([160], рис. 7), относящиеся к полиэт пе-ну. При переохлаждении на 15—20°С линейная скорость кристаллизации из расплава примерно в 10 раз выше, чем из раствора (0,001 вес.% в ксилоле). Однако связь этих различий в скорости кристаллизации с определенными параметрами в уравнении для скорости роста [уравнение (72)] не вполне ясно. Изменения лишь одной концентрации не достаточны для объяснения этих различий. Для закристаллизованных из раствора полипропилена и полиоксиэтилена значения произведений уу более низкие, чем для расплавов [7]. Однако Джейн [180] в подобных экспериментах на пожоксиэгилене не обнаружил этих различий. В упоминавшихся выше данных для полиэтилена различия в значениях у у также незначительны. Аналогично в некоторых случаях предполагалось, что энергии активации процесса переноса для этих двух случаев различаются, в то время как в других работах считали их равными. Можно думать, что основными причинами этих различных трактовок является часто узкий температурный интервал изучения скоростей роста, что не позволяет разделить все факторы, влияющие на рост, неопределенность в равновесных температурах плавления и растворения и несовершенство идеализированной теории, применяемой к таким различным фазовым переходам, как кристаллизация растворов и расплавов (см. также разд. 6.1.7). [c.273]

Скорость отвода скрытой теплоты крист а л л и з а ц и и. Если к растущей грани подводятся, помимо пара основного вещества, посторонние (инертные) газы, то создаются принципгшльно новые условия роста по сравнению со случаем, когда кристалл растет только в присутствии пара основного вещества. Инертный газ часто вводится для ускорения процесса переноса основного вещества. Но при этом меняются условия переноса тепла в системе, что крайне существенно, ибо отвод тепла необходим для осуществления кристаллизации. Отвод тепла от фронта кристаллизации возможен, во-первых, через газовую фазу (излучение, теплопроводность и др.), во-вторых, через твердую фазу — через кристалл и подложку. Принято считать, что по мере увеличение отдачи тепла через газовую фазу кристалл будет стремиться вытянуться в наира- [c.452]

Скорость отвода скрытой теплоты кристаллизации. Если к растущей грани подводятся, помимо пара основного вещества, посторонние (инертные) газы, то создаются принципиально новые условия роста по сравнению со случаем, когда кристалл растет только в присутствии пара основного вещества. Инертный газ часто вводится для ускорения процесса переноса основного вещества. Но при этом меняются условия переноса тепла в системе, что крайне существенно, ибо отвод тепла необходим для осуществления кристаллизации. Отвод тепла от фронта кристаллизации возможен, во-первых, через газовую фазу (излучение, теплопроводность и др.), во-вторых, через твердую фазу — через кристалл и подложку. Принято считать, что по мере увеличения отдачи тепла через газовую фазу кристалл будет стремиться вытянуться в направлении газового объема, т. е. перпендикулярно подложке. Кремхеллером было найдено, что при малой скорости транспортирующего потока гелия сульфид цинка растет в виде стержня (Н > О), при большой — в виде пластинки (й > О). [c.621]