Проводимость катионная, механизм

Механизм проводимости в полупроводниках п- и р-типа, а также в истинных полупроводниках называют, как травило, механизмом Вагнера. Механизм проводимости в ионных проводниках называют механизмом Френкеля, а механизм электропроводности и диффузии в случае смешанной ионной проводимости называют механизмом Шоттки, Сюда же надо включить I5 амфотерные проводники, механизм проводимости которых в зависимости от внешних условий может быть одним из пяти перечисленных механизмов или, быть может, так называемым обратным механизмом по Шоттки (56) с катионами и анионами в междоузлиях решетки. [c.52]

Возможен перенос иона как ординарным переносчиком, так и коллективом переносчиков (схема коллективного транспорта). Другая модель — модель эстафетного переносчика — предполагает, что переносчики неподвижны и образуют цепи, расположенные поперек мембраны, а катионы пересекают мембрану вдоль этих цепей, перескакивая от одного переносчика Т к другому. Обе модели приводят к колоколообразной зависимости проводимости мембран на постоянном токе от концентрации ионов. Однако при малом содержании С+ в растворе и больших концентрациях Т" в мембране проводимость ее по переменному току высокой частоты мала для эстафетного механизма и значительна при механизме подвижных переносчиков. [c.141]

На первый взгляд может показаться,что проводимость кристалла должна определяться суммой двух членов вида (508), так как дефекты обычно встречаются парами. В кристаллах с дефектами Шоттки вакантным катионным узлам решетки соответствует равное количество вакантных анионных узлов решетки. В случае дефектов по Френкелю ионам в междоузлиях отвечает такое же число дырок. В действительности же энергия активации i/g носителей заряда различна, и это различие благодаря экспоненциальной зависимости а от Uq обусловливает доминирующую роль одного какого-либо сорта ионов. Поэтому, согласно (508), график зависимости 1п аТ от обратной температуры должен представлять собой практически прямую линию. Однако на практике часто определяют зависимость 1п а от и оказывается, что это дает также прямую линию (рис. 123). Вообще говоря, член 1п Т не настолько существен, чтобы вызвать отклонения от линейности. График зависимости 1п а от Т может представлять собой прямую линию даже в том случае, когда проводимость обусловлена более чем одним механизмом. Например, для чистого КС1 зависимость ]п а от Т оказывается почти линейной (см, рис. 123). Поэтому на основании линейного характера таких кривых нельзя утверждать, что имеется только один тип носителей заряда. [c.283]

В ряде случаев, однако, зона проводимости становится очень узкой, электроны локализованы вблизи атомных остовов, и проводимость осуществляется по механизму перезарядки [20—22]. В таком случае ион металла решетки сохраняет свои индивидуальные свойства и механизм переноса электрона, базирующийся на коллективных свойствах электронов катализатора, становится неприемлемым. Переход электронов от окисляемого субстрата к твердому катализатору будет приводить к обычной реакции восстановления катиона переменной валентности, входящего в состав решетки катализатора, аналогично тому, как это происходит в растворе, например [c.16]

При любой температуре в решетке должно находиться конечное равновесное число дефектов даже в случае идеально чистого стехиометрического твердого тела. Эти дефекты возникают различными путями. Шоттки впервые предположил, что механизм ионной проводимости может быть объяснен с помощью анионных и катионных вакансий, которые присутствуют в равном количестве. Эти [c.171]

Для рассматриваемых простых случаев предложены два основных механизма возникновения проводимости. Решетка закиси меди, вероятно, имеет катионные дефекты, приводящие к избытку анионов и положительных дырок, которые локализуются с образованием ионов двухвалентной меди. [c.181]

Механизм проводимости закиси меди является результатом общего дефицита электронов, имеет полупроводниковую природу (электрическая проводимость возрастает е ростом температуры) и относится к р-типу, т. е. зависит от положительных Последние не следует смешивать с незанятыми катионными вакансиями, которые являются дырами в смысле вакансий в решетке, тогда как положительные дыры относятся к незаполненным зонам проводимости в самой наружной зоне Бриллюэна окисла. Схематическое расположение ионов в структуре закиси меди представлено на фиг. 9. [c.31]

Число переноса. В растворах электролита электричество частично переносится катионами, частично — анионами, мигрирующими в противоположных направлениях. Ток или плотность тока (если отнести ток к 1 см поперечного сечения) представляет собой сумму абсолютных величин количества электричества, переносимого за 1 с в противоположных направлениях разноименно заряженными ионами, так как для электрического тока перемещение положительных электрических зарядов в одном направлении эквивалентно перемещению того же количества и с той же скоростью отрицательных зарядов в противоположном направлении. Таким образом, появление электрического тока (в пространстве вне изучаемого проводника) не зависит от того, переносится ли ток ионами в электролитах (биполярная проводимость) или же электронами в металлах (униполярная проводимость). Однако внутри проводника (электролита или металла) механизм проводимости существенно различается. [c.308]

Полупроводниковый механизм рассматривает окислительно-восстановительные процессы в пигментных слоях хлорофилла с позиций электроники твердого тела [27]. Он предполагает миграцию зарядов по зоне проводимости или валентной зоне (в последней возникают светоиндуцированные вакансии) к центрам захвата — химическим акцепторам или донорам электронов. При экситонной миграции энергии в пигментной матрице нейтральный экситон может мигрировать к реакционному центру, где и происходит его диссоциация на два противоположно заряженных носителя. Разделение зарядов может иметь место не только в реакционном центре, но и на дефектах структуры пигментной матрицы [28]. В этом случае носители заряда раздельно мигрируют в матрице электронная вакансия (р) захватывается в активном центре, приводя к образованию катион-радикала хлорофилла (бактериохлорофилла), а электрон (е) — первичным акцептором, который может быть локализован вдали от активного центра. Центры захвата носителей заряда в пигментной матрице, обладающие низкой потенциальной энергией, разделены в пространстве в результате миграции зарядов по зоне проводимости или валентной зоне. В них инициируются первичные химические реакции фотосинтеза. [c.22]

Данные о строении молекулы воды позволяют оценить путь, который пройдет ион водорода при одном перескоке протона. Протон проходит 0,86 А, что отвечает перемещению катиона гидроксония на 3,1 А. Естественно, что при таком механизме проводимости скорость, а следовательно и подвижность иона водорода оказываются значительно больше, чем у ионов, просто движущихся в электрическом поле. [c.92]

В начале этого века в физике твердого тела господствовали кристаллографические концепции, согласно которым кристаллические твердые тела составлены из регулярно и плотно упакованных атомов или ионов, занимающих все разрешенные позиции— узлы кристаллической решетки. Такое представление не оставляло места сколько-нибудь плодотворным моделям процессов переноса вещества в кристаллах. Действительно, в целиком заполненной кристаллической решетке транспортные процессы могут осуществляться только путем непосредственного обмена местами соседних атомов. Такой механизм еще мог бы как-то объяснить диффузию в твердых телах, но никак не объясняет ионную проводимость. Действительно, обмен местами одноименно заряженных ионов не приводит к перемещению электрического заряда. Обмен же местами катиона и аниона требует настолько больших затрат энергии (л 15 эВ), что вероятность такого события ничтожно мала (при комнатной температуре один раз за 10 °° лет, при температуре плавления — один раз за 10 ° лет). [c.21]

Известно, что монооксид никеля (N10 в кислородсодержащих атмосферах является преимущественно электронным проводником р-типа. Поэтому при интерпретации экспериментальных результатов можно полагать с высокой степенью точности <т х и для константы параболического закона пользоваться формулами (7.44) и (7.46). В свою очередь, ионная проводимость в N 0 обусловлена практически исключительно катионами От >Оо), движущимися по вакансионному механизму. [c.279]

МЕХАНИЗМ КАТИОННОЙ ПРОВОДИМОСТИ [c.261]

По механизму переноса тока в веществе различают проводимость ионную и проводимость электронную. Подавляющему большинству силикатных стекол, как диэлектрикам, свойственна ионная проводимость. В случае ионной проводимости ток переносится катионами Ме+, в гораздо меньшей степени, катионами Ме + и очень редко, как исключение, анионом F-. Доказательств переноса тока катионами Ме + и анионами в твердых силикатных стеклах не имеется. [c.26]

Как показывают исследования спектральных характеристик фосфоров ряда ZnS dS [122], уровни акцепторов одинаковой природы, например Ag , u , занимают в ZnS и dS почти одинаковое положение по отношению к валентной зоне. Это можно объяснить тем, что не только природа дефекта в катионном узле, но и анионное окружение остаются без изменения. По этой же причине примерно одинаковым по отношению к валентной зоне должно быть и положение уровней Vm и vin Р с- 82). В результате уровень V м в dS оказывается значительно ближе к зоне проводимости, чем в ZnS, и потому, как об этом уже говорилось в гл. III, 2, при температуре формирования люминофора вакансией кадмия захватывается только часть электронов, теряемых галогеном или трехвалентным металлом. Это приводит к механизму компенсации, который в случае dS- l может быть выражен уравнением [c.198]

В заключение следует упомянуть еще один механизм образования тройных оксидных кристаллов, который весьма вероятен при проведении реакции в атмосфере кислорода. Если продукт реакции имеет достаточно высокую проводимость, катионы вместе с эквивалентным потоком электронов перемещаются в одном и том же направлении, тогда как кислород переносится через газовую фазу между границами АО—АВ2О4 и АВ2О4—В2О3. Если электронная составляющая проводимости намного выше катионной, то константу скорости реакции можно рассчитать, применив уравнение (2.85) или подобное ему для катиона В +. [c.122]

Механизм, который предложили Кабрера и Мотт (]949 г.), исходит и из существования на металле образовавшейся в процессе хемосорбции кислорода пленки, в которой ионы и электроны движутся независимо друг от друга. При низких температурах диффузия ионов через пленку затруднена, в то время как электроны могут проходить через тонкий еще слой окисла либо благодаря термоионной эмиссии, либо, что более вероятно, вследствие туннельного эффекта (квантово-механического процесса, при котором для электронов с максимальной энергией, меньшей, чем это требуется для преодоления барьера, все же характерна конечная вероятность того, что они преодолеют этот барьер, т. е. пленку), обусловливающего высокую проводимость окисной пленки при низких температурах. При этом на поверхности раздела металл— окисел образуются катионы, и на поверхности раздела окисел— газ—анионы кислорода (или другого окислителя). Таким образом, внутри окисной пленки создается сильное электрическое поле, благодаря которому главным образом ионы и проникают через пленку, скорость роста которой определяется более медленным, т. е. более заторможенным, процессом. [c.48]

Так как коррозионные процессы в большинстве случаев протекают по электрохимическому механизму, то большое значение для этих процессов имеют свойства растворов электролитов. Электролитами называются проводники второго рода, электропроводность которых обусловлена передвижением ионов в электрическом поле (ионная проводимость) положительно заряженных катионов и отрицательно зарял<енных анионов. Проводниками второго рода обычно являются водные растворы солей, кислот и оснований, а также эти вещества в расплавленном состоянии. Электролитами могут быть и некоторые неводные растворы. Наряду с сильными электролитами, -полностью диссоци-ируклцими в растворах на ионы, некоторые вещества, например органические кислоты, лишь частично распадаются на ионы их принято называть сла быми электролитами. [c.11]

В предыдущих разделах речь шла об идеальном кристалле, в котором все частицы занимают свои правильные положения и движение их сводится к колебаниям. Однако модель идеального кристалла не позволяет объяснить механические и транспортные свойства реальных кристаллов. Значение силы сдвигэ, вызывающей остаточную деформацию, для реальных кристаллов оказывается на порядки меньше теоретического значения для идеального кристалла. Проводимость реальных кристаллов значительно выше, чем это было бы в случае идеальной решетки. Проводимость идеального ионного кристалла должна быть ничтожной, так как единственный возможный механизм ее — обмен местами соседних ионов противоположного знака (вхождение катиона в решетку анионов и наоборот), а это энергетически чрезвычайно невыгодный и при обычных температурах фактически нереализуемый процесс. Но, как показывает опыт, ионные кристаллы при обычных температурах обладают заметной проводимостью. [c.189]

Теперь мы обратимся к краткому рассмотрению того, как описанные фотохимические изменения превраш,аются в электрический импульс, который стимулирует мозг. Существуют доказательства, что одиночный квант света может вызвать раздражение палочки сетчатки. Однако поглощение одного кванта еще не создает эффекта зрения. Для этого требуется попадание нескольких квантов (согласно разумной оценке, от двух до шести квантов) в одну и ту же палочку в течение относительно короткого временного промежутка. Но даже в этом случае процесс весьма эффективен, а энергия конечной реакции существенно превосходит энергию, поглощенную зрительным пигментом. Поглощение света инициирует цепь реакций, черпающих энергию из метаболизма. Тем самым зрительное возбуждение является результатом усиления светового сигнала, попадающего в сетчатку. Фоторецептор служит биологическим эквивалентом фотоумножителя, который преобразует кванты света в электрический сигнал с большим усилением и низким шумом (см. гл. 7). И фоторецептор, и фотоумножитель достигают большого коэффициента усиления с помощью каскада стадий усиления. Зрительные пигменты представляют собой интегральные мембранные белки, которые находятся в плазме и мембранах дисков внешнего сегмента фоторецептора. Фотоизомеризация ретиналя вызывает серию конформационных изменений в связанном с ним белке и тем самым образует или раскрывает ферментативный активный центр. Следует каскад ферментативных реакций, которые в конце концов дают нервный импульс. Электрический ответ начинается с кратковременной гиперполяризации, вызванной закрытием нескольких сотен натриевых каналов в плазматической мембране. Таким способом молекулы-посредники (мессенджеры) передают информацию от диска рецептора к мембране плазмы. Вероятным кандидатом на роль мессенджера является богатый энергией циклический фосфат цГМФ (гуанозин-3, 5 -цикломонофосфат), возможно, в сочетании с ионами Са +. Было показано, что катионная проводимость плазматических мембран палочек и колбочек прямо контролируется цГМФ. Таким образом светоиндуцированные структурные изменения диска активируют механизм преобразования, который сам генерирует потенциал, распространяющийся по плазматической мембране. В настоящее время детали механизмов преобразования и усиления продолжают исследоваться. Была предложена схема, основной упор в которой делается на центральную роль фосфодиэстеразы в процессе контроля за кон- [c.241]

Единой теории подбора К. ие существует. Многие К., широко применяемые в пром-стн, подобраны эмпирич. путем. Однако развитие представлений о механизме катализа позволяет сформулировать нек-рые принципы подбора К., пригодньгх для отдельных типов р-ций. Принимая за основу ту или иную теорию действия К., стремятся найти к.-л. независимую, хорошо изученную характеристику К., к-рую можно связать с каталитич. активностью. Напр., установлены корреляции активности К. с числом /-электронов иа орбитали катиона (для простых оксидов), параметром кристаллич. решетки, электрич. проводимостью, зарядом и радиусом иона, энергией хим. связи, кислотностью и др. Основой этих корреляций, как правило, является положение элементов, входящих в К., в периодич. системе. [c.337]

ЭЛЕКТРОЛЙТЫ ТВЕРДЫЕ, в-ва, в к-рых электропроводность осуществляется движением ионов к.-л. одного знака -катионами или анионами. Ионы передвигаются по свободным позициям в структуре в-ва, разделенным невысокими потенц. барьерами (0,1-0,5 эВ). Кол-во позиций, к-рые могут занимать ионы проводимости, намного больше кол-ва самих ионов. Кроме того, эти позиции могуг различаться по степени заселенности ионами. Напр., в элементарной ячейке ot-Agl на 42 позиции приходятся 2 иона Ag, причем 12 тетраэдрич. позиций являются предпочтительными. Т. обр., подрешетка ионов проводимости разупорядочсна, в то время как остальные ионы Э. т. образуют жесткий каркас, и их перенос возможен по обычным механизмом образования точечных дефектов (вакансий и междоузельных ионов). [c.435]

На основании данных об электропроводности и емкости ряда дегидратированных в высоком вакууме при 450 °С цеолитов типа X п Y с одновалентными катионами (Li+, Na , К , Ag , Rb+, s+) и декатионированных форм У, полученных из NH4Y, был сделан вывод о существовании двух механизмов проводимости [32]. [c.415]

Согласно одному из механизмов, названному высокотемпературным (> 350 °С), электропроводность определяется подвижностью катионов. При 700 °С проводимость является функцией радиуса обменного катиона. Электропроводность а у цеолита X значительно выше, чем у цеолита Y. В случае цеолита X а падает с ростом радиуса катиона (рис. 5.32). Электропроводность дека-тиопированных образцов зависит от остаточного содержания натрия (рис. 5.33). [c.415]

Низкотемпературный механизм (< 350 °С) описывает зависящий от частоты процесс, приписанный перемещению катионов в больших полостях, ограниченному энергетическими барьерами. Если предположить, что проводимость обусловлена только катионами, локализованными в больших полостях, то следует также допустить, что расположенные в местах S,, ионы должны мигрировать последовательно через три 4-члеппых кольца, чтобы достичь следующее место S . Эта стадия высокотемпературного механизма и является лимитирующей. Энергия активации электропроводности АЕ представляет собой энергию, необходимую для перехода через энергетический барьер, отделяющий места S от Sj,,. Во всех цеолитах типа X имеются катионы, расположенные в местах S,,,, в то время как в цеолитах типа У такие катионы отсутствуют. [c.416]

Такой механизм вероятен, если катионы решетки катализатора можно считать независимыми друг от друга. У правых членов ряда Зс -окислов (МпгОз, РегОз, С02О3, N 203) отсутствует взаимное перекрытие электронных уровней катионов решетки с образованием обобщенных зон проводимости, и электропроводность в этом случае связана только с перезарядкой ионов, включая и туннельные переходы электронов [19]. По механизму уравнения (1.36) чаще происходит разрыв связей С—Н, а не двойных связей. Катализаторы, на которых процесс протекает таким образом, целесообразно называть а-активирую-щими. [c.39]

СВЯЗЬЮ, может осуществляться путем затягивания электронов молекулы в решетку катализатора. В этом случае на поверхности будут образовываться я-комплексы, в общем аналогичные обычным п-комплексам, образуемым отдельными катионами, например палладия, платины, серебра и некоторыми другими. Вероятность затягивания я-электрона велика в случае делокализации электронов и наличия в твердом теле зоны проводимости или достаточно высокой электропроводности по механизму перезарядки ионов. На катализаторах, обладающих свойствами образовывать поверхностные я-комплексы, в первую очередь будет подвергаться атаке двойная связь. Такого рода катализаторы можно назвать я-активирующими. По исследованиям Рунея [25], некоторые металлы, в первую очередь палладий, также являются я-активирующими катализаторами. [c.40]

Механизм ионной миграции. и электропроводности изучали в многочисленных исследованиях, каждое из которых раскрывает сущность того или иного аспекта проблемы. По современным представлениям основы теории Эйринга корректны, но многие вопросы остаются неясными. Подробное изучение механизма проводимости в растворах бинарного электролита, проведенное Хорном и сотр. [24], подтвердило вывод об образовании вакансий в растворе 1 1-электролита вблизи движущегося иона как о скорость определяющей стадии ионной миграции и проводимости электричества. Однако не известно точное число молекул воды, переносимой ионом-при его переходе в вакансию. В теории структуры водьг Франка—Вена (разд. 1.3.3,8) лредполагают, что в кластераХ молекул воды, содержащих ионы, катион замещает молекулу воды . Вакансия может образоваться и в кластере, так же как и между молекулами мономерной воды. [c.328]

В соответствии с общими представлениями о прототроп-ном и гидродинамическам механизмах проводимости воздействие на воду, разрушающее ее структуру, уменьшает участие в проводимости протонных переходов и повышает гидродинамическую подвижность ионов. Воздействия, приводящие к образованию и расширению структуры воды, вызывают противоположный эффект. Однако результаты исследований Робертса и Норти [46д] растворов, содержащих ионы С(12+, не согласуются с этой моделью. Кроме того, к присутствии галогенидов щелочных металлов влияние анионов на подвижность протонов сильнее, чем влияние катионов. [c.340]

По данным измерения проводимости четвертичных. (метил, бутил- и гексил-) перхлоратов аммония в водных и неводных растворах и смесях растворителей видно [102в, 102г], что в сравнимых условиях степень ассоциации в водных растворах и омеси вода—диоксан повышается при возрастании длины боковой цепи иона, но подобная зависимость не наблюдается в спиртах и других растворителях с водородными связями. Следовательно, ионы ассоциируют по двум разным механизмам. В спиртах и аналогичных растворителях отдельные ионные пары образуются благодаря электростатическому взаимодействию ионов. Его можно рассматривать как взаимодействие нвполяризуемых сферических ионов в среде — континууме, молекулярные свойства которой не учитываются (т. е. пренебрегается специфическим взаимодействием между ионами и молекулами растворителя). В результате данного типа ассоциации образуются лишь контактные ионные пары, а ассоциация в значительной мере зависит от десольватации аниона. С другой стороны, в водных растворах степень ассоциации повышается при увеличении гидрофобной части катиона, очевидно, вследствие изменения структуры воды под влиянием углеводородной группы. Образованию ионных пар в некоторой мере способствует структура воды, и это можно связать лишь с ее трехмерными структурными элементами. [c.369]

Так, фазы a-AgsS и a-Ag2Se, существующие при температурах соответственно выше 178 и 130°С, изоморфны и a-Agl. Основой их структуры является жесткий объемно-центрированный каркас из анионов или Se -, а два катиона Ag+ статистически распределены по тем же 21 кристаллографическим позициям, что и в a-Agl. Поэтому механизм ионной проводимости в этих соединениях аналогичен описанному выше для a-Agl. [c.53]

О механизме проводимости в стеклах, как показано в [16] можно судить по величине энергии активации процесса. Между энергией активации Пр (см. уравнение 6,2), объемным сопротивлением стекла р и механизмом переноса тока существует среднестатистическая взаимосвязь, а именно в условиях равенства Рзад и Т электронная проводимость в оксидных стеклах происходит при меньших значениях энергии активации, чем катионная [c.27]

В обоих случаях в зону проводимости переходят добавочные электроны. При этом в случае приведенного нами примера в поверхностном слое возникает избыточный пространственный заряд за счет свободных электронов, что также уже ранее было количественно сформулировано в известной работе [4]. Можно лишь тогда ожидать перезарядки соседних катионов, если внутренняя термическая энергия (температура) допускает заметную ассоциацию, которую при низких температурах опытов следует непременно учитывать. Этот процесс ассоциации, приводящий к переходу от отсутствия доноров к их резерву, не обусловлен, однако, хемосорбционным механизмом и регулируется только состоянием заполнения в полупроводнике (потенциалом Ферми, внутренним равновесием десЬектов). [c.109]

Френкель предложил, например, следующий механизм ионной проводимости в кристаллах Ag l и AgBr. В состоянии термодинамического равновесия кристалла некоторые ионы серебра занимают положение между узлами решетки, как это показано на рис. 9. Ионы серебра из этого промежуточного положения (междоузлия) могут мигрировать в смежное промежуточное положение, а также переместить ближайший ион серебра из узла решетки в междоузлие (правая часть рис. 9). Кроме того, ион серебра из узла в решетке может перейти в смежное незанятое место катиона (показанное на рис. 9 квадратом), а на месте первоначального положения (узла) решетки, откуда мигрировал ион. [c.24]

Бсли этот механизм отражает истинную картину проводимости, то эквивалентные электропроводности при бесконечном разбавлении оснований с одинаковой валентностью катиона должны быть [c.84]

Мембраны из поликристаллических галогенидов серебра обладают катионной проводшостью. Числа переноса ионов серебра в этих соединениях близки к единице. Галогениды серебра имеют разупорядо-ченность по Френкелю и сравнительно высокую подвижность точечных дефектов. Основными механизмами ионного перекоса в монокристаллах галогенидов серебра являются прямой и непрямой межузельные механизмы с коллинеарными и неколлввеарвыми скачками А 20. В поликрв-сталлических галогенидах серебра существенна поверхностная проводимость ионов серебра Ag . Поскольку основными носителями тока в данных соединениях являются ионы серебра, то поликристалличе- [c.170]

В ионных решетках наблюдаются средние координационные числа 6, с отклонениями до 8 и 4, вызванными взаимодействием электронных оболочек координационное число 8, как оказалось, вызвано дополнительным притяжением оболочек больших ионов, например sl, sBr, s l, под действием дисперсионных сил, см. ниже. Координационное число 4 обусловлено поляризацией ( IV. 14—IV. 15) электронной оболочки аниона силовым полем катиона (например, dS или ZnS), причем характер связи становится ковалентным. Энергетическая прочность связи характеризуется энергией решетки ( IV. И). Электропроводность ионных решеток с повышением температуры растет. В отлпчие от ковалентной и металлической решеток механизм проводимости ионных решеток ионный. Вещества, имеющие такой механизм проводимости, являются диэлектриками (или полупроводниками). [c.262]

В [30], [31] были подробно изучены электрофизические свойства Gосновным механизмом рассеяния электронных волн является рассеяние на катионных вакансиях. Введение примесных атомов (до 1 ат.%) не привело к появлению примесной проводимости (за исключением иримесей Bi и I2) и к изменению концентрации носителей. Исходя из развитых в [32] представлений, авторы объясняют это тем. что велич1ша дополнительного электрического поля, вызванного появлением вакансий, нарушающих периодичность, превышает энергию активации примесных центров, так что образование последних делается невозможным. В [30] был сделан вывод, что сходство названных структур с аморфными — стек.ггообра.чяь м 1 — полупроводниками позволяет счи- [c.383]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология