Кристаллы двумерные переходы

Пленки на воде или иной жидкости, в зависимости от сжатия, могут вести себя, как двумерные образования в различных агрегатных состояниях. Участки ад, аЬ и Ьс на рис. 17 соответствуют двумерному газу, двумерной жидкости и. двумерному твердому веществу (двумерному кристаллу). Переход от жидкой пленки к твердой очень наглядно доказывается тем, что пылинки ликоподия, быстро передвигающиеся по поверхности пленки на участке аЬ, моментально становятся неподвижными в точке 6 и на участке Ьс. В области ай при повышенных температурах или очень малых сжатиях пленки настолько расширены, что их можно рассматривать как газообразные. Они не имеют определенной предельной площади и переходят в газовые пленки. [c.99]

На рис. 121, а изображен идеальный двумерный кристалл, находящийся в равновесии при Т = 0. На рис. 121, б изображен кристалл, в котором некоторые атомы удалены от своих нормальных положений в узлах решетки и расположены на поверхности, где они образовали новый слой нормальной кристаллической решетки. В этом случае говорят об образовании дефектов по Шоттки. Если атом кристалла переходит в междоузлие (рис. 121, в), то говорят об образовании дефектов по Френкелю . Предполагается, что точки а тл Ъ расположены так далеко друг от друга, что взаимодействие между атомом в точке Ь и атомами, расположенными вокруг точки а (вакансии), отсутствуют. Таким образом, дефект по Френкелю состоит из атома в междоузлии и вакантного узла решетки, или дырки . [c.279]

В. М. Лукьяновичем сделана важная попытка исследования микрорельефа поверхности кристаллов. В работе [4] мы обнаружили несколько четких ступеней на изотерме низкотемпературной адсорбции Хе и Кг на этих кристаллах. Дюваль и Томи [5] нашли две четкие ступени (большую и маленькую) в области двумерного фазового перехода криптона на графитовых листочках. Во всех этих случаях таких ступеней немного. Я вижу в этом связь с выходом на поверхность кристаллов граней разных индексов, со структурами роста граней и с дислокациями. Вероятно, число таких энергетически резко отличных мест невелико, поэтому их не следует описывать непрерывными функциями распределения. Возможно, что детальные исследования структуры поверхности методом декорирования при повышении разрешения и адсорбционными методами помогут создать основы физической теории неоднородности поверхностей твердых тел, необходимой для развития молекулярной теории адсорбции на неоднородной поверхности (см. также [6, 7]). [c.320]

Таким образом, вероятность формирования в единицу времени экспоненциально уменьшается с ростом размера кристаллического зародыша и кристалла. Для очень малых кристаллов ( 1 мк) скорость изменения формы такова, что формирование может наблюдаться во время проведения эксперимента. Время, необходимое для перехода кристаллов больших размеров в равновесную форму, должно быть значительно более продолжительным. Если все грани являются несингулярными и для роста не нуждаются в двумерном зародышеобразовании или имеют очень малую свободную энергию зародышеобразования, то необходимо использовать очень малые кристаллы. Такой вывод следует из анализа уравнения [c.381]

Особый случай, довольно широко, видимо, распространенный на практике, связан с анизотропным ростом полимерной цепи в кристалле мономера. Подробный анализ формальной кинетики такой двумерно анизотропной пост-полимеризации дан в работе [21]. Интересной ее особенностью является возможность получения всевозможных вариантов суперпозиции двух линейных зависимостей выход полимера — время, представленных на рис. 7. Переход от одного из таких вариантов к другим может осуществляться при полимеризации данного мономера простым изменением температуры в связи с различием энергий активации инициирования и роста цепи в двух разных направлениях. [c.12]

Постепенно усложняя рассмотрение электродных процессов, авторы переходят к рассмотрению особенностей разряда простых и комплексных ионов, к совместному разряду ионов водорода и металла и влиянию выделяющегося водорода на осаждение металлов, к электроосаждению сплавов в результате совместного разряда нескольких ионов, к электроосаждению блестящих металлов и сплавов. При изложении процессов электрокристаллизации наряду с послойным ростом образовавшихся двумерных зародышей рассматривается спиральный рост, обусловленный дефектами кристаллической решетки, при которых ступень роста имеется лишь на части грани. При росте такая ступень не исчезает, дойдя до конца грани, как на идеальном кристалле, а все время поворачивается, образуя на грани новые слои. [c.5]

