Энергетических уровней диаграмм

Рис. 73. Модель образования электронной примесной проводимости в кремнии и германии а — в плоском изображении б — в зонной энергетической диаграмме д — донорный уровень — энергия активации донора 1+ — за-

Рис. 32. Энергетическая диаграмма границы раздела легированный бором алмаз /)-типа/раствор электролита, содержащего окислительно-восстановительную систему Fe( N)j а) при потенциале плоских зон б) при равновесном потенциале системы Ре(СМ) . Шкала электродных потенциалов Е приведена против нормального водородного электрода (НВЭ). В растворе показан уровень электрохи-

В 1943 г. А. Н. Теренин выдвинул гипотезу о том, что фосфорес-центное состояние молекул является триплетным. Годом позже Г. Льюис и М. Каша показали, что фосфоресценция органических молекул, наблюдающаяся в твердых матрицах, обусловлена испусканием света из самого нижнего возбужденного состояния этих молекул и имеет мультиплетность, равнук> трем. Еще в 1936 г. А. Яблонский предложил диаграмму энергетических уровней молекул, введя третий метастабильный уровень. Трехуровневая система объясняла существование трех видов люминесценции флуоресценцию, замедленную флуоресценцию и фосфоресценцию. После возбуждения в нижнее возбужденное синглетное состояние молекула может или испустить нормальную флуоресенцию, или вернуться в основное состояние на высокий колебательный уровень путем внутренней конверсии, или претерпеть интеркомбинадионную конверсию, перейдя в триплетное состояние. Попав в триплетное состояние, молекула оказывается в ловушке , так как излучательный переход в основное синглетное состояние запрещен, а чтобы вернуться в возбужденное синглетное состояние, молекула должна приобрести тепловую энергию, равную АЕ (Т— 5 ). Поэтому молекула остается в триплетном состоянии, пока в ней не произойдет один из следующих процессов 1) испускание запрещенного излучения — фосфоресценции 2) тепловая активация в состояние 5 с последующей замедленной флуоресценцией 3) интеркомбинационная конверсия в основное синглетное состояние. [c.158]

Объяснение электропроводности металлов, полупроводников и диэлектриков дается на основе квантовой теории строения кристаллических тел — так называемой зонной теории. Рассмотрим некоторые общие положения этой теории. Переход атомных паров в кристаллическое вещество можно рассматривать как химическую реакцию, так как оптические, термодинамические, электрофизические и другие свойства твердых тел отличаются от свойств газов. Важно отметить, что атомные спектры газов имеют линейчатое строение, а спектры твердых тел имеют сплошной характер или полосатую, очень сложную структуру. Уже при взаимодействии двух одинаковых атомов дискретные атомные энергетические уровни расщепляются и превращаются в полосы. Тем большее расщепление уровней происходит, когда большое число N атомов, например лития, сближается с далеких расстояний до расстояний, на которых они находятся в кристаллической решетке. На рис. 70, а это расстояние между ядрами обозначено на оси абсцисс буквой о- По оси ординат отложена энергия. Находясь на больших расстояниях, атомы не взаимодействуют друг с другом, и диаграмма уровней будет такая же, как и для изолированного атома лития (1 25 ). При сближении атомов начнется взаимодействие между ними, прежде всего у каждого из них станет расщепляться уровень валентных электронов (2х). Уровень 2з) расщепляется в систему весьма близко расположенных N уровней, образуя целую полосу (зону) уровней. Более глубокие уровни при образовании кристалла оказываются совсем не расщепленными или только незначительно расщепленными. [c.233]

Второй период начинается с щелочного элемента лития 1л (2 = 3). У лития три электрона, два из них занимают 1ж-А0, а третий уже вынужден заселять более высокий энергетический уровень с л-2. Этот уровень содержит два подуровня ир (/-Ои/=1). Число подуровней в многоэлектронном атоме совпадает со значением главного квантового числа. Минимальным значением энергии для уровня с л = 2 обладает 2х-А0, которую и занимает третий электрон. Электронная конфигурация атома лития для основного состояния 1х 2х или [Не ]2х (см. ниже энергетические диаграммы). Для сокращения формы записи электронной конфигурации все АО предыдущих периодов заменяют символом благородного газа (в квадратных скобках), завершающего предшествующий период. [c.45]

Для элементарных реакций константу равновесия, рассмотренную в предыдущем параграфе, можно представить как отношение констант скоростей прямой и обратной реакций. Процесс можно иллюстрировать диаграммой (рис. 5-2). Для протекания прямой реакции нужно преодолеть потенциальный барьер , после свершения реакции будет достигнут новый энергетический уровень системы и, если прямая реакция экзотермична, выделится теплота реакции Qp. Для обратной реакции нужно преодолеть больший энергетический барьер 2 и теплота реакции будет поглощаться. [c.99]

Исходный уровень диаграммы переходное состояние — координата реакции является условным. Если сравнение производится между родственными реакциями, как в случае интерпретации влияния заместителей на скорости реакций, разрешается начинать с одинаковых энергий для всех исходных соединений, переходных состояний и продуктов, поскольку только энергетическая разница между исходными соединениями, переходными состояниями и продуктами определяется на опыте. Например, формально справедливо говорить о стабилизации заместителем переходного состояния (относительно реагируюш,их веществ) или дестабилизации исходных соединений (относительно переходного состояния), если введение заместителя вызывает ускорение реакции обычно выбор между этими возможностями делается на основе химической интуиции. [c.452]

На рис. 4 помещена диаграмма возможных энергетических уровнен молекул в какой-либо системе. Через — . п min обозначен уровень минимальной полной потенциальной энергии. Переведем мысленно одну молекулу с — п. п min на более высокий уровень E Для этого необходимо затратить работу, равную увеличению полной потенциальной энергии. Такой процесс сопровождается поглощением тепла [c.36]

Формально, как и для любых молекулярных спектров, природу электронных спектров можно охарактеризовать переходами вещества в различные энергетические состояния (рис. 15.9). Наиболее устойчивому состоянию вещества соответствует наименьшая энергия (нулевой уровень на диаграмме рис. 15.9). Такое состояние называют основным, все остальные состояния называют возбужденными. Как показано на рис. 15.9, вещество может поглощать кванты света только определенной величины, например, Лу] = , — — Ео или /IV2 = Яг — Ео, что соответствует поглоще- [c.304]

V — любое целое число, включая и нуль. Тогда энергетическая диаграмма имеет вид, показанный на рис. 2.10. Когда молекула переходит с нулевого V = 0) на первый (1 = 1) уровень при поглощении излучения, поглощаемая частота, согласно постулату Бора, [c.35]

На диаграмме рядом с фигурой дана кривая изменений энергетического уровня для молекул в разные моменты реакции. Средний уровень энергии молекул системы отвечает ]. Реагирующие молекулы достигают уровня Ео, и затем уровень понижается в стойких продуктах окисления до Е . [c.474]

Второй период системы открывают литий и бериллий, у которых внешний энергетический уровень содержит лишь -электроны. Для этих элементов схема молекулярных орбиталей ничем не будет отличаться от энергетических диаграмм молекул и ионов водорода и гелия, с той лишь разницей, что у последних она построена из 1 -электронов, а у Ь12 и Ве -из 2 -электронов. 1 -электроны лития и бериллия можно рассматривать как несвязывающие, т.е. принадлежащие отдельным атомам. Здесь будут наблюдаться те же закономерности в изменении порядка связи, энергии [c.58]

На рис. 2.7 изображена энтальпийная диаграмма для нека тализируемой и каталитически ускоряемой реакции. Продукт О может образоваться по некаталитическому пути через комп леке АВ или по каталитическому пути через комплекс АВК Продукт 02 образуется с участием катализатора К" и никогда ие получается без него. Термодинамически образование вещест ва Ва более предпочтительно, чем Оь так как энергетический уровень Ог расположен ниже уровня [c.69]

Из соотношения между значениями п и / (см. табл. 2) вытекает, что первый энергетический уровень п= ) включает только 5-орбиталь (/ = 0), второй (п — 2)—орбитали 5 и р (/ = 0 и 1), третий (л = 3) — 5, р и й (1 = 0, 1 и 2), четвертый — 5, р, и /. Необходимо иметь в виду, что в пределах одного и того же энергетического уровня различные орбитали по-разному взаимодействуют с ядром и, следовательно, находятся на различных энергетических подуровнях. Энергетичес- кая диаграмма представлена на рис. 4. [c.50]

В целях наглядности очень часто псполъзуют энергетические диаграммы, на которых энергию того или иного состояния изображают горизонтальной черточкой. Положение черточки по высоте в определенном масштабе соответствует энергии системы. Самая низкая черточка определяет основное состояние. В связи с этим способом изображения энергии существует и широко используется термин энергетический уровень системы. Этот термин не несет в себе никакой дополнительной информации и просто обозначает некоторое допустимое значение энергии рассматриваемой системы. [c.15]

Будем полагать, что изменения в энергии высшей заполненной МО при пирамидализации плоской структуры определяют общую тенденцшо в изменении полной энергии молекулы, т. е. остальные энергетические уровни молекулы слабо реагируют на пирамидальную деформацию (сравните с диаграммой Уолша на рис. 10.4). Тогда из соотношения (12.15) следует, что стабилизация пирамидальной формы по отношению к плоской будет тем больше и, следовательно, тем выше будет инверсионный барьер, чем меньше энергетическая щель между граничными орбиталями в исходной плоской структуре. Из теории возмущений, например соотношений (9.7) и (9.17), вытекает, что с уменьшением электроотрица гельности центрального атома А в ряду соединений АХз энергетический уровень высшей связывающей МО будет повьш1аться, так как эла орбиталь (см. рис. 12.6) в Дз -форме молекул АХз полностью [c.470]

Если использовать модель электрон на окружности для описания л-электронов в циклических сопряженных системах, то нужно заселить энергетические уровни электронами в соответствии с принципом заполнения, т. е. соблюдая принцип исключения Паули и правило Хунда. В соответствии с этим для (4п + 2)-л-систем возникает замкнутая оболочка (рис. IV. 12, а) и занятые собственные состояния, или орбитали, дают диамагнитный вклад в магнитную восприимчивость. В противоположность этому в 4п-л -электронных системах высшие занятые орбитали содержат каждая лишь по одному электрону, спины которых не спарены (рис. IV. 12, б), и эти соединения должны быть парамагнитными. В действительности ни циклооктатетраен, ни другие [4/г] аннулены не проявляют молекулярного парамагнетизма. Как гласит теорема, сформулированная Яном и Теллером, вырождение высшей занятой орбитали может быть снято за счет небольшого искажения симметрии молекулы, возможно за счет альтернирования длин связей. Это дает возможность обоим электронам занять один более низко лежащий энергетический уровень. На возникающей Энергетической диаграмме (рис. IV. 12, в) в соответствии с этим высшая занятая и нижняя свободная орбитали разделены лишь небольшой энергетической щелью. Это различие в энергиях значительно меньше, чем в случае (4п + 2)-л-систем. Взаимодействие с магнитным полем Во вызывает смешивание этих электронных состояний, что в соответствии с нашим ана" лизом, начатым в разд. 1 гл. II, приводит к парамагнитному вкладу в константу экранирования о. Он по величине больше. [c.98]

Однозначный вывод о том, какой именно процесс имеет место, можно сделать на основании рассмотрения соответствующей корреляционной диаграммы, представленной на рисунке. Слева изображены энергетические уровни симметрии исходного нитрена. Рассматриваются лишь те (Т- и я-электроны, которые подвергаются перестройке, а именно 4а-электрона связей С1—N1 и С4—N1, 2 я-электрона связи Сг—Сз и 2р-электрона азота N2. Справа расположены энергетические уровни продукта реакции (где 1131, %, Фз, 4 — орбитали бутадиена). Уровни энергии одной и той же симметрии в исходном реагенте и продукте соединяют. Из рассмотрения корреляционной диаграммы на рис. 1,а видно, что образование диена при разложении пирролипа протекает по дисротаторному механизму, так как имеет место корреляция связывающих энергетических уровней реагента со связывающими энергетическими уровнями продукта. При конротаторном процессе наблюдается корреляция связывающей и антисвязывающей орбиталей и два электрона основного состояния реагента попадают на возбужденный уровень в продукте реакции, а энергетический уровень 5 основного состояния молекулы не может быть занят из соображений симметрии. [c.47]

Диаграммы энергетических уровней являются ключом к разгадке, и интерпретации спектров поглощения переходных металлов в инфракрасной, видимой и уль-.Ьд трафиолетовой областях спектра. При поглощении света -электрон переходит с низкого на более высокий энергетический уровень. По той же причине, что и у молекул в конденсированном состоянии, спектры поглощения комплексных ионов в растворе или в кристаллах обычно размыты и не обнаруживают тонкой структуры. Наиболее длинноволновые полосы в спектрах поглощения возникают в результате переходов электронов с низких на более высокие энергетические уровни, возникшие за счет расщепления кристаллическим полем основного состояния. Переходы электронов на энергетические уровни, связанные с возбужденными состояниями свободных ионов, требуют больщей энергии соответствующие П0v 0 ы поглощения лежат в области более коротких длин волн. [c.16]

Физический смысл диаграммы термов следующий каждая горизонтальная линия изображает один возможный энергетический уровень атома (поскольку, как будет показано ниже, атом может поглощать не любое количество энергии, а лишь точно определенные количества, соответствующие спектральным термам). Каждая спектральная линия представляет переход между двумя энергетическими уровнями атома. Атом, находящийся в основном состоянии, т. е. на низшем энергетическом уровне, при поглощении энергии, например света, переходит на один из возможных высших энергетических уровней. Когда атом испускает свет, он возвращается либо на уровень основного состояния, либо на промежуточный уровень. [c.70]

Связи я-типа могут быть образованы как р-, так и dxy-, dxz-, dyz-атомными орбиталями металла. Следующие корреляционные диаграммы поясняют сказанное как для случая отсутствия я-связей, так и для случая наличия их. На рис. 105, относящемся к комплексным соединениям типа МХб, жирные горизонтали обозначают энергетический уровень соответствующей молекулярной орбитали (в средней части рисунков), слева и справа расположены энергетические уровни орбиталей металла и, соответственно, лиганда. Черные кружки в средней части рисунков— всегда заполненные МО, образованные комбинацией соответствующей атомной орбитали металла и орбитали лиганда. Полузачер-ненные кружки — орбитали, которые могут быть, а могут и не быть заполнены электронами. Сюда относятся столь характерные для переходных металлов с их переменной валентностью -электроны, обусловливающие и их характерные магнитные и спектральные свойства. [c.421]

Связи л-типа могут быть образованы как р-, так и d y-, d -, dy -aiou-ными орбиталями металла. Следующие корреляционные диаграммы поясняют сказанное как для случая отсутствия п-связей, так и для случая наличия их. На рис. 108, относящемся к комплексным соединениям типа МХ , жирные горизонтали обозначают энергетический уровень соответству- щей молекулярной орбитали (в средней части рисунков), слева и справа [c.462]

Диаграмма на рис. У-З позволяет количественно на уровне МО проследить ход реакции взаимодействия молекулы этилена с метиль-ным радикалом в координационном комплексе. Очевидно, что наибольший интерес представляет МО управляющая связью Т1—СН3. При движении по координате реакции г) увеличивает энергию при миграции метильной группы, проходя через максимум. Энергия снижается, когда достигается новое положение, т. е. в пропильном производном титана, имеющем вакантное место в координационной сфере. Если предположить, что рост алкильной цепи не сильно изменяет энергетический уровень то из рис. У-4 (см. справа налево) видно, что происходит с энергетическим уровнем связи Т1—алкильный углерод, когда этилен занимает вакантное место. Координация стабилизирует связывающую орбиталь —С. [c.197]

Энергетическая диаграмма такой ячейки показана на рис. 31. Фотоанодом служит КиЗг. Это полупроводник п-типа достаточно устойчивый против анодной фотокоррозии (фотоэлектроды из дихалькогенидов переходных металлов более подробно рассмотрены в разд. 4.3). Он имеет запрещенную зону шириной около 1,3 эВ, хорошо подходящую для преобразования солнечной энергии, но слишком узкую для того, чтобы обеспечить разложение воды без добавки внешнего напряжения. Как видно из рис. 31, уровень Ферми КиЗг лежит значительно ниже, чем н /НгО следовательно, энергия электронов на уровне Ферми металлического электрода, при коротком замыкании внешней цепи ячейки совпадающем с FRц 5, недостаточна для выделения водорода из воды. Приложение внешнего напряжения позволяет поднять уровень Ферми металлического электрода выше Нг/Н о- освещении фотоанода дырки переходят в раствор (через показанный на рисунке промежуточный энергетический уровень на поверхности КиЗг), при этом на КиЗг вьщеляется кислород, а электроны через внешнюю цепь переходят на катод и с него поступают в раствор, выделяя водород. [c.63]

Придать электропроводность кремнию можно, введя в его кристалл атомы другого гемента. Кремний превращается в полупроводник и-типа, если кристалл легирован томами элементов V группы периодической таблицы, например фосфора или мышья-I. У последних число валентных электронов больше, чем у атомов кремния, поэтому ж включении в решетку кристалла они отдают электроны кристаллу. Как показано 1 диаграмме энергетических зон (см. рис. 26.2, а), энергетический уровень электронов тирующего элемента Е лежит в запрещенной зоне вблизи зоны проводимости. При )мнатной температуре энергия большинства электронов донорного уровня Е доста- [c.385]

Проведенные для пропана вычисления могут быть проиллюстрированы при помощи диаграммы энергетических уровней, изображенной на рис. 15-7. Добавление 3898 кДж для атомизации графита и диссоциавдщ газообразного водорода показано как переход с нижнего энергетического уровня на верхний уровень, соответствующий изолированным атомам. Соединение этих атомов в молекулу СзН соответствует уменьщению энергии на 3994 кДж с переходом в еще более низкое энергетическое состояние. Расстояние между исходным и конечным энергетическими уровнями (исходный уровень отвечает реагентам - графиту и Н2, а конечный уровень — продукту СзНд) соответствует вычисленной теплоте образования пропана, АЯ298 = - 96 кДж. [c.29]

Сказанное имеет отношение к электронной компоненте вероятности отдельных типов безызлучательных переходов. Экспериментальные наблюдения (о некоторых из них речь пойдет в дальнейшем) показывают, что вероятность переноса связана обратной зависимостью с разностью энергий двух состояний для данного типа электронного перехода. Этот результат может быть поясней с помощью принципа Франка — Кондона для безызлучательных переходов, обсуждавшегося для случая излс/-чательных переходов в разд. 2.7. Согласно этому принципу, ядра в молекуле неподвижны в течение всего электронного перехода, т. е. переходы вертикальны на энергетической диаграмме (см. рис. 2.3, а и б). При внутримолекулярных безызлучательных переходах сумма электронной и колебательной энергий должна оставаться постоянной в отличие от излучательного перехода, когда рождение фотона приводит к возникновению или изменению разности энергий начального и конечного состояний. Таким образом, в безызлучательном случае переход горизонтальный в той же мере, что и вертикальный , поэтому он ограничивается очень малой областью на энергетической кривой или поверхности. Перекрывание в этой области колебательных вероятностных функций для начального и конечного состояний будет определять эффективность переноса энергии при определенной фиксированной вероятности электронного перехода. На рис. 4.7 представлены три возможных случая данные кривые могут рассматриваться как кривые потенциальной энергии для двухатомной молекулы или как линии- пересечения энергетических поверхностей для более сложных молекул. На рис. 4.7, а показаны два состояния, X и У, сходной геометрии, но обладающие сильно различающейся энергией. Нижний колебательный уровень = 0 в состоянии X имеет то же значение энергии, что и верхний уровень V" в V. Вследствие характерного распределения колебательных вероятностных функций их перекрывание мало. На рис. 4.7,6 представлен случай, когда и разность энергий двух состояний, и разность квантовых чисел V и V" существенно меньше, что приводит к большему перекрыванию колебательных вероятностных функций. Таким образом, эффективность пересечения будет возрастать по мере того, как т. е. заселение уровня вблизи v" = Q благоприятст- [c.102]

Возникающая в результате образования молекулярных орбиталей комплекса диаграмма энергетических уровней изображена на рис. 20-14. В ее нижней части находятся уровни шести связывающих орбиталей, заполненные электронными парами. Их можно пр)едставить как шесть электронных пар, поставляемых лигандами-донорами, и больше не обращать на них внимания. Точно так же можно исключить из рассмотрения четыре верхние разрыхляющие орбитали, являющиеся пустыми, за исключением предельных случаев сильного электронного возбуждения, которыми можно пренебречь. Несвязывающий уровень и нижний разрыхляющий уровень соответствуют двум уровням, и вд, к которым приводит расщепление кристаллическим полем (см. рис. 20-13). Мы будем продолжать называть их по-прежнему уровнями 12д и е даже в рамках молекулярно-орбитального подхода. Но важно отметить разницу в объяснении расщепления между этими уровнями. В теории кристаллического поля оно является следствием электростатического отталкивания, а в теории поля лигандов-следствием образования молекулярных орбиталей. Как мы убедились в гл. 12 на примере молекул НР и КР, теория молекулярных орбиталей позволяет охватить все случаи от чисто ионной до чисто ковалентной связи. Поэтому выбор между теорией кристаллического поля и теорией поля лигандов основан лишь на рассмотрении одной из двух предельных моделей связи. В комплексе СоР довольно заметно проявляется ионный характер связи, потому что, как можно видеть из рис. 20-14, орбитали лигандов располагаются по энергии ниже орбиталей металла и ближе к связывающим молекулярным орбиталям. Поэтому связывающие молекулярные орбитали по характеру должны приближаться к орбиталям лигандов, а это должно обусловливать смещение отрицательного заряда в направлении к лигандам. Таким образом, связи в данном случае должны быть частично ионными. [c.235]

Г2д( ,-- 1О а возбужденное состояние — трижды вырождено [t2g t может быть с1,,у]- (i/.vz) (еХ, или ху) dxz)- (ед , или dxy)Чdyzf dxz) (ед) ). Таким образом, мы имеем дело с переходом -> 2- В действительности электронный переход вызывает переход положительной дырки с уровня бд основного состояния на уровень Гз, возбужденного состояния, и соответствующая энергетическая диаграмма [c.90]

У атомов элементов II периода электроны распо.лагагатся на двух энергетических уровнях. Первый уровень с его единственной 18-А0 содержит 2 электрона, т. е. заполнен. Перекрывание таких орбиталей взаимодействующих атомов, как указывалось в предыдущем параграфе, неэффективно, так как число электронов на образующихся связывающих и разрыхляющих МО одинаково. Это относится и ко всем другим атомам орбитали заполненных уровней, как правило, ие принимают участия в образовании связи в таких случаях мы и не будем их изображать на энергетических диаграммах молекул, а ограничимся рассмотрением перекрывания лишь АО внешнего, не заполненного до кон- [c.122]

Теперь мы можем понять, как действует переход на границе полупроводник — жидкость. Когда полупроводниковый электрод погружен в содержащий окислительно-восстановительную пару (редокс-пару) раствор, химические потенциалы электрода и раствора должны быть одинаковыми, если не приложена внешняя сила. Тогда зоны в полупроводнике искривляются так, чтобы привести в соответствие уровень Ферми и окислительновосстановительный потенциал (редокс-потенциал). Направление искривления зависит от конкретной системы, но для материалов л- и р-типов искривление обычно происходит в направлении, показанном на рис. 8.19, а и в. Освещение поверхности электрода может приводить к переводу электронов из валентной зоны в зону проводимости. Градиенты поля на границе раздела электрод — жидкость будут способствовать, как и в случае твердотельного полупроводникового перехода, разделению вновь образующихся электронов и дырок. В случае направленного вверх изгиба, как на рис. 8.19, а, электроны движутся в глубь полупроводника, а дырки покидают поверхность раздела и уходят в раствор для окисления редокс-пары. Если затем внешней цепью соединяются полупроводниковый электрод и лротйвоэлектрод, также погруженный в раствор, то электроны будут течь от полупроводникового к противоэлектроду (восстанавливая ионы в растворе вблизи него). Таким образом, полупроводниковый электрод становится фотоанодом (рис. 8.19,6). Вследствие электрохимического потенциала /р, возникающего благодаря вентильному фотоэффекту, потенциал Ферми и редокс-потенциал становятся разделенными барьером 11 . На рис. 8.19, г показана аналогичная энергетическая диаграмма для поглощения света материалом р-типа, из которого электроны уходят в раствор, восстанавливая редокс-пару. В этом случае полупроводниковый электрод является фотокатодом. [c.277]

С использованием низкоэнергетического возбуждающего источника света и сферического анализатора энергии электронов в задерживающем поле измерены УФ-фотоэлектронные спектры пленок Сьо толщиной 20 нм, напыленных в вакууме на медную подложку при комнатной температуре. Из полученных спектров определены пороговая энергия ионизации 1=6,17 эВ и работа выхода р=4,85 эВ, которая выше, чем в алмазе (4,5) и фафите (4,7 эВ), Получены оценки энергий поляризации катионов и анионов Сьо и элекфонного сродства Сбо в-твердой фазе, которые обсуждены с учетом энергетической релаксации молекул Сбо в конденсированном состоянии. Предложена энергетическая диаграмма твердого Сбо, показывающая, что уровень Ферми расположен вблизи дна зоны проводимости и, следовательно, кристаллический Сбо является полупроводником п-типа. Из физики твердого тела извe тнo что две другие аллотропные формы - графит и алмаз - являются соответственно металлом и диэлектриком. Фазой с металлическими свойствами (металлом) называется фаза, в которой либо не все квантовые состояния валентной зоны заняты электронами, либо последняя перекрывается зоной проводимости. При [c.130]

Если на орбитали рх находится электронная пара, то заместитель X будет л-донорным. Донорная орбиталь таких заместителей — это орбиталь, занятая неподеленной парой электронов. В большинстве случаев уровень орбитали рх У таких заместителей лежит ниже уровня ВЗМО бензола. Поэтому орбиталь рх на рис. 13.6. нужно перенести вниз и поместить между и ВЗМО бензола. Тогда резко возрастает энергетическая щель между сим-мегрич1шми разрйхляющими я -орбиталями бензола и орбиталью Рх, и поэтому взаимное возмущение их должно ослабиться. Если оно ослабилось до такой степени, что им можно пренебречь, то получится простая диаграмма, представленная на рис. 13,8. Из диаграммы видно, что высшей занятой МО в данном случае становится орбиталь 1 /2, плотность которой расположена главным образом на атомах углерода бензольного кольца (поскольку она ближе по энергии к орбитали бензола, чем к орбитали ру), тогда как на рис. 13.6 высшей занятой (при условии, что орбиталь рх заселена) была орбиталь плотность которой вьшге на заместителе X, чем в бензольном кольце. Следовательно, электро-фил будет атаковать не атом X, а ароматическое кольцо. Уровень ВЗМО /2 в бензоле с я-донорным заместителем вьпие, чем уровни щ или в незамещенном бензоле (рис. 13,7). Поэтому 440 [c.440]