Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Рост кристаллов

    На величину окклюзии влияет также скорость приливания осадителя. Известно, что при медленном приливании осадителя получаются обычно более чистые осадки. Это может зависеть, отчасти, от того, что при медленном осаждении образуется более крупнозернистый, с меньшей поверхностью осадок. Но поскольку при образовании кристаллических осадков явления адсорбции играют сравнительно малую роль, более вероятно допущение, что медленный рост кристаллов способствует уменьшению окклюзии, так как при этом легче протекает процесс замены адсорбированных на поверхности кристаллов ионов примесей собственными ионами осадка. [c.115]


Рис. 16.5. Развитие спирального роста кристалла, вызванное единичной винтовой дислокацией Рис. 16.5. Развитие <a href="/info/1328760">спирального роста кристалла</a>, вызванное <a href="/info/776082">единичной</a> винтовой дислокацией
    Накапливающиеся в оборотной воде соли образуют на теплообменной поверхности так называемые карбонатные отложения, более чем на 50% состоящие из карбоната кальция. Основные методы борьбы с ними — обработка охлаждающей воды кислотой (обычно серной) для снижения общей щелочности воды фосфатированис путем введения в воду раствора гексаметафосфата натрия, тормозящего процессы кристаллизации и осаждения карбоната натрия на стенках аппаратуры обработка воды магнитным полем, воздействие которого вызывает быстрый рост кристаллов карбонатных и других отложений, которые сорбируют на своей поверхности ионы карбонатов кальция и магния, растут и выпадают в виде шлама, легко уносимого потоком. [c.85]

    Процесс кристаллизации начинается с выделения из пересыщенного раствора мельчайших частиц кристаллизующегося компонента — зародышей кристаллов. Они способны расти, причем рост кристаллов происходит преимущественно на острых углах первоначальных зародышей. При достижении достаточной концентрации кристаллов происходит их сращивание с образованием кристаллической сетки, ячейки которой иммобилизуют оставшуюся не застывшей жидкость. [c.251]

    Образование и рост кристаллов льда в обводненных топливах возможны только в переохлажденной или пересыщенной по отношению к кристаллизующемуся веществу (воде) среде. Степень пересыщения или переохлаждения среды целиком определяется температурой и химическим составом среды. [c.50]

    Известны непрерывно действующие кристаллизаторы циркуляционного типа двух видов — с циркулирующим раствором и с циркулирующей суспензией. В первых аппаратах в одной части аппарата (холодильнике) раствор пересыщается, а в другой происходит собственно кристаллизация. С помощью насоса суспензия непрерывно циркулирует в замкнутом контуре холодильник — кристаллизатор при этом в кристаллизаторе создается восходящий поток, который поддерживает кристаллы во взвешенном состоянии. Раствор с наибольшим пересыщением соприкасается вначале с кристаллами, находящимися в нижней части взвешенного слоя, поэтому именно в этой части аппарата происходит наибольший рост кристаллов. Таким образом осуществляется распределение кристаллов по величине на разной высоте аппарата. Раствор, выходящий с верха аппарата, практически свободен от кристаллов и поступает в холодильник. Крупные кристаллы, скорость осаждения которых больше скорости циркуляции смеси, оседают на дно и непрерывно выводятся из аппарата. Величину кристаллов регулируют, изменяя скорость циркуляции смеси и скорость отвода тепла в холодильнике. Эти кристаллизаторы пригодны для веществ, кристаллы которых оседают в растворе со скоростью более 20 мм/сек (при меньших скоростях оседания трудно избежать циркуляции кристаллов с маточным раствором). В аппаратах второго типа используется принцип совместной циркуляции. В этом случае растущие кристаллы попадают в зону, где создается пересыщение. [c.174]


    В условиях химического анализа осадок не вносится в раствор в готовом виде, а образуется в нем по мере прибавления осадителя. При этом возникают сначала мельчайшие зародышевые кристаллы, которые постепенно растут, причем поверхность их иепре-рыг.но обновляется за счет отложения все новых и новых слоев соогветствующего вещества. В то же время эта постоянно обнов-лякрщаяся поверхность кристалла непрерывно адсорбирует различные примеси из раствора. В процессе роста кристалла эти примеси постепенно вытесняются ионами, входящими в состав кристаллической решетки осадка. Однако такое вытеснение обычно происходит недостаточно полно. В зависимости от условий осаждения большая или меньшая часть примесей, первоначально находившихся на поверхности частиц, в результате адсорбции оказывается отделенной от раствора вновь отложившимися слоями осаждаемого вещества. [c.113]

    Таким образом, депарафинизация узких фракций вследствие более однородной структуры твердых углеводородов и условий, обеспечивающих нормальный рост кристаллов, дает возможность достаточно полно отделить твердую фазу от раствора и получить депарафинированное масло с требуемой температурой застывания, а гач — с низким содержанием масла. [c.138]

    Для пoA epжaния пластового давления и увеличения дебита сква чсин также часто используют попутный нефтяной газ, нагнетаемый компрессором н сводовую часть залежи. Дебет скважин может уменьшиться и вследствие "засорения" призабойной зоны частицами породы или отложения в порах пласта асфальто-смолистых веществ нефти или солей из пластовой воды и т.д. В таких случаях для увеличения проницаемости пласта применяют методы гидравлического разрыва (при 50 МПа) или торпедирования пласта, организации подземных ядерных взрывов, а также химической (соляной или серной кислотой, поверхностно —активными ве1цествами) и термической (подачей горячего газа или перегретого водяного пара) обработкой призабойной зоны. Для борьбы с парафиноотложением оборудования на нефтеп — ромыслах стали применять специальные (депрессорные) присадки, препятствующие росту кристаллов парафина. [c.31]

    В монографии рассмотрены вопросы фазового равновесия при переходе веществ из жидкого состояния в кристаллическое, кинетические закономерности образования и роста кристаллов. Обсуждены особенности теплообмена при охлаждении различных расплавов. Приведена классификация методов кристаллизации расплавов. Проанализированы особенности различных технологических методов кристаллизации расплавов, в том числе методов отверждения расплавов, фракционной кристаллизации, очистки веществ от примесей и выращивания монокристаллов. Рассмотрены вопросы аппаратурного оформления разных процессов кристаллизации расплавов. [c.728]

    Отверстия, возникшие вследствие кристаллизации. Эти силы проявляются при росте кристаллов, находящихся на стенках пор и других отверстий. В некоторых случаях возникают силы, вполне достаточные, чтобы расширить трещины и сделать их доступными для циркуляции в них жидкости. Подобной причиной можно объяснить ряд явлений, происходящих в некоторых минеральных жилах. Но эти явления, по-видимому, не играют значительной роли в нефтяных месторождениях. Кристаллы кальцита и других веществ, которые мы встречаем в трещинах известковистых песчаников и среди сланцев, не являются причиной возникновения этих трещин и скорее вызывают местную закупорку ранее образовавшихся пор. [c.152]

    И механической прочности, а также обеспечить устойчивость против роста кристаллов и спекания и оптимальную ориентацию молекул поверхности. [c.304]

    Выделение тонких частиц окисла в металлической фазе при внутреннем окислении приводит к поверхностному упрочнению сплава, затрудняет рекристаллизацию и рост кристаллов металла. [c.107]

    Во многих случаях удельная активность, в зависимости от температуры предварительного прокаливания катализатора, имеет максимум. На рис. XIII, 4 показан пример подобной зависимости для серебряных катализаторов разложения муравьиной кислоты. В то время как общая поверхность катализатора в результате термического роста кристаллов закономерно уменьшается с увеличением температуры двухчасового предварительного прогрева, удельная активность имеет отчетливый максимум примерно при 600° С. [c.338]

    Горячий водный раствор вещества X непрерывно поступает в реактор смешения, снабженный холодильником. Интенсивность перемешивания достаточна, для того чтобы получающиеся в результате кристаллы были невелики и концентрация их была одинаковой во всем объеме реакционной смеси и на выходе из аппарата. В аппарате поддерживают стационарное пересыщение и постоянную температуру. Кристаллы зарождаются спонтанно, и скорость кристаллообразования зависит только от степени пересыщения и от температуры. Скорость роста кристаллов, которые с некоторым приближением можно рассматривать как сферические, также зависит только от степени пересыщения и температуры. В частности, линейная скорость роста кристаллов в направлении, перпендикулярном к их поверхности, не зависит от размера кристаллов. [c.132]

    Особой тщательности требует работа с веществами, склонными образовывать пересыщенные растворы. При охлаждении растворов таких веществ кристаллы долго не выделяются главным образом вследствие отсутствия центров кристаллизации. Последующее выделение продукта из сильно пересыщенного раствора происходит слишком быстро, что создает неблагоприятные условия для правильного роста кристаллов. Некоторые соединения в отсутствие центров кристаллизации склонны выделяться из растворов в виде масла. Очистки вещества при этом, как правило, не происходит, даже если масло при дальнейшем понижении температуры затвердевает. Правильное проведение процесса в этих случаях может быть обеспечено путем стимулирования кристаллизации. [c.118]


    Таким образом, смолы с повышением концентрации их в растворе, с одной стороны, замедляют рост кристаллов, а с другой,— способствуют деформации поверхности кристаллов и возникновению на них новых центров кристаллизации, причем степень проявления той или другой тенденции зависит от природы смол и обусловливает форму и размер кристаллов. При кристаллизации твердых углеводородов в присутствии смол происходит округление усеченных острых углов ромбических кристаллов, которое увеличивается с увеличением содержания смол в растворе (рис. 42). Смолы, не растворимые в феноле, добавленные после кристаллизации парафинов, остаются в растворе и не влияют на форму и размер кристаллов. Смолы, растворимые в феноле и добавленные после кристаллизации парафина, способствуют агломерации предварительно выделившихся кристаллов. [c.135]

    Присутствие жидких малоциклических ароматических углеводородов из-за наличия в их молекулах коротких боковых цепей не влияет на структуру и размер кристаллов парафиновых углеводородов. Повышенное их содержание приводит к увеличению размеров этих кристаллов вследствие уменьшения концентрации последних в растворе, что связано с облегчением условий роста кристаллов. Полициклические ароматические углеводороды в концентрации >25% (масс.) на смесь способствуют уменьшению размеров кристаллов парафинов, что объясняется повышением вязкости раствора, из которого проводится кристаллизация. Процесс кристаллизации твердых углеводородов из полярных и неполярных растворителей протекает в форме монокристаллических образований образуется структура, состоящая из кристаллов определенной формы, причем каждый монокристалл развивается из одного и того же центра. При такой форме кристаллизации отдельные кристаллы могут быть как разобщены между собой, так и образовывать в растворе пространственную кристаллическую решетку. С помощью электронного микроскопа при увеличении в 13 000 раз удалось проследить практически все стадии роста кристаллов от момента возникновения зародышей (центров кристаллизации) до полностью оформленного кристалла [25, 26]. Такое постадийное изучение процесса роста кристаллов проведено на примере пента-контана ( пл = 93°С) при кристаллизации в углеводородной среде (рис. 39, а—г). [c.131]

    В процессе роста Кристалла выделяется теплота. Что теплее растущий кристалл или 01 ру-жающий его раствор  [c.56]

    Характер осадка и условия его формирования во времени ири постоянной силе тока (или ири заданном потенциале) зависят не только от природы металла, но и от состава раствора и присутствующих в нем примесей. Примеси поверхностно-активных веществ, а также различных окислителей (например, растворенного кислорода) влияют на кинетику электровыделения металлов. В зависи-мостн от степени чистоты раствора и 1 рнроды примесей могут меняться характер роста кристаллов, число центров кристаллизации, возникаюнщх за единицу времени на единице поверхности катода, значение поляризации ири данно] г илотности тока, характер ее [c.455]

    Наиболее благоприятные условия для правильного роста кристаллов возникают при постоянном перемешивании содержимого кристаллизатора [c.117]

    Скорость осаждения кристаллов зависит от скорости охлаждения топлива, интенсивности его перемешивания, сонцентрации парафиновых углеводородов в топливе, его вязкости и наличия в нем поверхностно-активных веществ [17]. Поверхностно-активные вещества (депрессорные присадки, серу- и кислородсодержащие соединения) препятствуют росту кристаллов парафиновых углеводородов и увеличивают разрыв между температурами начала кристаллизации и застывания. [c.31]

    В случае медленного прибавления по каплям второго растворителя при интенсивном перемешивании создаются условия для равномерного роста кристаллов. Такой метод осаждения, по существу, является разновидностью кристаллизации и обеспечивает высокоэффективную очистку. Основное вещество, так же как и при упаривании, может быть выделено полностью в виде фракций кристаллов различной степени очистки. Чтобы получить хорошие кристаллы, растворитель добавляют по каплям иногда несколько часов, поэтому перемешивание проводят не вручную, а с помощью электромотора растворитель добавляют из капельной воронки. [c.120]

    Фольмер (1930) распространил описанный механизм роста кристалла из парообразной фазы па случай электрокрнсталлизации металлов. В этом случае скорость роста грани (в единицах плотности тока) может быть выражена уравнением [c.337]

    Проблема роста кристаллов из переохлажденной жидкости была решена помощью аналогичной модели. Ряд экспериментальных работ в дальнейшем качественно подтвердил основные представления этой модели [84—89]. Кантровиц [90] довольно подробно рассмотрел вопрос о времени, которое требуется для изменения распределения кристаллизации при переходе от насыщенного раствора к пересыщенному. [c.560]

    Поскольку рост кристаллов твердых углеводородов происходит постадийно, этот оптимум должен иметь место на каждой стадии охлаждения, что обеспечивает образование крупных кристаллов и, как следствие, увеличение скорости фильтрования и выхода депарафинированного масла при одновременном снижении содержания масла в твердой фазе. Это достигается порционной подачей растворителя в процессе охлаждения сырья. При порционной подаче растворителя в процессе депарафинизации создаются условия для разделения кристаллизацией высоко- и низкоплавких углеводородов [27 32, с. 121 53—58]. При первом разбавлении сырья расход растворителя должен быть таким, чтобы из раствора выделились только наиболее высокоплавкие углеводороды, образующие кристаллы наибольших размеров при прочих равных условиях. Тогда при дальнейшем охлаждении суспензии происходит самостоятельная кристаллизация низкоплавких твердых уг- [c.150]

    Это значит, что с ростом температуры число активных центров на единицу поверхности сначала растет и, только начиная с определенной температуры, убывает. Подобные кривые невозможно объяснить, исходя из представления о спекании как о поверхностном плавлении активных центров или исходя из эффекта, связанного с уменьшением общей повмхности с повышением температуры. Это явление с позиций термодинамики было рассмотрено О. П. Пол-торакои, который исходил из следующей модели активные центры являются атомной фазой , адсорбированной на поверхности кристалла. При этом оказалось, что для мелкодисперсных кристаллов количество атомной фазы иа единицу поверхности уменьшается с ростом кристаллов. Таким образом, с изменением температуры протекают два конкурирующих процесса сначала при повыщении температуры обработки катализаторов увеличивается число дефектов, а следовательно, и их поверхностная концентрация ири дальнейшем повышении температуры увеличение числа дефектов и их подвижности приводит к росту кристаллов, а следовательно, к уменьшению поверхностной концентрации дефектов. [c.338]

    Процесс кристаллизации начинается с выделения из пересыщенного раствора мельчайших частиц кристаллизующегося вещества — зародышей кристаллов. Они способны расти, причем рост кристаллов происходит наиболее легко на острых углах первоначальных зародышей. На микрофотографиях при большом увеличении наблюдается спиральная структура поверхности кристаллов ларафиновых углеводородов. Механизм роста кристаллов индивидуальных парафинов нормального строения и их смесей объясня- ет дислокационная теория 1[4, 5]. [c.118]

    Порционная подача растворителя эффективна при депарафинизации и обезмасливании дистиллятного сырья, причем широкого фракционного состава. При депарафинизации рафинатов узкого фракционного состава или остаточных [32, 59] такой способ подачи растворителя менее эффективен в силу большей однородности состава твердых углеводородов и сравнительно низкого содержания в остаточном сырье углеродородов парафинового ряда. Содержащиеся в нем твердые циклические углеводороды образуют мелкие кристаллы смешанного типа. В то же время лабораторные исследования [55] изменения структурной вязкости суспензий твердых углеводородов остаточного рафината в растворе ацетон (35%)—толуол (65%) показали, что в зависимости от способа подачи растворителя структурная вязкость суспензии изменяется в широких пределах (рис. 52). Это объясняется тем, что при небольшом пересыщении раствора в начальный момент охлаждения на образовавшихся центрах кристаллизации начинается рост кристаллов, при этом вязкость суспензии почти не изменяется. [c.151]

    Пассивационные и концентрационные эффекты играют важную роль в процессах роста кристаллов, однако они не исчерпывают всех причин, вызывающих отклснение реальной картины кристаллизации от идеализированной модели Фольмера. Отклонения от модели Фольмера объясняются и нарушениями идеальной структуры кристалла, т. е. дефектами кристаллической решетки, и в первую очередь появлением участков с расположением структурных элементов, отличным от их расположения в идеальной решетке данного кристаллического тела, так называемых дислокаций. [c.338]

    Теория одноступенчатой кристаллизации была предложена Брэнсомом, Даннингом и Миллардом [13]. Ими было достигнуто удовлетворительное совпадение теоретически найденного распределения с экспериментальными данными, полученными при использовании небольшого лабораторного кристаллизатора непрерывного действия. Диапазон изменения размеров кристаллов оказался шире, чем при соответствующей кристаллизации в реакторе периодического действия. Этого, по-видимому, и следовало ожидать вследствие явления проскока. В годы войны автор настоящей работы и его сотрудники получили аналогичные результаты при проведении исследования роста кристаллов цик-лонита (Н. О. X.) в кристаллизаторе промышленного типа. Эти результаты опубликованы не были. [c.118]

    Линейные дефекты структуры называются дислокациями. Простейший вид днслокации — краевая дислокация. Она представляет собой край одной из атомных плоскостей, обрывающейся внутри кристалла. Дислокации возникают как в процессе роста кристаллов, так и при местных механических, тепловых и других воздействиях на кристаллы (см., например, рис. 142, а, б на стр. 538). На рис. 02 изображена краевая дислокация (линия АВ), возникшая в результате сдвига части кристалла по плоскости АВСО в направлении, указанном стрелкой. [c.163]

    Потеря подвижности может быть вызвана либо повышением вязкости нефтепродукта, либо образованием множества кристаллов парафина и церезша и загустеванием всей системы. В парафинистых тяжелых нефтепродуктах по мере понижения температуры кристаллы образуют сетку — кристаллический каркас. Не застывшая часть нефтепродукта находится внутри сетки и таким образом делается неподвижной. Форма выделяющихся кристаллов зависит от химического состава углеводородной среды, скорость их роста — от вязкости среды, содержания и растворимости парафиновых углеводородов нри данной температуре и скорости охлаждения системы. Скорость роста кристаллов прямо пропорциональна концентрации [c.82]

Рис. 39. Рост кристаллов н-пентаконтана из раствора в неполярном растворителе (X 13 000) Рис. 39. Рост кристаллов н-пентаконтана из раствора в неполярном растворителе (X 13 000)
    В тех случаях, когда скорость процесса определяется разрядом ионов или скорость роста кристаллов мала по равнению со скоростью образования новых центров кристалли 1ации, при электроосаждении металлов получаются наиболее плотные и стойкие гальванические покрытия. [c.631]

    Структурные модификаторы стабилизируют желаемую, обычно пористую, структуру катализатора, которая без модификаторов мой<ет быть нарушена вследствие спекания. Наиболее хорошо такой механизм действия изучен для добавки окиси алюминия к железному катализатору синтеза аммиака. В этом случае добавка 1% А12О3 приводит к увеличению поверхности восстановленного железного катализатора от 0,5 до 10 и, Кроме того, предотвращает рост кристаллов а-Ре при отжиге. Адсорбционными измерениями удалось показать, что при содержании 0,42% А12О3 в катализаторе она покрывает 35% его свободной поверхности и образует на кристаллах железа тончайший слой, пренятствующи их спеканию [17 ]. [c.45]

    В качестве примера рассмотрим процесс кристаллизации в многоступенчатом реакторе смешения, в котором раствор поступает на первую ступень и в каждой ступени которого степень перемешивания достаточна для поддержания кристаллов в суспензированном состоянии. В алпаратах реактора могут иметь место два различных процесса возникновение зародышей и рост зародышей, приводящий к образованию кристаллов значительных размеров. Отсюда следует, что суспензированное в жидкости кристаллическое вещество на выходе из -й ступени кристаллизатора состоит из кристаллов, образо1вавшихся в данной ступени, и кристаллов, которые образовались в предыдущих ступенях, а в -й ступени лишь росли. Учитывая эти факторы и используя соответствующие выражения для скорости зарождения и роста кристаллов, можно теоретически айти распределе- [c.117]

    Одним из основных факторов, определяющих степень выделения и скорость отделения твердых углеводородов от жидкой фазы в процессах депарафинизации и обезмасливаиия, является качество депарафинируемого сырья. Как указывалось выше, большая часть твердых углеводородов относится к изоморфным веществам, способным к совместной кристаллизации с образованием смешанных кристаллов, причем в зависимости от условий выделения из растворов эти кристаллы могут быть разных структуры и размеров. При прочих равных условиях форма и размер этих кристаллов определяются фракционным составом сырья. С повышением пределов выкипания фракции уменьшается полнота отделения кристаллов твердых углеводородов от растворов масляной части, что связано с повышением концентрации твердых углеводородов и изменением их химического состава. При охлаждении раствора сырья с большим содержанием твердых углеводородов в соответствующем растворителе в начальный момент кристаллизации образуется слишком много зародышей кристаллов, на которых при дальнейшем охлаждении кристаллизуются выделяющиеся из раствора твердые углеводороды. В этом случае конечные кристаллы имеют малые размеры, что приводит к уменьшению скорости фильтрования и выхода депарафииированного масла при увеличении содержания масла в твердой фазе. Рост кристаллов определяется типом углеводородов, выделяющихся из растворов в виде зародышей, на которых затем кристаллизуются остальные компоненты твердой фазы [6]. [c.136]

    Твердые углеводороды масляных фракций нефти, как указывалось выше, относятся к изоморфным и в то же время полиморфным веществам, которые в зависимости от условий кристаллизации и фракционного состава сырья в процессах депарафинизации и обезмасливаиия могут образовывать смешанные кристаллы, эвтектические смеси или кристаллизоваться раздельно. Образование кристаллов той или иной формы, а также эвтектических смесей имеет большое значение с точки зрения отделения твердой фазы от жидкой. Для обеспечения нормального роста кристаллов необходимы оптимумы концентрации твердых углеводородов в растворе и вязкости последнего. [c.150]

    Еще одним достоинством высокомолекулярных кетонов и их смесей с низкомолекуляриыми кетонами является возможность регулировать растворяющую способность таких смешанных растворителей изменением содержания в них воды. Так, при обезмасливании твердых углеводородов [68, с. 179] используют насыщенный водой метилизобутилкетон, что исключает оборудование для осушки растворителя. На такой установке осуществляется порционная подача растворителя, причем расход его увеличивается от начального разбавления к конечному. Это обеспечивает максимальный рост кристаллов при раздельной кристаллизации твердых углеводородов и, как следствие, хорошую проницаемость осадка на фильтре. Пониженная растворяющая способность обводненного метилизобутилкетона по отношению к твердым угле- [c.157]


Смотреть страницы где упоминается термин Рост кристаллов: [c.83]    [c.114]    [c.454]    [c.259]    [c.44]    [c.174]    [c.175]    [c.204]    [c.340]    [c.133]    [c.275]   
Смотреть главы в:

Системный анализ процессов химической технологии. Процессы массовой кристаллизации из растворов и газовой фазы -> Рост кристаллов

Физическая химия силикатов и тугоплавких соединений -> Рост кристаллов

Физико-химические основы неорганической технологии -> Рост кристаллов

Массообменные процессы химической технологии -> Рост кристаллов

Цеолитовые молекулярные сита -> Рост кристаллов

Основные процессы и аппараты химической технологии Кн.1 -> Рост кристаллов

Массообменные процессы химической технологии -> Рост кристаллов

Физическая химия поверхностей -> Рост кристаллов

Электронная микроскопия в физико-химических исследованиях -> Рост кристаллов

Химия твердого тела -> Рост кристаллов

Физика макромолекул Том 2 -> Рост кристаллов

Химический анализ -> Рост кристаллов

Кристаллизация  -> Рост кристаллов

Кристаллизация из растворов в химической промышленности -> Рост кристаллов

Кристаллизация из растворов -> Рост кристаллов

Пигменты введение в физическую химию пигментов -> Рост кристаллов

Химия твердого тела -> Рост кристаллов

Кристаллизация полимеров -> Рост кристаллов


Химические приложения топологии и теории графов (1987) -- [ c.200 ]

Химический энциклопедический словарь (1983) -- [ c.510 ]

Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений (1988) -- [ c.99 , c.102 ]

Большой энциклопедический словарь Химия изд.2 (1998) -- [ c.510 ]

Физика и химия твердого состояния органических соединений (1967) -- [ c.191 , c.239 , c.338 ]

Химическая литература Библиографический справочник (1953) -- [ c.90 ]

Физико-химическая кристаллография (1972) -- [ c.283 ]

Графит и его кристаллические соединения (1965) -- [ c.0 , c.43 , c.44 ]

Технология минеральных удобрений (1974) -- [ c.42 ]

Технология минеральных удобрений и солей (1956) -- [ c.40 ]

Технология минеральных удобрений Издание 3 (1965) -- [ c.44 ]

Теоретическая электрохимия (1981) -- [ c.330 , c.335 , c.336 ]

Введение в физическую химию кристаллофосфоров (1971) -- [ c.25 , c.233 , c.243 , c.249 , c.252 , c.256 , c.256 , c.259 ]

Кристаллизация в химической промышленности (1979) -- [ c.193 , c.201 , c.207 , c.211 , c.212 , c.231 , c.251 , c.255 ]

Руководство по аналитической химии (1975) -- [ c.59 ]

Процессы химической технологии (1958) -- [ c.912 ]

Кристаллизация полимеров (1968) -- [ c.0 ]

Полимеры (1990) -- [ c.141 , c.143 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Быстрый рост кристаллов

ВЫРАЩИВАНИЕ И ОБРАБОТКА КРИСТАЛЛОВ Зарождение и рост кристаллов

Вакуум-кристаллизаторы с регулируемым ростом кристаллов

Введение в теорию роста кристаллов

Вводное обсуждение зародышеобразования и роста жидких капель и кристаллов

Влияние адсорбции на рост кристалла

Влияние механизма роста кристалла на скорость перемещения границы раздела фаз и уменьшение на ней переохлаждения. Расчет напряжений в твердой фазе

Влияние пересыщения на рост кристаллов

Влияние поверхностно-активных веществ на рост кристаллов

Влияние поверхностного натяжения на процесс роста и расплавления кристалла

Влияние примесей на механизмы роста кристаллов

Влияние скорости роста или растворения на огранку кристалла

Выращивание монокристаллов из газов в условиях синтеза вещества кристалла вне объема его роста в одновременно протекающей химической реакции. Тип

Вязкость жидкости, влияние на скорость роста кристаллов

Гидротермальный рост кристаллов. Надкритические явления

Данные по росту кристаллов из пара и по испарению

Данные по электролитическому росту кристаллов

Дислокации и рост кристаллов

Диффузия и скорость роста кристаллов

Единичные кристаллы механизм роста

Естественная тепловая конвекция и рост кристаллов в горизонтальной лодочке

Еще одна особенность, характерная как для синтеза ДНК, так и для роста кристаллов

ЖДЕННЫХ ЖИДКИХ МЕТАЛЛАХ Шредник РОСТ КРИСТАЛЛОВ И АВТОЭМИССИОННАЯ МИКРОСКОПИЯ

Зависимость скорости роста кристаллов от других условий кристаллизаКинетика осаждения

Зависимость скорости роста кристаллов от их размеров

Задача . Скорость образования и рост кристаллов

Задача Стефана математико-физический анализ процессов переноса, сопровождающих рост кристалла

Закон для роста кристаллов

Зарождение и рост кристаллов

Индивидуальный рост и растворение кристаллов

Ионные кристаллы, рост

Исследование линейной скорости роста кристаллов цеолитов и нуклеации в кристаллизующихся силикаалюмогелях

Исследование процесса зародышеобразования и роста массы кристаллов в кристаллизующемся , геле

К. A., IV Всесоюзное совещание по росту кристаллов. Содержание докладов, дополнительный том, Изд-во АН Арм. ССР, Ереван

Как для роста кристаллов, так и для роста молекул необходима затравка

Кальций кристаллы, рост при наличии

Капиллярная трубка, рост кристаллов

Каучук роста кристаллов

Кинематическая теория роста кристаллов

Кинетическая теория роста кристаллов формированием двумерных зародышей

Конденсация и Рост, скорость, кристаллов

Константа роста кристаллов

Косселя Странского теория роста кристаллов

Кривые роста кристаллов

Кристалл шаровидный, полный рост

Кристалла рост граней

Кристалла рост граней спиральный

Кристаллизаторы с контролируемым ростом кристаллов

Кристаллизация и рост кристалло

Кристаллизация рост кристаллов

Кристаллиты процесс образования и роста

Кристаллиты рост на поверхности

Кристаллиты скорость роста

Кристаллов ступень роста

Кристаллов ступень роста параллельные

Кристаллов ступень роста распределение по поверхност

Кристаллов ступень роста скорость перемещения

Кристаллов ступень роста спиральная

Кристаллы влияние вязкости иа рост

Кристаллы красителей рост зародышей

Кристаллы образование и рост

Кристаллы рост, влияние

Кристаллы скорость роста, зависимость от диффузии

Кристаллы температуры на рост

Кристаллы форма и условия роста

Кристаллы эпитаксиальный рост

Кристаллы, адсорбция законы роста принцип перекрывания

Кристаллы, дислокации образование и рост

Кристаллы, теория роста

Массоперенос и скорость роста кристаллов

Место роста кристалла

Место роста элемент связанный на половине кристалла

Механизм роста алмазоподобных кристаллов

Механизм роста кристалла из паровой фазы

Механизм роста кристаллов

Механизм сокристаллизации на стадии роста кристаллов

Механизм электролитического роста кристаллов

Модель роста реального кристалл

Молекулярный вес влияние на рост кристалло

Монокристаллов кристаллов из газов вне объема роста кристалла

Морфология кристаллов формы роста

Мюллера роста кристаллов, адсорбционная

НИТЕВИДНЫЕ КРИСТАЛЛЫ И ПЛЕНКИ Механизмы и кинетика роста

Найлон скорость роста кристалло

Найлон скорость роста кристаллов, линейная

Неизотермический рост кристаллов механизмом формирования двумерных зародышей в рамках двухслойной модели

Неизотермический рост кристаллов. Влияние эффектов нестационарности

Нестационарная теория роста кристаллов. Двухслойная модель

Нитевидных кристаллов рост на катоде

Новиков, В. А. Присяжнюк. Скорость роста и растворения кристаллов в присутствии ПАВ

О кинетике зарождения и роста кристаллов

О росте реальных кристаллов

ОБРАЗОВАНИЕ НОВОЙ ФАЗЫ. ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЕ И РОСТ КРИСТАЛЛОВ

Образование зародышей кристаллов и их рост

Образование центров кристаллизации и рост кристаллов

Общая характеристика процесса роста кристаллов

Общие кинетические зависимости для роста массы кристаллов цеолитов в кристаллизующихся гелях

Общие представления о зарождениии и росте кристаллов

Общий случай квазистационарного захвата примеси на стадии роста кристаллов

Объемная кристаллизация. Изотермическое зарождение и рост кристаллов в объеме расплава. Суммарная кинетика кристаллизации

Определение а при росте кристаллов из пара и испарении при низких пересыщениях

Определения ф Процессы образования и роста кристаллов в полимерах Влияние степени кристалличности полимеров на температуру их размягчения

Ориентированный рост галоидных солей щелочных металлов на металлических кристаллах

Основные представления теории роста кристаллов из растворов

Особенности образования и роста кристаллов в условиях фракционной кристаллизации

Особенности роста кристаллов при направленной кристаллизации

Охлаждение расплавов индивидуальных веществ с высокими скоростями зарождения и роста кристаллов

Охлаждение расплавов с низкими скоростями зарождения и роста кристаллов

ПАРКЕР МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ Предисловие автора к русскому изданию

Перемешивание рост кристаллов

Пересыщение растворов рост кристаллов

Поверхностная кинетика при росте кристаллов из паровой фазы Теоретические и экспериментальные результаты

Поверхностная миграция (рост кристаллов)

Поверхность металла изучение роста кристалла методом

Поверхность металла скорость роста растворения отдельных граней кристалла

Полимеры рост кристаллов, влияние

Полимеры скорость роста кристалло

Полиоксиметилен скорость роста кристалло

Полиоксиэтилен рост кристаллов, распределение по длине складк

Полипропилен изотактический скорость роста кристалло

Полистирол атактический скорость роста кристаллов

Полиэтилен рост кристаллов, влияние

Полиэтилен скорость роста кристаллов

Полиэтилен, диэлектрическая проницаемость рост кристаллов

Полиэтиленадипинат скорость роста кристалло

Полный коэффициент для роста кристаллов

Полный коэффициент для роста кристаллов из пара

Полный коэффициент для роста кристаллов из пара, определение

Полный коэффициент для роста кристаллов из раствора, определение

Порядок процесса роста кристаллов

Примеси рост кристаллов

Проблемы роста кристаллов, изд-во Мир

Процесс объемной диффузии при росте кристалла

Пути управления качеством кристалла при его росте

Р- ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

Равновесие при росте кристаллов

Расчет количества примеси, захваченной на стадии роста кристаллов

Расчеты элементарных актов при росте кристаллов из газовой фазы

Регуляторы роста кристалло

Рост волокнистых кристаллов в капиллярной трубке

Рост и разрушение кристаллов

Рост кристалла как последовательная реакция

Рост кристалла механизм поверхностной диффузии

Рост кристалла механизм прямого встраивания

Рост кристаллитов

Рост кристаллитов

Рост кристаллов Рейнольдс Предварительные замечания

Рост кристаллов анизотропия

Рост кристаллов в процессе твердофазного превращения

Рост кристаллов в расплаве

Рост кристаллов в условиях массовой кристаллизации

Рост кристаллов дендритный

Рост кристаллов дислокационный

Рост кристаллов за счет необратимых реакций

Рост кристаллов зависимость от перемешивания

Рост кристаллов зародыши

Рост кристаллов и понятие о дефектах кристаллических решеток Классификация дефектов кристаллического строения. Точечные и протяженные дефекты. Выявление дислокаций металлографическим методом. Формы ямок травления на разных гранях кристаллов

Рост кристаллов из жидких растворов

Рост кристаллов из паров

Рост кристаллов из растворов

Рост кристаллов из растворов в расплавленных металлах

Рост кристаллов кинетика

Рост кристаллов механизмы моно и полинуклеарный

Рост кристаллов пересыщения

Рост кристаллов пирамиды

Рост кристаллов поверхности

Рост кристаллов при затвердевании бинарных и многокомпонентных расплавов

Рост кристаллов при затвердевании чистых веществ

Рост кристаллов при полиморфных превращениях

Рост кристаллов размеров частиц

Рост кристаллов реакцией на поверхност

Рост кристаллов сахарозы из раствора, торможение ступеней

Рост кристаллов спирали

Рост кристаллов спиральный

Рост кристаллов стадии

Рост кристаллов условия

Рост кристаллов фигуры

Рост кристаллов, метод Бриджмена

Рост металлического кристалла на катоде

Рост сферического кристалла в переохлажденном расплаве

Самозарождение и рост кристаллов

Сбор сведений, необходимых для выращивания кристалЛОВ I Предварительное ознакомление с ростом кристаллов данного вещества

Свенсона с регулируемым ростом кристаллов

Скорость роста кристалла

Скорость роста кристалла на катоде

Скорость роста кристаллов величина, предельная для стеклообразования

Скорость роста кристаллов влияние вязкости

Скорость роста кристаллов теория

Скорость роста кристаллов эффект температуры ликвидус

Скорость роста кристаллов, влияние

Создание пересыщения, зарождение и рост кристаллов

Спекание при росте кристаллов

Стадия реально-промежуточная роста н растворения кристаллов

Статистическая механика роста кристаллов теоретико-физический анализ проблемы

Странского модель роста кристаллов

Структура границы раздела фаз и механизм роста кристаллов

Структура, морфология и рост кристаллов бактериального магнетита. Стефен Мат

Сульфат рост кристаллов

Температура влияние на рост кристаллов

Теории роста кристаллов в связи с принципом послойного роста

Теории роста совершенных кристаллов

Теории, рассматривающие коэффициент отражения для испарения и роста кристаллов

Теория метода экспериментального определения зависимости скорости роста кристаллов от переохлаждения на фронте кристаллизации

Теория роста несовершенных кристаллов

Углерод рост кристаллов

Уравнение скорости роста грани на макроскопическом кристалле, выраженное

Уравнения роста кристалла

Уравнения термодинамики процессов кристаллизации (с учетом роста, агрегации, дробления, образования кристаллов)

Установка для изучения скорости роста кристаллов

Физические процессы, определяющие рост кристаллов, до конца не установлены

Фольмер адсорбционная теория роста кристаллов

Форма роста кристаллов

Формы роста и растворения кристаллов

Фронт роста кристалла на катод

Численные данные по скоростям роста кристаллов из пара и испарения

Экспериментальное исследование механизма роста металлических кристаллов

Экспериментальное определение линейной скорости роста кристаллов цеолитов

Элементарные процессы роста кристаллов

Элементарные сведения из области теории роста кристаллов

роста кристалла от поверхностной энергии на его

роста кристаллов в некоторых типичных силикатных минералах фиг

фиг вязкости на рост кристаллов



© 2025 chem21.info Реклама на сайте