Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Спаривание электронных состояний

    Спаривание электронных состояний [c.122]

    Одним из наиболее интересных свойств альтернантных углеводородов является спаривание электронных состояний. Согласно методу Хюккеля, всегда существуют пары молекулярных орбиталей сли имеется некоторая я-связывающая орбиталь г] с энергией а -[- ЕгР (вг — положительное число), то существует и ее зеркальное отражение — разрыхляющая орбиталь с энергией а — е Р (из данных, приведенных на рис. 6.10, следует, что это справедливо, в частности, для бензола). Соотношение парности зависит от того факта, что все кольца из атомов углерода содержат четное число атомов. Следовательно, возможно подразделить атомы углерода, например, радикалов антрацена или бензила [c.122]


    Метод валентных связей (метод ВС) сохранил некоторые черты теории Льюиса о локализированной химической связи. Согласно этому методу, атомы, составляющие молекулу, сохраняют свою индивидуальность, а связи возникают в результате взаимодействия их валентных электронов, т. е. атомных орбиталей. Это взаимодействие выражается набором схем спаривания электронов. Например, атомы А И В могут образовывать ковалентную структуру А—В и ионные структуры А В" и А В . Полная волновая функция, характеризующая электронное состояние молекулы ЛВ, представляет собой сумму волновых функций всех структур. С точки зрения теории резонанса, получившей развитие в рамках метода ВС, реальное электронное со- [c.24]

    В отличие от ионов -эле.ментов для ионов лантаноидов можно рассматривать только высокоспиновые состояния, так как сила поля даже самого сильного лиганда оказывается недостаточной для спаривания электронов на нижнем расщепленном уровне. Поэтому /-подуровень лантаноидов заполняется сначала семью одиночными электронами, и только потом начинается их спаривание. В результате осуществляется распределение электронов, подчиняющееся правилу Хунда. Поэтому магнитные свойства комплексных нонов лантаноидов не зависят от силы поля лигандов. [c.208]

    Несмотря на наличие двух неспаренных электронов, кратность связи в молекуле кислорода равна двум, так как на его связывающих орбиталях находится восемь, а на разрыхляющих — всего четыре электрона внешнего электронного слоя. Спаривание электронов, т. е. попадание двух электронов на одну орбиталь, отнюдь не является причиной образования связи — оно лишь следствие того, что электроны занимают максимальное число мест на связывающих орбиталях. В случае молекул О2 и С2 в соответствии с правилом Хунда наличие двух неспаренных электронов на двух эквивалентных орбиталях соответствует более низкой энергии, чем при наличии двух спаренных электронов на одной из этих орбиталей (т. е. такое состояние энергетически более выгодно). Так как самый высокий по энергии заполненный энергетический уровень в молекуле [c.71]

    При необходимости происходит принудительное спаривание (/-электронов катиона и промотирование его в состояние с нужной гибридизацией. [c.21]

    В результате спаривания электронов ион металла находится в состоянии с низким спином. [c.119]

    Заселение электронами орбиталей в каждом конкретном случае зависит от соотношения между величинами энергий расщепления А и спаривания Еса- При А< сп (слабое поле) электроны будут занимать разные орбитали и спины их параллельны. Комплексы при этом высокоспиновые. При А> сп (сильное поле) электроны спариваются на е-уровнях , и в результате образуются низкоспиновые комплексы. Наконец, при А —-Есп оба состояния (высоко- и низкоспиновое) равновероятны. Средняя энергия спаривания для ионов первого ряда переходных металлов в аквокомплексах значительно превышает энергию расщепления. Поэтому в них не происходит спаривания электронов комплексообразователя, т. е. они должны быть парамагнитными и высокоспиновыми комплексами, что и наблюдается в действительности. [c.167]


    Если атом образует все связи только за счет спаривания электронов, то обычно говорят просто о его валентности, которая определяется числом одноэлектронных орбиталей или числом неспаренных электронов его атома в основном или возбужденном состоянии. [c.114]

    Для металлов, сплавов, твердых р-ров и нек-рых др. соед. сверхпроводимость объясняется в осн. электронно-фонон-ным механизмом спаривания электронов с противоположными спинами с образованием связанного состояния-т. наз. куперовских пар (теория Бардина-Купера-Шриффера). [c.297]

    Два электрона молекулы водорода, образующие ковалентную связь в синглетном спиновом состоянии, также являются спаренными электронами, поэтому их взаимодействие с электроном и ядром другого атома водорода приводит к отталкиванию. Таким образом, качественно можно объяснить свойство насыщения ковалентных химических связей между атомами. Можно образно сказать, что каждая ковалентная связь между атомами образуется при спаривании их валентных электронов. После спаривания электроны не могут образовывать новые химические ковалентные связи. Квантовая механика, следовательно, в некотором смысле оправдывает принятое в химии изображение молекул как совокупности атомов, соединенных локализованными валентными линиями. [c.631]

    Было выдвинуто предположение [181], что основной механизм захвата и стабилизации неспаренных электронов обусловлен присутствием циклических структур, содержащих углеродные атомы в количестве, превышающем некоторое определенное число, причем считается, что радикалы образуются путем разрыва связей по краям этих структур. Возможность существования неспаренных электронов в возбужденном тринлетном состоянии исключается, как это следует из результатов измерений [181] интенсивности сигнала при различных температурах вплоть до 20° К. Было сделано предположение [182], что электроотрицательные грз/ппы, особенно кислород хинонного типа, играют важную роль в стабилизации неспаренных электронов в углях. Число элементарных углеродных структур, стабилизирующих неспаренные электроны, возрастает с увеличением температуры обугливания до 600° С, а выше этой температуры наступает слияние углеродных структур, приводящее к спариванию электронов и соответствующему уменьшению интенсивности сигнала ЭПР. Сужение линии ЭПР происходит одновременно с резким возрастанием числа радикалов и вызвано обменным сужением сигнала ЭПР в результате перекрывания волновых функций неспаренных электронов. Это сужение сопровождается уменьшением соотношения водород/углерод и может быть связано с уменьшением сверхтонкого взаимодействия неспаренных электронов с ядрами водорода. Первоначальные опыты [184] по обугливанию парафинов и их дейтерированных аналогов показывают, что ширина линии в основном не определяется сверхтонким взаимодействием с протонами, хотя образцы обугливались при таких температурах, когда резонансная линия значительно сужается вследствие обменного взаимодействия. Измерения [184] времени термической релаксации показывают, что Ti больше Гг для температур обугливания ниже 600°. При температуре 600° и выше Ti = Тг и ширина линии увеличивается с возрастанием температуры обугливания. Этот результат согласуется с повышением подвижности неспаренных электронов выше 600°. [c.99]

    Просматривая указанные выше структуры электронных оболочек и подуровней, нетрудно заметить, что каждая из них в достроенном состоянии обладает четным числом электронов. Конечно, случайности здесь быть не может, и в этом проявляется влияние стабилизирующего действия спаривания электронов. Впрочем, пользуясь более обширным материалом, можно было бы установить, что оно проявляется все же не в одинаковой степени для разных групп электронов. Так, 5-электроны проявляют значительно более сильную тенденцию к образованию электронных пар (сравните, например, первые ионизационные потенциалы элементов первой, второй и третьей групп периодической системы, приведенные в табл. 1). В то же время р-электроны образуют р-подуровень обычно сначала в виде неспаренных электронов и лишь по исчерпании таких возможностей образуют электронные пары. Образование таких электронных пар играет значительную роль как в структурах атомов, так и в процессах образования связи между атомами — в образовании молекул. [c.43]

    На степень расщепления влияет также окислительное состояние иона металла и тип имеющихся у него -электронов. Более высокая степень окисления иона металла вызывает большее расщепление. Комплекс [Со(ЫНз)б] + диамагнитен и является низкоспиновым, в то время как [Со(ННз)б] — парамагнитный высокоспиновый комплекс. Расщепление кристаллическим полем в комплексе Со(1П) почти в два раза больше, чем в комплексе Со(И) это объясняется спариванием электронов. Большую величину До для о(П1) можно приписать тому факту, что лиганды ближе [c.57]


    Некоторые исследователи пытались установить, почему карбиды и нитриды имеют высокие Тс. Как известно, Тс определяется тремя параметрами зонной плотностью электронных состояний N(0), параметром электрон-фононного взаимодействия Vep и температурой Дебая 0D. Все они входят в формулу Макмиллана для Тс, выведенную для случая сильного спаривания [51]  [c.229]

    ВИЛЬНО, поскольку спаривание электронов представляет собой энергетически невыгодный процесс. Для его осуществления необ-ходимо затратить энергию. Если нужно не только осуществить спаривание двух электронов, но, кроме того, поместить их на одну орбиталь, то требуется дальнейшая затрата энергии, так как возрастает электростатическое отталкивание между электронами, вынужденными располагаться в одной и той же области пространства. Предположим теперь, что в некоторой гипотетической молекуле мы имеем две орбитали, различающиеся по энергии на величину А , и два электрона, которые мы должны разместить на них. Из рис. 23.12 мы видим, что если поместить по одному электрону на каждую орбиталь, то их спины останутся неспаренными и полная энергия будет равна 2Еа + 1 Е). Если поместить оба электрона на нижнюю орбиталь, то их спины должны спариться, чтобы выполнялся принцип Паули, тогда полная энергия будет равна (2Еа -Р), где Р — энергия, необходимая для осуществления спаривания на одной и той же орбитали. Поэтому, будет ли основное состояние системы описываться электронным распределением (а) или (б), зависит от того, больше АЕ, чем Р, или наоборот. [c.426]

    Даже в том случае, когда существование низкоспинового состояния в поле строго октаэдрической симметрии невозможно, как, например, для -иона, искажения октаэдра могут вызвать дальнейшее расщепление вырожденных орбиталей, причем большее, чем энергия спаривания, что и может привести к спариванию электронов. Рассмотрим как пример -систему в октаэдрическом окружении, которое затем претерпевает тетрагональное искажение. Мы уже видели (рис. 23.6), что уменьшение электростатического поля вдоль оси г происходит либо при удалении лигандов, лежащих на этой оси, на расстояние большее, чем то, на котором расположены четыре других одинаковых с ними соседа в плоскости ху, либо за счет размещения вдоль оси г двух других лигандов, вносящих в электростатический потенциал значительно меньший вклад, чем четыре других. Независимо от природы результат тетрагонального искажения исходного октаэдрического поля приводит к расщеплению (х —у )- и г -орбиталей. Мы также видели, что при достаточно большом тетрагональном искажении, т. е. если различие во вкладах в электростатический потенциал от лигандов на оси г и четырех других велико, энергия г -орбитали может стать меньше, чем энергия х /-орбитали. В любом случае две наименее устойчивые -орбитали теперь уже не являются вырожденными, а различаются по энергии на величину Q. Теперь ответ на вопрос, будет ли тетрагонально искаженный -комплекс высоко- [c.430]

    Средняя энергия спаривания электронов для ионов первого ряда переходных элементов была теоретически приближенно вычислена на основании спектральных данных. Эти значения приведены в табл. 26.1. Здесь же даны значения Д для некоторых комплексов, вычисленные методами, которые будут описаны в следующем разделе. Легко заметить, что ТКП во всех случаях правильно предсказывает спиновое состояние комплекса. В дальнейшем будет видно, [c.59]

    Поскольку вращение вокруг связи М—N при обычной температуре происходит медленно (или вообще не происходит), метильные группы становятся неэквивалентными (одна — син, а другая — анти по отношению к кислороду). Тот факт, что энергия стабилизации теряется при вращении в момент прохождения среднего, положения между плоскими состояниями и что величина ДЯ процесса составляет 23 ккал, означает, что энергия стабилизации нитрозаминов (в плоской конфигурации) равна приблизительно 23 ккал. Очевидно, слабые основные свойства нитрозаминов обусловлены делокализацией пары электронов аминного азота, что видно из приведенной выше схемы спаривания электронов. При протонировании (СН,)2М-группы стабилизация будет полностью теряться. [c.668]

    Как было отмечено ранее (в разд. 1.4), электроны распределяются по квантовым ячейкам (орбиталям) в соответствии с прави-ж)м Хунда при достаточном числе ячеек в каждой из них располагается по одному электрону. Это объясняется тем, что электроны отталкиваются друг от друга и потому стремятся з анять разные орбитали. Для того чтобы перевести электрон с орбитали, где он один, на другую орбиталь, где уже имеется электрон, требуется затрата некоторого количества энергйи Р. Величина Р может быть определена квантовомеханическим расчетом. При наличии в ионе комплексообразователя большего числа электронов, чем число орбиталей с низкой энергией, возможны два варианта заполнения орбиталей электронами. При А < Я электроны центрального иона в комплексе занимают те же орбитали, что и в свободном ионе. Ион комплексообразователя находится в состоянии с высоким спином. Если же А > Я, то поле лигандов вызывает переход электронов в уже занятые ячейки с более низкой энергией. В результате спаривания электронов суммарный спин уменьшается, т. е. ион-комплексообразователь переходит в состояние с низким спином. [c.125]

    Если обозначим межэлектронное и спин-орбитальное взаимодействие через р, то в тех случаях, когда Д<р, электроны центрального иона в комплексе занимают те же орбитали, что и в свободном ионе. Ион металла находится в состоянии с высоким спином (см. комплекс [РеРв] ). Если А>р, то кристаллическое поле вызывает переход электронов в ячейки с более низкой энергией, уже занятые одним электроном, в результате спаривания электронов спин уменьшается и ион металла находится в состоянии с низким спином (см. комплекс [Ре(СЫ) ] ). [c.48]

    Донорно-акцепторная связь обусловливает существование атомов в нульвалентном состоянии при этом происходит принудительное спаривание электронов по механизму дативной связи, когда атом выступает одновременно в качестве не только акцептора, но и донора электронов за счет неподеленных пар -орбиталей последние могут взаимодействовать с незаполненными р-орбиталями другого атома. Например, хром имеет шесть неспаренных электронов ЗйНв и является ферромагнетиком, но его соединение Сг(ЕЫС)в диамагнитно. Оно возникает при реакции  [c.41]

    Необходимо разобрать основные принципы, определяющие распре деление -электронов по е- и у-орбиталям. При рассмотрении основного состояния атома можно видеть, что существует, по крайней мере, два противоположных фактора, имеющих значение при заселении -подуровней под действием кристаллического поля. С одной стороны, это тенденция электронов занять орбитали как можно с более низкой энергией, с другой — это стремление электронов находиться на различных орбиталях, обеспечивая параллельность спинов. В последнем случае понижается энергия кулоновского отталкивания между электронами и создается более благоприятный обмен энергией. При наличии в атоме одного, дву> или трех -электронов оба фактора будут удовлетворены, если электроны с параллельными спинами займут различные е-орби-тали. В случае четырех, пяти, шести или семи -электронов нужно выбирать между состоянием с максимальным спином (с максимальным числом неспаренных электронов) и состоянием с минималь ным спином, требующим спаривания электронов на -подуровне Как мы сейчас покажем, выбор определяется силой электростатн ческого поля, создаваемого данным набором лигандов. [c.259]

    Нагревание расплава сопровождается перестройкой ближнего порядка в сторону более плотной структуры и металлизацией связей. Температурный интервал, в котором происходят эти изменения, зависит от прочности сил, обусловливающих рыхлую упаковку атомов в твердом состоянии. Он наибольший у алмаза, кремния и германия. Атомы этих элементов имеют внешнюю электронную конфигурацию П5 р . Их электроотрицательность настолько значительна, что при формировании кристаллических структур тенденция к образованию ковалентных связей путем спаривания электронов в состоянии гибридизации преобладает над стремлением к отделению электронов. Алмаз, кремний и германий образуют тетраэдрическую решетку, в которой каждый атом ковалентно связан с четырьмя ближайшрши соседями. [c.182]

    Магнитные свойства комплексных ионов -элементов находятся в прямой зависимости от числа неспаренных электронов иона-комплексообразователя. В октаэдрическом окружении первыми заполняются согласно правилу Гунда три нижележащие d-орбитали dxy, dy2 , dxz- Следующий, четвертый, d-электрон имеет две различные возможности вступления на d-орбитали- или на более низкую орбиталь, образуя пару электронов, или на более высокую орбиталь, в иеспаренное состояние. В первом случае из четырех электронов только два сохраняют неспаренное состояние. Такая конфигурация носит название низкоспиновой (НС). Во втором случае все четыре электрона неспарены и конфигурация называется высокоспиновой (ВС). Выбор той или иной конфигурации определяется плотностью электронных зарядов окружающих ионов. Если ионы окружения обладают сильным полем электронов, достаточным для выталкивания электронов с dz и орбиталей, и энергия этого поля превышает энергию спаривания электронов, электрон вступает на нижележащую орбиталь. В этом случае образуется низкоспиновое состояние. Если электрическое поле окружающих ионов недостаточно для преодоления сил отталкивания между двумя электронами в одной орбитали (слабое кристаллическое поле), электрон заполняет d или dx -y орбиталь и возникает высокоспиновое состояние. Заполнение электронами d-под- уровня с образованием высокоспиновых состояний согласуется с правилом Гунда, и магнитные свойства ионов должны изменяться в соответствии с числом неспаренных электронов. Пятый, шестой и седьмой d-электроны имеют две возможности заполнения d-подуровня—с образованием высокоспинового или низкоспинового состояния. Остальные три электрона заполняют оставшиеся места вне зависимости от силы поля окружающих ионов. [c.244]

    Рассмотрим в качестве примера два октаэдрических комплекса двухвалентного железа — Ре(Н20)й и Ге(СК)й . У свободного иона Ре " имеется шесть -электронов, другими словами, он представляет собой ион с -конфигурацией. В основном состоянии октаэдрического комплекса эти электроны можно разместить по имеющимся молекулярным орбиталям двумя различными способами, как это показано на рис. 23.15. Если энергетический интервал Л между несвязывающим и первым разрыхляющим энергетическими уровнями невелик, электроны распределятся по ним подобно тому, как это было в свободном катионе. Это означает, что электроны займут все пять орбиталей, располагаясь на них, насколько это возможно, поодиночке (см. рис. 23.15,й). При таком распределении электронов возникает всего одна электронная пара, которая занимает более низкий энергетический подуровень. В рассматриваемом случае энергия, необходимая для образования дополнительных электронных пар (т. е. для локализации двух электронов в одной и той же области пространства) на орбиталях нижнего электронного подуровня, превышает величину Д, и по этой причине образующийся комплекс чаще всего оказывается спин-свободным, или, что то же самое, высокоспиновым. Если же энергетический интервал Д превышает энергию спаривания электронов, минимальной энергии комплекса соответствует такое распределение электронов ио орбиталям, при котором они оказываются спаренными на нижнем энергетическом подуровне, что приводит к воз- [c.416]

    Для подготовки учащихся к осознанному восприятию вопроса о механизме образова1п-1я типичной химической связи — ковалентной — имеет смысл повторить строение атомов. При этом важно обратить внимание на модельные представления о состоянии валентных электронов в атомах малых периодов, чтобы перейти от понимания спаривания электронов у отдельных атомов к пониманию возможности частичного перекрывания облаков неспаренных электронов при образовании связи между атомами. [c.99]

    Секстетные частицы в триплетном состоянии обладают свойствами свободных радикалов, ибо в этом случае преобладает стремление к спариванию электронов путем взаимодействия о другой радикальной частицей. В зависимости от условий карбены и нитре-ны возникают в химических реакциях либо в сикглетнем, либо в триплетном состоянии. Для синтетических целей больше подходят [c.51]

    Обсуждение в предыдущей главе направленной валентности было неполным, так как мы опустили почти весь круг вопросов, связанных с химией углерода. Это было сделано по той причине, что изучение углеродных соединений приводит нас к крайне важному и довольно неожиданному новому понятию. Можно проследить за его возникновением при попытке объяснить характерный факт четырехвалентности углерода, например в СН4. Согласно рис. 2.7, в низшем энергетическом состоянии атома углерода з) (28) 2рх) 2ру) имеются два неспаренных электрона. Спектроскопически это состояние является триплетным — Р. Такой атом, вообще говоря, должен быть двухвалентным с валентным углом примерно таким же, как и в молекуле воды . Единственный способ получить валентность, равную четырем, состоит в том, чтобы возбудить атом, поместив один из 25-электронов в незанятое состояние 2рг, и образовать тем самым конфигурацию 1з) 28) (2рх) 2ру) 2рг). Поскольку теперь имеются четыре неспаренных электрона (раздел 5.9), такое состояние будет квинтетным — Энергия этого возбуждения может быть определена из спектроскопических данных расчет [5] и экспериментальные исследования [346] дают приблизительно одно и то же значение, а именно около 96 ккал1моль . После того как возбуждение произошло, получилось четыре неспаренных электрона, которые могут спариваться с электронами четырех присоединенных групп, как это было описано в гл. 7. Однако именно здесь имеется трудность три таких электрона обладают орбиталями типа р, а четвертый — орбиталью типа В предположении полного спаривания электронов, при котором энергия выражается формулой (7.25), должны, очевидно, иметься три однотипные связи и четвертая связь другого типа. [c.211]

    Лри образовании комплекса может получиться комплексное соединение с меньшим числом неспаренных электронов, чем у свободного иона металла, или даже диамагнитное соединение. Такое спаривание электронов зависит от силы поля лигандов, в связи с чем этот факт — с некоторой осторожностью—может быть использован как критерий при определении минросимметрии ряда комплексов. 1В качестве примера можно привести диамагнитные комплексы никел1я(П). В большинстве случаев они обладают плоской квадратной структурой, хотя это не является общим правилом. Уменьшение величины магнитного момента может быть вызвано та кже образованием б-связей между -орбиталями иона металла или взаимодействием с более высокими возбужденными состояниями. Примерами такого уменьшения магнитного момента вследствие образования б-связи (ср. табл. 2.17) могут служить комплексы меди(П) с некоторыми производными салицилового альдегида или с ацетатом. Более детальное исследование требует определения зав(Исимости магнитного момента от температуры. [c.117]

    Эта формула описывает парные обменные взаимодействия неспаренных электронов. Основное состояние такой пары — син-тлет с антипараллельным расположением спинов (х 0), возбужденное — триплет с параллельным расположением спинов (5 --- 1). Расстояние между синглетным и триплетным состоянием определяется обменным интегралом J. При достаточно низких температурах (Т <, 1 к) происходит спаривание электронов и восприимчивость резко падает. [c.145]

    Образование кратных связей можно рассмотреть таким же образом. Так, два атома азота, каждый из которых имеет конфигурацию 8 2з-2ру2ру2рсоединяются и образуют тройную связь при спаривании электронов на соответствующих р-орбиталях. Аналогично можно рассмотреть метиленовый радикал НаС , поскольку он имеет два неспаренных электрона, то два радикала соединяются, образуя этилен с двойной связью. Существует один случай, в котором простой метод ВС ведет к качественно некорректному предсказанию электронного строения,— молекула О,. Атом кислорода в основном состоянии имеет конфигурацию 15 25 2р 2ру2р , и поэтому можно ожидать, что два атома соединятся, образуя две двухэлектронные связи. Действительно, для молекулы энергия связи указывает на двойную связь, но эта молекула имеет также два неспаренных электрона, т. е. такое сочетание факторов, которое трудно осмыслить и еще труднее предсказать, опираясь на метод валентных связей. Эта неудача обусловлена не какими-то фундаментальными ошибками в методе ВС, а слишком грубым приближением. Однако метод молекулярных орбиталей (МО) даже в грубом приближении дает правильные результаты для О2, как будет показано в дальнейшем. [c.81]

    Для тяжелых металлов характерно стремление к образованию низкоспиновых соединений. Это значит, что в тех состояниях окисления, где элемент имеет нечетное число электронов, чаще всего бывает только один неспаренный электрон если же электронов четное число, то соединения очень часто диамагнитны. Тенденцию к спариванию электронов люжно объяснить двумя основнылш причинами. Во-первых, вследствие большей протяженности Аё.- и 5с(-орби-талей по сравнению с 3<з -орбиталями находящаяся на них пара электронов будет испытывать меньшее взаимное отталкивание. Во-вто-рых, под действием лигандов данного типа5с -орбитали расщепляются сильнее, чехм 4 -орбитали естественно, что расщепление и тех и других орбиталей больше, чем расщепление З -орбиталей (см. стр. 70). [c.335]

    Характеристика элемента. У кислорода по сравнению с атомом азота падает величина энергии ионизации, что вызвано спариванием электронов. В атоме азота пять электронов второго уровня занимают 2s2- и 2/ з-орбитали. При этом каждый из трех 2р-электронов располагается на одной из трех2р-орбиталей. В атоме кислорода на этом втором уровне появляется шестой электрон, так как уже нет свободной 2р-орбитали, то этот электрон вынужден располагаться на одной из тех 2р-орбиталей, где уже есть электрон. Межэлектронное отталкивание резко возрастает и перекрывает эффект действия заряда ядра. Кислород ионизируется легче, чем азот. Этим, между прочим, объясняется содержание ионосферы Земли, где много озона и ионов кислорода. Атом О имеет электронную конфигурацию ls 2s 2pJ2py 2p в которой находятся два неспаренных электрона. Иначе говоря, этот атом — бирадикал, а радикальные частицы — одни из самых активных. Действительно, кислород реагирует со всеми элементами, кроме гелия, неона и аргона. Он предопределяет форму существования всех остальных элементов. В свободном состоянии кислород — двухатомный парамагнитный газ. Его парамагнетизм обусловлен тем, что при образовании связей между двумя атомами у каждого из них остается неспаренным один электрон O = d . Кислород — электроотрицательный элемент и по величине электроотрицательности уступает только фтору. В подавляющем большинстве случаев ему приписывают степень окисления —2, хотя известны для него и другие степени окисления —1, О, -fl, 4-2, +4. [c.229]

    Двухэлектронное строение внешнего энергетического слоя в первом и восьмиэлектронное во всех остальных периодах характеризует наиболее устойчивые состояния, поэтому элементы подгруппы VIIIА — вещества мало активные и долгое время считались инертными. Вследствие спаривания электронов всех подуровней внешнего энергетического уровня ионизационный потенциал этих газов самый высокий из всех элементов в периоде, поэтому благородные элементы не склонны ни терять электроны, ни их присоединять, т. е. энергия сродства к электрону невелика. Отсюда следствие газы в природе встречаются в свободном состоянии, а не в виде соедИ  [c.370]


Смотреть страницы где упоминается термин Спаривание электронных состояний: [c.67]    [c.95]    [c.45]    [c.134]    [c.224]    [c.260]    [c.241]    [c.27]    [c.399]    [c.158]    [c.422]    [c.204]    [c.90]    [c.310]   
Смотреть главы в:

Магнитный резонанс и его применение в химии -> Спаривание электронных состояний




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Состояния электрона



© 2025 chem21.info Реклама на сайте