Эмиссия ионов вторичных

Эмиссионный электронный микроскоп. В эмиссионном микроскопе изображение объекта создается электронами, испускаемыми поверхностью самого объекта. Эмиссия электронов с поверхности образца инициируется нагреванием последнего (термоэлектронная эмиссия), бомбардировкой поверхности электронами или ионами (вторичная электронная эмиссия) и облучением фотонами (фотоэлектронная эмиссия). Испускаемые поверхностью электроны собирательной линзой (иммерсионным объективом) ускоряются и направляются на экран. Вследствие того что разные участки поверхности объекта имеют различную эмиссионную способность, на экране возникают участки неодинаковой яркости, что и является изображением реальной поверхности. На яркость изображения влияет также и рельеф поверхности. [c.155]

Следующий метод, применяемый для исследования поверхностных явлений,— это метод вторичной ионно-ионной эмиссии. При бомбардировке поверхности твердого тела первичным пучком положительно заряженных ионов (обычно ионами инертного газа, например, Аг+) происходит эмиссия с поверхности вторичных положительных и отрицательных ионов — вторичная ионно-ионная эмиссия, а также нейтральных и некоторых других частиц [3, 8—11]. Прямое масс-спектрометрическое изучение вторичных ионов, а в ряде случаев дополнительное изучение вторичных нейтральных частиц (с ионизацией их электронным ударом) дает ценную информацию о поверхности твердого тела. [c.49]

Анализ термически нестабильных, труднолетучих соединений с использованием традиционных методов ионизации (электронный удар, химическая ионизация, ионизация в сильном электрическом поле) неизбежно связан с возможностью разложения образца в процессе его введения в ионный источник. В отдельных случаях разложения можно избежать, переводя анализируемые объекты в более летучие и термически более стабильные производные (дериватизация). Ограничения этого приема очевидны поиски иных способов ионизации привели к созданию методов, основанных на эмиссии ионов из вещества в конденсированном состоянии. Масс-спектры вторичных ионов, получаемые под действием ионных, электронных и атомных пучков, а также лазерного излучения содержат интенсивные пики молекулярных и осколочных ионов. Их совокупность позволяет определять молекулярную массу и структуру исследуемого образца. [c.176]

Эмиссия ионов из веществ в конденсированном состоянии представляет собой сложный процесс, в котором количество и тип образующихся вторичных ионов зависит от массы и энергии бомбардирующих частиц, элементного и химического состава образца, его кристаллической структуры [250, 256]. [c.184]

При бомбардировке конденсированной пленки воды (льда) наряду с легкими ионами (Н+, 0Н+, НгО+), которые образуются из отдельных молекул воды, наблюдается эмиссия ионных кластеров типа Н+(Н20) , где п может доходить до 50 [257—259]. На рис. 7.6 приведен типичный масс-спектр вторичных ионов, эмиттирующих из льда. Ионные кластеры такого типа образуются и в газовой фазе, при действии ионизирующего излучения на пары воды [260—262. Первичные ионы Н+, 0Н+ и НгО+, которые возникают за счет ионизации отдельных молекул воды ионизирующим излучением, при столкновении с окружающими их молекулами вступают в ионно-молекулярные реакции [c.184]

Вторичные эмиссионные методы включают эмиссию ионов с поверхностей, обработанных органическими соединениями, под воздействием ионов высокой энергии (вторичная ионно-ионная эмиссия), ускоренных незаряженных атомов, быстрых электронов (вторичная электронно-ионная эмиссия) или фотонов (лазерная десорбция) [22]. Порог чувствительности чаще всего применяемого варианта вторичной ионной эмиссии под действием ускоренных атомов аргона с энергией около 10 эВ сравним с другими способами ионизации и составляет примерно г вещества. При этом возможно образование и детектирование как протонированных молекулярных ионов [М+Н] + и образующихся из них фрагментов, так и анионов [М — Н]-. Выход и характер вторичных ионов зависят от чрезвычайно большого числа факторов типа металла подложки, свойств раствора, из которого наносится образец, температуры и размеров мишени и от энергии и природы ионизирующих частиц. Влияние этих факторов столь велико, что в настоящее время еще сложно говорить о воспроизводимости масс-спектров вторичной ионной эмиссии, а также о возможностях использования их в количественном масс-спектрометрическом анализе. [c.30]

При взаимодействии ионного микрозонда с твердым телом регистрируют катодное распыление и вторичную ионную эмиссию— ионный микроанализ. Бомбардировку поверхности образца производят пучком ионов с энергией - 10 КэВ. Ионное изображение сепарируют при помощи масс-спектрометра и после преобразования наблюдают на экране ионного микроскопа. С помощью ионных микроанализаторов возможно определение всех элементов и их изотопов. Пределы обнаружения отличаются на несколько порядков (могут достигать 10 % при абсолютной чувствительности 10- г). Локальность послойного ионного микроанализа достигает нескольких десятков ангстрем. [c.102]

Остается предположить, что в реакции окисления аммиака по крайней мере основные конечные продукты реакции образуются в результате непосредственного соединения аммиака с кислородом. Эта реакция может идти как с молекулярным, так и с атомарным кислородом, поэтому важно выяснить, в каком состоянии кислород находится на поверхности платины — в молекулярном или атомарном. Для этого были проведены опыты с платиновым катализатором в атмосфере кислорода (Ро. 1,5-10 мм рт. ст.). Исследовались зависимости интенсивности массовых линий 32 (О ) и 16 (О ) в спектре вторичных ионов от температуры катализатора и давления кислорода. Результаты опытов иллюстрируются кривыми на рис. 3. Рассмотрение этих кривых позволяет сделать вывод о том, что кислород на поверхности платины находится частично в молекулярном, а частично в атомарном состоянии. Действительно, существование эмиссии вторичных ионов 0 во всем исследованном интервале температур показывает, что по крайней мере часть кислорода на платине находится в молекулярном состоянии. Ионы О могут выбиваться как из молекулярного, так и из атомарного кислорода, поэтому из факта существования вторичной эмиссии ионов О еще нельзя сделать определенных выводов. Такие выводы можно сделать из сопоставления кривых I (Т) для вторичных ионов Оа и О ". Токи вторичных ионов Оа и O при данной температуре катализатора определяются формулами [c.312]

Потребности производства вызвали разработку и внедрение новых методов исследования качественного и количественного анализа поверхностных слоев. Развитие получили методы, основанные на зондирующем воздействии на образец пучками фотонов, электронов, ионов, нейтральных частиц, электрического и магнитного полей и др. Все они (кроме магнитного поля) вызывают эмиссию вторичных частиц электроиов, ионов, фотонов или нейтральных атомов, передающих информацию о поверхности соответствующему детектору. Очевидно, что анализы проводятся в вакууме, и поэтому указанные методы применимы только для анализа твердых поверхностей. Большинство иа этих методов имеет разрешение по глубине не более 10 нм. [c.246]

Тлеющий разряд возникает при малых давлениях газа (единицы и десятые доли кПа) и значительных сопротивлениях во внешней цепи. Тлеющий разряд представляет собой совокупность нескольких значительно отличающихся светящихся и темных участков в газовом промежутке (рис. 111.59). Наибольшее падение напряжения наблюдается в зоне 2 (катодном темном пространстве), где имеет место увеличение кинетической энергии электронов за счет электрического поля. Электроны вылетают из катода в результате ударов положительных ионов и быстрых атомов о материал катода (вторичная ионно-электронная эмиссия). Движущиеся к аноду электроны, соударяясь с молекулами и атомами, возбуждают и ионизируют их. Переход из возбужденных состояний в нормальное сопровождается свечением. Тлеющий разряд используется в газосветных лампах, наполненных аргоном, неоном с добавками паров ртути. [c.251]

Таким образом, механизм дуги можно представить себе следующим. Из катода в результате высокой степени его разогрева (термоэлектронная эмиссия) или наличия около его поверхности больших напряженностей электрического поля (10 —10 в см — автоэлектронная эмиссия) вырывается поток электронов. Первый случай имеет место для материалов катода с высокой температурой плавления и испарения металла (уголь, графит, вольфрам, молибден), благодаря чему температура на их поверхности может достигать в катодных пятнах значений 2 500—3 000° С и выше, когда начинается заметная термоэлектронная эмиссия. Второй случай соответствует материалам с низкой температурой кипения и испарения (ртуть, титан, медь). В области катодного падения поток электронов разгоняется настолько, что за ее пределами происходит интенсивная ионизация частиц газа в дуговом промежутке, причем здесь, по-видимому, весьма существенна роль ступенчатой ионизации. Образовавшиеся положительные ионы под действием поля направляются к катоду и разогревают его вторичные и первичные электроны направляются через столб дуги в направлении анода. На их пути происходят новые соударения (главным образом термическая ионизация) и образование новых заряженных частиц, что компенсирует их исчезновение в более холодных частях столба путем рекомбинации и диффузии. При попадании на анод отрицательные частицы нейтрализуются, выбивая из него некоторое количество положительных ионов, устремляющихся через столб дуги к катоду. Плазма столба в целом нейтральна, т. е. концентрация положительных и отрицательных частиц одинакова, но из-за того, что подвижность электронов по [c.29]

Интенсивность эмиссии вторичных ионов 1-го элемента (/,) сильно зависит от параметров первичного ионного пучка (типов ионов, их энергии, плотности тока), анализируемой пробы (характера хим связей, физ. св-в, потенциала ионизации атомов, работы выхода электронов бомбардируемой пов-сти и др.), давления и состава остаточных газов в приборе. Величина /, характеризуется величиной вторичного ионного тока (в А) или скоростью счета импульсов (имп/с). Дифференц. выход вторичных ионов у, = К,/С где К,= = представляет собой отношение числа испускае- [c.260]

Изотопная М.-с. со вторично-ионной эмиссией применяется также для локального анализа твердых тел. В этом случае для ионизации создают пучок первичных ионов (Аг" , О , 0 ), к-рый направляют на выбранный участок исследуемой пов-сти диаметром 1-500 мкм. Производится изотопный анализ локальных участков, и устанавливается распределение заданного изотопа и соотв. элемента в структуре зерна минерала или в породе. [c.663]

Эмиссия вторичных ионов (ЭВИ) [c.849]

Бомбардировка поверхности с пробой пучком быстрых ионов инертных газов приводит к эмиссии вторичных ионов анализируемого вещества [23] в основном в виде про- [c.849]

При положительной короне катодом является электрод с небольшим радиусом кривизны. В этом случае электроны, образующие лавины, рождаются не за счет вторичной эмиссии, так как поле у катода очень мало, а вследствие объемной фотоионизации газа вблизи анода фотонами, генерируемыми в коронирующем слое. Положительные ионы, двигаясь через "темную" область к катоду, образуют пространственный заряд, которой снова ограничивает величину разрядного тока. [c.504]

С целью уменьшения влияния первичного ионного пучка на изучаемые поверхностные процессы и для возможности исследования мопослоя адсорбированного вещества бомбардировка поверхности ведется при небольших плотностях тока и энергиях такого пучка. Однако при применении метода вторичной ионно-ионной эмиссии для послойного анализа твердого материала по глубине и для определения примесей в объеме используются значительно большие плотности и энергии первичного ионного тока [10, И]. [c.49]

В последние годы на основе масс-спектрометрии и явления вторичной ионно-ионной эмиссии создан уникальный прибор — ионный микроскоп [9]. Этот прибор позволяет получать увеличенное изображение участка поверхности образца, подвергшегося бомбардировке первичным ионным пучком. Настраивая масс-анализатор на тот или иной вторичный ион, можно поочередно рассматривать ионные изображения одного и того же участка поверхности твердого тела при различных значениях массы иона. Ионный микроскоп, таким образом, позволяет исследовать топографию распределения отдельных элементов, изотопов и химических соединений на поверхности твердого образца. [c.50]

Метод электронно-стимулированной десорбции, во многом напоминающий метод вторичной ионно-ионной эмиссии, позволяет решать примерно те же задачи. Так, этим методом можно детально изучать адсорбированные слои, формы связей и состояние частиц на поверхности, десорбционные процессы, химические гетерогенные реакции и т. д. Кроме того, в ряде работ масс-спектрометрические измерения дополняются определениями полного ионного тока, потенциалов появления, углового и энергетического распределения вторичных ионов, что дает возможность оценивать эффективное сечение процесса десорбции ионов и некоторые другие характеристики молекулярной адсорбции и хемосорбции. [c.50]

Электризация частично проникающими электронными или ионными пучками проводится в вакууме, причем энергия электронов выбирается таким образом, чтобы, с одной стороны, длина пробега электронов в полимере была значительно меньше толщины иленки, а с другой стороны, чтобы коэффициент вторичной электронной эмиссии был меньше единицы, ибо только в этом случае заряжаемая поверхность приобретает устойчивый заряд отрицательного знака. Кинетика зарядки полимерных пленок электронным пучком в вакууме также свидетельствует об экспоненциальном возрастании 1/з с течением времени зарядки, причем время релаксации т определяется силой тока электронного пучка. [c.192]

ИОННЫЕ РАДИУСЫ, см. Атомные радиусы ИОННЫЙ выход, см. Радиационно-химические реакции. ИОННЫЙ МИКРОАНАЛИЗ, метод локального анализа, основанный на регистрации масс-спектров вторичных ионов с микроучастков пов-сти твердых тел. Исследуемый образец в вакууме бомбардируют сфокусированным п>чком первичных ионов (Аг" , Oj, О , s диаметр пучка 1-100 мкм, энергия 10 — 10 Дж, плотн. тока 0,1-10 А/м ). Первичные ионы при взаимод. с пов-стью упруго и неупруго рассеиваются, перезаряжаются, испытывают многократные соударения с атомами твердого тела. При этом часть атомов вблизи пов-сти получает энергию, достаточную для их эмиссии в вакуум в виде нейтральных частиц (катодное распыление) или в виде вторичных ионов (вторичная ионная эмиссия) [c.260]

Кастенг, Жоффри и Слодзиан [83] получили многообещающие предварительные результаты относительно возможности локального анализа металлических поверхностей путем исследования вторичной эмиссии ионов. Определения были сделаны для очень малых количеств свинца [3431, плутония с применением в качестве метки плутония-242 [508], а также урана в загрязненных растворах [473]. Уточненная методика определения позволила получить абсолютную точность измерения отношения к неразделенному урану в иРб 0,00003% при содержании 0,038% и 0,02% для гексафторида, содержащего 1,9% [457]. [c.656]

Проведенные эксперименты ие подтверждают также имидную гипотезу Завадского. В работе [3] было показано, что первой стадией реакции разложения аммиака на платине является образование NH благодаря днссоцнацнн аммиака на NH и П.,. Образование NH в этой реакции проявлялось как в масс-спектре вторичной ионной эмиссии, так и в масс-спектре газовой фазы. Для проверки гипотезы Завадского об образовании NH в реакции окисления аммиака было исследовано влияние добавки кислорода к аммиаку на интенсивность линии с массой 15 (NH ) в спектре вторичных ионов. Кривая за-В1ГСИМ0СТИ интенсивности этой линии от давления кислорода изображена на рис. 2. Как видно из рисунка, при давлении кислорода — 7-10 мм рт. ст. эмиссия иона NH исчезает Это полностью противоречит представлению Завадского об образовании имида в реакгщи (III). Таким образом, нрове- [c.311]

Наибольшее распространение получили вторично-ионная масс-спектрометрия (поток ионов вызывает эмиссию иоиов), электронная оже-спектроскопия (поток электронов вызывает эмиссию электронов), полевая ионная микроскопия (ионизадняи испарение атомов поверхности под действием электрического поля) и др. Теория и пркмененяе этих методов, интерпретация получаемвй [c.246]

Применение вакуума возможно только при использовании кессонного охлаждения, так как требуется абсолютная тазоплотность ограждения. В данных случаях не может быть использовано понятие температуры в термодинамическом смысле, и поэтому нельзя говорить о разности температур между внутрипечным пространством и внутренней поверхностью ограждения. Тепло генерируется на внутренней поверхности ограждения за счет облучения ее плазмой (тормозное и рекомбинационное излучения), а также за счет кинетической энергии электронов и ионов, попадающих на внутреннюю поверхность ограждения вследствие эффекта рассеивания заряженных частиц и вторичной эмиссии электронов с анода. Сюда следует, однако, добавить непосредственное излучение раскаленного анода, а также поверхности расплава. Все вместе взятое создает приток тепла на внутреннюю поверхность ограждения, требующий отвода его за счет охлаждения водой. Унос тепла с водой охлаждения может быть существенным и в энергетическом балансе достигает 20—40%-Таким образом, ограждение вакуумно-дуговых и электроннолучевых печей энергетически несовершенно, однако этот недостаток перекрывается многими другими достоинствами печей данного типа, оправдывающими с технико-экономической точки зрения применение холодного ограждения. [c.243]

В разделе 5.4 указывалось на важность сочетания разных методов исследования поверхностных соединений. Количественное определение углерода и других элементов в модифицирующих поверхность соединениях производится элементным анализом, а ИК спектры помогают установить, какие именно группы и в каком количестве содержатся в поверхностном соединении. Содержание элементов в поверхностных соединениях можно определить с помощью зондирующего воздействия различных пучков на поверхность твердого тела, служащего рассеивающей мишенью для такого воздействия. Для зондирования используются направленные пучки фотонов, электронов, ионов илц атомов, вызывающие эмиссию вторичных частиц (также фотонов, электронов, ионов или атомов), лзучение которой и позволяет судить о свойствах мишени. Помимо элементного анализа, с помощью зондирующего воздействия на поверхность в благоприятных случаях можно получить сведения о структуре поверхности и адсорбции на ней. В табл. 5.4 представлены некоторые из этих методов. Перечисленные в таблице методы. анализа поверхности, за исключением рентгеновской эмиссионной спектроскопии, позволяют исследовать поверхностные слои на глубину менее 10 нм. В этих методах зондирование поверхности и ана--лиз рассеиваемых или эмиттируемых частиц проводится в очень высоком вакууме. Для дополнительной очистки поверхность часто подвергается предварительной бомбардировке частицами высокой энергии, обычно аргонной бомбардировке. С этим связаны ограничения в применении некоторых из этих методов для исследования поверхности недостаточно стойких адсорбентов. Преимуществом этих методов является возможность локального исследования не- [c.109]

Конц. элемента С определяют по интенсивности I вторичной ионной эмиссии, к-рая зависит также от потенциалов ионизации атомов, работы выхода электрона и может меняться для разл. элементов и образцов на неск. порядков. Изменение I м. б. связано и с т. н. реакционной вторичной ионной эмиссией, к-рая возникает при анализе хим. соед., наличии оксидных пленок на пов-сти образца, при использ. химически активных первичных ионов, в присут. реакционноактивных остаточных газов в ионных микроаналиэато-рах. Реакционная эмиссия может приводить к ошибкам в анализе, однако ее использ. для увеличения воспроизводимости и чувствительности метода. [c.225]

Изменение I, м.б. связано с т. наз. реакц. вторичной эмиссией, к-рая возникает при анализе хим. соед., наличии оксидных пленок на пов-сти образца, при использовании химически активных первичных ионов, в присут. реакционноспособных остаточных газов в ионных микроанализаторах. Реакционная эмиссия м.б. источником больших систематич. погрешностей анализа, однако ее используют для увеличения воспроизводимости и снижения пределов обнаружения. [c.260]

Количеств. И. м. проводят, используя теоретич. и эмпирич. градуировочные характеристики С, =/( 1, . Первые основаны на квантовомех. или термодинамнч. моделях механизма вторичной ионной эмиссии. Однако более точны эмпирич. методы с использованием многоэлементных однородных стандартных образцов, чистых в-в или ионнолегированных поверхностных слоев с заданным распределением элементов. При этом обычно рассчитывают коэф. относит, чувствительности (КОЧ)-отношение выходов вторичных ионов определяемого элемента для исследуемого и стандартного образцов К.ОЧ = (1J J) ( J J где и / -соотв. концентрация определяемого элемента и интенсивность ионной эмиссии в стандартном образце, /, и Х-доли измеряемых изотопов соотв. в исследуемом и стандартных образцах. [c.260]

Гетерог. фон связан с генерированием аналит. сигнала (напр., вследствие рассеяния электронов, флуоресцентного возбуждения) в соседней с анализируемой фазе. Величина сигнала - ф-ция расстояния от границы между фазами. Наиб высокие систематич. погрешности могут возникать, если концентрация определяемого элемента в соседней фазе существенно больше, чем в анализируемой Фазовая интенсивность обусловлена резким измененнем аналит. сигнала в соседних фазах (слоях), к-рое возникает вследствие различия в специфич. эмиссионных характеристиках этих фаз (как, напр., в случае реакц. эмиссии вторичных ионов) и не зависит от содержания определяемого элемента в них. Систематич погрешности при этом устраняют расчетными или эксперим. приемами. [c.610]

У М. наблюдается термоэлектронная эмиссия (способность испускать электроны при высокой т-ре). Эмиссия электронов возникает также под действием электромагн. излучения в видимой и УФ областях спектра (фотоэлектронная эмиссия), внеш. электрич. поля высокой напряженности (туннельная, или автоэлектронная, эмиссия), при бомбардировке пов-сти М. электронами (вторичная электронная эмиссия) или ионами (ионно-электронная эмиссия), при взаимод. пов-сти М. с хшазмой (взрывная электронная эмиссия). Перепад т-ры вызывает в М. появление электрич. тока (термоэдс). [c.53]

Для изучения структуры пов-сти посредством РЭМ к образцу предъявляется ряд требований. Прежде всего, его пов-сть должна быть электропроводящей, чтобы исключить помехи за счет накопления поверхностного зарада при сканировании. Кроме того, нужно всемерно повышать отношение сигаал/шум, к-рое наряду с параметрами оптич. системы определяет разрешение. Поэтому перед исследованием на диэлжтрич. пов-сти пугем вакуумного испарения или ионного распыления наносят тонкую (15-20 нм) однородную пленку металла с высоким коэф. вторичной электронной эмиссии (Аи, Аи-Р<1, Р1-Р(1). Биол. объекты, содержащие, как правило, большое кол-во воды, перед нанесением покрытия необходимо зафиксировать спец. хим. обработкой и высушить, сохранив естеств. микрорельеф пов-сти (сушка в критич. точке с использованием сжиженных СО и N20, хладонов или вакуумнокриогенными методами). [c.440]

После взаимод. пучка первичных электронов с пов-стью исследуемого образца можно регистрировать упруго или неупруго рассеянные электроны, вторичную элегаронную эмиссию, эмиссию десорбированных атомов или ионов, алектро-мага. излучение в рентгеновской или оптич. области, наведенный в образце электрич. ток или эдс. [c.443]

В работе [200] в РЭМ исследовали замороженные в гидратированном состоянии срезы, используя для получения изображения как просвечивающий режим, так и режим вторичной электронной эмиссии. Нарезанные при температуре 193 К срезы являются неровными, что отражает существование много- кратных изломов. Морфология искажается, и трудно распознать клеточные компоненты. В нарезанных при температуре 223 К срезах были видны основные клеточные фрагменты, в то время как срезы, нарезанные при температуре 243 К, были гладкими и плоскими, а основные компоненты клетки легко распознавались (рис. 12.12). Кроме того, в работах [200, 468] было достаточно убедительно показано, что известные ионные градиенты, создаваемые внутри систем in vitro, и концентрации электролита из систем in vivo сохраняются в замороженных в гидратированном состоянии средах, нарезанных при температурах от 233 до 244 К (рис. 12.13 и 12.14 и табл. 12.6). [c.312]

Детектирование ионов посредством электронного умножителя основано на эмиссии вторичных электронов в результате столкновения частицы, обладающей определенной энергией, с соответствующей поверхностью. Количество вторичных электронов можно увеличить при бомбардировке ими нескольких последовательных поверхностей. Существуют непрерывные динодные умножители и системы дискретного типа. Дискретный динодпый умножитель состоит из 12-20 бериллиево-медных динодов, связанных посредством резистивной цепи. Непрерывные системы или канальные умножители состоят из покрытой свинцом изогнутой воронкообразной трубки. Напряжение, прикладываемое между концами трубки, создает непрерывное поле по всей ее длине. Вторичные электроны ускоряются в трубке, постоянно сталкиваясь с внутренней Степкой. Типичный коэффициент усиления электронного умножителя составляет 10 . Ток, протекающий через электронный умножитель, усиливается и оцифровывается для последующей обработки системой обработки данных. [c.264]

Кроме автоэлектронной при ионной бомбардировке катода протекает интенсивная вторичная электронная эмиссия. Основными зонами тлеющего разряда (рис. 51) являются катодное темное пространство и отделенное от него отрицательное свечение, которое нередко переходит в зону фарадеева темного пространства. Эти три зоны [c.145]

Метод вторичной ионно-ионной эмиссии позволяет решать следующие задачи идентифицировать и количественно определять молекулярно-адсорбированные и хемосорбированные вещества на поверхности (локальный анализ очень небольшого участка поверхности или анализ большого участка поверхности путем сканирования первичного ионного зонда) изучать адсорбционные процессы, изменение состояния и состава адсорбционного слоя в зависимости от различных параметров изучать гетерогенные химические и изотопнообменные реакции изучать диффузионные процессы проводить анализ состава, анализ примесей и послойный элементный анализ твердого тела. [c.49]

Преимущества этого метода аналогичны преимуществам метода вторичной ионно-ионной эмиссии. Это выдвигает электронно-стимулиро-вапную десорбцию при исследовании поверхности твердого тела как одно из перспективных направлений. На основе метода построен прибор со сканирующим электронным зондом, позволяющий получать картину распределения адсорбированных газов. [c.50]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология