Конденсация и Рост, скорость, кристаллов

В настоящее время теоретики рассматривают процесс кристаллизации и конденсации состоящим из двух стадий — зарождения частиц новой фазы и их дальнейшего роста. Кроме того, существует также мнение [213], что рост кристаллов происходит за счет оседания на поверхности растущего кристалла субмикроскопических зародышей. В предположении,что скорость роста кристаллов в пересыщенных и насыщенных растворах определяется диффузией зародышей к одному из них, являющемуся центром возникающего кристалла, выведено уравнение скорости роста поверхности кристалла, которое связывает между собой энергию активации диффузии зародышей, среднее число молекул в зародыше, концентрацию и температуру раствора [317]. Я. И. Френкель [318] пришел к выводу о существовании субмикроскопических зародышей не только в пересыщенном растворе, но и в насыщенном. Идея о существовании в растворе субмикроскопических зародышей нашла экспериментальное подтверждение в работах Е. Познера [319]. [c.85]

Изменение скорости конденсации ик действует в некотором смысле противоположно температуре. С увеличением скорости конденсации, а следовательно, и пересыщения, уменьшается вероятность получения ориентированных осадков. Однако с ростом с к, как и с ростом температуры конденсации, размеры образующихся кристаллов увеличиваются. В дальнейшем под малыми [c.41]

Кроме условий растворимости, заметное действие на степень дисперсности твердой фазы эмульсии должна оказывать стадия ее конденсации, так как кристаллизационный процесс зависит как от образования центров кристаллизации, так и от скорости роста первичных кристаллов. По этой причине сильное влияние на физическое созревание оказывает продолжительность эмульсификации io и относительное количество иодистого серебра [AgJ] в твердой фазе [18]. Результаты соответствующих двух серий опытов приведены на рис. 11.10, где показаны изменения значений у и разрешающей способности R в зависимости от to и содержания AgJ. Интересно отметить по- [c.50]

Скорость конденсации зависит от температуры поверхности испарения и конденсирующей поверхности. Скорость накопления возогнанных кристаллов будет высокой при большой скорости парообразования и низкой температуре конденсирующей поверхности. Однако нельзя считать, что эти условия благоприятствуют разделению путем возгонки, так как быстрое испарение не способствует фракционированию и отделению примесей более того, быстрое охлаждение и образование кристаллов ведет к образованию твердой микрокристаллической корки на стенках охлаждающей поверхности и к образованию хлопьев кристаллов, которые легко отваливаются при перемещении охлаждающей поверхности. Для веществ с температурами плавления 40—100° возгонку следует проводить при температуре по меньшей мере на 10° ниже температуры плавления. Если вещество плавится между 100 и 200°, то температура возгонки должна быть на 50—80° ниже температуры плавления. При температурах выше 200° эта разница должна достигать 100—150°. Температура конденсирующей поверхности может меняться в пределах от температуры на несколько градусов ниже точки плавления сублимата до температуры проточной воды. Если возгон должен быть использован для кристаллографических работ, то температура конденсирующей поверхности должна быть ниже температуры сублимата это условие благоприятствует медленному росту аутоморфных кристаллов [61, 62]. С другой стороны, образование твердой корки мелких кристаллов не является недостатком при очистке кристаллических веществ или определении температуры плавления, а в некоторых случаях этот способ предпочтительнее. Корку кристаллов можно удалить острым лезвием микрошпателя или, лучше, смыть ее небольшим количеством растворителя. [c.72]

В разделе 1 было показано, что кристаллообразование зависит от условий конденсации-сублимации. При медленном охлаждении скорость роста кристаллов опережает рост центров кристаллообразования, что более благоприятно для процесса улавливания и уменьшения уноса. Мягкие условия охлаждения ПГС могут быть обеспечены, во-первых, оптимальным температурным режимом в конденсаторах системы улавливания и, во-вторых, использованием для этих целей соответствующего теплоносителя. В качестве теплоносителя для создания мягких условий охлаждения рекомендуется воздух, так как теплообмен между газами обеспечивается при низких коэффициентах теплопередачи. [c.112]

Конденсация может протекать как химический и как физический процесс, И в том и в другом случае метод конденсации основан на образовании в гомогенной среде новой фазы, имеющей коллоидную дисперсность. Общим условием образования новой фазы является состояние пересыщения раствора или пара. При возникновении местных пересыщений в каких-то участках раствора образуются агрегаты из нескольких молекул, которые и становятся зародышами новой фазы. Роль зародышей могут выполнять имеющиеся или вносимые в систему центры кристаллизации — пылинки, небольшие добавки готового золя и др. Чем больше число центров кристаллизации и меньше скорость роста кристаллов, тем выше дисперсность получаемых золей. [c.410]

Если кристалл получен удовлетворительный, то в раствор можно вводить новую затравку, ориентируясь на тот же режим роста. Однако трудно рассчитывать на успех первой постановки. Возможно, потребуется заново определить скорость рециркуляции в зависимости от теплообмена в конденсаторе. Заметим, что измерение скоростей конденсации во время опыта не приводит к срыву процесса. [c.99]

Химическая конденсация. Если при химической реакции образуется трудно растворимое соединение, то оно при определенных условиях может быть получено в виде коллоидного раствора. Для этого нужно, во-первых, вести реакцию в разбавленном растворе, чтобы скорость роста кристаллических частиц была невелика, тогда частицы получатся мелкие (10- —10- м) и системе будет обеспечена седиментационная устойчивость во-вторых, одно из реагирую Щих веществ взять в избытке, чтобы на поверхности кристалла мог образоваться ДЭС — основной фактор агрегативной устойчивости. [c.77]

Вторая стадия процесса выделения осадка — линейный рост зародышей — наступает после образования устойчивого критического зародыша — центра конденсации. Скорость этого процесса зависит от относительного пересыщения и размера самого зародыша. В основном он определяется диффузией выделяющегося из раствора вещества к поверхности зародыша. При малых пересыщениях образование твердой фазы протекает медленно и обычно получаются хорошо образованные кристаллы, с ростом пересыщения размер кристаллов уменьшается и можно получить частицы коллоидных размеров. По современным представлениям, новая твердая фаза, возникающая в пересыщенных растворах, в процессе формирования неизбежно проходит стадию коллоидной дисперсности. В зависимости от условий пересыщения раствора, свойств образующейся фазы, наличия в растворе поверхностно-активных веществ, коагулирующих ионов и др. процесс может либо затормозиться на этой коллоидной стадии, в результате чего образуется стабильная система золя, либо протекать в направлении укрупнения первичных частиц во времени. В том случае, когда укрупнение первичных частиц новой фазы происходит путем их агрегации, мы имеем типичный случай коагуляции в момент образования, характеризующейся рядом специфических особенностей. В процессе роста кристаллов или агрегатов их размеры и вес могут достичь столь значительной величины, что начинает сказываться сила тяжести и они оседают. [c.132]

Другая интересная проблема, касающаяся роста кристаллов, в особенности больших, состоит в том, необходима ли для образования двухмерных центров кристаллизации на совершенной кристаллической грани более высокая степень пересыщения, чем для роста неполностью укомплектованной грани. Еще в 1878 г. Гиббс предположил, что рост кристалла происходит посредством образования на кристаллической грани центров кристаллизации в виде однослойных островков, которые затем быстро растут до границ грани. Фольмер 2, Коссель з и Странский вывели теоретические уравнения для скорости роста, исходя из двухмерного механизма образования центров кристаллизации. Из этих уравнений следует, что для образования центра кристаллизации новой плоскости кристалла при кристаллизации металла из его пара необходимо, чтобы давление пара было на 25—50% выше, чем давление насыщения. Однако Фольмер и Шульц показали, что кристаллы нафталина, ртути и фосфора могут быть выращены из пара при пересыщении всего в 1%. Теоретически при таком пересыщении рост может иметь место только за счет атомов, попадающих на плоскую поверхность в соответствующее положение благодаря термическому возбуждению, и скорость роста должна быть в 10 ниже, чем наблюдаемая в действительности Такое колоссальное расхождение было в конце концов объяснено Фрэнком как результат роста по винтовой дислокации, которая схематически изображена на рис. 13. Очевидно, что кристалл с такого рода несовершенством может расти посредством выдвигающихся по спирали плоскостей, и не возникает никакой необходимости в образовании центров кристаллизации на плоской поверхности. Описано много случаев визуальных наблюдений роста кристаллов по спирали. При конденсации из [c.159]

Для получения кристаллов из пара можно использовать любое органическое вещество, которое способно сублимироваться без заметного разложения. Для выращивания достаточно больших кристаллов более пригодны те вещества, которые имеют упругость паров при температуре выше точки плавления в пределах от 10 до 1 атм. Если давление ниже, то скорость роста будет, очевидно, слишком мала более того, при этом возрастает возможность образования дендритов (из-за предпочтительной конденсации вещества в одних местах кристалла и недостатка его в других). [c.218]

В центре колбы подвешивается зародыш кристалла бензофенона, закрепленный в оправе из оловянной фольги с таким же противовесом. После эвакуирования до 5-10 мм рт. ст. колбу нагревают, погружая в горячую водяную баню. Пары, диффундирующие от стенок колбы, приходят в состояние пересыщения вблизи более холодного зародыша, что вызывает конденсацию пара и рост открытой грани зародыша. Скорость роста при различных пересыщениях может быть определена с помощью торзионных весов по изменению веса зародыша. [c.223]

Картина, изображенная на рис. 14, показывает, что в принципе не существует барьера для продолжения складывания молекул вдоль границ доменов, поэтому кристаллы могут расти очень просто, путем повторяющейся конденсации молекул с образованием монослоев, которые спирально развиваются по периферии кристаллов. Это, конечно, идеальный случай, и легко видеть, что даже у кристаллов, ограниченных гранями (ПО), молекулы могут в какой-то степени складываться также в плоскостях (100). Действительно, нет оснований считать, что молекулы не могут складываться в данном индивидуальном кристалле самыми разными способами. Поэтому такой кристалл должен иметь субструктуру доменов складывания, а границы доменов должны быть уже, чем у больших доменов, которые были отождествлены выше с секторами, образуемыми в идеальном случае, представленном на рис. 14. Так как в кристалле данной внешней формы возможны многие способы складывания молекул, то, по-видимому, складывание на молекулярном уровне является беспорядочным, и можно предполагать, что неупорядоченность будет возрастать при более высоких скоростях роста. Однако обнаружить на электронном микроскопе границы доменов складывания не легко, если только они не вырисовываются под влиянием неупорядоченности. Различные способы складывания почти не будут влиять на характер дифракционной картины, потому что последняя зависит в основном от порядка расположения молекул в объеме кристаллов. [c.438]

Выращивание кристаллов путем конденсации паров предполагает наличие температурного градиента между источником пара, имеющего обычно более высокую температуру, и пространством, где происходит рост кристаллов. Температуры источника паров и кристалла являются важнейшими параметрами процесса роста, и скорость роста, которая определяется степенью пересыщения, можно легко контролировать путем подбора этих температур. Рост кристаллов происходит с заметной скоростью при степени пересыщения порядка 0,1% в то время как, согласно теории образования ядер, степень пересыщения должна была бы составлять несколько десятков процентов. Как уже говорилось, такое несоответствие объясняется наличием винтовых дислокаций или других дефектов на поверхности кристалла. Этим методом можно просто и эффективно выращивать монокристаллы многих металлов, неорганических и органических соединений. [c.204]

Изучено явление кристаллизации ВеО из газовой фазы (в среде аргона). При этом рост кристаллов обнаружен при температурах 1900, 1800 и даже 1600° С. В процессе роста кристаллов из газовой фазы идет образование дендритных ветвлений и нитевидных кристаллов, так называемых усов. Метод выращивания кристаллов из газовой фазы может стать весьма перспективным, если будут найдены пути повышения скорости и способа управления процессом конденсации. [c.5]

Вторичный пар удаляется на конденсацию, а раствор опускается по трубе 2 под решетчатое дно кристаллизатора 3, откуда он поднимается, проходя слой кристаллов. При соответствующей скорости потока раствора в слое крупные кристаллы по мере их роста собираются в нижней части слоя и по трубе 4 выводятся из кристаллизатора. [c.486]

В процессе прямой конденсации молекулы могут поступать из газовой фазы настолько часто и попадать на поверхность настолько близко друг от друга, что возможно столкновение их друг с другом в процессе конденсации. Это может вызвать уменьшение ожидаемой скорости конденсации, которая должна была бы быть тем больше, чем больше давление. Результирующая скорость конденсации в этом случае не будет больше пропорциональной давлению. По-видимому, этот эффект будет существенным при очень большом давлении паров или, возможно, при росте кристаллов из жидкой фазы. Однако мы не знаем работ, где бы это подтвердилось. [c.25]

V. 18. Некоторые замечания относительно величины а. Выдвигались определенные гипотезы, которые обсуждались с помощью подобных таблиц. Например, предполагалось, что хотя а для испарения и конденсации жидкостей может считаться равной единице, скорости роста кристаллов должны быть меньше, чем жидкостей, и следовательно коэффициент а для роста кристаллов должен быть меньше единицы. Иногда выдвигалось положение, что скорости испарения кристаллов должны быть или действительно являются большими, чем скорости конденсации. [c.139]

В камере Вильсона была исследована гомогенная конденсация гелия в отсутствие ионов и других центров конденсации и найдена зависимость критического пересыщения от температуры . При изучении скорости образования кристаллов льда под действием гранул сухого льда установлено что эта скорость резко уменьшается при температуре выше —ТС. В камере Вильсона изучался также конденсационный рост капель воды, этилового и метилового спиртов , причем регистрация роста капель проводилась фотоэлектрическим измерением интенсивности рассеянного этими каплями света. Результаты экспериментальных исследований сравнивали с данными теоретических расчетов и определяли коэффициенты конденсации, которые для воды, этилового и метилового спиртов оказались равными соответственно 0,02, 0,01 и 0,004. [c.82]

Для изучения дислокации в металлических кристаллах авторы сосредоточили внимание на процессе роста кристалла из расплава. Однако аналогичное явление встречается при любом методе выращивания кристалла [78], будь то конденсация из пара, кристаллизация из жидкого растворителя или рост кристалла за счет химического разложения. В общем предотвратить образование дислокации в любом процессе роста, протекающего с конечной скоростью, исключительно трудно. К тому же дислокации образуются при любой механической обработке, включая зачистку поверхности, царапание, шлифовку и зазубривание. Наилучшим является использование низких скоростей выращивания и очень осторожное обращение. [c.135]

В сублимационных установках необходимо меть батарею конденсаторов, соединенных последовательно. Внутренние температуры в конденсаторах должны последовательно снижаться. Установлено, что при этом форма кристаллов изменяется при переходе от одного конденсатора к другому. В первой камере, где температура достаточно высока, скорость роста кристаллов может превысить скорость конденсации, и здесь будут расти крупные кристаллы, часто игольчатой формы. По мере того как пары переходят от конденсатора к конденсатору кристаллы уменьшаются, я в последней камере будут осаждаться мелкие ворсистые кристаллы. При отсутствии спроса на различные кристаллические формы появится необходимость в смесительной операции. [c.239]

Сталлов и в увеличении их размеров (и в целом — в увеличении количества кристаллической фазы за счет аморфной). Стадию роста можно рассматривать как переход равновесного зародыша в неравновесное состояние вследствие преобладания конденсации над растворимостью (сдвиг равновесия в другую сторону означает исчезновение зародыша). С повышением скорости процесса на стадии роста кристаллов их дефектность обычно увеличивается. [c.33]

При этом предполагается, что средняя длина свободного пробега молекул велика по сравнению с расстоянием Го, т. е. процесс проводится в вакууме. Общие представления об элементарных актах процесса конденсации были изложены в гл. V. Влияние отдельных факторов на механизм конденсации, который происходит в атомном масштабе, непосредственно исследовать невозможно. Можно только сопоставлять полученные результаты при изменении некоторых условий проведения процесса. Для этого определяем скорость роста кристалла в зависимости от температуры источника, температуры подложки, плотности пучка атомов, угла падения пучка на поверхность конденсации и устанавливаем влияние различных комбинаций этих факторов на скорость роста, микроморфологию поверхности роста и свойства полученных кристаллов. [c.344]

Будников и Шишков доказывают, что образование кристаллов из газовой фазы происходит путем конденсации вещества на вершине растущего кристалла. Монокристаллы окиси бериллия в виде усов очень прочны и могут испытывать большие упругие деформации (папример, согнуты под углом 180°) без разрушения. Будников и Шишков подчеркивают перспективность метода выращивания окисных кристаллов из газовой фазы, но считают, что еще требуется изыскивать пути повышения скорости роста кристаллов и выработать способы управления процессом конденсации нри высоких температурах. [c.250]

Каждая снежинка представляет собой монокристалл, который имеет ветвистую форму в виде шести лучей, выходящих из центрального ядра и затем ветвящихся снова и снова. Некоторые фотографии снежинок, выполненные Бентли и Хамфрисом, показаны на рис. 14 (Банн, 1970), откуда видно, что все снежинки представляют собой вариации на тему гексагональной симметрии. Причину, по которой при кристаллизации из паров образуются сложные ветвистые — дендритные формы вместо полиэдрических, в течение многих лет выяснял У. Мезон (Банн, 1970). Он изучал рост ледяных кристаллов при разных температурах и различных плотностях пара и нашел, что образованию красивых ветвистых форм способствуют высокие пресыщения пара, т. е. высокие скорости конденсации, которые характе- [c.50]

Так как суспензии отличаются от лиозолей только тем, что частицы в них на несколько порядков больше, все методы, которые используются для получения лиозолей, можно применять и для получения суспензий. При этом необходимо, чтобы степень измельчения диспергационными методами была меньше, чем при получении лиозолей. При конденсационных методах конденсацию необходимо проводить так, чтобы образовывались частицы, имеющие размеры 10" -10 см. Размер образующихся частиц зависит от соотношения скоростей образования зародышей кристаллов и их роста. При небольших степенях пересыщения обычно образуются крупные частицы, при больших — п№лкие. Предварительное введение в систему зародышей кристаллизации приводит к образованию практически монодисперсных суспензий. Уменьшение дисперсности может быть достигнуто в результате изотермической перегонки при нагревании, когда мелкие кристаллы растворяются, а за их счет растут крупные. [c.196]

Непосредственное образование кристаллов из паровой фазы зависит от свойств соединения, наличия зародышей на поверхности конденсации, давления и температуры сублимируемого вещества и сублимата. Простые симметричные молекулы, подобные хинону, антрацену и нафталину, легко дают красивые кристаллические сублиматы. При сублимации, так же как и при росте кристаллов из раствора, число, форма и разжр получающихся кристаллов зависят от отношения скорости образования зародышей [36- 2] и роста кристаллов к скорости, с какой поступает материал. Следовательно, сублимация чистых кристаллов может быть направлена таким образом, чтобы получалось большое число мелких кристаллов или несколько больших. В обычной практике встречаются с тремя типами сублиматов корка, порошок и макрокристал-лические сублиматы. В то время как такие вещества, как, например, ментол, бензойная кислота и нафталин, легко дают индивидуальные кристаллы вне зависимости оттого, каковы условия, другие соединения [43] трудно получить в такой форме. [c.513]

На основании этих предварительных расчетов теперь можно обсудить процесс роста единичной кромки. Непосредственная конденсация атома на кромке весьма маловероятна, поскольку ее дрля в кристалле мала. В то же время, как показано выше [уравнение (6)], плотность углов должна быть велика, и потому диффузия вдрль кромки не определяет скорости роста, в связи с чем ею можно пренебречь [стадии (г) и (д) могут быть объединены]. В равновесных условиях число атомов, осаждающихся на кристалл из газовой фазы и покидающих его, равно. Скорость испарения зависит от температуры в соответствии с уравнением (8), скорость осаждения пропорциональна давлению газа р. Превышение давления над равновесным давлением сопровождается увеличением чидла атомов, встраивающихся в углы и приводящих к развитию кромки. Степень пересыщения может быть выражена соотношением [c.166]

На рис. 11.29 показапы температурные зависимости скоростей образования центров кристаллизации сч и роста кристаллов V2 в переохлажденной жидкости. Соотношение между этими скоростями и взаимное расположение их максимумов определяют характер кристаллизации и структуру продуктов кристаллизации, Температурные области, лежан1ие по обе стороны от кривой скорости образования центров кристаллизации V], соответствуют метастабильпым зонам, в которых самопроизвольная кристаллизация невозможна. В высокотемпературной метастабильной зоне не образуются зародыши (мала степень переохлаждения), но могут расти центры конденсации, внесенные извне, так как температура в этой зоне ниже температуры плавления кристаллизуемого вещества. Наличие низкотемпературной метастабильной зоны обусловлено высокой вязкостью системы, которая препятствует доставке вещества к центру кристаллизации, и последний не образуется. [c.126]

V. 21. Численные результаты по испарению и конденсации кристаллов при низких пересыщениях и недосыщениях (табл.У. 2). В ранних работах по испарению [Hertz, 1882 Knudsen, 1909] принималось, что скорость роста или испарения можно описать уравнением (1.5) [c.146]

Хейер [178] оптическим путем измерял зависимость / от а на кристаллах уротропина, арсенолита и иода при их росте в откачанных запаянных стеклянных трубках. Для всех трех веществ наблюдались две последовательные стадии бездефектный и дефектный рост. Вторая стадия заключалась в том, что по достижении кристаллом определенного размера на его гранях появлялись обнаружимые дефекты, а скорость роста подчинялась линейному закону на первой стадии, когда кристалл был еще невелик, действовал квадратичный закон. Эти результаты согласуются с предсказаниями Бартона, Кабреры и Франка [41], если предположить, что появление видимых дефектов соответствует существенному повышению плотности дислокаций, причем расстояния между ступенями оказываются меньше или сравнимыми с Xs. Измеренные коэффициенты конденсации оказались, вообще говоря, меньше единицы даже в линейной области, что может свидетельствовать о влиянии инородного газа в системе. [c.458]

Адсорбция на слюде и гранях кристаллов солей. В последнее время в выяснении механизма адсорбции неполярных газов и паров на поверхностях этого типа были достигнуты большие успехи, блщ годаря измерениям в широких пределах давлений от самых низких давлений вплоть до давлений, соответствующих конденсации Boj многих случаях, вплоть до точки, в которой завершается построение первого слоя молекул, кривая зависимости адсорбированного количества вещества (откладываемого по оси ординат) от давления (ось абсцисс) вогнута к оси абсцисс и сходна по своей форме с простой изотермой Лэнгмюра правда, это не всегда имеет место например, при адсорбции кислорода на хлористом калии кривая может иметь почти линейный ход. При дальнейшем повышении давления адсорбция сначала (после построения первого слоя) растёт медленнее, чем раньше, но по мере приближения к точке конденсации скорость её роста с давлением повышается всё больше и больше, достигая под конец огромного значения. В нескольких случаях наблюдались изломы кривой, которые можно связывать с завершением построения отдельных молекулярных слоёв. Вообще же количество вещества, адсорбируемое после построения первого слоя, позволяет заключить, что объёмная конденсация на этих плоских поверхностях начш1ается уже после адсорбции всего лишь 4—5 слоёв. [c.532]

Что касается бериллиевых пленок, то, по мнению Конжо [109], в этом случае экспериментальными условиями определяется лишь рост кристаллов с ориентациями I и III, тогда как интенсивность рефлексов от кристаллов с ориентировками IV, VI и VII не зависит от температуры конденсации, толщины слоя и скорости испарения. [c.125]

При проведении процессов в непрерывно откачиваемых вакуумных камерах наименее контролируемым и наименее изученным является влияние всегда присутствующих остаточных газов и паров. При давлении остаточных газов в рабочей камере 10 — 10 мм рт. ст. число газовых молекул, бомбардирующих поверхность роста, часто сравнимо с числом атомов конденсируемого пара (10 —10 ато.нов/см Х Хсек). Остаточные газы, способные хемосорбировать на поверхности роста и входить в решетку кристалла, безусловно оказывают вредное влияние на скорость роста, совершенство и свойства растущего кристалла. Влияние же инертных газов, по-видимому, незначительно, а в отдельных случаях может быть даже благотворным. Выращивание кристаллов методом конденсации паров обычно проводится в тщательно отгазированных герметичных си- [c.344]

Образование фазы ультрадисперсных частиц достигается в ходе процесса конденсации путем объединения молекул в зародыши — минимальное количество новой фазы, находящееся в равновесии с окружающей средой. При охлаждении газов происходит физическая конденсация с образованием дыма. Таким способом получают УДЧ многих оксидов. Химическая конденсация протекает при образовании новой фазы из газового или жидкого состояния — получение 5102 гидролизом 5 Си, выделение осадка Ва504 из раствора и т. д. Ультрадисперсные частицы при обменной реакции между ионами образуются при вливании концентрированного раствора одного компонента в разбавленный раствор другого вещества при интенсивном перемешивании. При этом скорость образования зародышей намного превышает скорость роста кристаллов. Дисперсная фаза может образоваться и при смене природы растворителя — например вливании раствора вещества в этаноле в избыток воды [31]. [c.16]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология