Рост кристаллов зависимость от перемешивания

Проведенные исследования подтверждают гипотезы, положенные в основу модели кристаллизации (3.250) —(3.254), (3.255) — (3.257) 1) рост кристаллов происходит в диффузионной области из-за сильного влияния перемешивания 2) вторичные центры образуются за счет истирания кристаллов несущей фазы в зависимости от критерия Вебера 3) явления дробления и агрегации отсутствуют. [c.314]

Ответственной стадией процесса является охлаждение мыльно-масляного расплава. Изменяя скорость охлаждения, можно значительно воздействовать на структуру, а следовательно, и на свойства смазок. Кристаллизация мыла, протекающая при охлаждении расплава, сопровождается образованием центров кристаллизации, ростом кристаллов и связыванием их друг с другом с образованием структурного каркаса смазки. В зависимости от типа и требуемого качества смазки охлаждение можно проводить с постоянным понижением температуры (медленно) или при резком перепаде температур (быстро) как в динамических, так и в статических условиях. При медленном охлаждении смазки в покое или перемешивании образуются крупные мыльные волокна, быстрое охлаждение способствует образованию мелких волокон. [c.255]

При анализе массовой кристаллизации кинетические характеристики процесса — скорость роста линейного размера кристаллов к и скорость образования зародышей / — полагаются известными как некоторые функциональные зависимости от определяющих параметров. Так, скорость роста в общем случае считается зависящей от пересыщения раствора и размера кристалла dr/dx = Я(со, г), а скорость образования зародышей — от пересыщения раствора /(ш). Обычно зависимость X от а обусловливается скоростью процесса собственно кристаллизации на гранях кристалла, а зависимость скорости роста от размера кристалла следует из характера сопротивления диффузионному переносу вещества от раствора к поверхности. Интенсивность перемешивания раствора и некоторые другие факторы, влияющие на кинетику образования и роста кристаллов, считаются неизменными. [c.141]

На рис. 3.30 приведены расчетные зависимости при различных условиях выгрузки продукта из аппарата. Как видно, чем ближе Ф(1) к значению функции выгрузки, соответствующей полной классификации, тем однороднее становится состав продукта на выгрузке. Это объясняется тем, что при классификации вероятность попадания мелких частиц на выгрузку значительно меньше, чем крупных, поэтому в аппарате происходит накопление твердой фазы (рис. 3.31). Повышенное содержание кристаллов небольшого размера приводит к значительному увеличению поверхности растущих частиц и, следовательно, к наиболее полному снятию пересыщения раствора. Низкое пересыщение, в свою очередь, способствует снижению величины вторичного зародышеобразования и созданию наиболее благоприятных условий для роста кристаллов. Более полное снятие пересыщения раствора при селективной выгрузке приводит к увеличению удельной производительности по сравнению со случаем полного перемешивания суспензии (рис. 3.32). Но следует отметить, что при этом возрастает время выхода кристаллизатора на установившийся режим работы. При выборе значений функции Ф(0. которая обеспечит получение продукта необходимого гранулометрического состава, нужно учитывать то обстоятельство, что содержание твердой фазы в аппарате не должно превышать 10%, в противном случае происходит ухудшение условий классификации и [c.210]

Рис. 6.45. Зависимость скорости роста кристаллов полиэтилена от скорости перемешивания [303].

Размер кристаллов твердой фазы определяется соотношением скорости образования и роста кристаллических зародышей. В зависимости от режима достижения пересыщенного состояния системы (скорость охлаждения, скорость удаления растворителя, перемешивание) могут быть получены кристаллы самых различных размеров. Кристаллизация из переохлажденных растворов, когда скорость образования кристаллических зародышей существенно превосходит скорость роста кристаллов, благоприятствует получению мелкокристаллических осадков. Наличие в системе готовой поверхности раздела фаз (стенки сосуда, суспендированные кристаллы) облегчает образование кристаллических зародышей и препятствует достижению пересыщенного состояния. [c.483]

Определение зависимости скорости роста кристаллов от интенсивности перемешивания позволяет рассчитать коэффициент массопереноса для изучаемой системы. В табл. VII.5 даны значения коэффициентов массопереноса для нескольких систем. Заслуживают интереса абсолютные величины коэффициентов массопереноса, которые в целом довольно близки между собой. Этого, конечно, можно было ожидать заранее для системы с общим растворителем (водой). [c.281]

Формула (4.6.3) при — I я = О совпадает с приведенной у Крегера [129, с. 9]. Параметры уравнений (4.6.2) и (4.6.3) зависят от размера кристаллов. Эти зависимости специально не исследовались. Однако характеристики равновесного захвата, по-видимому, очень слабо связаны с размером кристаллов при обычной дисперсности твердой фазы (г >. 10 см). Скорость же роста кристаллов заметно зависит от их размера даже нри интенсивном перемешивании суспензии. Учитывая зависимость коэффициента захвата примеси от скорости роста кристаллов и комбинируя уравнения (3.3.3) и (4.6.1), приходим к соотношению [c.130]

Скорость роста кристаллов зависит также от скорости растворения подпитывающего вещества. Для скоростей роста 1,3— 4 мм/сут зависимость скорости роста от скорости растворения линейна. При этом в процессе кристаллизации скорость растворения подпитывающего вещества понижается, что, в свою очередь, приводит к понижению скорости роста затравочных кристаллов из-за уменьшения как массы подпитывающего вещества, так и его поверхности в результате спекания. При использовании больших тиглей, когда поверхность подпитывающего вещества достаточно велика, или при увеличении скорости растворения путем интенсивного перемешивания раствора-расплава вблизи поверхности подпитывающего вещества снижение скорости роста является менее заметным. [c.158]

Одним из важных параметров, влияюш,их на скорость роста, является интенсивность перемешивания жидкой фазы, скорость ее движения относительно поверхности твердой частицы. При постоянной температуре и неизменной степени пересыщения раствора скорость роста может значительно изменяться с изменением числа оборотов мешалки или частоты вращения кристалла. Характер зависимости = / (м) схематически показан на рис. 1У-3. Как видно из рисунка, сначала скорость роста с увеличением числа оборотов кристалла быстро возрастает. Затем йЫ(1(л уменьшается и постепенно превращается в нуль. При достижении некоторой предельной скорости вращения Ь перестает зависеть от со. Подобные зависимости наблюдались для растущих из водных растворов кристаллов тиосульфата натрия, сахарозы и ряда других веществ [12]. [c.82]

Кинетика образования кристаллических осадков обусловливается рядом факторов. Она включает в себя образование пересыщений или переохлаждений, зарождение новой фазы, рост частиц и изменение распределения их по размерам в ходе перекристаллизации. Изучение кинетики осаждения связано с установлением зависимостей скоростей зародышеобразования и роста кристаллов от степени отклонения системы от состояния равновесия, температуры, химического состава, перемешивания жидкой фазы, действия различных излучений и полей. При этом, естественно, рассматривается механизм сопровождающих фазообразование явлений. [c.85]

Изучая скорость роста кристаллов различных солей при кристаллизации из водных растворов в зависимости от условий образования осадков, нашли [И], что константа скорости роста для аммиачной селитры при 20 °С равна 0,324. В данном случае константа выражается в кг м - ч (где п — порядок процесса кристаллизации, близкий для азотнокислого аммония к 1). Надо отметить, что константа скорости кристаллизации для аммиачной селитры сравнительно велика. Она, например, почти в 20 раз больше аналогичной константы для безводного сульфата натрия и в 7 раз больше константы скорости кристаллизации семиводного сульфата железа. Это говорит о том, что скорость кристаллизации селитры велика, т. е. процесс перехода ее в твердую фазу протекает быстро. Близость порядка процесса к 1 позволяет предполагать, что кристаллизация происходит в диффузионной области. Следовательно, на нее должны оказывать существенное влияние перемешивание, температура и тому подобные факторы. [c.201]

Остановимся подробнее на кристаллизации железистосинеродистого калия, которая изучалась более подробно [3]. Эта соль в устойчивом состоянии кристаллизуется с тремя молекулами кристаллизационной воды. Она хорошо растворима в воде и ее растворимость в значительной степени зависит от температуры. Это позволяет использовать для получения пересыщенных растворов термический метод. Железистосинеродистый калий относится к числу соединений, довольно легко образующих устойчивые пересыщенные растворы. Из водных растворов он осаждается в виде желтых кристаллов, по своему строению относящихся к моноклинной сингонии. Линейные скорости роста кристаллов K4[Fe( N)e] по разному изменяются с ростом степени пересыщения раствора в зависимости от того, идет ли процесс в кинетической области или в диффузионной. Последнее в известной мере зависит от интенсивности механического перемешивания раствора. [c.264]

Одним из важных факторов, определяющих скорость роста кристаллов, является интенсивность перемешивания фосфорнокислых пульп. При постоянных физико-химических параметрах пересыщенных растворов линейная скорость роста кристаллов может значительно изменяться в зависимости от частоты вращения мешалки п или частоты вращения кристалла со (рис. 2-15). [c.62]

Опишем процесс массовой кристаллизации из растворов и газовой фазы с учетом контактного вторичного зародышеобразования. Контактное зародышеобразование [30, 33, 38—41] осуществляется посредством маточных кристаллов, если они сталкиваются с другой поверхностью, которой может быть поверхность других кристаллов или стенок кристаллизатора и мешалки. Контактное зародышеобразование вызывает у исследователей значительный интерес, так как вклад его в образование кристаллов наибольший среди всех других видов зародышеобразования [35, 33, 39]. В опубликованных исследованиях для этого типа зародышеобразования контакт достигался или скольжением кристалла вдоль наклонной стеклянной поверхности, погруженной в пересыщенный раствор того же самого вещества [30], или столкновением с мешалкой, или же контрольным ударным контактом между кристаллической затравкой и прутком, сделанными из различных материалов [33, 40]. Существует непосредственная корреляция между числом образовавшихся зародышей и энергией удара при постоянной площади соприкосновения. Авторы работ [33, 42] отмечают сильную зависимость скорости контактного зародышеобразования от пересыщения и предлагают объяснение этого механизма новые центры образуются в жидкой фазе около кристалла или происходят из затравочного кристалла в результате истирания при соударении, при котором от поверхности кристалла откалываются маленькие кусочки, но выживают и получают право на дальнейший рост только те, размер которых больше критического для данного пересыщения. Изучению влияния на контактное зародышеобразование размеров затравочных кристаллов и интенсивности перемешивания посвящены работы [40, 43]. [c.47]

При высоких степенях пересыщения раствора существует обратная зависимость, и получаются мелкие кристаллы (образование кристаллов опережает их рост). Поэтому на 1-й ступени кристаллизации размер кристаллов всегда меньше, чем на 2-й. На размер кристаллов оказывает влияние также длительность пребывания сырья в кристаллизаторе при более длительном — размер кристаллов увеличивается. Кроме того, средний размер кристаллов определяется также типом кристаллизационного оборудования, интенсивностью перемешивания раствора, температурным градиентом, вязкостью жидкой фазы и другими параметрами. Влияние этих факторов практически не изучено. Опыт промышленной эксплуатации показывает, что на 1-й ступени при применении скребковых кристаллизаторов средний размер кристаллов составляет 0,07-0,1мм. На 2-й ступени кристаллизации он больше и составляет 0,2 мм. В результате охлаждения исходной гомогенной смеси в кристаллизаторах получают две фазы жидкую и твердую, которые разделяют на специальных аппаратах. В производстве обычно используют центрифуги и в некоторых случаях вакуум-фильтры. [c.171]

Из полученных экспериментальных данных видно, что с ростом содержания примеси в исходном растворе ее концентрация и в осадке и в отмытых кристаллах увеличивается. Состав маточного раствора остается при этом практически постоянным, за исключением тех случаев, когда исходное содержание примесей в жидкой фазе оказывается ниже их растворимости в данной системе при 20°. Связь между содержанием примеси в осадке и ее исходной концентрацией в растворе имеет сложный характер. Она обусловлена одновременным течением нескольких процессов, о которых мы упоминали выше (соосаждение, адсорбция и внедрение). Концентрация же примесей в отмытых кристаллах, наоборот, находится в прямой зависимости от ее первоначальной концентрации в жидкой фазе. Отношение х1а, как это видно из данных таблицы, близко к постоянной величине. Линейная зависимость в данном случае объясняется тем, что величина концентрации двухромовокислого калия или азотнокислой меди в кристаллах азотнокислого калия определяется в основном процессом внедрения. Величину х1а мы будем в дальнейшем называть коэффициентом захвата К. Рассмотрим зависимость К от различных факторов. Судя по полученным экспериментальным данным, коэффициент захвата бихромата калия азотнокислым калием увеличивается с увеличением времени перемешивания раствора для исходных температур кристаллизации 40 и 80°. [c.66]

При более длительном контакте фаз с увеличением исходной температуры раствора величина коэффициента захвата сначала уменьшается, а затем возрастает. Таким образом рост начальной температуры при сравнительно коротком времени контакта фаз способствует получению более чистых кристаллов. Изменение содержания примеси в кристаллах азотнокислого калия в зависимости от длительности перемешивания указывает на то, что распределение примесей между фазами в данном случае не является равновесным. О том же свидетельствует и тот факт, что при одинаковом по составу маточном растворе получаются кристаллы с различным содержанием иримеси. Перемешивание полученной пульпы после ее охлаждения может привести либо к обогащению кристаллов примесью, либо к снижению ее концентрации в них в зависимости от того, выше или ниже эта концентрация равновесной. [c.66]

В условиях массовой кристаллизации учет зависимости скорости роста от перемешивания раствора усложнен особыми обстоятельствами. К их числу прежде всего относится возможность перемещения кристаллов по объему раствора, наряду с вращением их вокруг соответствующих осей. Естественно, это затрудняет учет скорости движения фаз относительно друг друга. Поэтому изучение характера зависимостей L / (оэ) и т. п. приходится проводить на примере роста единичных кристаллов, максимально учитывая при этом особенности коллективного роста. Конечно, это позволяет получить лишь приближенные представления о ходе процесса. Однако, сочетая данные о росте с другими данными по кристаллизации, можно составить достаточно четкие представления о механизме и закономерностях образования кристаллических осадков. [c.83]

Изучение зависимости линейной скорости роста граней от частоты вращения кристалла в растворе показали, что на кривой L = f (а) имеется максимум [5]. Наблюдаемый эффект объясняется двумя причинами. С одной стороны, перемешивание ускоряет диффузию строительного вещества к поверхности кристалла, а с другой — способствует отрыву от поверхности части строительных комплексов. Первое способствует ускорению роста, а второе — замедляет его. [c.264]

Влияние интенсивности перемешивания на линейную скорость роста можно объяснить ускорением диффузии вещества из объема раствора к поверхности и уменьшением толщины пограничного слоя на поверхности кристалла. Для учета интенсивности перемешивания предлагались различные зависимости, в частности [64] [c.62]

Кристаллизация веществ, растворимость которых уменьшается в зависимости от температуры, может быть достигнута в результате понижения температуры насыщенного раствора (перекристаллизация). При медленном понижении температуры вещество кристаллизуется в виде крупных кристаллов, а при быстром охлаждении образуются мелкие кристаллы. Мелкие кристаллы являются более чистым продуктом, свободным от примесей, тогда как рост крупных кристаллов сопровождается захватыванием незначительных количеств маточного раствора, содержащего примеси других веществ. Для получения химически чистого вещества перекристаллизацию производят (иногда несколько раз) при рез-ком понижении температуры раствора и энергичном перемешивании его. Чаще всего насыщение проводят при температуре кипения растворителя для охлаждения растворов применяют лед, снег или холодную воду. [c.83]

В промышленных кристаллизаторах непрерывного действия образование и рост кристаллов происходят одиовремепно. Относительные скорости образования и роста определяют распределение получаемых кристаллов по размерам. Данные об этих скоростях, пригодные для проектных расчетов, практически отсутствуют. Однако детальное рассмотрение процесса позволяет сделать некоторые выводы, подтвержденные опытом эксплуатации промышленных кристаллизаторов. При низких степенях пересыщення растворов рост кристаллов преобладает над их образованием и поэтому получаются крупные кристаллы. При высоких степенях пересыщения существует обратная зависимость и получаются мелкие кристаллы. Как правило, для получения крупных кристаллов требуется низкая степень пересыщения, так как в противном случае независимо от типа применяемого оборудования и режима работы образуется слишком большое число ядер кристаллизации. Это неизбежно ведет к снижению производительности кристаллизаторов и необходимости в круппогабаритном оборудовании. Следовательно, задача сводится к достижению максимальной ироиз-водительности кристаллизаторов, совместимой с низкой скоростью образования ядер кристаллизации. Тип применяемого кристаллизационного оборудования, скорость перемешивания, температурный градиент, вязкость жидкой фазы й другие факторы определяют в весьма сложной форме степень пересыщения, которая допустима при необходимости получения крупных кристаллов. Однако оптимальный режим, требуемый для получения кристаллов заданных размеров, может быть выбран только па основе производственного опыта. [c.70]

Зависимость v = f (AT) по этому уравнению имеет экстремальный характер максимальная скорость роста достигается при определенном переохлаждении (рис. XV-3, б). Как показали экспериментальные исследования, последнее уравнение лишь качественно подтверждается, так как оно не учитывает ряда факторов, влияющих в реальных условиях на скорость роста кристаллов (перемешивание исходной фазы, наличие в ней примесей и др.). Заметим, что скорости роста кристаллов разных веществ могут сильно различаться. Так, например, для глицерина Умако == = 0,11 мм/мин, а для бутилфенола 1117 мм/мин. [c.687]

Для уравнения (33.14) возможны два предельных случая 1) когда можно пренебречь влиянием пограничного слоя (бс- 0), т. е. когда рост кристалла лимитируется поверхностной кинетикой 2) когда определяющая роль принадлежит влиянию пограничного слоя (бс—>-оо). Ясно также, что с приближением толщины бс к нулю, т. е. с усилением перемешивания, наблюдаемая скорость роста Q возрастает, асимптотически приближаясь к некоторой величине (см., например, [281]). Если оба члена в левой части (33.14) одинаковы по порядку величины, то, поскольку толщина бс пропорциональна [см. выражение (33.11)], скорость роста при постоянном значении (Соо —Со), записанная в виде произведения Qu 4 должна быть пропорциональной Q /" при некотором значении п, соответствующем показателю степени в выражении зависимости скорости кристаллизации от пересыщения на фронте роста (33.12). (Этот вывод основан на предположении, что толщина бс постоянна по поверхности, хотя гидродинамический анализ показывает, что она меняется, принимая на краю пластины минимальное значение, равное нулю.) Данные, полученные Мак-Кэйбом и Стивенсом [288] при экспериментальном исследовании роста uS04-5H20 из водного раствора, согласуются с выражением (33.14) при п — 2. [c.515]

Фигурновский и Комарова изучали также скорость роста кристаллов других солей и показали, что при убывающем пересыщении без перемешивания существует прямолинейная зависимость между средними скоростями роста кристаллов и относительным пересыщением. Установлена критическая величина пересыщения, когда скорость роста кристаллов практически равна нулю. [c.133]

Протяженность участка вс в зависимости от условий кристаллизации (концентрации, температуры, перемешивания) по скорости перехода ее к постоянному значению потенциала (до точки с) различна. По-видимому, этот участок характеризует преимущественное лротекание процесса роста ранее возникших кристаллических зародышей, что, однако, не исключает возможности возникновения и новых зародышей. Механизм роста кристаллов можно объяснить следующим образбм. Рост зародышей, представляющих собой микроскопические окислительно-восстановительные электроды, происходит в результате протекающей на них окислительно-восстановительной реакции 2Т1 ++Си +- Си(кр.)+2Т1 +, а также вследствие агрегирования первично возникших в растюре кристаллических зародышей, обладающих высокой поверхностной энергией. [c.60]

Факторы, определяющие природу и состав осадка, а также его пригодность или непригодность для аналитических целей, весьма многочисленны и с количественной точки зрения оценены недостаточно. Их характер можно представить себе, рассматривая процесс осаждения во времени. Сначала раствор становится пересыщенным, и рано или поздно в нем появляется несколько зародышей, пригодных для первоначального образования кристаллов. В зависимости от скорости образования зародышей и скорости роста кристаллов характер получающегося осадка может меняться от микрокристаллического до крупного и гранулированного. При стоянии размер кристаллов будет медленно возрастать, поскольку мелкие кристаллы более растворимы, чем крупные, поэтому последние растут за счет первых. Полная картина процесса, вообще говоря, сложнее. Могут наблюдаться адсорбция и соосаждение, и осадок может выделиться в аморфном состоянии. Кроме того, он может выделиться сначала в коллоидной форме, что потребует для ускорения коагуляции добавления поверхностноактивных веществ. Часто для понижения содержания нежелательных примесей может потребоваться перекристаллизация осадка. Очевидно, что все эти факторы также зависят от многих физических параметров, например температурных условий, pH, концентрации, скорости добавления реагентов и интенсивности перемешивания. Осаждение из гомогенных растворов уменьшает число этих трудностей, но такие процессы в значительной степени еще остаются эмпирическими. И опять-таки чувствительность капельных проб, основанных на осаждении, можно иногда значительно повысить, если на бесцветном или слабо окрашенном осадке адсорбировать окрашенное вещество. Это позволяет облегчить визуальное определение осадка. (В качестве примера можно привести адсорбцию п-нитробензолазо-а-нафтола на белом осадке Мд(0Н)2.) [c.228]

Что же касается линейной скорости роста кристаллов, она должна быть пропорциональной абсолютному пересыщению раствора, взятому в первой степени. Подобная зависимость скорости роста от пересыщения наблюдается нри течении процесса кристаллизации в диффузионной области. Влияние перемешивания в процессе осаждения преципитата сводится к ускорению диффузии продуктов растворения известняка или извести в объем раствора, к выравниванию концентраций в жидкой фазе. Так как кристаллы СаНР04-2Н20 относятся к моноклинной сингонии, перемешивание может приводить также к их ломке, дроблению. [c.193]

Толщина диффузионного слоя 6 зависит от степени подвижности (или перемешивания) расплава. Ее величина будет тем меньше, чем сильнее двилсение жидкости. Поскольку б зависит также от коэффициента диффузии, ее величина может быть разной для разных элементов даже для одной и той л е поверхности раздела. Она в небольшой степени мол ет меняться в зависимости от скорости роста кристалла. Немногочисленные экспериментальные данные (см., например, I [32]) по магматическим системам показывают, что б имеет величину порядка 10 мкм для экспериментов, коэффициенты распределения которых далеки от 1. Соответственно при величине I) порядка 10 см -с отношение будет около 10 см -с. Кривые, показывающие из- [c.207]

Наиболее распространенным методом создания контакта между углеводородами (нефтяной фракцией) и карбамидом (независимо от агрегатного состояния последнего) как в лабораторных условиях, так и в промышленном масштабе, обеспечивающим успешное проведение комплексообразования, является перемешивание. При перемешивании кристаллического карбамида в нефтепродукте резко возрастает число столкновений кристаллов карбамида с молекулами активатора, благодаря чему, во-первых, освобождается поверхность карбамида от молекул ингибитора, а во-вторых, несколько повышается растворимость карбамида в углеводородной фазе. При перемешивайии же углеводородной фазы и водного раствора карбамида нарушается кристаллическая решетка на границе раздела фаз и повышается градиент концентрации активных углеводородов в слоях углеводородной фазы, прилегающих к границе раздела фаз [127]. Кроме того, при интенсивном перемешивании скорость развития поверхности раздела фаз превышает скорость покрытия ее адсорбирующимися на ней ингибиторами, что приводит к увеличению поверхности раздела фаз, свободной от адсорбированных молекул ингибиторов, и к сокращению индукционного периода. Естественно, при большей скорости вращения мешалки обеспечивается более быстрый рост поверхности, не занятой ингибиторами, что способствует сокращению индукционного периода (рис. 29). В. В. Клименок с сотр. [12, 66, 127] показали зависимость индукционного периода от скорости вращения мешалки (рис. 30). Установлено также, что с возрастанием интенсивности перемешивания минимум температуры застывания депарафината достигается быстрее, по величина температуры застывания практически не зависит от интенсивности перемешивания, что показано на рис. 31. [c.71]

Концентрационное переохлаждение, естественно, не играет большой роли в чистых или почти чистых расплавах (например, при выращивании кристаллов большей части полупроводников и окислов неорганических веществ). Однако диффузия и концентрационное переохлаждение могут доставлять неприятности при высоких концентрациях активаторов (например, при производстве диодов по методу Есаки [27]) и при выращивании инкон-груэнтно плавящихся окислов неорганических материалов и других соединений, у которых максимальная температура плавления не соответствует нужной стехиометрии и у которых кристалл и расплав сильно различаются по составу. Перемешивание расплава уменьшает толщину диффузионного слоя, снижая вероятность возникновения зоны концентрационного переохлаждения. Но как показал Хэрл [28], концентрационное переохлаждение возможно даже в перемешиваемых расплавах. При ко < 1 концентрация примеси или активатора перед кристаллической поверхностью возрастает по мере роста и достигает стационарного уровня Со. Развивая представления Бартона и др. [24], рассматривавших зависимость эфф от скорости перемешивания, Хэрл [28] вывел уравнение, связывающее возникновение концентрационного переохлаждения со скоростью перемешивания. [c.128]

Процесс образования и роста осадков является весьма сложным. Условия формирования осадков — температура, концентрация осаждаемого вещества, осадителя и посторонних солей в растворе, порядок сливания растворов, перемешивание раствора, продолжительность осаждения и т. д. — оказывают большое влияние на размер, форму и чистоту осадка. Особенно большое значение при этом имеет химическая природа осадка. Одни и те же малорастворимые соединения, например Ва304 и Mg(OH)2 в зависимости от условий могут быть получены в виде хорошо сформированных кристаллов или в аморфной форме. Во многих случаях малорастворимые соединения склонны к образованию коллоидных растворов, например 51 (ОН) 4, НЬ(ОН) и многие малорастворимые сульфиды. Поэтому в аналитической химии в зависимости от целей проведения данной реакции оСа-ждения следует очень осторожно и вдумчиво относиться к выбору условий осаждения. [c.40]

Результаты экспериментов могут изменяться в зависимости от принятой методики проведения опытов, от консгрукции кристаллизатора и характеристики химического соединения, однако имеется вполне определенная зависимость, которая гюдтвер-ждается практическими результатами. Энергичное перемешивание раствора всегда приводит к получению мелких кристаллов, так как в этих условиях образуется большое количество дополнительных зародышей в результате трения кристаллов друг о друга. С другой стороны, при равномерном спокойном движении пересыщенного раствора усиливается рост уже присутствующих кристаллов и не происходит чрезмерного образования мелочи. [c.152]

Высокое пересыщение раствора способствует, очевидно, и образованию дендритных форм роста. Действительно, приток кристаллизующегося вещества из раствора легче всего осуществляется к вершинам кристалла, поэтому скорость роста вершин кристалла намного обгоняет скорость роста ребер и граней, что в конечном счете приводит к образованию древовидной формы кристалла-дендрита (рис. 45, а). К благоприятным условиям роста деидритов помимо высокого пересыщения относятся также отсутствие перемешивания, кристаллизация из вязких растворов, присутствие примесей — чаще всего поверхностноактивных веществ. При росте дендритов кристаллизующееся вещество постепенно может заполнять пространство между ветвями, поэтому конечные формы дендритного роста могут быть самыми различными — от компактных кристаллов до ежепо-добных — в зависимости от природы вещества и условий его роста. Более подробные сведения об особенностях и причинах дендритного роста можно найти в специальной литературе [6, 62, 199]. [c.94]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология