Брэгга электронов

Рентгенография дает прямую информацию о расположении атомов в молекулах и кристаллах. Рентгеновские лучи, т. е. электромагнитные волны с длиной порядка 0,1 нм, рассеиваются иа электронных оболочках атомов. Интерференция волн, рассеянных веществом, приводит к возникновению дифракционной картины. При рассеянии иа кристалле можно рассматривать дифракцию как отражение рентгеновских лучей плоскостями кристаллической решетки (рис. 5.1). Дифракция наблюдается, если рассеянные волны находятся в фазе, т. е. разность хода равна целому числу п волн. Если расстояние между кристаллическими плоскостями равно (1, то условие дифракции (отражения) дается формулой Брэгга — Вульфа [c.130]

По геометрии дифракция электронного излучения аналогична дифракции рентгеновских лучей, описанной в разд. 28.3 при расчетах можно пользоваться уравнением Брэгга [уравнение (28.5)] и моделью обратной решетки. [c.135]

Причина столь резкого изменения картины рассеяния после аварии состояла в образовании в результате отжига монокристаллов никеля, которые служили своего рода дифракционными решетками. Если де Бройль прав и электрон обладает волновыми свойствами, то картина рассеяния должна напоминать рентгенограмму Лауэ. Д рассчитывать рентгенограммы к тому времени уже умели, формула Брэгга была известна. Так, для случая, представленного на рис. 5, угол а между плоскостями Брэгга и направлением, максимального рассеяния электронов составляет 65°. Измеренное рентгенографическим методом расстояние а между плоскостями в монокристалле Ni равно 0,091 нм. Уравнение Брэгга, описывающее положение максимумов при дифракции, имеет вид пХ = 2а sin а (п — целое число). Принимая п = 1 и подставляя экспериментальные значения а и а, получаем для Ъ Я = 2 0,091 sin 65° = 0,165 нм Формула де Бройля [c.22]

Сэр У. Брэгг-старший подытожил ситуацию так по понедельникам, средам и пятницам электрон ведет себя как волна, по вторникам, четвергам и субботам— как частица, в воскресенье же он отдыхает. [c.23]

Уже в 1929 г. Брэгг показал, что функцию распределения электронной плотности р для некоторого объема V можно записать через коэффициенты Сны трехмерного ряда Фурье [c.111]

На рис. 11 изображена так называемая кривая Брэгга, представляющая собою зависимость числа пар ионов, образующихся на 1 мм пробега а-частицы, от расстояния от источника а-излучения. По мере увеличения расстояния скорость ионизации вначале увеличивается медленно, затем быстро растет, достигает максимума и затем еще быстрее падает. Форма кривой Брэгга объясняется тем, что а-частица, начиная двигаться, создает на своем пути ионы, расходуя на это определенную часть своей энергии, что, естественно, приводит к замедлению ее движения. Вследствие этого а-частица дольше задерживается около каждой из встречных молекул воздуха, что увеличивает вероятность ионизации. Верхняя точка кривой соответствует присоединению к а-частице двух электронов, вследствие чего она становится нейтральным атомом гелия и теряет ионизирующую способность. [c.53]

Третичная и четвертичная структуры белков определяются при помощи рентгеноструктурного анализа, который впервые был проведен применительно к миоглобину и гемоглобину Дж. Кендрью и М. Перутцем в Кембридже. Значение рентгеноструктурного анализа белков трудно переоценить, так как именно этот метод дал возможность впервые получить своеобразную фотографию белковой молекулы. Для получения информативной рентгенограммы необходимо было иметь полноценный кристалл белка с включенными в него атомами тяжелых металлов, так как последние рассеивают рентгеновские лучи сильнее атомов белка и изменяют интенсивность дифрагированных лучей. Таким образом можно определить фазу дифрагированных на белковом кристалле лучей и затем электронную плотность белковой молекулы. Это впервые удалось сделать М. Перутцу в 1954 г, что явилось предпосылкой Д 1я построения приближенной модели молекулы белка, которая затем была уточнена при помощи ЭВМ. Однако первым белком, пространственная структура которого была полностью идентифицирована Дж. Кендрью, оказался миоглобин, состоящий из 153 аминокислотных остатков, образующих одну полипептидную цепь, В результате было экспериментально подтверждено предположение Л. Полинга и Р. Кори о наличии в молекуле миоглобина а-спиральных участков, а также М. Перутца и Л. Брэгга о том, что они имеют цилиндрическую форму Несколько позднее М. Перутцем была расшифрована структура гемоглобина, состоящая из 574 аминокислотных остатков и содержащая около [c.43]

Электронография при исследовании окалины занимает особое место Сущность метода заключается в использовании явления дифракции электронов, возникающего в результате когерентного рассеяния кристаллической решетки вещества пучка электронов с длиной волны X < < 1(1 (где с1 - наименьшее изучаемое межплоскостное расстояние) Метод дает возможность получать такие же данные о кристаллической структуре веществ, как и рентгеновский метод. При этом для расчета электронограмм используется известное в рентгенографии уравнение Вульфа — Брэгга [c.22]

Чтобы завершить рассмотрение особенностей метода, отметим его основные недостатки. Они обусловлены тем, что значения длин волн электронов, получаемые в современных электронографах с ускоряющим напряжением в несколько десятков киловольт, составляют сотые доли ангстрема, что меньше длин волн, применяемых рентгеновских лучей. Поэтому углы дифракции, определяемые по уравнению Вульфа - Брэгга, очень малы. Например, для межплоскостного расстояния 0,1 нм при длине волны 0,005 нм (ускоряющее напряжение порядка 50 кВ) угол дифракции составляет всего около 1,5 град. Вследствие этого разрешающая способность по этому методу ниже и меньше точность определения меж-плоскостных расстояний, чем при использовании рентгенографии. [c.23]

При прохождении монохроматического пучка рентгеновских лучей через кристалл электронное облако каждого атома становится источником вторичного излучения, имеющего ту же длину волны. Рентгеновское излучение этой трехмерной совокупности источников (атомных электронных облаков) вследствие интерференции суммируется в некоторых направлениях, удовлетворяющих определенным соотношениям между длиной волны и межатомными расстояниями данного твердого вещества, и погашается по всем остальным направлениям. Количественная теория этого явления, предложенная Брэггом [4], является одним из основных законов дифракции рентгеновских лучей. [c.72]

Это уравнение представляет собой условие Вульфа — Брэгга для электронных волн. Как отмечено выше, решеткой, обратной ГЦК-решетке, является ОЦК-решетка. Поэтому в силу условия (VI.2) зоной Бриллюэна алмаза будет ячейка Вигнера — Зейтца ОЦК-решетки. [c.78]

В случае хлористого калия, исследованного Брэггом, числа электронов оказываются равными, если принять, что узлы решетки заняты ионами, и, наоборот, неравными, если считать, что узлы решетки заняты атомами. Однако точность измерений, достигнутая Брэггом, была недостаточна, чтобы выявить получающуюся при этом крайне незначительную разницу в числах электронов. Это различие должно обнаруживаться значительно более отчетливо у фтористого натрия, действительно, нейтральный атом, натрия содержит И, а атом фтора — 9 электронов, а ионы этих элементов содержат каждый по 10 электронов. Из рис. 44 видно, что если в кристалле хлористого или фтористого натрия выбрать плоскости решетки в направлении граней октаэдра, то каждая такая плоскость окажется заполненной атомами только одного- рода. Представим себе, что в проведенных (на рис. 44) плоскостях заполнена только поло- [c.241]

Рентгеновские лучи рассеиваются в кристаллах электронами, поэтому их можно считать источником рентгеновских лучей при дифракции. Брэгг ввел предположение, согласно которому рентгеновские лучи отражаются от набора плоскостей в кристалле. Для данного набора плоскостей hkl) отражение пучка монохроматического излучения происходит только под определенным углом, который определяется длиной волны рентгеновских лучей и расстоянием между плоскостями в кристалле. Эти переменные связаны уравнением Брэгга, которое можно вывести, воспользовавшись рис. 19.7, где горизонтальные линии представляют собой набор плоскостей в кристалле, разделенных расстоянием d. Плоскость AB перпендикулярна пучку падающих параллельно монохроматических рентгеновских лучей, а плоскость LMN — отраженным лучам. По мере изменения угла падения 0 отражение будет наблюдаться только тогда, когда волны находятся в фазе у плоскости LMN, т. е. когда разность расстояний между плоскостями AB и LAIN, измеренная вдоль лучей, отраженных от различных плоскостей, есть целое число, кратное длине волны. Это происходит, когда [c.572]

Наблюдаемый в электронном микроскопе контраст на дислокациях является результатом дифракции электронов [21]. Представим себе (рис. 10) тонкую пластинку, содержащую краевую дислокацию в Е. Пусть ориентация регулярно построенной части пластинки такова, что в ней приблизительно выполняется условие отражения Брэгга (это условие в тонкой пластинке заметно ослаблено). При прохождении через такой образец в результате дифракции падающий электронный пучок разделяется на пучок, прошедший прямо, и на ряд пучков, отклонившихся под разными углами. Предположим, что один из таких пучков значительно интенсивнее других, В этом случае мы имеем двухлучевой сигнал. Пусть в совершенной части пластинки интенсивность падающего пучка делится почти поровну между проходящим и рассеянным пучками, В местах дислокаций плоскости решетки отклоняются от идеальной ориентации. Допустим, что условия дифракции таковы, что решетка справа от дислокации имеет ориентацию, удовлетворяющую условию Брэгга. Тогда справа от дислокации интенсивность отклонившегося пучка больше, чем слева, где кристаллическая решетка повернута в противоположную сторону. [c.23]

Уточнение ориентировки кристалла по точечным электронограммам имеет в основе сравнение интенсивности рефлексов. При симметричном расположении кристаллов, когда пучок электронов идет вдоль оси зоны, сфера отражения только касается соответствующей плоскости ОР в точке ООО (см. рис. 20.27,а). При этом интенсивность рефлексов монотонно убывает с их удалением от следа прямого пучка (точки ООО). В случае любого другого направления прямого пучка сфера отражения должна пересекаться с данной плоскостью ОР. При этом рефлексы, соответствующие узлам ОР, близким к линии пересечения сферы отражения и данной плоскости ОР, будут иметь наибольшую яркость. Если эта плоскость густо населена узлами и угол отклонения падающего пучка от направления оси зоны не слишком велик, то сильные рефлексы очерчивают окружность, которая обязательно включает узел ООО. Как легко увидеть на рис. 20.27,6, положение центра этой окружности позволяет определить искомый угол между направлением падающего пучка (осью прибора) и осью зоны. Угловой масштаб данной дифракционной картины легко определить, зная угол Вульфа — Брэгга г для одного из анализируемых рефлексов с радиусом — вектором / [c.470]

Наиболее важные сведения о положении атомов в молекуле дают дифракционные методы, которые основаны а дифракции излучения с длиной волны, сравнимой с межплоскостным расстоянием в кристаллической решетке. Следовательно, для этой щели можно воспользоваться рентгеновским излучением либо пучком электронов или нейтронов. Дифракционный эффект должен согласоваться с законом Брэгга [c.119]

Фазовый состав катализаторов. Для общего фазового анализа катализаторов используются в основном два метода — рентгенография и дифракция электронов (электронография), хотя для некоторых специальных задач могут применяться и другие физические методы — магнитной восприимчивости, термография, ЭПР, различные виды спектроскопии. Практически наиболее широко применяется рентгенография, основанная иа дифракции характеристического рентгеновского излучения на поликристаллических образцах. Каждая фаза имеет свою кристаллическую решетку и, следовательно, дает вполне определенную дифракционную картину. На дебаеграмме каждой фазе соответствует определенная серия линий. Расположение линий на дебаеграмме определяется межплоскостными расстояниями кристалла, а их относительная интенсивность эависит от расположения атомов в элементарной ячейке. Межплоскостные расстояния d вычисляются по уравнению Брэгга—Вульфа [c.379]

Дальнейшее развитие представлений о строении энергетических. зон в твердых телах основано на рассмотрении процессов дифракции электронов. Свободно перемещающиеся валеатные электроны в металле могут в определенных условиях дифрагировать на периодической решетке атомов илн иопов в кристалле. Основной закон дифракции—это закон Брэгга (разд. 5.2.2.2). Он связывает длины волн любой природы (для электронов см. разд. 3.2.1.4, для рентгеновских лучей — 3.2,1 и 5.2, для иептро-нок — 3.2.1.5) с межплоскостными расстояниями d и углами дифракции 6 [уравнение (5.3)] [c.68]

Для изучения фазового состава поверхностного слоя катализаторов пользуются методом электронографии [27], так как глубина проникновения электронных лучей гораздо меньше рентгеновских и составляет величину порядка десятков и сотен ангстрем. Этот метод является также полезным при исследовании процесса образования новых фаз, когда количество новой фазы незначительно и кристаллы имеют малые размеры. В этом случае интенсивность рентгеновских рефлексов ничтожно мала и они теряются на фоне рентгенограммы, в то время как электронограмма дает отчетливую картину. Определение фазового состава поликристаллических веществ методом дифракции электронов обычно проводится по их межплоскостным расстояниям, рассчитываемым в свою очередь по формуле Брэгга—Вульфа. Точность определения межплоскостных расстояний по электро-нограммам значительно меньше, чем рентгеновским методом. [c.381]

С момента появления работы де Бройля (1925) прошло всего два года, когда были опубликованы поразительные результаты опытов Дэвиссона и Джермера, в которых удалось обнаружить волновые свойства электрона. Пучок параллельно летящих электронов, направленный на поверхность монокристалла никеля, отражается под определенным углом, следуя закону отражения света, согласно которому угол падения равен углу отражения. Угол, под которым происходит особенно сильное отражение, изменяется по мере изменения скорости электронов в пучке. Это вполне естественно, так как от скорости и должна зависеть длина волны электрона (l=hlmv). Рассчитать эту длину можно по известному уравнению Брэггов для отражения рентгеновских лучей от кристалла [c.28]

До 1968 г., когда в микроанализаторах впервые были применены полупроводниковые детекторы, рентгеносиектральиые измерения проводились лишь с помощью спектрометра с дисперсией по длинам волн, основные элементы которого приведены иа рис. 5.1. Небольшая часть реитгеиовского излучения, генерируемого образцом, выходит из электронно-оптической камеры, падает на поверхность кристалла-анализатора, дифрагирует в соответствии с законом Брэгга [c.190]

СКОЛЬКИМИ кристалл-дифракцнонными спектрометрами. Наличие нескольких спектрометров, каждый из которых имеет несколько кристаллов, необходимо не только для лроведения анализа одновременно по нескольким элементам, но также позволяет оптимизировать условия анализа в различных диапазонах длин волн, испэ-... уя имеющийся набор кристаллов. В табл. 5.1 приведены параметры наиболее распространенных кристаллов-анализаторов сравнительное разрешение, отражательная способность и величина межплоскостного расстояния. Так как sin0 не может быть больше единицы, то, согласно закону Брэгга, верхний предел максимальной длины волны, дифрагировавшей на любом данном кристалле, составляет 2d. Практические пределы зависят от конструкции спектрометра, поскольку из рис. 5.3 очевидно, что при sin 0=1, т. е. при 0 = 90°, детектор должен был бы находиться в точке источника рентгеновского излучения внутри электронно-оптической колонны. Нижний предел анализируемой длины волны следует из уравнения (5.2), поскольку становится физически невозможным придвигать кристалл-анализатор слишком близко к образцу. [c.196]

Если в электронном микроскопе используется поглощение электронов для изучения внешней формы и размеров коллоидных частиц и макромолекул, то методы рентгенографии и электронографии при исследовании внутренней структуры коллоидных частиц и полимерных материалов основаны на диффракции рентгеновых лучей, или, соответственно, электронов. При регулярном расположении атомов, например в кристалле, интерференция рассеянных волн приводит к определенной системе диффракционных пятен. Положение пятен определяется законом Вульфа-Брэгга [c.70]

В 1912 г. Лауэ предположил, что длина волны рентгеновских лучей может быть примерно равной расстоянию между атомами в кристалле таким образом, кристалл может служить дифракционной решеткой для рентгеновских лучей. Этот опыт был проведен Фридрихом и Книппингом, которые действительно наблюдали дифракцию. Вскоре Брэгг (1913 г.) улучшил эксперимент Лауэ в основном путем замены монохроматического излучения полихроматическим и тем, что дал физическую интерпретацию теории рассеяния Лауэ. Брэгг также определил структуру ряда простых кристаллов, включая Na l, s l и ZnS. Со времени возникновения рентгеновской кристаллографии как науки рентгеноструктурный анализ монокристаллов превратился в наиболее широко применяемый и самый мощный метод определения расположения атомов в твердом теле. После 50-х годов с появлением быстродействующих электронно-вычислительных машин, способных обрабатывать рентгенографические данные, стал возможен более детальный анализ структуры таких сложных соединений, как белки. [c.565]

Рассеяние под углами Брэгга приводит к появлению картин электронной дифракции, которые можно измерить либо в режиме отражения (ДМЭ, ДОБЭ), либо пропускания (ДПБЭ). Точечная картина (рис. 10.2-4) формируется, если вьшолняется условие Брэгга [c.327]

На рис. 17 схематически представлена установка Дэвиссона и его сотрудников. Электроны, испускаемые нагретой вольфрамовой питью, через отверстие проходят в каме )у с ускоряющим электрическим полем, напряженность которого можно было регулировать. Тонкий пучок электронов, обладающих известной скоростью, направлен пернендикулярно поверхности кристалла никеля. Электроны отражаются от плоскости (111), или гранецентрированной плоскости кристалла. Угол отражения 0 измеряется при помощи гальванометра, отмечающего максимум интенсивности. Оказалось, что величины углов, соответствующих максимальной интенсивности, подчиняются уравнению Брэггов [c.128]

При рассмотрении внутренней дифракции подвижных валентных электронов на кристаллической решетке твердого тела было найдено, что условия возникновения дифракции накла-дынают ряд ограничении на длину волны, энергию и свободу перемещения электронов. Более конкретно — запрещается, чтобы на любой стадии движения свободных электронов выполнялся бы закоР Брэгга, Свободные электроны в металлах или полупроводпиках имеют различную энергию и. следовательно, различную длину волны. При оценке возможности дифракции электронов необходимо учитывать длину волны л, угол дифракции 6 и межплоскостное расстояние d. [c.68]

Электронные свойства металлов рассматриваются также во взаимосвязи с конкретными особенностями их кристаллической структуры, с точки зрения характеристики кинетической энергии электронного газа (в пространстве импульсов ). При определенных значениях кинетической энергии электронного газа отвечающие им величины волновых чисел будут удовлетворять условию Брэгга отражения от граней кристаллической решетки металла. При таких значениях кинетической энергии должно иметь место отражение электронов гранями и торможение их движения в решетке металла. Эти величины должны зависеть от межплоскостных расстояний и характера кристаллической решетки. При других значениях энергии возможно прохождение электронного газа через грани, без заметного рассеяния. Поэтому движение электронов газа в металле может характеризоваться энергетическид г спектром, раз- [c.56]

Электроны как причина рассеяпяя рентгеновских лучей ионные решетки. Установленная Брэггом зависимость (см. стр. 236) интенсивности рентгеновских лучей, отраженных от плоскостей сетки, занятой одинаковыми атомами, выражающаяся в пропорциональности квадрату их атомного веса, имеет силу только для небольших углов отблеска, да и то лишь приближенно. Эта зависимость находится также в противоречии с установленной ранее Баркла закономерностью, в соответствии с которой интенсивность испускаемого каким-нибудь веществом рентгеновского излучения прямо пропорциональна атомному весу. Это противоречие было устранено Дебаем (1918), показавшим, что дифракция рентгеновских лучей при прохождении их через кристаллы или при отражении от плоскостей решетки кристаллов основана — совершенно так же, как и преломление или отражение обычного света,— на том, что свет, как видимый, так и рентгеновский, попадая на очень мелкую частичку, испытывает рассеяние. При этом такая частичка, на которую падает свет, ведет себя как точка, обладающая собственным свечением, от которой исходит сферическая световая волна. Поэтому ясно, что отражение рентгеновских лучей от-какой-нибудь заполненной определенным количеством материальных точек плоскости решетки будет тем сильнее, чем значительнее рассеивающая способность отдельных частичек. Дебай, опираясь на принципы классической электродинамики, установил, что интенсивность рассеяния, а вместе с тем, следовательно, и отражения рентгеновских лучей должна быть пропорциональна количеству рассеивающих электронов. Именно электроны и обусловливают в действительности рассеяние рентгеновских лучей. Поэтому распределение интенсивностей рассеянного излучения и дает нам непосредственную меру количества и расположения электронов. Но так как в нейтральных атомах число электронов равно порядковому номеру и так как ему же приблизительно пропорционален и атомный вес , то отсюда и следует в общем случае приблизительная пропорциональность между интенсивностью рассеянного излучения и атомным весом, т. е., другими словами, справедливость закона Баркла. Однако, как прказал Дебай, для малых углов отблеска, согласно теории, получается пропорциональность интенсивности квадрату количества электронов, что подтверждает и приближенный закон Брэгга. [c.241]

В связи с тем, что характеристические лучи К-, L- и отчасти Л1-серий возникают при переходах электронов на внутренних уровнях атома, энергия электронов на которых практически не зависит от степени ионизации атомов, длины волн характеристического спектра практически одинаковы независимо от того, какие соединения данный атом образует. Поэтому, если разложить в спектр характеристическое рентгеновское излучение, образующееся при возбуждении мишени, состоящей из атомов разного сорта, то по наличию спектральных линий тех или инЫх элементов можно определить качественный, а по их интенсивности количественный элементный состав мишени. Всего проще спектр можно получить, направляя на монокристалл, у которого параллельно поверхности расположены плоскости (hkl) с межплоскостным расстоянием dhhi, полихроматическое излучение, которое отражается от монокристалла в соответствии с законом Вульфа—Брэгга (см. гл. 6) 2dhhtsinu= = пХ, где — угол, под которым на кристалл падает рентгеновское излучение. Поворачивая кристалл (меняя ), можно добиться отражения излучения с разной длиной волны. [c.146]

Изгибы кристаллической фольги приводят к тому, что в некоторых участках будет точно выполняться условие Вульфа—Брэгга и в светлопольном изображении эти участки имеют вид темных полос изгибных экстинк-ционных контуров. В случае кристалла переменной толщины (например, у края фольги или на наклонной границе зерен могут наблюдаться полосы, рис. 20.10, связанные с интерференцией электронов—толщинные экстинкционные контуры или интерференционные полосы равной толщины). [c.445]

При слишком малом размере селекторной диафрагмы возникает несоответствие между областью объекта, где изображается селекторная диафрагма, и областью объекта, от которой фактически получается дифракционная картина. Это несоответствие может быть следствием неточной фокусировки. Однако существует и принципиальное ограничение, связанное со сферической аберрацией объективной линзы. Как видно на схеме (рис. 20,26), сферическая аберрация вызывает смещение изображения селекторной диафрагмы. Из-за сферической аберрации электроны, покидающие объект в разных направлениях и формирующие разные рефлексы возле главной фокальной плоскости, относятся к разным участкам объекта. Величину смещений определяют как эффект сферической аберрации для дифрагированных лучей, т. е. для углов атаХ/йнкь (по закону Вульфа — Брэгга) у= = Ссфа (Ссф 2 мм). В микроскопе с ускоряющим напряжением 100 кВ смещения для отражений второго и третьего порядков достигают нескольких десятых долей микрометра поэтому обычно получают картины дифракции от области около 1 мкм в поперечнике. Существенное уменьшение размера области дифракции достигается в высоковольтной электронной микроскопии, а также при ограничении размера освещенной области объекта системой осветителя с использованием сходящегося пучка электронов (см. ниже п. 21.4). [c.466]

Результат дифракции в микрообъемах чаще всего представляет собой точечную картину от монокристалла (см. п. 11.2) или наложение картин дифракции от включения кристаллической фазы и окружающей ее матрицы, если объектом исследования является гетерогенная высокодисперсная структура. При дифракции с очень ограниченных участков тонких кристаллов в просвечивающем электронном микроскопе электронограммы могут содержать малое число рефлексов при резких различиях их интенсивности. Эта особенность реальных микроэлектро-нограмм обусловлена не только субструктурой объекта и малостью области дифракции, но и сознательно выбранной оптимальной геометрией съемки близостью ориентировки кристалла к условию Вульфа — Брэгга для определенных семейств плоскостей (рис. 20.27, б). При таком положении образца оказывается наилучшим контраст микроскопического изображения определенных деталей его структуры. [c.467]

Ограничение области дифракции системой осветителя достигается при фокусировке источника электронов на объекте. Уменьшение размера освещенной области и одновременно необходимость сохранения достаточной интенсивности приводят к тому, что вместо почти параллельного пучка осветитель дает сходящийся пучок. Вследствие этого в дифракционной картине вместо точечных рефлексов появляются диски. Если угол сходимости меньше, чем удвоенный угол Вульфа-Брэгга, эти диски не перекрываются. Кроме возможности уменьшения области дифракции существенным преимуществом метода дифракции в сходящемся пучке является то, что каждое пятно дифракционной картины представляет точное изображение той области объекта, которая формирует данный рефлекс. Главная сложность в использовании метода связана с тем, что при существенном ограничении освещаемой области объекта происходит ее быстрое загрязнение. Поэтому важно применение средств защиты объекта от загрязнений. Особое преимущество имеют специальные высоковакуумпые злектронныс микроскопы. [c.546]

После того как У. Н. Брэгг [39] предложил расположение атомов кислорода во льду, показанное на рис 3.1, лед I, состоя-Ш.ИЙ из молекул НгО и 0 0, широко изучали с помощью рентгенографии и методами дифракции электронов и нейтронов. Несомненно, что такое расгюложение атомов кислорода во льду I в основном корректно. Однако некоторые его детали остаются еще неопределенными. Принято, что единичная ячейка содержит четыре атома кислорода и имеет симметрию Рбз/ммк. Неопределенности структуры связаны с точностью определения размеров единичной ячейки и их завнси.мостью от температуры. [c.75]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология