Ковалентные кристаллы свойства

Большая часть металлов обладает высокой ковкостью, т.е. способностью расплющиваться в тонкие листы, а также пластичностью, т.е. способностью вытягиваться в проволоку. Эти свойства указывают на способность атомов кристаллической решетки металлов скользить друг по другу. Таким свойством не обладают ионные кристаллы, а также кристаллы большинства ковалентных соединений. Ионным и ковалентным кристаллам присущи хрупкость и способность легко раскалываться вдоль определенных плоскостей. [c.360]

Энергия кристаллической решетки в кристаллах этого типа фактически совпадает с энергией химической связи и лежит в пределах 200—500 кДж/моль. Так, энергия кристаллической решетки алмаза составляет 480 кДж/моль. Вследствие столь высокой энергии связи ковалентные кристаллы обладают высокими твердостью, температурами кипения и плавления. Диапазон их электропроводящих свойств велик от типичных диэлектриков (алмаз, нитрид бора, кварц) до полупроводников (кремний, германий) и даже электронных проводников (олово). [c.77]

По энергии кристаллической решетки металлы занимают промежуточное положение между молекулярными и ковалентными кристаллами. В то же время плотность большинства металлов значительна, что свидетельствует об очень плотной структуре металлических кристаллов. С другой стороны, такие свойства металлов, как высокие ковкость и тягучесть, указывают на отсутствие жесткости в металлических решетках их плоскости довольно легко сдвигаются одна относительно другой. [c.79]

Особый тип химической связи наблюдается в металлах. Металлические кристаллы характеризуются большим числом весьма полезных свойств, которые сделали их незаменимым материалом для человечества. К ним относятся высокая отражательная способность, высокая пластичность (способность вытягиваться в проволоку), ковкость, высокие теплопроводность и электропроводность. Эти свойства обусловлены особенностями металлического типа химической связи. Одна из них, как уже упоминалось, обязана высокой подвижности электронов, которая, по-видимому, приводит к тому, что кристаллические решетки металлов не являются такими жесткими, как у типичных ионных или ковалентных кристаллов. Отметим также важную особенность металлов — их способность образовывать сплавы, т. е. давать однородные твердые растворы, отличающиеся новыми, полезными свойствами. Например, сталь — главный конструкционный материал современной техники — представляет собой в основном твердый раствор углерода в железе. Огромную роль на начальных этапах истории человечества сыграли плавящиеся при относительно низкой температуре сплавы меди и олова, т. е. бронза (бронзовый век). [c.163]

Рассмотрим некоторые графы, которые используются для описания структуры кристаллов. Базисное множество в этом случае образуют либо нейтральные атомы (в ковалентных кристаллах), либо ионы (в ионных кристаллах), либо отдельные молекулы (в молекулярных кристаллах), либо группы молекул. Каждому элементу базисного множества ставится в соответствие вершина. Определяются ближайшие соседи (первая координационная сфера). Две вершины считаются смежными, если соответствующий одной из них элемент базисного множества лежит в первой координационной сфере другого элемента. Такой подход дает возможность абстрагироваться от деталей строения элементов базисного множества, которое может быть достаточно сложным, и изучать неметрические свойства кристаллов, определяемые лишь отношением ближайшего соседства. На этом пути появляются графы с бесконечным числом вершин самой разной природы. Их геометрическую реализацию в трехмерном пространстве, называемую в дальнейшем решеткой, обычно выполняют таким образом, чтобы сохранились основные свойства симметрии кристаллов. [c.42]

На рис. 8.1 изображены идеализированные, предельные случаи ионного и молекулярного твердого вещества. Совокупные свойства больщого числа образующих их частиц, например температуры плавления и кипения или ковкость, зависят от многих факторов, включая размеры, геометрическое расположение, заряды и электронное строение частиц. Следует также иметь в виду, что обсуждаемые модели описывают чисто ковалентные и чисто ионные связи, в то время как связи в больщинстве реальных веществ имеют промежуточный характер. Кроме того, помимо молекулярных и ионных кристаллов, существуют еще металлические и так называемые ковалентные кристаллы, которые подробно рассматриваются в гл. 10. [c.130]

Свойства ковалентных кристаллов существенно отличаются от описанных выше свойств молекулярных веществ. Ковалентные кристаллы, к числу которых относятся алмаз, графит, кремнезем (оксид кремния), сложные силикаты и глинозем (оксид алюминия), по существу представляют собой единые гигантские молекулы (см. рис. 21.7). Ковалентные связи в этих веществах образуют непрерывную сетку, связывая все атомы кристалла в протяженный каркас.] [c.130]

II. С переходом от линейных к трехмерным полимерам нивелируется значимость особого направления, хотя ковалентные связи в плоскости или объеме продолжают вносить свой вклад в ряд свойств. Опять сошлемся на алмаз это совершенный ковалентный кристалл и именно поэтому он обладает рекордной твердостью. Но физически он неинтересен , так как все его связи равноценны и в этом плане он мало чем отличается от обычного кристалла (разве, что образование мигрирующих дефектов по Френкелю в нем затруднено, но это плохо, [c.324]

В том варианте теории парафинов С Н2 +2> который по характеру приближения аналогичен рассматриваемой теории ковалентных кристаллов, параметру р обычно приписывают значение —6,5 эВ [136—138]. Это приводит к удовлетворительному описанию довольно широкого круга свойств парафинов (и, в частности, их потенциалов ионизации), так что для алмаза мы можем принять оценку р (алмаз) р (парафин) —6,5 эВ, хотя несколько большее значение [р [c.104]

Основой при рассмотрении электрических и других свойств твердых веществ служат схемы энергетических уровней. Зонная теория уровней [134] широко использовалась не только для металлов, которые характеризуются некоторой не полностью заполненной зоной заметной ширины (порядка нескольких эв), но и для полупроводников и изоляторов, которые имеют нижнюю зону (валентную) и верхнюю зону (зону проводимости) (рис. 1). В почти совершенном изоляторе, будь то в твердом ионном соединении, таком, как хлористый натрий, или в ковалентном кристалле, как алмаз, или в молекулярном кристалле, как н-гексан, изолирующие свойства связаны с заполненной нижней зоной. Полупроводниковые свойства могут возникать при появлении положительных дырок в нижней зоне или электронов в зоне проводимости. Наряду с этими [c.661]

Каркасные силикаты. Если у тетраэдра 5104 обобщены все четыре атома кислорода, то образуется трехмерная решетка. В кварце это приводит к ковалентному кристаллу. В некоторых силикатных структурах часть атомов кремния замещается атомами алюминия, тогда для сохранения баланса зарядов дополнительно необходимы еще положительные ионы. Это приводит к образованию трехмерных силикатных структур, свойства которых зависят от наличия в них как ионных, так и ковалентных связей. Каркасные силикаты можно разделить на три группы полевые шпаты, цеолиты и ультрамарины. [c.284]

Гетерополярные соединения склонны образовывать ионные кристаллические решетки, строение которых определяется размерами ионов, величиной сил отталкивания и другими факторами. Характерной особенностью таких решеток является то, что связи иона с каждым из ближайших соседей одинаково прочны. Гомеополярные соединения дают в твердом состоянии молекулярные кристаллические решетки, построенные из отдельных молекул, удерживаемых в кристалле небольшими силами Ван-дер-Ваальса. Наличие в узлах решетки молекул, как дискретных единиц, объясняется присущим ковалентным связям свойством насыщаемости, т. е. тем, что ковалентно связанные атомы одной молекулы уже не могут дополнительно связаться с атомами другой молекулы . Отличия в строении [c.105]

Поскольку силы сцепления в этих кристаллах не зависят от электронных конфигураций составляющих атомов и молекул, при плавлении, испарении или растворении кристалла этого типа уже существующие атомы или молекулы просто рассредоточиваются. В результате многие характерные физические свойства соединения остаются одинаковыми как в твердой, так и в газообразной фазах в отличие от ионных и ковалентных кристаллов, которые должны деполимеризоваться, чтобы дать простые (очень отличающиеся) молекулы, а последние образуют уже пары соединения. [c.106]

Наличие различных, часто ДОВОЛЬНО сложных структур у простых сульфидов обусловлено тем, что связи М — 8 нмеют в основном гомеополярную природу. Такие связи стремятся образовать между собой определенные углы, и число их ограничено. Далее, полуметаллические свойства многих сульфидов показывают, что все связывающие электроны, вероятно, ведут себя не так, как в простых ковалентных кристаллах. Все эти факторы обусловливают сложность кристаллических структур сульфидов, а в комплексных сульфидах встречаются дополнительные усложнения в этих структурах имеются атомы металлов более чем одного типа, каждый из которых имеет свои свойства, влияющие на структуру. Среди минералов имеется чрезвычайное разнообразие комплексных сульфидов, и так как до сих пор сделано сравнительно небольшое число систематических исследований этих соединений, мы упомянем здесь только о некоторых из них, а именно о тех, структуры которых связаны с двумя простыми структурами сульфидов — с цинковой обманкой и вюрцитом. [c.450]

Алмазоподобные соединения, состоящие из двух видов атомов, не могут образовывать чисто ковалентные кристаллы, так как из-за разности электроотрицательностей атомов компонентов в ряде свойств всегда появляется ионная компонента связи. [c.69]

Твердый диоксид углерода обнаруживает свойства молекулярного кристалла (он легко сжимается и сублимирует при 195 К), а твердый диоксид кремния (кварц, рис. 14-34) представляет собой неметаллический каркасный ковалентный кристалл (с высокой твердостью и температурой плавления 1883 К). Объясните это различие свойств двух оксидов, учитывая характер а- и тс-связывания в молекулах СО и SiOj. [c.642]

Читателю предлагается обдумать небезынтересный факт, что при переходе к материализованной трехмерной модели Извинга , примером которой могут служить типичные неорганические ковалентные кристаллы — алмаз или кварц, обсуждаемая уникальная природа физических свойств полимеров исчезает. Действительно, теперь нет больше преимущественного направления все кристаллографические направления практически равноправны, ибо природа межатомных сил во всех направлениях одинакова. Поэтому в таких полимерах плавление и деполимеризация — совпадающие процессы, что является одним из доказательств фазовой природы самой полимеризации. [c.229]

Как и в ковалентных кристаллах, валентные электроны взаимодействующих атомов полностью заполняют зону с более низкой энергией (валентная зона). Зона же проводимости, образованная внешними орбиталями второго атома, пуста, и переброс в нее электронов требует затраты энергии. В кристалле ЫаС1, например, все Зр-электро-ны атомов хлора и Зз-электроны атомов натрия заполняют зону с более низкой энергией, образованную взаимодействием Зр-орбиталей атомов хлора. Зона же, соответствующая Зз-орби-талям атомов натрия (зона проводимости), оказывается незаполненной, причем ширина запрещенной зоны достигает 7 эВ. Электронная проводимость большинства ионных кристаллов примерно на двадцать порядков ниже, чем у металлов. Известен ряд ионных кристаллов, ширина запрещенной зоны у которых не так велика и составляет порядка 2—3 эВ, как, например, у кристаллов СигО. Такие вещества при высоких температурах проявляют полупроводниковые свойства. [c.86]

В связи с принятым делением простых веществ на металлы и неметаллы можно, отметить, что в периодах слева направо усиливаются неметаллические свойства. В группах заметно увеличение неметаллических свойств снизу вверх (наиболее ярко это проявляется в VI, V ll VIII группах). Таким образом, первые группы периодической системы элементов не содержат неметаллов (если не считать Is-элементов, т. е. водород и гелий). Bill группе к неметаллам относится один бор, в IV группе — углерод и кремний, в V группе — азот, фосфор, мышьяк, в VI группе — кислород, сера, селен, теллур, в VII — фтор, хлор, бром, иод, астат. Простые вещества элементов VIII группы при обычных условиях газообразны, а в конденсированном состоянии образуют ковалентные кристаллы, которые уже при незначительном нагревании легко плавятся, а затем из жидкого состояния переходят в газообразное. [c.118]

Исходя из строгой наиравленности и высокой прочности ковалентной связи, предскажите, каковы механические свойства (твердость, пластичность) ковалентных кристаллов. [c.220]

Вещество будет обладать полупроводниковыми свойствами, если в данном состоянии обеспечиваются условия образования насыщенных парноэлектронных связей хотя бы у одного из компонентов (у анионообразователя). В элементарных полупроводниках ковалентная связь образуется заполнением 5- и /з-орбиталей всех атомов. Эти полупроводники подчиняются так называемому правилу октета 8—М, согласно которому атом в ковалентном кристалле имеет 8—N ближайших соседей (уУ — номер группы Периодической системы). Так, кремний, германий и а-олово имеют координационное число 4 (Л = 4), для полупроводниковых модификаций фосфора, [c.318]

По отношению к металлам и некоторым ковалентным кристаллам весьма активными средами являются жидкие металлы. Эффекты адсорбционного понижения прочности могут быть выражены здесь очень ярко характерным примером служит влияние тоН кой пленки ртути на механические свойства монокристаллов цинкг (рис. XI—30). Чистые монокристаллы способны растягиваться нь сотни процентов, превращаясь при этом в тонкую ленту. По мере деформации растет усилие, которое необходимо прикладывать к образцу для обеспечения дальнейшего деформирования (этот рост напряжения пластического течения по мере увеличения деформации, связанный с увеличением плотности дефектов в кристалле, называется механическим упрочнением, или наклепом, — ср. замечание о зависимости т =т (у) в 2). Лишь при значительных напряжениях порядка нескольких килограммов на квадратный миллиметр (10 Н/м ) и удлинении кристаллов в несколько раз они разрываются. Нанесение ртути резко изменяет поведение монокристаллов уже после деформации около 107о происходит разрыв образцов с хорошо выраженным хрупким сколом по плоскости спайности (плотности базиса (0001)), и напряжение разрушения составляет лишь сотни граммов на квадратный миллиметр (10 Н/м2). [c.338]

В ковалентных кристаллах подвижность дислокаций при низких температурах ограничена большими значениями напряжений Пайерлса. Так, для Ое и 51 было установлено, что существенная пластическая деформация и заметная подвижность дислокаций обнаруживаются при Т > 0,4 Тпл [1,2]. Теория термоактивационного движения дислокаций в поле напряжений разработана недостаточно, и, как показано в [3, 4], имеются существенные различия между ее выводами и экспериментами. Поэтому необходимы дальнейшие исследования закономерностей деформации ковалентных кристаллов, в том числе и алмаза. Несмотря на широкое применение алмаза в технике в качестве сверхтвердого высокопрочного материала, такие его исследования до настоящего времени не были проведены. Актуальность исследования алмаза в широком температурном интервале связана также с тем, что при нулевых давлениях алмаз является метастабильной модификацией углерода, и поэтому особый интерес представляет изучение влияния графитизации на механические свойства алмаза. [c.150]

Таким образом, существенная пластическая деформация алмаза в области его стабильности наблюдается при температурах Т > 0,4 Тпл), что соответствует интервалу пластической деформации ковалентных кристаллов. В этом случае за Тпл следует считать истинную температуру плавления углерода по р — Т диаграмме, равную 4000° К. В то же время при деформации вдавливанием индентеров [10] в области метастабильного состояния при оценке влияния температуры на механические свойства, следует использовать эффективную температуру плавления , равную температуре интенсивного протекания графитизации (около 2000° К). Поэтому уже при 1500° К оказывается возможной пластическая деформация под ин-деитером (при нагрузке Р = I кг) без хрупкого разрушения. Отметим, что при этом предполагается более высокая прочность алмаза, находящегося в области стабильности, по сравнению с метаста-бильным состоянием, поскольку подавлен процесс графитизации. [c.154]

Так, ионные кристаллы, как правило, имеют гораздо более широкий интервал запрещенных значений энергии между полосами, чем ковалентные кристаллы. Например, в ионном кристалле Na l ширина запрещенного интервала энергии составляет 6 эв (напомним, что для типичных собственно полупроводников ширина интервала имеет порядок величины 1 эв). Поэтому при тех температурах, при которых ковалентные кристаллы проявляют себя как полупроводники, переброс электронов в ионных кристаллах практически еще не происходит, и они по отношению к электронной проводимости ведут себя как изоляторы. В принципе при повышении температуры можно осуществить условия, при которых, будет происходить переход электронов из валентной зоны. Однако оказалось, что такие температуры для всех ионных кристаллов намного выше их температуры плавления, так что металлические свойства ионные кристаллы не проявляют. [c.217]

Качественно соотношение между полярностью связи и прочностными свойствами можно проиллюстрировать (рис. 3.3), сравнив распределение зарядовой плотности (р) вдоль линий межатомной связи в алмазе, Р-СзМ4 и ВЫ. Видно, что Р-СзН4 занимает промежуточное место между чисто ковалентным кристаллом — алмазом и нитридом бора, для которого характерны поляризация р в направлении В N и заметная роль ионной составляющей в об- [c.70]

Трехмерные но. и и м е р ы. Как уже отмечалось, большинство Н. и. относится к категории минералов или керамич. материалов. Наиболее распростра-ненным представителем таких полимеров является трехмерный вариант полимерной окиси кремния — кварц. Образование ирострапственных структур Н. и. в природе произошло в результате геологич. естественного отбора — как форма стабилизации цепей без обрамляющих групп плд с незащищающими обрамляющими груниами. В зависимости от геологич. условий трехмерные структуры природных II. п. регулярны или нерегулярны. В мягких условиях более вероятен рост трехмерных ковалентных кристаллов, не отличимых, с одной стороны, от гигантских сверхмолекул, а с другой — по физич. свойствам — от обычных молекулярных кристаллов. Отличием является лишь то, что в случае регулярных трехмерных Н. п. плавление и деполимеризация оказываются единым процессом. [c.185]

Такой отбор материала определялся соображениями двоякого рода. Во-иервых, чисто ковалентные кристаллы с решеткой алмаза и б.т1изкие к ним частично ионные полупроводники В и В представляют собой простейший и в то же время практически важный класс твердых тел. Во-вторых, теория химической связи для остальных классов кристаллов еще не разработана в достаточной мере, во всяком случае в таком аспекте, в каком она рассматривается в данной книге и который заключается в том, что внимание при исследовании химической связи концентрируется не столько на электронной структуре кристалла как таковой, сколько на ее зависимости от свойств атомов, из которых построен кристалл, и от характера взаимодействия атомов. Потребность в рассмотрении проблемы с такой точки зрения диктуется развитием химии и физической химии твердого тела, центральной задачей которых является изучение связи физических свойств твердых тел с их составом и атомным строением. [c.3]

В предыдущих разделах главы рассматривались кристаллы алмаза и кремния. Рассмотри.м теперь зависимость между характером связи и структурой. энергетических зон для двух друпгх ковалентных кристаллов — германия и серого олова [186—188]. Как выяснится при этом в дальнейтиел , оценку (4.24) для резонансных интегралов в алмазе и кремнии по всей вероятности нельзя распространить на кристаллы германия и серого олова. Вместе с тем необходимые оценки резонансных интегралов нельзя извлечь из молекулярных данных, так как информация о физико-химических свойствах насыщенных соединений Се Х2 +2 и Sn X2 +2 пока еще более скудна, чем информация о силанах. Поэтому мы ограничимся качественной стороной вопроса, основываясь на данных общего характера о химических свойствах германня и олова. [c.144]

В настоящей и следующей главах мы перейдем от чисто ковалентных криоталлоБ к наиболее близкому им классу частячно ковалентных кристаллов — тетраэдрическим кристаллам А В с решеткой цинковой обманки (сфалерита). Одной из наших главных задач будет исследовать те качественные особенности, которые вносит частичная понность кристалла в структуру энергетических зон. При этом мы, как и раньше (и по тем же мотивам) рассмотрим сначала валентную зону, структура которой отражает общие свойства всех тетраэдрических частично ионных кристаллов. [c.157]

Алмаз — типичный ковалентный кристалл, обладающий рядом уникальных свойств самыми высокими среди всех известных материалов твердостью, прочностью при сжатии, трещиностойкостью. Алмаз характеризуется весьма значительной шириной запрещенной зоны (наибольшей среди элементов IV группы периодической системы элементов Д. И. Менделеева). Вследствие этого беспримесные алмазы являются oдни п нз лучших изоляторов и прозрачны практически для любых длин волн. [c.6]

Зонную теорию обычно используют для описания ионных кристаллов [104], которые, как правило, являются хорошими изоляторами. Полагают поэтому, что ее можно применять также при описании молекулярных кристаллов. Например, с использованием этой теории рассматривались электрические свойства кристаллов Ь и Зв [102], а также электрические свойства кристаллов типа антрацена [33]. Однако при рассмотрении молекулярных кристаллов встретились затруднения, которых не возникает, например, в случае ковалентных кристаллов типа германия или соединений двух элементов. Бьюб [18] приводит более 100 таких соединений, имеющих тесное соответствие между энергетической щелью и длинноволновой границей поглощения. Изучение всех этих кристаллов несколько осложнено наличием экситонов их спектр вполне определяется энергетической щелью. Дополнительной характеристикой служит и то, что вообще в таких соединениях эффективная масса электрона (а также дырки) имеет примерно тот же порядок величины, что и масса свободного электрона. Молекулярные кристаллы, такие, как антрацен, отличаются от только что обсуждавшихся неорганических соединений тем, что начало сильного поглощения у них непосредственно не связано с энергетической щелью между нижней зоной и зоной проводимости. Край поглощения кристаллом непосредственно связан с краем погло- [c.661]

Гетерополярные соединения склонны образовывать ионные кристаллические решетки, строение которых определяется размерами ионов, величиной сил отталкивания и другими факторами. Характерной особенностью таких решеток является одинаковая прочность связи иона с каждым из ближайших соседей. Гомеополярные соединения дают в твердом состоянии молекулярные кристаллические решетки, построенные из отдельных молекул, удерживаемых в кристалле небольшими силами Ван-дер-Ваальса. Наличие в узлах решетки молекул как дискретных единиц объясняется присущим ковалентным связям свойством насыщаемости, т. е. тем, что ковалентно связанные атомы одной молекулы уже не могут дополнительно связаться с атомами другой молекулы . Отличия в строении ионных и молекулярных решеток внешне проявляются в различных физических свойствах твердых ионных и твердых ковалентных соединений. Так, энергии сублимации ионных соединений (переход от твердого тела к газообразным молекулам) обычно велики, например для солей типа Na l —50—60 ккал/моль. Энергия сублимации кристаллических ковалентных соединений составляет всего примерно 10 ккал/моль. Ионные соединения имеют высокие точки плавления, в то время как несложные ковалентные соединения (Hg, lg. HJ при обычных условиях—газообразные вещества. [c.34]

При плавлении кристаллов с ковалентными связями (например, А1С1з или Т1С14) электропроводность расплава остается низкой —. меньше 0,1 См/м, т. е. степень диссоциации ковалентной связи после плавления мала. Ковалентные кристаллы отличаются от ионных также и значительно более низкой температурой плавления. Различия между этими двумя типами кристаллов выражены довольно четко кристаллов с промежуточными свойствами мало. [c.215]

Если не касаться истории развития представлений о природе химических связей в тугоплавких соединениях, достаточно полно рассмотренной в монографии Тота, то следует признать, что в настоящее время наибольшее обоснование и признание получила модель, развитая в работах Бернала [50], Рандла [51] Юм-Розери [52] и Кребса [53]. Согласно взглядам этих авторов, ряд свойств обсуждаемых веществ, роднящих их с ковалентными кристаллами (хрупкость, твердость и т. д.), в значительной мере обусловлен локализованными Ме—Х-связями (носящими преимущественно ковалентный характер), в то время как их высокие тепло- и электропроводность, сверхпроводимость и другие типично металлические характеристики определяются Ме—Ме-взаимодействиями (с участием -состояний атомов металла). Кроме того, как это следует из результатов квантовомеханических расчетов, Ме—Ме- и Ме—X-взаимодействия приводят к формированию единой валентной зоны. При этом металлизация валентных электронов атомов металлоидов отсутствует, а состояния электронов, соответствующих Ме—Ме-связям, отличаются более высокой энергией, чем состояния, обусловливающие Ме—С-взаимодействия. [c.281]

Гомеополярные или ковалентные кристаллы, в которых межатомные связи, в основном ковалентные, относительно немногочисленны. Они обладают изолируюищмн свойствами как в твердом, так и в расплавленном состоянии (см., однако, полупроводники, стр. 188), обычно характеризуются твердостью и плохой спайностью. Их точка плавления высока, как и показатель преломления (например, алмаз). Некоторые [c.76]

Модуль Юнга Е является характеристикой материала (его структуры), количественно отражающей его упругие свойства (жесткость). Из уравнения (VII.3) следует, что единицами модуля Юнга являются паскаль (СИ) и дин/см (СГС), т. е. те же, что и для напряжения, так как величина безразмерна. Модуль Юнга можно определить по тангенсу угла наклона а прямой, характеризующей зависимость деформации у от напряжения (см. рис. VII.2, б). Модуль упругости составляет для молекулярных кристаллов —10 Па, для ковалентных кристаллов и металлов— 10 Па и более. После снятия нагрузки идеально упругое тело Гука мгновенно переходит в первоначальное состояние (форму). Принято, что для упругих тел этот пе- [c.409]

Хгграктеристики поверхностей твердых тел определяются наличием свободных химических связей, которые способствуют легкому взаимодействию различных веществ с исследуемой поверхностью. Особенности поведения поверхности твердого тела в основном отражают особенности, присущие ионам или атомам, образующим эту поверхность. В тех случаях, когда все стационарные орбитали атомов (ионов) заполнены (инертные газы, ионы щелочных металлов, ионы галогенов), взаимодействие с поверхностью за счет перекрывания орбиталей затруднено и связи с поверхностью образуются в результате вандерваальсова или кулоновского взаимодействия между ионами. В то же время поверхности со свободными связями (металлы, ковалентные кристаллы) образуют химические связи в результате, перекрывания незаполненных орбиталей. В реакциях на поверхности твердого тела, протекающих с участием ионов, важную роль при образовании химической связи играет электростатическое взаимодействие. В последние годы достигнут значительный прогресс в понимании явлений, связанных с механизмом химических процессов, происходящих на поверхностях металлов и ковалентных кристаллов, содержащих атомы с ненасыщенными связями. Химические свойства такой поверхности определяются ее электронными свойствами, об изучении которых и пойдет речь в этом разделе. [c.27]

Мы не исследуем здесь вообще металлической связи, в магнитных свойствах которой проявляются спины электронов и вызываемый ими парамагнетизм. Поэтому мы ограничимся исследованием лишь наиболее чистых атомных ковалентных кристаллов с ординарной связью при возможно более низких температурах, когда влиянием электронов проводимости можно пренебречь. Произведенный нами [115] анализ магнитных свойств некоторых из этих веществ обнаружил в них очень большой фанфлековский парамагнетизм (табл. XVIII). Наличие такого парамагнетизма подозревается и Крумганслем и Бруксом [117], впервые обратившими внимание на то обстоятельство, что стоящая в знаменателе Фан-Флека разность должна в этом случае при- [c.131]