В первом случае имеет место регулярный переход от складчатой к плоскостной структуре кристаллов с выпрямленными цепями, и структура ориентированного материала представляет собой набор параллельно уложенных двумерных кристаллов (рис. IV.30, а). Авторы работы отмечают, однако, что такие плоскостные двумерные кристаллы термодинамически неустойчивы и могут существовать только в результате наложения очень высоких напряжений. Двумерные кристаллы образуют новую кристаллическую фазу, так что процесс перехода в шейку здесь может рассматриваться как фазовый переход, происходящий через плавление. [c.293]

При переходе частиц из адсорбционного слоя на кристалл мгновенно восстанавливается равновесие вследствие поступления в адсорбционный слой частиц из раствора (расплава). В результате неупругих соударений частиц адсорбционного слоя возникают двумерные зародыши, которые затем встраиваются в кристалл. [c.133]

Третий тип жидких кристаллов-холестерический представляет собой сочетание параллельных нематических слоев, приче.м направление осей молекул в каждом последующем слое повернуто на определенный угол по отнощению к направлению этих осей в предыдущем слое. Такое расположение осей может быть описано спиралью, щаг которой составляет несколько сотен нанометров. Эквидистантное расположение параллельных слоев и постоянство шага спирали позволяют формально отнести этот тип структуры к двумерной, но ориентация молекул в слоях имеет нематический характер. При переходе из твердого в жидкое состояние некоторые органические соединения проходят несколько жидкокристаллических модификаций, которые фиксируются термографическим методом. [c.45]

Схематически эти переходы можно представить при помощи рис. 13- 15. На рис. 13 изображена схема грани (1СЮ) кристалла железа с внедренными в нее ионами кислорода, расположенными, вероятно, в одной плоскости с поверхностными атомами железа, перешедшими также в ионное состояние. Первую стадию окисления железа можно представлять себе как образование такого двумерного железо-кислородного слоя на поверхности. Однако вписанный в эту фигуру второй квадрат показывает, что этот двумерный слой представляет собой также грань (1(Ю) решетки вюстита РеО. [c.54]

Применение различных методов исследования позволило получить дополнительную информацию о схеме распада Спектр испускаемых позитронов изучали с помощью линзового спектрометра. Было установлено, что этот спектр содержит две компоненты с граничными энергиями 1,94 и 1,37 Мэв и, возможно, компоненту малой интенсивности с максимальной энергией 1,0 Мэв. Группа позитронов, обладающих наибольшей энергией, как было показано, совпадала по времени с у-квантами следующих энергий 137, 294 и 434 кэв (интенсивности у-излучения этих энергий одинаковы). Отсюда следовало, что при испускании позитрона переходит в возбужденное 6- —состояние с энергией 868,7 кэв. Одиночные спектры у-излучения, полученные с помощью сцинтилляционного счетчика с кристаллом Nal в сочетании с многоканальным анализатором, позволили получить ценные сведения об интенсивности некоторых групп у-лучей, хотя и удалось разрешить лишь немногие индивидуальные переходы. Исследование у — у-совпадений с помощью двух сцинтилляционных счетчиков с кристаллами Nal и двумерного амплитудного анализатора с 32-64 каналами подтвердило многие особенности предположительной схемы уровней. Положение уровней было подтверждено также при исследованиях р — Р-совпадений на магнитном спектрометре с двумя линзами. Подробное изложение экспериментальных методов и рассуждений, в результате которых были установлены значения спинов и четности 23 уровней, не входит в задачу данного рассмотрения и может быть найдено в работе 137]. [c.435]

При переходе к двумерным кристаллам вместо скалярной величины ка необходимо ввести волновой вектор к, характеризующийся двумя скалярными компонентами к , ку). Зоны Бриллюэна подобных систем вместо рассматриваемых нами ранее линейных отрезков будут представлять собой двумерные многоугольники, объединяющие допустимые значения проекций волнового вектора. [c.65]

При щ - 4м, >0 энергетически выгодно состояние (31.29) с одной гармоникой, соответствующее продольной синусоидальной структуре. В противоположном случае - 4 , < О выгодно состояние (31.30) с двумя сдвинутыми по фазе гармониками. Это состояние отвечает либо геликоидальной структуре, либо поперечной синусоидальной структуре. Последнее определяется выражением спиновой плотности в данном кристалле через базисные функции соответствующего двумерного представления. Как видно из выражений (31.29) и (31.30), параметр порядка меняется непрерывно в окрестности температуры фазового перехода Т , поскольку ( 0) (Г - 7 ), так что фазовый переход из исходной фазы в модулированную является переходом второго рода. [c.188]

Термодинамически вполне закономерен самопроизвольный переход иефтяиых коксов, обладающих большим запасом энергии, в новое, более устойчивое состояние двумерной, а далее — трехмерной упорядочеипостп, характеризующейся меньшим значением свободной энергии. Повышение температуры способствует протеканию процессов, сопровождающихся самопроизвольным уменьшением свободной энергии, которая для кристалла графита равна нулю. Между термо, 1ипамнческим потенциалом, изменением температуры при нагреве и деструктивными превращениями в массе кокса существует сложная зависимость [205]. [c.197]

При съемке кристаллов белков, нуклеиновых кислот и других объектов с очень большими параметрами решетки, когда общее число отражений достигает нескольких десятков или сотен тысяч, а также при съемке кристаллов, нестабильных во времени или разлагающихся под действием рентгеновского излучения, возникает необходимость ускорения рентгеновского эксперимента. Один из естественных методов ускорения — повышение мощности рентгеновских трубок, в частности использование трубки с вращающимся анодом или переход к другим источникам мощного у-излучения. Второй метод — замена последовательного измерения отражений в обычных дифрактометрах одновременным измерением многих дифракционных пучков с помощью специальных устройств. В настоящее время разработаны так называемые многоканальные дифрактометры, оснащенные системой из нескольких (трех или пяти) параллельно перемещаемых счетчиков, которые регистрируют дифракционные лучи, возникающие одновременно (или почти одновременно) на разных слоевых линиях в процессе вращения кристалла. Эти приборы предназначены специально для кристаллов с большими периодами. В стадии технического совершенствования находятся в принципе более перспективные координатные детекторы, как олтномерные, так и двумерные. Одномерный координатный детектор позволяет измерять интенсивность всех дифракционных лучей одной слоевой линии (в том числе возникающие одновременно) с регистрацией угловой координаты (а следовательно, и индексов) каждого луча. Аналогичным образом двумерный координатный детектор позволяет регистрировать дифракционные лучи всех слоевых линий. [c.64]

В случае одкокомионентпой системы в уравнение состояния входят три переменные например температура Т, давление р и концентрация С или Т, р и мольный объем V. Любые две из них можно рассматривать как независимые переменные, а третью — как их функцию. В большинстве случаев в качестве независимых переменных принимают температуру и давление. Откладывая значение этих двух переменных по двум осям прямоугольной системы координат, получаем двумерную (плоскую) диаграмму, кал<дая точка на плоскости которой выражает условия (сочетание температуры и давления), при которых находится система. Плоская диаграмма состояния однокомпонентной системы позволяет определить возможное число и характер фаз при выбранных условиях, но никак не отралоет объем системы, а следовательно, и изменения объемов при переходе от одной фазы к другой. Эти изменения могут быть очень значительными, например при переходе жидкости или кристаллов в пар. Так, при 273 К Упар/ вода=1240. [c.269]

ЭЛЕКТРОКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, переход в-ва из ионизиров. состояния в р-ре или расплаве в кристаллическое в результате электрохим. р-ции. Лежит в основе всех процессов электроосаждения металлов, а также формирования слоев оксидов и труднорастворимых соед. на аиоде (напр., при образовании электролитич. защитно-декоративных покрытий, в произ-ве хпм. источников тока). Отличается от обычной кристаллизации из пара или р-ра тем, что построе-ншо кристаллич. структуры предшествует перенос заряда с электрода на ион или оба этн акта протекают одновременно. Возникновение зародышей новой фазы при Э. требует определ. пересыщения, к-рое определяется перенапряжением на электроде. Чем выше перенапряжение, тем большее число зародышей возникает в единицу времени на данной площади. Зародыши разрастаются в результате послойного роста граней. Процесс может идти с образованием двумерных зародышей илн по закону слоисто-спирального роста на винтовых дислокациях (см. Рост кристаллов). В результате линейного роста кристаллов происходит их слияние с образованием сплошного слоя электролитич. покрытия. [c.698]

Блок-сополимеры типа АВ или АВА в твердом или студнеобразном состоянии образуют структуры с сегрегированными доменами, состоящими из блоков только одного вида. Классические структуры для линейных систем изображены на рис. II. 4. Автор настоящего раздела предложил именовать их суперрешетками или суперкристаллами [37]. Безотносительно к работе 37], написанной в 1976 г., эта терминология теперь прижилась, ермин суперкристаллы оправдан тем, что в существенно гомо-дисперсных системах сегрегированные домены образуют совершенно правильные трехмерные, двумерные или одномерные структуры. Их электронные микрографии неотличимы (за исключением масштабов) от решеток обычных кристаллов, и могут даже наблюдаться дислокации. Характер решеток зависит от содержания блоков типа А или В структуры, показанные на рис. II. 4, могут переходить друг в друга в присутствии некоторых растворителей или при изменениях температуры правда, способность к таким полиморфным превращениям зависит от реальной структуры блоков. [c.77]

Осознавать, что такое поведение вещества воэможно, физики начали еще в довоенные годы, когда и не думали о ДНК или о реальных одномерных кристаллах. Просто никак не удавалось построить полную теорию фазовых переходов в настоящих трехмерных кристаллах (это получилось лишь совсем недавно — в 70-х годах), и возникла мысль, что, может быть, удастся это сделать хотя бы для одномерного или двумерного кристаллов. Проанализировать первый вариант оказалось совсем просто. Но вот беда — никакого фазового перехода не получалось. Глубокий смЬгсл этой неудачи был понят нашим знаменитым соотечественником Львом Давидовичем Ландау. Вот что он писал (вместе с Е. М. Лифшицем) в 1938 г. Во всякой одномерной системе не может существовать фаз, так как оии стремились бы перемешиваться друг с другом . Это утверждение, известное во всем мире как теорема Ландау , долгов время считалось чисто негативным, означающим только, что одномерная система — никуда негодная модель для теоретического рассмотрения проблемы фазовых переходов. [c.41]

Неавтономность адсорбционного слоя и связанное с ней влияние на его строение поверхности адсорбента являются причиной большего разнообразия поверхностных фаз по сравнению с объемными. Условно фазы адсорбированного монослоя можно подразделить на две группы 1 фазы, структурно связанные со строением поверхности адсорбен-тга, 2) фазы, структурно не зависящие от ее строения. Интерпретация явлений, относящихся ко второй группе, проще и основана на прямой аналогии с обычными трехмерными фазами. Действительно, рис. 1 полностью эквивалентен трехмерной фазовой диаграмме и на нем легко выделяются области двумерных газа, жидкости и кристалла. Молекулы двумерного газа, находящиеся в адсорбционном слое, так же как и трехмерного, мобильны и мало влияют друг на друга, но двумерному кристаллу свойственно регулярное расположение молекул в слое. Ниже температуры тройной точки возможны фазовые переходы между двумернцм газом и двумерным кристаллом в интервале температур между тройной и критической точками возможно сосуществование двух из следующих фаз двумерный газ, двумерная жидкость, двумерный кристалл наконец, выше критической температуры возможны переходы между кристаллом и сверхкритическим флюидом. Для теоретического описания фазовых переходов в таких слоях используются двумерные аналоги обычных уравнений состояния. В частности, нашли применение двумерное уравнение состояния Ван-дер-Ваальса, уравнения теории свободной площади (аналог теории свободного объема жидкости), двумерное вириальное уравнение состояния. Подробный обзор двумерных уравнений состояния дан в работе [6]. [c.26]

Типы адсорбционных ппенок. Адсорбционные пленки принято делить на три основных типа мономолекулярные, полимолекулярные (многослойные) и конденсированные (жидкие). При низких температурах адсорбированные молекулы обычно прочно связаны с центром адсорбции. Эти процессы детально исследованы для пластинчатых кристаллов типа графита, BN, alj и Т.Д., на которых легко получить однородные поверхности. При этом часто образуется двумерная пленка, строение которой определяется структурой кристалла-подложки. Примером таких процессов (называемых двумерной конденсацией) может служить адсорбция ксенона Хе на графите, экспериментальные характеристики которой приведены на рис. 4.3, а. Наблюдаемый фазовый переход аналогичен обычным фазовым переходам газ — твердое тело и отличается от них лишь только тем, что при малой степени заполнения поверхности адсорбированные молекулы достаточно прочно связаны с адсорбентом и не переходят в газообразное состояние. Количество адсорбированного ксенона определяли методом оже-спектроскопии и одновременно структуру пленки изучали методом дифракции медленных электронов. На рис. 4.3, б представлены данные по адсорбции криптона на поверхности измельченного КС1 ( уд = 1 м /г). [c.77]

Особенностью кристаллизации двуокиси циркония является наличие полиморфизма около 1000° С (охлаждение) тетрагональная модификация переходит в моноклинную. При этом в соответствии с вышеизложенным изменяется активность растуш,их граней преимущественный одномерный рост в направлении оси а грань (100), характерный для тетрагональной 2г0г, сменяется двумерным, присущим большинству окислов с моноклинной структурой. Вследствие этого при скоростях охлаждения расплава менее 25° С/мин начинается интенсивный рост грани (010), что приводит к появлению на боковых поверхностях и у вершин игольчатого кристалла характерных наростов. Для предотвращения этого явления необходимо либо прерывать процесс кристаллизации до начала полиморфного превращения путем быстрого охлаждения расплава с температуры 1000° С, либо увеличивать скорости охлаждения до 50—100° С/мин. [c.209]

При незначительной адсорбции молекулы жирных кислот лежат плашмя на поверхности воды, но по мере насыщения карбоксильные группы вытесняют с поверхности радикалы, и молекулы становятся перпендикулярно к поверхности. В первом случае молекулы сохраняют на поверхности поглотителя некоторую подвижность, переходя от одних адсорбционных центров этой поверхности к другим получается аналогия с движением молекул газа (.двумерный газ ). По мере насыщения, подвижность их уменьшается, пока они не сконденсируются сначала в двумерную жидкость , а затем и в. двумерный кристалл с правильной плоской решеткой. Это строение поверхностных пленок было разъяснено точными измерениями зависимости поверхностного натяжения от юверхности пленки (Адам, 1921 —1930). Свободная подвиж-юсть адсорбированных молекул на поверхности поглотителя 5ыла доказана прямыми опытами Фольмера и его сотрудников (1925). [c.359]

Деление р-элементов на металлы и неметаллы имеет условный характер. В принципе все неметаллы при очень высоких давлениях можно перевести в металлическое состояние. В частности, гелий-1 при —271 °С и давлении 5050 Па переходит в гелий-П, у которого обнаружена теплопроводность более высокая, чем у Ag. Алмаз при давлении 60 ГПа и 10ЮО °С также приобретает металлические свойства. Некоторые полиморфные модификации таких неметаллов, как С, Р, As, Sb и Se, обладают высокой теплопроводностью, электрической проводимостью, металлическим блеском. В свою очередь, у металлов также встречаются полиморфные модификации, обладающие свойствами неметаллов, например a-Sn. Часть р-элементов в виде простых веществ обнаруживает склонность к образованию полимерных цепочечных и циклических трехмерных и двумерных молекул. Особенно это заметно проявляется у элементов второго и третьего периодов В, С, Si, Р и S. Так, алмаз представляет одну гигантскую молекулу Сх, в которой каждый атом углерода окружен тетраэдрически четырьмя другими атомами углерода. Тетраэдрическая молекула Р4 и циклическая Sg существуют не только в кристаллах, где они связаны между собой межмолекулярными силами, но и в растворах, расплавах и газообразном состоянии. Карбин — линейная модификация углерода — состоит из цепей, [c.349]

Отметим, что при переходе к двумерным и трехмерным кристаллическим системам необходимо заменить скалярные величины и ка на векторы (в реальном пространстве х, у, г) и векторы к (в обратном пространстве). В этом случае в показателях мнимых экспоненциальных множителей в уравнении (1.4) вместо произведения двух скалярных величин каКт) появится скалярное произведение (к соответствующих векторов. Следует, однако, отметить, что подобные преобразования вызовут лишь некоторые дополнительные математические сложности, но никак не повлияют на физическую суть излагаемых далее полуэмпири-ческих подходов к описанию зонной структуры кристаллов (см. подразд. 1.3). [c.12]

Первый потенциал (23.1) описывает несобственные ферроэлектрические переходы в орторомбических и тетрагональных кристаллах и отвечает различным двумерным НП пространственных групп для разных точек зон Б яшлюэна. [c.151]

Смотреть страницы где упоминается термин Кристаллы двумерные переходы: [c.85] [c.108] [c.510] [c.252] [c.39] [c.39] [c.167] [c.510] [c.698] [c.322] [c.184] [c.68] [c.252] [c.355] [c.262] [c.168] [c.53] [c.73] [c.312] [c.134] [c.162] [c.165]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология