Строение кристаллов электронное атома

Вследствие волнового характера движения электрона атом не имеет строго определенных границ. Поэтому измерить абсолютные размеры атомов невозможно. За радиус свободного атома можно принять теоретически рассчитанное положение главного максимума плотности внешних элм<тронных облаков (рис. 16). Это так называемый орбитальный радиус. Практически приходится иметь дело с радиусами атомов, связанных друг с другом тем или иным типом химической связи. Такие радиусы следует рассматривать как некоторые эффективные (т. е. проявляющие себя в действии) величины. Эффективные радиусы определяют при изучении строения молекул и кристаллов. [c.35]

Строение ионных кристаллов. При реакции металлического натрия с газообразным хлором каждый атом натрия передает электрон атому хлора [c.161]

Оно основано на предложенном им понятии электронной концентрации. Эта последняя равна среднему числу валентных электронов, приходящихся на один атом в кристалле. Каждый атом в металле окружен в среднем числом электронов, равным электронной концентрации. По мнению Юм-Розери, положение каждого атома в металле определяется его притяжением к почти свободным электронам, расположенным около него. Поэтому в разных металлах и сплавах, имеющих одинаковую электронную концентрацию, структуры должны быть подобны. В некоторых случаях правило Юм-Розери оправдывается. Но 01Ю имеет множество отклонений. С его помощью нельзя объяснить полиморфные переходы в металлах и то, что многие из них плавятся без изменения электронной концентрации. Ясно, что электронная концентрация — не единственный фактор, определяющий структуру чистого металла. Это видно также из анализа строения сплавов, где появляются исключения почти при любой попытке объяснения структуры, основанной на понятии электронной концентрации [13]. [c.176]

Если ионы натрия и хлора находятся на близком расстоянии, то между ними возникает сильное электростатическое притяжение. В то же время между ионами одного ж того же знака имеет место отталкивание. Б результате действия электростатических сил притяжения, а также сил отталкивания, возникающих при перекрывании электронных орбит, ионы правильно распределяются при атом вокруг каждого иона натрия оказывается шесть ближайших к нему ионов хлора, а все остальные ионы натрия удерживаются на некотором удалении. Строение кристалла хлористого натрия показано на рис. 53. [c.161]

Основополагающим понятием современной химии является понятие о химическом элементе , т. е. виде атомов с определенной совокупностью свойств. Под свойствами изолированных атомов подразумеваются заряд ядра и атомная масса, особенности электронного строения, потенциалы ионизации, сродство к электрону и электроотрицательность, атомные, орбитальные и ионные радиусы н т. д. Однако необходимо иметь в виду, что изолированные атомы как форма организации вещества могут существовать в природе лишь при достаточно высоких температурах в виде моноатомного пара. Единственным исключением являются благородные газы, для которых при любых условиях и в любом агрегатном состоянии структурной единицей является атом. Все остальные элементы существуют в природе в виде более сложных агрегатов молекул и кристаллов. Таким образом, следует строго различать понятия элемента как вида изолированных атомов и простого вещества как формы существования элемента в свободном состоянии. Следует особо подчеркнуть нетождественность этих понятий хотя бы потому, что один элемент может существовать в виде нескольких простых веществ (аллотропия) . [c.26]

Сэндвичевая структура является самой устойчивой не только для ковалентных комплексов, использующих -орбитали, но н для ионных кристаллов — для катиона и двух отрицательно заряженных циклов. Интересно и необычно строение комплекса бериллия. Предложены два возможных строения [Ве(ср)г]. Первое основано на интерпретации данных по дифракции электронов в газовой фазе [65] (рис. 13.20, а). Атом бериллия приближен к одному циклу, расстояние между двумя циклами (337 пм) определяется отталкиванием между ними, что вытекает из ван-дер-ваальсова радиуса углерода (167—170 пм). Малый по размерам ион Ве + поляризует л-облако одного цикла, и образуются энергетически выгодные короткая ковалентная связь и длинная ионная связь. Второе возможное строение, по рентгеноструктурным данным, для твердого бериллоцена — смешанный сэндвич, содержащий а-связь металла с одним циклом и л-связь с другим [66] (рис. 13.20,6). [c.437]

Атомные и ионные радиусы. Вследствие волновой природы электрона атом не имеет строго определенных границ. Поэтому измерить абсолютные размеры атомов невозможно. Практически приходится иметь дело с радиусами атомов, связанных друг с другом тем или иным типом химической связи. Такие радиусы следует рассматривать как некоторые эффективные (т. е. проявляющие себя в действии) величины. Эффективные радиусы определяют при изучении строения молекул и кристаллов (стр. 249). [c.33]

Как мы знаем, все твердые вещества как кристаллического, так и непериодического строения имеют остов, вид и мерность которого определяют строение вещества. Атом представляет собой систему, состоящую из валентных электронов и атомного остова. Атомное ядро отклоняется от положения равновесия весьма незначительно и практически локализовано внутри атома, тогда как валентные электроны совершают колебания с амплитудой, равной междуатомным расстояниям. Поэтому по местонахождению ядер можно определить, какое положение занимают данные атомы в молекулах и кристаллах. Зная, что степень перекрывания волновых функций достигает максимума при сближении атомов на определенное расстояние (речь идет о средних межатомных расстояниях в твердом теле, которые могут быть найдены, например, рентгеноструктурным методом) и резко уменьшается на несколько большем расстоянии, можно точно установить, какие атомы связаны между собой химическими связями. Химические связи между атомами в формулах химических соединений принято обозначать черточками. Например, хотя в молекуле дело- [c.60]

Структура и характер химической связи металлов и неметаллических элементов соверщенно отличны друг от друга. Строение металлов будет подробно рассмотрено в гл. 23. Здесь же следует лишь заметить, что в металлах каждый атом окружен большим числом ближайших соседей (обычно 8 или 12), причем атомы образуют плотно-упакованную структуру или структуру, близкую к плотноупакованной, например кубическую объемноцентрированную (см. рис. 11.15, ч. 1). В металлах валентные электроны легко перемещаются по всему кристаллу, что и придает металлам характерный блеск, а также высокие тепло- и электропроводность. [c.282]

У переходных металлов в образовании металлической связи, участвуют -электроны. Поэтому количество -электронов на один атом в кристалле резко меняется по сравнению с изолированным атомом. Именно в этом заключается основная трудность установления зависимости каталитической активности переходных металлов от электронного строения. В зависимости от распределения -электронов в кристалле меняются его электронные характеристики. Одно из возможных распределений -электронов дано Л. Полингом. Получаемые методом Полинга электронные характеристики кристалла — число -дырок на атом, вес -состояний металла — наиболее широко используются в катализе. [c.147]

Общими физическими свойствами, характеризующими металлы, обладают в свободном состоянии 82 элемента из 105. Естественно предположить, что атомы этих элементов должны быть сходными и по строению. Атомы элементов главных подгрупп I—III групп периодической системы на внешнем энергетическом уровне имеют мало электронов (от одного до трех) и, стремясь принять более устойчивое состояние (структуру атомов благородных газов), сравнительно легко отдают эти электроны, превращаясь в положительно заряженные ионы. Эта особенность обусловливает своеобразное строение кристаллической решетки металлов, которая состоит из положительных ионов и атомов, находящихся в узлах решетки. Между узлами находятся электроны, не принадлежащие каким-либо определенным атомам. Малые размеры электронов позволяют им более или менее свободно перемещаться по всему кристаллу металла, переходя от одного атома или иона к другому атому или иону. При достаточном сближении электронов с ионами образуются нейтральные атомы, которые снова распадаются на ионы и электроны. Следовательно, в кристалле металла существует своеобразное равновесие [c.390]

Атом обладает способностью рассеивать падающее на него излучение. Лучи света, потоки электронов, нейтронов, рентгеновское излучение — все известные виды излучения, падая на атом, рассеиваются им. Лучи, рассеянные отдельными атомами, усиливают или ослабляют друг друга в зависимости от взаимного расположения. Это явление называется дифракцией излучения на атомах. Ясно, что дифракция излучения приносит нам сведения о строении вещества. Определяя направления и интенсивность рассеянных лучей, можно получить ценные сведения о строении молекулы, и прежде всего о ее геометрии, т. е. о взаимном расположении центров атомов. Наиболее плодотворным в последнем отношении способом исследования является метод рентгеноструктурного анализа кристаллов органических веществ. [c.352]

Общее правило образования ковалентных связей заключается в следующем. Устойчивые молекулы или комплексные ионы, образованные при помощи ковалентных связей, имеют такое строение, при котором каждый атом достигает электронной конфигурации инертного газа или некоторой другой устойчивой конфигурации, причем обобщенные электроны считаются принадлежащими каждому из связанных атомов. Это правило можно проиллюстрировать прежде всего на примере молекул и кристаллов элементов, не обладающих металлическими свойствами. [c.182]

Тип и строение кристаллической решетки определяются характером и силой взаимодействия составляющих ее атомов. Наличие прочной связи атомов в кристаллической решетке объясняется электрическим характером взаимодействия отдельных атомов между собой. При этом одни атомы теряют электроны, другие их приобретают — возникает ионная связь в другом случае электроны двух атомов становятся для них общими — возникает атомная связь (называемая также ковалентной или гомеополярной). В узлах решетки металлического кристалла находятся ион-атомы металла, а электроны уже не принадлежат какому-либо определенному атому, они свободно перемещаются в виде электронного газа. Это состояние характеризует металлическую связь. [c.11]

Оказалось, что в кристаллах алмаза все атомы углерода расположены на одинаковых расстояниях (0,1545 нм) один от другого (см. рис. 1,а, стр. 10). Каждый атом находится в центре правильного тетраэдра и соединен непосредственно ковалентными связями ( р -гибридиза-ция) с четырьмя соседними атомами углерода, которые находятся в вершинах этого тетраэдра. Такая структура алмаза, наличие только прочных ковалентных сг-связей обусловливает его большую твердость, а также отсутствие свободных электронов, т. е. электронной проводимости. Совершенно иное строение имеют кристаллы графита. Атомы углерода в графите (см. рис. 1,6) расположены по углам правильных шестиугольников, находящихся в параллельных плоскостях. Расстояние между соседними плоскостями (0,34 нм) больше, чем расстояние между соседними атомами углерода в плоскости (0,1415 нм), вследствие чего связь между атомами углерода в одной плоскости гораздо прочнее, чем связь атомов углерода, находящихся в различных плоскостях. Поэтому графит легко расслаивается. [c.321]

Поскольку первоначальная электронная теория валентности была разработана химиками, постольку не было сделано и серьезных попыток распространить ее на кристаллические твердые тела. В результате этого оказалось, что, например, строение иодистой меди вовсе не соответствует обычным представлениям о свойствах меди и иода. В кристалле ul каждый атом Си связан с четырьмя атомами I, а каждый атом I — с четырьмя атомами Си, что приводит к следующей картине связи [c.64]

В главе 5 мы уже обсуждали строение твердого хлористого натрия. Было указано, что на основании многочисленных экспериментальных данных химики пришли к выводу, что кристаллы хлористого натрия состоят из заряженных частиц, а не из нейтральных атомов. Дальнейшее обсуждение привело к установлению того факта, что в решетке ионы СГ плотно расположены вокруг ионов Na (см. рис. 5-10). Но сколько электронов имеет ион хлора СГ Приняв один электрон, хлор имеет 18 электронов, т. е. точно такое же число электронов, что и соседний инертный газ аргон. Аналогичным образом атом натрия приобрел 10-электронную конфигурацию атома соседнего с ним инертного газа неона. Атомы принимают эти устойчивые электронные конфигурации в результате образования химического соединения. Поэтому химическое соединение приобретает в известной мере устойчивость инертных газов. [c.139]

Поэтому переход одного электрона от атома натрия (электрона 2 -) к атому фтора приводит к тому, что атомы обоих элементов приобретают электронное строение атома неона, т. е. 1 5 2 5 2 р°. При этом, однако, атом натрия, потерявший электрон, становится положительно заряженным ионом Ыа+, а атом фтора, захвативший электрон, превращается в отрицательно заряженный ион Р . Электростатическое притяжение между этими ионами и обеспечивает устойчивость возникшего соединения N3 . Соединения с такой электростатической природой связи называются ионными. Они образуются многими металлами трех первых групп Периодической системы элементов с неметаллами последних трех групп. В твердом состоянии подобные соединения образуют кристаллы, в которых узлы решетки занимаются ионами. При этом ионы одного знака окружены ионами противоположного знака и наоборот. В результате электростатические силы, действующие на каждый ион, симметричны и решетка устойчива. [c.297]

Донорно-акцепторная схема водородной связи, как указывают К. Е. Яцимирский и другие ученые, хорошо согласуется со строением кристаллов льда атомы кислорода находятся в тетраэдрическом окружении водородных атомов, создается неплотная структура. Молекула Н2О имеет две неподеленные пары электронов и два водородных атома, что оптимально по сравнению с МН, и НР. У ЫНз — три атома водорода и одна неподеленная пара, у НР — три неподеленные пары и один атом водорода. Температура кипения воды поэтому выше, чем аммиака и фтороводорода, хотя фтор более электроотрицспелен, чем кислород. [c.128]

В особых обстоятельствах такие воображаемые весьма разрыхленные внешние облака бент-электронов при воздействии других атомов, катионизирую-щих данный атом, меняют объем, уплотняются и тогда уже начинают играть важную роль в химии они акцептируют при этом электроны от уединенных пар богатых электронами атомов, входящих в состав лиганд. Строение электронной оболочки атома, вошедшего в состав молекулы, может очень существенно отличаться от строения, присущего свободному атому. Только что упомянутое сжатие внешних разрыхленных облаков атома служит важным примером такого отличия. Принимая во внимание существенную разницу состояний свободных и связанных атомов, становится понятным новый термин атом в молекуле [I] и атом в кристалле для отличия от свободных атомов. [c.9]

Для того чтобы представить себе принцип, лежащий в основе образования фторидов межслойного внедрения в структуру графита атомов F, мы должны вспомнить электронное строение кристаллов (см. том I, стр. 33). Каждый атом углерода в графите, как мы знаем, затрачивает по три своих электрона на образование парноэлектронных связей с тремя соседними атомами, четвертый электрон остается одиночным и полусвободным, осуществляя металлическую электропроводность. При вхождении атомов F в межслойные щелевидные пространства графита одиночные электроны F дают пары с одиночными электронами атомов С, и получаются парноэлектронные связи С—F. По мере вхождения атомов F электропроводность графита постепенно падает, и белые кристаллы состава, близкого к стехиометрическому с формулой [ F], оказываются изоляторами. [c.372]

Наши представления о внутрепнем строении кристаллов вылились в последние годы в ясную картину благодаря остроумным, систематическим опытам В. Г. и В. Л. Брэггов над интерференцией рентгеновых лучей в кристаллах. Распределение атомов в кристалле, которое было обнаружено из опытов Брэггов, разрушило представление о молекуле, даже целой группе молекул, как об элементарном кристаллическом индивидууме эту роль принято приписывать атому. Нам кажется, однако, более правильным утверждение, что основными элементами кристаллической структуры являются электролитические ионы в большинстве прозрачных кристаллов, а в металлических — вероятно, металлический ион и электрон. [c.125]

Полученный указанными выше способами аморфный кремний представляет собой бурый порошок с температурой плавления 1420°С. Существует и другая аллотропная модификация кремния — кристаллический кремний. Это твердое вещество темно-серого цвета со слабым металлическим блеском, обладает тепло- и электропроводностью. Кристаллический кремний получают перекристаллизацией аморфного кремния. Аморфный кремний является более реакционноспособным, чем химически довольно инертный кристаллический кремний. Кристаллический кремний — полупроводник, его электропроводность возрастает при освещении и нагревании. Это обусловлено строением кристаллов. Структура кристаллического кремния аналогична структуре алмаза. В его кристалле каждый атом окружен тетраэдрически четырьмя другими и связан с ними ковалентной связью, хотя эта связь значительно слабее, чем между атомами углерода в алмазе. В кристалле кремния даже при обычных условиях ковалентные связи частично разрушаются, поэтому в нем имеются свободные электроны, которые обусловливают небольшую электропроводность. При освещении, нагревании, а также при наличии некоторых примесей увеличивается число разрушаемых связей, а значит, увеличивается число свободных электронов и возрастает электропроводность. [c.447]

Строение других простых жидкостей подгруппы бора изучалось рентгенографически [19]. Положение главного максимума на рентгенограмме жидкого алюминия вблизи точки плавления (700° С) совпадает с расстоянием между соседними атомами в кристаллах. Алюминий кристаллизуется с образованием гранецентрированной кубической решетки. В расплаве фрагменты ГЦК структуры сохраняются. Небольшое снижение координационного числа после плавления, по всей вероятности, связано с ростом концентрации дефектов (пустот) в ГЦК структуре ближнего порядка, что ведет к увеличению объема в точке плавления на 6%. Рост давления сопровождается увеличением температуры плавления алюминия. В кристаллах алюминия на один атом приходится 2 электрона проводимости. Плавление не сопровождается существе1П1ым изменением концентрации этих электронов. [c.198]

При наличии очень небольших, но контролируемых количеств примесей в правильной кристаллической решетке, либо при небольшом избытке одного из компонентов твердого вещества, или же просто при наличии вакансий в кристаллической решетке образуются так называемые дефектные кристаллы. Каждый из таких дефектов— примесь, избыточный компонент или вакансия — обусловливает недостаток или избыток валентных электронов, необходимых для образования связи между частицами кристалла, и поэтому придает веществу новые свойства. Например, в кристалле элементарного кремния атом кремния может быть замещен атомом алюминия, что обусловливает недостаток в один электрон, поскольку атом алюминия имеет только три валентных электрона, а атомы кремния — четыре. Появление в решетке атома, которому недостает валентных электронов для образования должного числа ковалентных связей, приводит к образованию электронной вакансии, или так называемой дырки. При наложении на кристалл электрического потенциала дырка начинает мигрировать и в результате у кристалла появляется особый вид электропроводности подобные кристаллы называют полупроводниками. Если замещающий атом обладает избытком электронов, лишние электроны не принимают участия в образовании ковалентных связей и могут свободно перемещаться по кристаллу под влиянием приложенного внешнего потенциала. Такой полупроводник относится к п-типу (его проводимость обусловлена наличием свободных отрицательных зарядов, отрицательный по-английски negative), а полупроводники с недостатком электронов относятся к р-типу (их проводимость обусловлена наличием свободных положительных зарядов — дырок, положительный по-английски positive). Строение полупроводников этих типов схематически изображено на рис. 10.22. [c.183]

Электронное строение и типы связей элементов периодической системы - ключ к пониманию Сфуктуры и свойств простых и сложных веществ, образованных эти.ми элементами Два или более атомов располагаются друг около друга так, как это энергетически выгодно. Это справедливо независимо от того, сильно или слабо связана фуппа атомов, содержит эта фуппа лишь несколько или 10 атомов, является расположение атомов упорядоченным (как в кристалле) или неупорядоченным (как в жидкости). Группа ато.мов устойчива тогда и только тогда, когда энергия атомов, расположенных вместе, ниже, чем у отдельных атомов. Единственной физической причиной конкретной кристаллической сфуктуры любого элемента и его модификаций является перекрытие валентных и подвалентных оболочек его атомов, приводящее к образованшо определенных межатомных связей. Число протяженность и симмефия орбиталей атомов данного конкретного элемента полностью определяют число, длину, ориентиров и энергию межатомных связей, образующихся в результате перекрытия этих орбита-лей, а следовательно, размещение атомов в пространстве, т е. кристаллическую структуру, основные физико-химические свойства элемента. [c.30]

Силикаты удобнее всего рассматривать, исходя из основных тетраэдров 5104. Если такие тетраэдры обобществляют все свои вершины, возникает одна из форм кремнекислоты. Если теперь некоторые атомы кремния замещены на алюминий, структура остается в основном неизменной при условии, что одновременно добавляется один электрон. (А1 имеет три внешних электрона, тогда как необходимо четыре электрона.) Таким путем трехмерная гигантская молекула кремнекислоты превращается в трехмерный гигантский анион, и требуется достаточное количество катионов для компенсации заряда. В кристалле в промежутках в остове 51—А1—О оказывается достаточно места для небольших ионов типа К , Mg , Са и т. д. Структуры такого типа наблюдаются у гранитов и полевых шпатов. С другой стороны, тетраэдры 5104 могут обобществлять только по три вершины с образованием бесконечных слоев, имеющих по одному отрицательному заряду на каждый атом (поскольку у каждого атома 51 имеется по одному необобществленному кислороду) (см. рис. 71). Если происходит замещение 51 на А1, отрицательный заряд еще больше увеличивается. Такие слои, удерживаемые электростатическими силами с необходимыми для компенсации заряда катионами, обнаружены в минералах типа слюд, которые характеризуются легкой раска-лываемостью по слоям. Обобществление двух вершин приводит к ионам в виде длинных цепей (рис. 71), и именно такое строение обусловливает волокнистые свойства минералов типа асбеста. Очевидно, существует много возможных вариантов построения структур силикатов. [c.253]

Энергетическое взаимодействие атомов в кристалле обусловливается строением электронных оболочек, что позволяет разделить химическую связь по роду атомов на типы ионные, ковалентные, металлические и молекулярные. В первых трех взаимодействие ато мов в основном определяется взаимным притяжением частиц, имеющих противоположные электрические заряды. Это так называемые кулоновские силы . Гравитационные силы настолько ничтожны, что ими можно пренебречь. Так, сила кулоновокого взаимодействия протона и электрона на расстоянии 1 А равна 2,3-Ю дин, тогда как сила гравитации составляет всего 5,5-10 дин. [c.12]

Рассмотренная картина электронного строения твердых металлов показывает, что валентные электроны, осуществляющие химическую связь, принадлел<ат не двум или нескольким определенным атомам, а всему кристаллу металла. При этом валентные электроны способны свободно перемещаться в объеме кристалла, Обра- [c.534]

Энергия ионизации атома фосфора еще выше, чем у кремния. Поэтому неудивительно, что обычные формы фосфора представляют собой молекулярные кристаллы. Белый фосфор состоит из отдельных молекул 4 (рис. 20-2)( соединенных в твердом кристалле слабыми вандерваальсовыми силами. На основании электронной конфигурации атома фосфора можно объяснить состав и строение молекулы Р4. Фосфор имеет электронную конфигурацию 1з 2з 2р 3з 3р , и, так как Зр-орбиты заполнены лишь наполовину, можно предположить, что фосфор будет образовывать три ковалентные связи. Геометрически такая связь должна быть похожа на связь в аммиаке ЫНд, в котором три связи М—Н образуют пирамиду с треугольным основанием (см. стр. 438). Как показано на рис. 20-2, в молекуле Р4 каждый атом фосфора действительно образует три связи, и Каждый атом находится в одной из вершин пирамиды. [c.545]

Электронная конфигурация атома серы (Зз Зр ) предполагает, что каждый атом должен образовывать две ковалентные связи, используя две заполненные наполовину Зр-орбиты. Такое строение действительно обнаружено в молекулах Зд, из которых состоят обычные модификации твердой серы. Молекулы Зд, по-видимому, имеют форму изогнутого кольца, как показано на рис. 20-3. Так же как и в случае фосфора, устойчивость кристалла, построенного из молекул серы такой циклической формы, обусловлена действием вандерваальсовых сил между отдельными молекулами. [c.545]

Приведенный выше перечень содержит большое число соединений, для которых ионная модель является уже недостаточной, в связи с чем возникает вопрос об описании электронного строения этих кристаллов. В случае кристалла СаРз атомы Р тетраэдрически окружены четырьмя атомами Са. Поэтому логично считать, что в этом кристалле в связи участвуют тетраэдрические sp -орби-тали атомов F. Поскольку каждый атом Са в aPj находится в щентре куба, образованного восемью атомами F, то наиболее сильно взаимодействовать с sp -орбиталями атомов Р будут такие орбитали атомов Са, которые направлены вдоль телесных диагоналей этого куба. Такими свойствами обладают гибридные d s-орбитали (рис. 9.10) в виде линейных комбинаций 3d у-, [c.162]

Поскольку в случае рентгеновских лучей мы не можем измерить изменение энергии в рассеянном излучении, приходится ограничиваться рассмотрением одной величины й81йй. Если рассеивающим объектом является атом, то 5/ 0 = Р, где f — атомный коэффициент рассеяния (или коэффициент формы), который зависит от электронного строения атома форма последнего достаточно близка к сферической, вследствие чего / будет функцией только вектора V. Для моноатомного рассеивающего кристалла, все атомы которого неподвижны, справедливо, как показано в [14], следующее соотношение [c.395]

В прошлом такие авторы, как Лэнгмюр [1], Адкинс [2], Бэрк [3], Баландин [4], Бик [5], Ридиэл [6], Мэкстед [7] и Гуотми [8], предлагали гипотезы о различных соотношениях между геометрией твердой поверхности и каталитической активностью. Первоначально предполагалось, что определенное благоприятное расположение молекул на поверхностных узлах решетки кристалла ускоряет реакцию, причем не обязательно, чтобы на один атом поверхности приходилась одна молекула. Однако делалось мало попыток изучить структуру поверхности изучаемого катализатора. Работа Бика [5], Уилера, Смита и Ричи, проведенная с полученными напылением пленками с известной ориентацией, слишком хорошо известна и не требует здесь обсуждения. В этой работе были получены весьма ценные сведения, способствовавшие выяснению природы твердого катализатора. Однако в связи с исследованиями, которые будут описаны ниже, следует сделать несколько замечаний по поводу указанной выше работы. Авторам удалось получить пленки меди и никеля только с одной ориентацией. Пористая структура пленок и их тонкое строение прямыми методами не наблюдались, и также не удалось точно определить грани, находящиеся на поверхности, при помощи дифракции электронов. Захтлер и др. [9] показали при помощи электронного микроскопа, что грани, расположенные на поверхности пленки никеля, полученной напылением способом, аналогичным примененному в работе [5], не параллельны стеклянной подложке. Ниже будет показано, что каталитическая реакция может вызывать большие изменения в топографии поверхности. [c.75]

Алмаз — прозрачный, твердый, тугоплавкий кристалл, давно известен как драгоценный камень. Его кристаллическое строение далр название структурному типу. Число атомов в элементарной ячейке алмаза равно восьми. Половина атомов находится в углах гранецентрированной кубической решетки, другая половина занимает центры четырех октантов из восьми. Октанты образованы тремя взаимно перпендикулярными плоскостями, проходящими через центр ячейки параллельно ее граням. В структуре алмаза каждый атом, окруженный четырьмя другими, образует четыре ковалентные связи, отдавая в общее пользование для каждой связи один из своих валентных электронов и получая второй от соседнего атома. Этот процесс образования химической связи в алмазе, а также и в его аналогах, в квантовой химии описывается следующим образом. [c.62]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология