Кристаллы влияние примесей

Технические парафины образуют волокнистую структуру (гексагональная сингония) тем резче выраженную, чем ниже температура плавления парафина. Примесь масел не вызывает существенного изменения формы кристаллов, а влияет лишь на их величину, но уже незначительная добавка церезина оказывает сильное влияние на структуру кристаллов парафина. Аналогичные данные были получены при изучении сплавов синтетического церезина с температурой каплепадения 112°С и синтетического парафина с температурой плавления 42 °С [104]. [c.89]

Установлено, что механизм действия РЗЭ-металлов состоит в их модифицирующем влиянии па примесь сульфидной серы. РЗЭ-металлы связывают серу в оксисульфид и тем самым уводят серу с границ кристаллов железа внутрь зерна [6]. Это резко уменьшает хладноломкость стали и увеличивает продолжительность жизни стальных изделий в условиях Крайнего Севера. [c.117]

Пользуясь уравнением (12.9), можно подсчитать, например, что в течение 10 суток при распаде 10 кюри радиоактивного изотопа золота образуется 3,65 10 г Если эта исходная активность сосредоточена в 1 г золота, то примесь, накопившаяся за 10 суток, будет составлять несколько тысячных долей процента, что в ряде случаев может оказывать влияние на химические свойства препарата (например, при проведении реакций, катализируемых ртутью). Несомненное влияние эта примесь окажет на кристаллохимические характеристики кристалла золота, поскольку атомы ртути будут, особенно при высокой температуре, легко покидать узлы кристаллической решетки золота. [c.212]

В пирамиде <+л > волокнистые примесные сегрегаты возникают в результате постепенного вырождения плоскости -Ьх и вытеснения ее фрагментами граней тригональных бипирамид, которые, адсорбируя неструктурную примесь, образуют паразитные секторы в объеме пирамиды <+л >. Необходимо подчеркнуть, что на включение неструктурной примеси не оказывает никакого влияния положение растущего кристалла относительно вектора силы тяжести и направления движения конвекционных потоков раствора. Увеличение содержания неструктурной примеси в кварце с повышением скорости роста зафиксировано различными методами. В частности, происходит значительное возрастание интенсивности полос поглощения, связанных с алюминием и ОН-дефектами (наблюдается для образцов, скорости роста которых превышают значение пороговой скорости грани пинакоида v ). В случае, если выращивание осуществляется со скоростями, не превышающими значение даже значительные колебания скорости не вызывают существенных изменений инфракрасных спектров <с> и, наоборот, после того, как неструктурная примесь начинает входить в кварц в одном и том же секторе роста, поглощение на 3394, 3570, 3384 и 3440 см возрастает примерно пропорционально увеличению концентрации примеси в кристалле. Увеличение скорости роста приводит к непропорциональному изменению интенсивности полос поглощения в секторах <с>, <—л >, <+5> и <+л > на различных частотах (рис. 30, 31), что, по всей вероятности, связано с некоторыми вариациями состава неструктурной примеси, [c.117]

Растущий алмаз захватывает структурную примесь из металлического расплава, в котором она находится в растворенном, как и углерод, состоянии. Причем есть основания предполагать (см. гл. 16), что тройные и более сложные системы на основе переходных металлов в жидком состоянии представляют собой в целом регулярные растворы, осложненные отрицательными и асимметричными отклонениями от закона Генри. Это предположение является полезным при интерпретации экспериментальных результатов по изучению влияния состава растворителя на процесс синтеза, а также распределения и концентрации структурных примесей в кристаллах (см. гл. 20). [c.379]

Выше говорилось о торможении роста кристаллов примесями. Однако известны и случаи увеличения скорости роста под влиянием примесей. Более того, одна и та же примесь может в малых количествах увеличивать скорость роста, а в больших — тормозить ее. Возможно, повышение скорости роста связано с уменьшением поверхностной энергии ступени (так называемой краевой энергии ступени) при адсорбции на ней примесей, так как известно, что адсорбция уменьшает поверхностную энергию. При этом уменьшается связанный с поверхностной энергией размер двумерного [c.51]

Для проверки действия примеси поступают следующим образом. В серию порций растворителя добавляют различные количества примеси. Обычно стремятся к минимальным концентрациям примеси в растворе, имея в виду возможность ее вхождения в кристалл и влияния на свойства кристалла. Всегда существует какой-то оптимальный интервал концентраций (иногда очень малых), меньше которых примесь еще недостаточно эффективна, а выше которых вредна. [c.66]

Рассмотрим вопрос о влиянии размера кристалла на его ско-)ость роста и растворения с точки зрения диффузионной теории 331, 332]. Пусть рост единичного кристалла происходит в условиях, когда концентрация и температура раствора, в котором находится этот кристалл, не меняются во времени. Кроме того, примем, что кристалл имеет форму шара (рис. 27) радиусом г и окружен диффузионным слоем толщиной б, не изменяющейся во времени. Обозначим концентрацию раствора на границе раздела кристалл — диффузионный слой Со, а на внешней границе диффузионного [c.86]

Вторым следствием является влияние примесей, внедренных внутрь кристалла, на его каталитическую активность. Действительно, всякая акцепторная примесь всегда сдвигает уровень Ферми вниз, а донорная примесь — вверх. Поэтому акцепторные реакции должны ускоряться донорной примесью (промотирование) и, наоборот, затормаживаться акцепторной примесью (отравление). В случае же донорных реакций мы должны иметь противоположную картину. [c.29]

Как и примесь в объеме, поверхностная примесь, т. е. адсорбат, влияет на положение уровня Ферми F в энергетическом спектре полупроводника. Если, однако, кристалл полупроводника достаточно толст, то роль адсорбата в определении положения F незначительна. В этом случае положение уровня Ферми целиком определяется объемом. Если же размеры кристалла настолько малы, т. е. отношение площади его новерхности к объему SjV настолько велико, что полное число электронов (речь идет об адсорбции акцепторного газа), локализованных на адсорбированных частицах, сравнимо с полным числом электронов, находящихся в зоне проводимости, и на акцепторных уровнях в объеме кристалла, или, тем более, больще его, то в определении положения F заметное участие принимает и адсорбат. В случае адсорбции донорного газа адсорбат начинает играть роль в определении F при таких значениях S/V, при которых полное число дырок, локализованных на адсорбированных частицах, становится сравнимым с полным числом дырок, находящихся в валентной зоне и на всех донорных уровнях в объеме кристалла. Очевидно, что смещение уровня Ферми кристалла под влиянием адсорбции приведет к тому, что центр его уже не будет электрически нейтральным. Не трудно понять также, что это может иметь место [c.52]

Если собственная частота примеси достаточно мала ( og в), то следует ожидать, что примесь окажет основное влияние на низкочастотные колебания кристалла. Но последние являются длинноволновыми колебаниями, а в длинноволновом приближении возмущение (12.30) можно считать локализованным в точке, положив / (п) = бпо- И вместо (12.34) мы будем иметь [c.210]

Указание автора о том, что с ростом концентрации углерода в нестехиометрических карбидах со структурой типа 51 энергия Ме—Ме-взаимодействия усиливается, по меньшей мере спорно. С ним можно было бы согласиться, если бы это утверждение охватывало энергии как прямых Ме—Ме-связей, так и косвенных, через атомы углерода (т. е. Ме—С—Ме-взаимодействий). Однако в книге Ме—Ме- и Ме—С-взаимодействия рассматриваются обособленно и даже противопоставляются друг другу (см., например, стр, 234—235). Иными словами, автор использует вполне обоснованное (и общепринятое) предположение о правомерности описания сложных межатомных взаимодействий в кристалле с помощью суперпозиции двух типов парных связей. В рамках этих представлений при обсуждении влияния внедряющихся атомов углерода на эн.ергию Ме—Ме-взаимодействия следует учитывать, что с ростом ]Ус наблюдается увеличение межатомных расстояний и уменьшение концентраций электронов, участвующих в формировании Ме—Ме-связей. Оба эти обстоятельства, очевидно, говорят об ослаблении Ме—Ме-взаимодействия, а не о его усилении (см. примечание на стр. 164). В дополнении редактора перевода этот вопрос рассматривается с несколько иных позиций. — Прим. ред. [c.248]

Рассмотрим влияние электронно-дырочного равновесия на растворимость примеси в твердом теле. Используя доводы, аналогичные приведенным в предыдущем разделе, можно убедиться, что растворимость примеси в кристалле, находящемся в равновесии с внешней фазой, содержащей эту примесь, снижается при наличии другой примеси, ионизующейся подобно первой, и растет, если примесь дает ионы другого знака. Уточним, при каких условиях устанавливается состояние равновесия между кремнием и обладающим донорными свойствами литием, если концентрация последнего во внешней среде поддерживается постоянной. При тех температурах, когда экспериментально возможно достичь равновесия, можно считать, что литий полностью ионизован. Если кремний также содержит акцепторные добавки, например бор, равновесие достигается за счет такой реакции [c.124]

Теорию ориентационного соответствия при образовании новой фазы развивает П. Д. Данков. К. М. Горбунова исследовала на ряде металлов кристаллографические формы осадков и видоизменения этих форм в зависимости от условий электро.чиза, а также влияние ориентации кристаллов на блеск, твердость и коррозионные свойства осадка металла. [П. Л. Данков, Труды второй конференции по коррозии металлов, т. 2, Иг д. АН СССР, 1943, стр. 121 К. М. Горбунова, там же, стр. 142] см. также Г. С. Воздвиженский и др., ДАН СССР, 66, 227 (1949), 72, 311 (1950). (Прим. ред.) [c.641]

Когда примесь отсутствует или ее влияние пренебрежимо мало, температура поверхности кристалла равна температуре кристаллизации чистого вешества Гпл. При движении незакрепленного кристалла по колонке с градиентом температур скорость роста определяется величиной безразмерного переохлаждения а =. р( пл —То) [c.274]

В многокомпонентной системе растущий кристалл отталкивает посторонние компоненты, которые скапливаются перед растущей поверхностью. Если константа распределения данного компонента к меньше единицы, то его концентрация у растущей поверхности будет выше его концентрации в объеме. Наоборот, при к > 1 компонент поглощается кристаллом и его концентрация у растущей поверхности будет ниже концентрации в объеме. Таким образом, при к > 1 диффузионный поток компонента направлен из жидкой фазы к кристаллу, а при к <. —в обратном направлении. Как правило, в многокомпонентной системе к больше единицы для частиц, формирующих кристалл, и меньше единицы для растворителя. Коэффициенты распределения других примесей могут иметь любые значения. При очень медленном росте, осуществляющемся в почти равновесных условиях, влияние диффузии пренебрежимо мало. Однако во многих случаях диффузия очень важна. Представив в такой системе концентрацию примеси как функцию расстояния от поверхности кристалла (фиг. 3.11), легко видеть, что из-за отталкивания примеси ее концентрация с,- у поверхности раздела фаз выше ее концентрации в объеме жидкой фазы С . На фиг. 3.12 изображена диаграмма состояния системы кристалл — примесь. Сопоставляя кривую ликвидуса на фиг. 3.12 и состав из фиг. 3.11, легко построить, как на фиг. 3.13, график изменения температуры плавления у растущей поверхности в зависимости от расстояния для разных составов. Как легко видеть, температура плавления уменьшается с приближением к поверхности кристалла. Пунктирные линии АВ и А В изображают два разных температурных градиента в растворе. При большем градиенте АВ нигде перед фронтом кристаллизации нет переохлаждения при меньшем градиенте А В перед этим фронтом есть область переохлаждения СВ с тенденцией к кристаллизации. В области СВ существует концентрационное переохлаждение [26] ). Легко видеть, что большие температурные градиенты, легко достижимые, например, при вытя- [c.126]

Плоскость, сфера, цилиндр. 1. Влияние примеси. Как уже отмечалось, теплоперенос и диффузия вещества описываются одинаковыми дифференциальными уравнениями (9.1) и (9.36), решения которых должны удовлетворять сходным граничным условиям (9.3), (9.4), (9.37) и (9.38). До сих пор в задачах рассматривался только один из двух процессов переноса. При исследовании направленной кристаллизации считалось, что кристалл растет из чистого расплава. При решении же задачи о кристаллизации цилиндра из пересыщенного раствора тепловые эффекты не учитывались. Но, как показал Франк [54], характер роста может определяться совместным действием обоих процессов переноса. В частности, расплав, из которого растет кристалл, может содержать примесь в таком количестве, что она, накапливаясь на фронте кристаллизации, приведет к снижению на нем температуры плавления. При кристаллизации из раствора температура у фронта роста может из-за выделения теплоты кристаллизации повыситься настолько, что равновесная концентрация там изменится. При одновременном учете обоих процессов значения температуры и концентрации, входящие в граничные условия, меняются, хотя форма граничных условий остается прежней. Уравнения переноса также сохраняют свой вид, [c.398]

Метод непрерывной принудительной перекристаллизации. Множество затравочных кристаллов вводят в зону роста системы, в которой раствор (пар), содержащий примесь, циркулирует по замкнутому контуру, проходя зоны роста, растворения и пересыщения (см. рис. 6.5). В зоне растворения, где температура (или любой другой параметр, повышающий растворимость кристаллизанта) выше, чем в зоне роста, кристаллы, увлеченные потоком раствора, полностью растворяются. Раствор поступает в зону пересыщения, где охлаждается и становится пересыщенным. Далее в зоне роста происходит наращивание затравочных кристаллов, не унесенных потоком жидкости в зону растворения. Состав раствора в такой системе меняется вследствие роста и растворения кристаллов. С течением времени влияние процессов роста и растворения компенсируется, и система приходит к равновесию. [c.253]

Из приведенных зависимостей видно, что оба выражения имеют максимум при определенном значении Т, Поскольку в выражение (14.1.1.6) АТ входит в степени 2, то максимум для должен быть сдвинут в область более низких температур. Для специально поставленных опытов закономерности процесса кристаллизации, предсказываемые теорией, подтверждаются на трифе-нилхлорсилане (см. рис. 14.1.1.4). К сожалению, для большинства веществ расчет V, и Vg дает только качественное согласие с экспериментом, что связано с неопределенностью значений коэффициентов и энергий акгивации, входящих в выражения (14.1.1.6) и (14.1.1.7). В действительности характер поведения многих веществ на стадии кристаллизации очень различается. Большое влияние на образование зародышей и рост кристаллов оказывают примеси. Присутствие механических примесей в виде мельчайших (микронных или субмикронных) взвешенных частиц в расплаве может сдвинуть процесс кристаллообразования в сторону меньшего переохлаждения. Последнее объясняется в [78] тем, что работа образования зародышей на готовой поверхности раздела меньше, чем работа образования в гомогенном объеме расплава. В то же время механизм образования зародышей в присутствии растворимых примесей совершенно иной. Растворенные примеси препятствуют возникновению зародышей, поскольку основное вещество в данном случае стремится оттеснить молекулы примеси и на границе зародыша их концентрация возрастает, что и требует уже большей величины переохлаждения. Различное влияние примесь оказывает и на скорость роста кристаллов. Присутствие примеси в расплаве, как правило, приводит к снижению скорости роста за счет возникновения дополнительного препятствия [81, 82]. Иногда она оказывает катализирующее действие [83] за счет дополнительного увеличения удельной поверхности растущего кристалла или за счет возникновения концентращюнного переохлаждения вблизи его поверхности. [c.304]

Некоторые элементарные металлоиды отличаются полупроводниковыми свойствами. Эти свойства обусловлены особым состоянием электронов в кристаллической решетке полупроводников. Каждый атом металлоида в кристалле связан с другими атомами ковалентной связью. В кристаллах полупроводников валентные электроны закреплены в атомах непрочно и под влиянием нагревания или облучения могут, возбуждаясь, отрываться от связываемых ими атомов и свободными уходить в междуузлия решетки. Наличие свободных электронов в кристаллах металлоидов сообщает им некоторую электронную проводимость. При переходе электрона в свободное состояние у данного атома остается свободная орбиталь или так называемая д ы р к а . Эта дырка может заполниться при перескоке валентного электрона соседнего атома, в котором тогда возникает новая дырка. Если при наложении электрического поля свободные электроны будут передвигаться к положительному полюсу, то дырки будут передвигаться к отрицательному полюсу. Это передвижение дырок, равносильное передвижению положительных зарядов, сообщает кристаллам металлоидов еще так называемую дырочную проводимость. В совершенно чистом полупроводнике в каждый данный момент число дырок равно числу свободных электронов. Однако вследствие того, что подвижности электронов и дырок различны, значения электронной (п) и дырочной (р) проводимости в общей электропроводности чистого металлоида (значение которой очень невелико) не равны друг другу. Соотношение между числами свободных электронов и дырок в кристалле металлоида можно изменить, если в металлоид ввести даже очень незначительную примесь другого металлоида или, наоборот, металла. Пол у проводимость отличается от обычной металлической электропроводности не только своей малой величиной. Она увеличивается с повышением температуры и сильно зависит от освещения полупроводника. Наиболее же существенным признаком полупрово-димости является крайняя чувствительность к наличию примесей даже в самых ничтожных количествах. [c.44]

При наличии очень небольших, но контролируемых количеств примесей в правильной кристаллической решетке, либо при небольшом избытке одного из компонентов твердого вещества, или же просто при наличии вакансий в кристаллической решетке образуются так называемые дефектные кристаллы. Каждый из таких дефектов— примесь, избыточный компонент или вакансия — обусловливает недостаток или избыток валентных электронов, необходимых для образования связи между частицами кристалла, и поэтому придает веществу новые свойства. Например, в кристалле элементарного кремния атом кремния может быть замещен атомом алюминия, что обусловливает недостаток в один электрон, поскольку атом алюминия имеет только три валентных электрона, а атомы кремния — четыре. Появление в решетке атома, которому недостает валентных электронов для образования должного числа ковалентных связей, приводит к образованию электронной вакансии, или так называемой дырки. При наложении на кристалл электрического потенциала дырка начинает мигрировать и в результате у кристалла появляется особый вид электропроводности подобные кристаллы называют полупроводниками. Если замещающий атом обладает избытком электронов, лишние электроны не принимают участия в образовании ковалентных связей и могут свободно перемещаться по кристаллу под влиянием приложенного внешнего потенциала. Такой полупроводник относится к п-типу (его проводимость обусловлена наличием свободных отрицательных зарядов, отрицательный по-английски negative), а полупроводники с недостатком электронов относятся к р-типу (их проводимость обусловлена наличием свободных положительных зарядов — дырок, положительный по-английски positive). Строение полупроводников этих типов схематически изображено на рис. 10.22. [c.183]

Алмазы, полученные из среды, содержащей бор, имеют кубический и кубооктаэдрический габитус во всем исследованном интервале концентраций этой примеси в шихте (массовая доля 0,5—4%), и вариации параметров синтеза не нарушают эту закономерность (рис. 141, а). Такие кристаллы обладают часто идеальной формой, и искажения наблюдаются только при массовой доле бора более 2%. Они проявляются в основном в наличии существенно разновеликих граней одноименных форм в сильном уплощении вдоль Li. Цвет алмазов с увеличением содержания примеси бора в шихте изменяется от полупрозрачного с фиолетовым оттенком до непрозрачного черного. При этом установлено, что бор интенсивно захватывается гранями октаэдра (см. рис. 141, б). И поскольку примесь бора увеличивает интегральную скорость роста алмаза, естественно предположить, что влияние бора на форму кристаллов заключается в относительно большем увеличении скорости роста октаэдрических граней, которое приводит к их быстрому выклиниванию. [c.394]

Установлено, что технологические добавки к растворителю таких элементов, как 1п, Оа, 5п, Си и Т1 (массовое содержание которых составляет 0,5—5%), не влияют на электросопротивление образующихся монокристаллов алмаза, которое в этом случае имеет порядок не менее 10 " Ом-м. Наиболее существенное влияние на электрофизические характеристики алмаза оказывает примесь бора. Кристаллы, легированные бором, обладают р-типом проводимости, и их сопротивление в зависимости от условий роста может измeнять i в широких пределах. При изучении морфологии было установлено, что бор в отличие от азота интенсивнее захватывается пирамидами роста граней октаэдра, чем куба. Поэтому интерес представляет выяснение степени анизотропии сопротивления кристаллов, легированных бором. На рис. 165 показано, что наибольшей анизотропией (разница в электросопротивлении пирамид роста <111> и <100> достигает 5—6 порядков) обладают образцы, полученные в среде с массовым содержанием бора 0,5 %. Сближение значений сопротивления для различных [c.455]

Для выращивш1ия качественных кристаллов или направленных поликристаллов термоэлектрических материалов необходимо иметь достаточно чистые исходные компоненты - висмут, сурьму, селен, теллур. Если селен выпускают достаточно чистым, то с теллуром, сурьмой и висмутом возникают определенные сложности, особенно с теллуром. Одни производители предпочитают более грязный, но относительно дешевый теллур, другие - более чистый, который стоит намного дороже. Поэтому некоторые производители самостоятельно производят доочистку исходного теллура. Возгонка является эффективным способом очистки Те от многих примесей. По такому же принципу очищают и сурьму. Возгонка 8Ь, как известно, является малоэффективной при очистке от свинца и мышьяка. И если мышьяк как примесь практически не оказывает влияния на изменение свойств материала, то свинец является донором. Поэтому процесс возгонки 8Ь должен быть организован таким образом, чтобы можно было использовать небольшие различия в физических свойствах 8Ь, Аз и РЬ. Очистка висмута обычно ограничивается стандартной процедурой, хорошо описанной в научно-технической литературе, - фильтрацией расплава В1 для очистки от оксидов, которые всегда присутствуют в металлическом висмуте. [c.77]

Однако формула (1) справедлива в том случае, если кристаллы имеют бесконечно большие боковые размеры. В волокне, как это следует из приведенных данных, кристаллиты обладают не сильно отличаюп],имися размерами в направлении вдоль и поперек цепи. При этом боковой размер кристаллита значительно меняется в процессе термообработки. Следовательно, в формуле (1) должно быть учтено влияние формфактора на интенсивность рассеяния. Примем, что интенсивность в максимуме малоуглового рефлекса при нагреве и охлаждении волокон полиэтилена изменяется пропорционально боковому размеру кристаллита [c.211]

После изложенного выще понятно, что влияние молекулярного веса на равновесный процесс плавления непосредственно проявляется через концентрацию концевых звеньев при этом не имеет значения, участвуют ли эти звенья в кристаллизации или нет. Если концы цепи не входят в кристаллит по стерическим ограничениям, то они могут рассматриваться как инородная примесь, которая ведет себя подобно некристаллнзующемуся компоненту. Тогда можно вывести простое соотношение между температурой плавления и степенью полимеризации [24]. Если концы цепи входят в кристаллическую фазу, следует различать несколько возможностей их расположения. Например, концевые звенья могут быть статистически распределены в пределах фазы, либо попарно занимать смежные ячейки. Последнее соответствовало бы структуре молекулярных кристаллов, образованных н-алканами, когда концевые звенья цепей образуют четкие кристаллографические плоскости. [c.43]

Предположим теперь, что во втором случае каждая ячейка имеет две структурные единицы А к В (рис. 7, б) и что последние связаны сильной связью Ь". Связь между А и В", обозначенная как Ь, —слабая. Связи а между одинаковыми структурными единицами А и между одинаковыми структурными единицами В в направлении [10] примем равными по силе Ь". Рост в направлении [01 ] регулируется тогда двумя связями Ь и Ь", из которых более слабая определяет скорость роста. Поэтому кристалл будет иметь меньшие размеры в направлении [01], чем в направлении [10]. Влияние сильной связи Ь" уменьшается сочетанием со слабой связью Ь. Если Ь очень слабая связь, кристалл даст иглы [10] с длинными гранями (01) и очень маленькими гранями (10). Следовательно, кристалл может вырастать в определенном направлении только тогда, когда в структуре имеется непрерывная цепь сильных связей, образуюи ихся при кристаллизации. Такая цепь называется цепью периодических связей. [c.336]

Епце заметнее было влияние кислотности раствора на электропроводность полученных из него кристаллов. Примесь Н2804 к раствору аммониевых квасцов, повысила их электропроводность в 10 раз, причем эта повышенная электропроводность очень медленно убывала. [c.143]

В хорошо отожженном твердом теле при любой заданной температуре должно быть равновесие концентраций дефектов Шоттки и Френкеля, а относительная концентрация каждого из этих типов дефектов зависит от величины соответствующих энергий их образования. Мотт и Герни [20] вычисляли число дефектов Френкеля, находящихся в термодинамическом равновесии при температуре Г, следующим образом. Пусть N означает число однотипных атомов, имеющихся в кристалле, М — общее число возможных мест в междоузлиях. Примем, что п атомов покинули свои регулярные места в узлах кристаллической решетки, образуя п равновесных дефектов Френкеля. Тогда, допуская, что 1) концентрация дефектов столь мала, что они по существу не взаимодействуют друг с другом, 2) объем кристалла остается постоянным, так что энергия дефектов пе зависит от температуры, 3) присутствие дефектов Френкеля не оказывает влияния на собственные частоты колебаний решетки, можно записать [c.217]

Поглощаемая в процессе облучения мономерными кристаллами энергия может оказать существенное влияние не только на акты зарождения цепей, но и на условия их роста. Как указывалось выше, энергия возбуждения обычно локализуется на примесях либо на дефектах, где инициируется рост цепей. Процесс роста цепей можно также рассматривать как процесс развития новых дефектов в кристалле, а активный конец цепи — как примесь или дефект Например, дефект аналогичный дефекту Шотке, характеризующийся наличием вакансии или микрополости в решетке мономера, непосредственно у активного центра, может возникнуть в результате уменьшения линейного размера полимерной цепи по сравнению с мономерной заготовкой, из которой она образовалась. [c.101]

Теперь примем, что отражает связь захвата с пересыщением в случае крупных кристаллов, Е = onst, gx характеризует влияние размера на кинетические факторы, ag = 1 ехр [апов< /Рг 2 г)1 на равновесные свойства кристалла. Тогда соотношение (9.1.37) примет вид [c.248]

Получены данные, характеризующие влияние основных технологических параметров процесса кристаллизации щавелевой кислоты кислотности раствора, пересыщения, исходной концентрации примеси — на эффективность разделения. Сравнение степени соосаждения с возникающими и стабильными кристаллами показывает, что примесь концентрируется главным образом на поверхности кристаллов. Это предопределило направления усовершенствования процесса кристаллизации. Предложен режим кристаллизации, обеспечивающий получение Н2С2О4 2Н2О с содержанием примеси С > 5-10 %. Табл. 3, рис. 2, библиогр. 5 назв. [c.175]

Выяснение роли добавок при твердофазной полимеризации триоксана на катализаторе /2 [Берлин Ал. Ал., Кузуб Л. И., Маркевич М, А., Ениколопян Н. С., Высокомолек. соед., 7 (в печати)] показало, что присутствие бензола и циклогексана не влияет на ход процесса. Очевидно, эти вещества при затвердевании реакционной смеси выходят из кристалла мономера. При введении в реакционную смесь диоксана происходит уменьшение скачков и начальной скорости полимеризации, причем скачки обратно пропорциональны количеству диоксана. Исследовано также влияние воды. Из совокупности полученных данных авторы делают вывод, что влияние различных добавок определяется главным образом физическим состоянием смеси мономер — примесь. [c.368]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология