Структура зон. и поверхность Ферми

Структура зон и поверхность Ферми [c.128]

Верхняя граница интегрирования в (2.92) означает, что в жидком металле сохраняется очертание поверхности Ферми, внутри которой заключены электроны проводимости. Так как = 4я/Ли , то на примере серебра видно, что минимальная длина волны электронов проводимости = 5,46 А. Если бы электроны в металле были совершенно свободны, то их рассеяние на атомах при движении во внешнем электрическом поле можно было бы наблюдать при тех же значениях 5, что и в случае рентгеновского излучения. Опытом это не подтверждается. Следовательно, резкая верхняя граница структурного фактора, описывающего рассеяние электронов проводимости, объясняется зонной структурой энергетического спектра электронов. [c.54]

Ранее (см. 2, п. 1) было показано, что для системы свободных электронов поверхность Ферми представляет собой просто сферу с радиусом, определяемым формулами (144). Такая идеальная форма, однако, не характерна для большинства металлов. Лишь для щелочных металлов, кристаллизующихся в структуре кубической объемноцентрированной решетки, поверхность Ферми приблизительно сферическая (рис. 57, а) средний радиус в пределах экспериментальных ошибок совпадает с радиусом сферы, отвечающей свободным электронам. Поверхность Ферми замкнута, ограничивает приблизительно половину первой зоны Бриллюэна и не касается ее границ. [c.128]

Благородные металлы весьма сходны по своей электронной структуре со щелочным , но кристаллизуются они в плотноупакованной гранецентрированной кубической структуре. Это обстоятельство оказывает влияние (см. 2, п. 1,2) на вид зоны Бриллюэна. Поверхность Ферми ограничивает приблизительно половину первой зоны Бриллюэна она касается границ зоны вблизи точки -центра шестиугольной грани и, следовательно, является открытой многосвязной поверхностью (рис. 57, б). [c.128]

Поверхности Ферми поливалентных.металлов имеют сложный вид и пока известны не для всех металлов [20]. В качестве примера рассмотрим алюминий, кристаллизующийся в плотноупакованной гранецентрированной кубической структуре. При трех валентных электронах на атом можно было бы ожидать, что пер- [c.128]

При контакте двух металлов их первоначально отличавшиеся уровни Ферми выравниваются в результате переноса зарядов на поверхности. В результате выравйивания уровней Ферми между поверхностями устанавливается контактная разность потенциалов, представляющая собой разность между двумя работами выхода [14, 15]. Величина контактной разности потенциалов лежит в пределах приблизительно 0,1— 3 В и может существенно меняться в зависимости от действительного состояния поверхностей. Изменение состояния окисной пленки на поверхности может вызвать такое же изменение величины контактной разности потенциалов, как и полная замена одного из металлов. Даже изменение зернистой структуры металлов может привести к заметным отклонениям в интенсивности процесса переноса зарядов. Например, Бойль и Левеллин [19] обнаружили заметный перенос заря- [c.290]

Контакт геометрически.х поверхностей, наиример двух металлов, приводит не к усреднению плотности электронов (что при термодинамической оценке всегда допустимо), а к образованию двойного слоя за счет возникновения связанных электрон-дислокационных состояний как на самой поверхности, так и через границу раздела. При этом поверхность геометрическая, так же как и поверхность Ферми, разделяет разноименные заряды. Легко понять известные затруднения при попытках описания корреляционных функций даже простейшей двумерной одноатомной металлической границы раздела. Еще большие сложности теоретического описания возникают при исследовании границы сопряжения двух, трех и более атомных структур (например, дырочно-электронных переходов в полупроводниках), однако такие кинетически непредсказуемые модели отражают лишь наиболее простейшие модели взаимодействий в реальной природе. [c.78]

Значения коэффициентов гальваномагнитных эффектов в металлах отличаются большим разнообразием, связанным со сложностью зонной структуры и формы поверхности Ферми. Гальвано- и термомагнитные эффекты очень чувствительны ко всякого рода примесям и неоднородностям. По этой причине приведенные в таблицах значения коэффициентов надо рассматривать лишь как наиболее заслуживающие доверия. [c.468]

Всякое изменение состояния поверхности, образование новых кристаллических граней, появление примесей могут изменять электронную структуру поверхности, т. е относительную заряженность поверхности и объема твердого тела. Соответственно в приповерхностном слое будут изменяться электропроводность и уровень Ферми, т. е. работа выхода электрона [243—245]. Адсорбированные вещества рассматриваются как поверхностные донорные или акцепторные примеси (дефекты) [159]. [c.64]

Изучение электрических и магнитных свойств, а также природы связи необходимо проводить более обстоятельно и на хорощо аттестованных образцах. Многие измерения выполнены на плохо охарактеризованных препаратах, для которых, как правило, не известны влияние примесей, отклонения от стехиометрии и пористость. Более ценны для этих исследований монокристаллы. Необходимо большее внимание уделять изучению оптических свойств, что открывает возможность использовать предложенный Лаем [9] подход к расчету зонной структуры. Изоэлектронная природа этих материалов и влияние на нее кристаллической структуры также должны быть исследованы в будущем. Стехнометрические высокочистые монокристаллы, если их удастся приготовить, будут особо ценны для изучения особенностей поверхности Ферми, а также для создания более совершенных теорий межатомных связей. [c.252]

Исследование тонкой структуры рентгеновских спектров железа в нитридах и родственных им соединениях, по сути дела, только начато. На рис. 4 приведены абсорбционные кривые для чистого железа, двух его нитридов и некоторых других фаз. При сравнительном исследовании изменения коэффициента поглощения в пределах основного края удобно представить результаты в виде относительных смещений наиболее характерных точек кривой. В качестве точек кривой естественно принять следующие i — начало поглощения т — максимум селективной Зс -линии поглощения в начальной области с — середина начальной области поглощения, где заметно изменение угла наклона кривой (обычно эта точка связывается с положением поверхности Ферми) точки F и М обозначают перегибы в пределах основного края точка А — главный максимум поглощения (область 4р-состояний). [c.144]

Но нужно учитывать, что активность полупроводников зависит не только от полупроводниковых свойств работы выхода, положения уровня Ферми, но и от энергии взаимодействия сорбируемой частицы с поверхностью. Эта энергия, включающая как кулонов-ские, так и обменные составляющие, зависит от электронной структуры катализатора и сорбируемой частицы и не может быть определена в рамках рассматриваемой теории. Если изменения этой энергии настолько малы, что ими можно пренебречь по сравнению с работой выхода электрона, например при введении очень малых концентраций добавок, сильно влияющих на положение уровня Ферми, зонная теория позволяет предвидеть изменение каталитических свойств. Положение уровня Ферми определяет активность катализатора, если энергетический спектр поверхности задан и ос- [c.166]

Если предположить, что структура энергетических зон нитридов ниобия и циркония подобна, то разница концентрации валентных электронов в них будет сказываться в основном в различной степени заполнения энергетической зоны. Предполагаемая теорией БКШ [3] связь между и плотностью электронных энергетических состояний у поверхности Ферми дает основание предположить, что различие характера концентрационной зависимости Гк в областях гомогенности ZrN и NbN отражает особенности хода кривой плотности состояний у поверхности Ферми при заполнении энергетической зоны, непрерывно возрастающей от ZrN до NbN стехиометрического состава и имеющей максимум при электронной концентрации между [c.160]

Анализ электронных свойств позволяет судить как о характеристических свойствах собственно волокнистых материалов (плотность носителей заряда, их подвижность, рассеяние, структура пучка и поверхность Ферми), так и о свойствах, определяемых структурой волокна. Первая часть этих исследований касалась взаимосвязи электронных свойств с развитием процесса графитизации волокон. Удельное электрическое и магнитное сопротивление были измерены на моноволокнах в интервале температур 4,2—300 К при магнитной индукции до 14 кГс. Спектры электронного спинового резонанса сняты на пучках волокон со специально обработанной поверхностью для предотвращения микроволнового скин-эффекта. [c.200]

Рассмотрим изменения, которые вызывает в распределении электронов адсорбция. Допустим, что на поверхности люминофора адсорбируется молекула, обладающая большим сродством к электрону (высокой электроотрицательностью). Согласно представлениям, развиваемым Ф. Ф. Волькенштейном [3], вначале такая молекула образует относительно слабую связь с кристаллом, например вследствие того, что электронное облако, принадлежащее ближайшему атому или иону кристаллической решетки, затягивается на адсорбированную молекулу. По своей природе такая связь все же носит химический характер и потому можно считать, что образуется единая система, в которой адсорбированная молекула играет роль примеси. Нарушая периодическую структуру поверхности, она, подобно точечному дефекту в регулярной решетке или на дислокации, вызывает появление локального поверхностного уровня. Чем больше сродство молекулы к электрону, тем дальше соответствующий уровень от зоны проводимости. Если он оказывается ниже уровня Ферми, то адсорбированная молекула стремится захватить электрон, образуя тем самым прочную связь с кристаллом. Это приводит к снижению концентрации электронов ns у поверхности и к компенсирующему его притоку электронов из приповерхностного слоя. [c.137]

Электронное состояние поверхности катализатора определяется положением уровня Ферми на ней, которое в свою очередь зависит от положения этого уровня для всего кристалла в целом. Таким образом, внутренняя электронная структура кристалла, оказывая влияние на электронную структуру поверхности, косвенно влияет на равновесие между различными видами хемосорбции, а тем самым и на скорость катализируемой реакции. [c.133]

И в отношении металлов. Вследствие большого разнообразия кристаллических структур металлов разнообразна и часто очень сложна их электронная структура. Разрабатывается много методов различных измерений для решения проблемы структуры электронных зон и поверхностей Ферми в металлах. [c.28]

Оценка критического давления, приведенная выше, может оказаться значительно завышенной. Исследования последних лет с несомненностью показали, что поверхности Ферми большинства металлов содержат тонкие перемычки, очень малые отщепленные полости и т. п. (тонкая структура электронного энергетического спектра). Изменение топологии, связанное с тонким строением поверхности Ферми, может, по-видимому, наблюдаться при сравнительно небольших давлениях. Разнообразные экспериментальные исследования подтверждают эту точку зрения [15а], Электронные аномалии, обусловленные изме- [c.130]

Экспериментальное исследование металлов в высокочастотной области всегда связано с измерением различных компонент тензора поверхностного сопротивления (импеданса), поэтому основной задачей теории высокочастотных свойств является вычисление компонент тензора поверхностного сопротивления как функции частоты, температуры, внешнего магнитного поля и т. п. В этом изложении мы, естественно, будем особое внимание уделять тем свойствам и случаям, когда импеданс существенно зависит от структуры электронного энергетического спектра, и обращать внимание на возможность использования высокочастотных свойств для реконструкции поверхности Ферми и распределения скоростей на ней. [c.270]

Расшифровка поверхностей Ферми металлов показала, что электронный энергетический спектр их весьма сложен кроме основных групп электронов ( 1 электрона на атом) у большинства металлов есть малые группы ( 10 Ю электронов на атом) энергетические барьеры, отделяющие одни участки поверхности от других, также малы. В связи с этим при использовании того или другого метода исследования электронного энергетического спектра надо помнить, что сравнительно легко внешним воздействием изменить структуру спектра. Хорошим примером является магнитный пробой, из-за которого могут возникнуть открытые направления при замкнутой поверхности Ферми и замкнуться траектории при открытой поверхности. [c.369]

Квантовохимический подход к прогнозированию гетерогенных катализаторов опирается на методы расчета электронной структуры молекул и твердых тел [7—11]. Наиболее фундаментальными свойствами твердых тел, определяющими характер хемосорбции и катализа на них, являются параметры их энергетической зонной структуры, такие, как энергия уровня Ферми, плотность состояний на границе Ферми, ширина энергетических зон и т. п. Реальная структура катализатора проявляется в деформации энергетических зон вблизи поверхности, наличие дислокационных дефектов, неупорядоченности структуры, а также в изменениях, порождаемых взаимодействием катализатора с субстратом. Все это необходимо принимать во внимание при прогнозировании катализаторов. [c.60]

Наиболее широко используется режим измерения туннельного тока при сканировании при постоянном потенциале. Так как локальное расстояние между острием и поверхностью меняется, то измеряют меняющийся туннельный ток. На практике измерения проводят таким образом, что острие движется вдоль линий постоянных электронных плотностей состояний при помощи регулировки расстояния между острием и образцом в каждой точке развертки так, чтобы туннельный ток сохранялся постоянным (режим исследования топографии при постоянном токе, ТПТ). Таким образом получают двумерное изображение топографии поверхности (строго говоря, электронных плотностей на уровне Ферми) с атомным разрешением. На рис. 10.5-3 приведено в качестве примера изображение поверхности кремния (111). Четко видны отдельные атомы на поверхности кремния и реконструированная картина поверхности (7x7 структура). Если на поверхности содержатся адсорбированные атомы, то локальная рабочая функция (эффективная высота барьера) изменяется, в результате для этих атомов туннельный ток увеличивается или уменьшается. [c.371]

Следует выяснить, насколько эта схема подтверждается экспериментальными данными. То обстоятельство, что некоторые металлы, как, например, Pt, Pd и Ni, хорошо известные в качестве активных катализаторов, обладают частично незаполненной d-зоной [55], привлекло за последнее время внимание к переходным металлам. В результате ряда работ, посвященных исследованию каталитической активности сплавов переходных металлов (эти работы будут подробно рассмотрены ниже), была подтверждена та точка зрения, что образование ковалентных связей с хемосорбированными частицами облегчается, если в металлической фазе содержатся дырки в -зоне. Условие высокой плотности энергетических состояний у поверхности Ферми в этих случаях всегда выполняется, так как плотность уровней в d-зоне значительно выше, чем в s-зоне. Эти положения можно увязать с теорией валентных связей Полинга [56], в которой представление о дырках в d-зоне переходных металлов заменяется по существу представлением о свободных атомных d-орбитах. Полинг показал с помощью своей теории, что пространственное расположение атомов переходных металлов тесно связано с их -характером и не исключено, что в некоторых случаях кажущееся существование геометрического фактора может быть обусловлено главным образом электронной структурой металлов. Будар отметил, что этим, вероятно, объясняется найденная Биком на ряде пленок переходных металлов связь между строением их пространственной решетки и их активностью в отношении реакции гидрирования этилена [57]. Гипотеза о том, что более высокое значение -характера благоприятствует ковалентной хемосорбции, возникла также на основании изучения адсорбции [18]. Бик успешно интерпретировал с этой точки зрения свои последние данные по хемосорбции водорода [57]. Эти представления были полностью подтверждены исследованиями Трепнела [58], который изучил активность пленок почти двадцати различных металлов в отношении хемосорбции ряда газов. Установить какую-либо корреляцию с работой выхода, по-видимому, не удается, и это может свидетельствовать о том, что высокая плотность уровней у поверхности Ферми является более важным фактором, чем большая работа выхода. Несомненно, что предварительное отравление медной пленки малыми количествами кислорода (благодаря чему увеличивается работа выхода), не способствует хемосорбции водорода [59]. [c.497]

Таким непрерывным параметром могут служить деформации решетки, в частности всестороннее сжатие при сильных давлениях. Известно, что при больших давлениях анизотропия большинства свойств уменьшается, и поэтому можно ожидать, например, что характерная для слоистых структур поверхность Ферми типа гофрированный цилиндр должна, постепенно деформируясь, переходить в замкнутую поверхность даже при постоянстве полного числа электронов в зоне проводимости (рис. 39). Разумеется, возможны на рисунке) в замкнутую, и другие изменения топологии поверхно- Следует обратить внима-сти Ферми. Следует подчеркнуть, что они давлГнияУ - [c.125]

Зависимость компонент тензора сопротивлений от величины и направления магнитного поля не может быть установлена при произвольной величине поля. Она зависит от деталей процесса рассеяния (не говоря уже о существенной зависимости от динамических свойств электронов проводимости). С другой стороны, асимптотическое поведение компонент тензора сопротивлений pift (при г -С О определяется главным образом структурой поверхности Ферми металла и мало зависит от характера рассеяния. Для строгого вывода зависимости компонент p i от магнитного поля при г -С I нужен анализ решения кинетического уравнения. Это будет сделано в следующем параграфе. Однако основные гальваномагнитные свойства металлов, их связь с формой поверхности Ферми (при г < /) можно установить из весьма наглядных соображений, используя диффузионное приближение, т. е. рассматривая движение электрона во взаимно перпендикулярных электрическом и магнитных полях как скачки с одной орбиты на другую. [c.224]

Как мы отметили в 3, п. 1, во всех интересующих нас явлениях участвуют только те электроны, которые можно возбудить тепловым путем, т. е. электроны, заполняющие интервал энергии порядка коТ вблизи уровня Ферми (см. рис. 50, а). Все другие состояния, расположеннЫё значительно ниже, выпадают вследствие существования принципа Паули. Таким образом, надо знать лишь структуру зоны вблизи уровня Ферми. Это приводит нас к представлению о поверхности Ферми. [c.128]

Как было показано Рудерманом и Киттелем [77], а также Бломбергепом и Роуландом [78], Aij в твердом теле зависит от его зонной структуры. Для металлов Aij пропорциональна произведению квадрата электронной плотности у поверхности Ферми на эффективную массу и уменьшается обратно пропорционально кубу расстояния между ядрами. Изоляторы исследовались с применением зонной теории [78] и методом молекулярных орбит [79], в котором предполагается, что каждый атом связан со своими ближайшими соседями. К сожалению, оба эти метода содержат малообоснованные допущения при определении Л,- . [c.33]

В модели свободных электронов при Ер, равном кинетической энергии электрона вблизи уровня Ферми, величина представляет собой сумму потенциала отталкивания электрона проводимости решеткой положительных ионов и дополнительного потенциала, связанного с поверхностью (именно его назьшают потенциалом зеркального изображения). Для заряда - е, находящегося на расстоянии г от поверхности вне проводника, вводится заряд + е, расположенный симметрично на том же расстоянии г от поверхности внутри проводника. Потенциал зеркального изображения является источником сил притяжения между такими зарядами величины сил притяжения определяются соотношением (е2/2г) . Этот потенциал необходимо учитывать только для поверхностных атомов кристалла, поскольку распределение атомов несимметрично относительно поверхности, и в результате в распределении электронов на поверхности также отсутствует симметрия. Учитывая потенциал заркального изображения, мы фактически учитываем электрический потенциал, связанный с существованием двойного электрического слоя на поверхности. Отличие структуры поверхности и двойного электрического слоя от структуры всего кристалла приводит к возникновению работы выхода. [c.28]

Сравнение электромагнитных свойств V0 и TiOs (рис. V. 77) показывает, что несмотря на близость структур наблюдается существенное различие в концентрационных зависимостях а, р и хм- Кубическая моноокись титана обладает металлической проводимостью, поскольку сопротивление не зависит от состава, а коэффициент а проявляет слабые изменения. Эффективная концентрация носителей зарядов не зависит или слабо зависит от состава, а уровни энергии Ферми лежат выше энергий средних d-связей, значительно больших kT даже при наличии вакансий в кристалле. Это и ослабляет связь. Обнаружение сверхпроводимости в кубической закиси титана [343, 374] указывает на то, что это соединение относится к металлическому типу и имеет хорошо выраженную поверхность Ферми. Температура перехода к сверхпроводимости (Тс) образцов, синтезированных при 1300 °С, атмосферном давлении или вакууме, увеличивается с ростом s от 0,2 °К (5 = 0,92) до 1,05 °К (s=l,l). Высокое давление (50—60 кбар) и отжиг при 1100— 1300 °С увеличивают Тс до 1,5—2,2 °К (рис. V. 78) и устраняют ближний порядок в TiOl.o- [c.178]

Уравнение (1) показывает, что наиболее устойчивой фазой является тогда антиферромагнитная фаза, в которой расположение спинов соответствует волновому вектору я К. В чистых Зй-металлах такая ситуация встречается, например, у Сг, но у Ре расстояние 2йр между двумя предельными поверхностями Ферми, по-видимому, слишком мало и не достигает величины вектора обратной решетки. В рассматриваемых здесь соединениях Зй-полоса заполнена больше, чем в чистом Ре, что ведет к меньшим значениям Этот эффект может нейтрализоваться возрастанием 5— -гибридизации, приводящей к увеличению ширины полосы. Далее, у структур этих соединений значительно больше размеры элементарной ячейки, так что значения векторов обратной решетки меньше и могут быть достигнуты значительно легче. Видимо, это и является причиной того, что в некоторых интерметаллических соединениях типа КгРеп возникают условия, благоприятствующие сложным антиферромагнитным структурам магнитные и нейтронографические исследования показали [31], что моменты железа в ЬигРе имеют геликоидальную ориентацию спинов с волновым вектором в направлении оси с. Имеются данные, указывающие на то, что подобная же ситуация встречается в соединении СегРеп [8]. [c.171]

При исследовании поверхности Ферми металлов и сплавов сложной структуры с большим числом атомов в элсхментарной ячейке полезной оказывается схема расширенных зон. В этой схеме волновой вектор к изменяется во всем пространстве обратной решетки (расширенное к-пространство), энергия однозначно определяется значением волнового вектора, но не является, как в схеме приведенных зон, непрерывной его функцией. [c.82]

Поверхность металлов существенно отличается от оксидов как в структурном, так и электронном аспектах. Ближайшими атомами теперь служат атомы металла, а не кислорода. Валентная зона и зона проводимости теперь перекрываются, что приводит к отсутствию термоактивационного характера переноса электрона и электронной проводимости. В массивных металлах длина носителей электронной проводимости составляет десятки нанометров, и, таким образом, уменьшение пленок металла до таких размеров приводит к размерной зависимости проводимости. Большое значение для определения положения электронных уровней в металле имеет работа выхода электрона с поверхности. Работа выхода электрона ф или работа удаления электрона с верхнего заполненного уровня (уровня Ферми) в вакуум представляет собой вообще-то объемную характеристику и определяет положение уровня Ферми в объеме металла. Тем не менее на нее влияет асимметрия потенциала на фани металл — вакуум и, таким образом, работа выхода может быть использована для исследования элекфонной структуры поверхности. [c.128]

В 2 (а также в 10) мы исследовали структуру энергетического спектра вблизи точек вырождения. Весьма специальный характер пересечения изоэнергетических зон заставляет изоэнергетические поверхности, проходящие через точку вырождения, считать одной самопересекающейся изоэнергетической поверхностью. Если совпадение энергии Ферми ер с одним из изолированных критических значений энергии е , при котором меняется топология изоэнергетических поверхностей, следует считать случайностью (см., правда, 13), то при пересечении зон весьма вероятно, что поверхность Ферми является самопе- ресекающейся поверхностью, так как вырождение, как правило, происходит при значениях энергии, заполняющих некоторый конечный интервал. Следует к этому добавить, что для ряда кристаллов на избранных линиях и плоскостях в р-пространстве должно происходить обязательное вырождение. Так вот, если поверхность Ферми содержит точку вырождения, то естественно считать, что обе части поверхности Ферми (в одной и другой зоне) расположены в одном и том же р-пространстве, учитывая, что часть р-пространства двукратно заполнена электронами. Электроны, однородно заполняющие р-пространство, т. е, электроны полностью заполненных зон, не учитываются вовсе. На [c.117]

Приложение состоит из трех частей таблицы, рисунков основных типов открытых поверхностей Ферми, обнаруженных экспериментально, и библиографии. В таблице даны а) сведения о топологическом типе поверхностей Фермн, о соотношении между числом электронов П и дырок П2 и б) ссылки на основные экспериментальные и теоретические работы, в которых исследовалась зонная структура металлов. [c.385]

Большинство неметаллических катализаторов обладает полупроводниковыми свойствами, поэтому заманчиво использовать это их свойство в качестве ключа к раскрытию природы активности. Такая возможность связана со способностью полупроводника обмениваться зарядом с адсорбированной частицей, принимая или отдавая электрон. Согласно существующей теории, центром хемосорбции (активным центром) является свободный электрон (или дырка ) полупроводника. Адсорбированные атомы или молекулы рассматриваются как примеси, нарушающие строго периодическую структуру решетки. В энергетическом спектре кристалла они могут быть изображены локальными уровнями, расположенными в запрещенной зоне полупроводника (см. гл. V). Разные частицы занимают различные уровни в запрещенной зоне. Если реагирующая частица занимает уровень, расположенный ближе к зоне проводимости, т. е. уровень адсорбированной частицы находится выше уровня Ферми на поверхности, то все хемосорбционные частицы являются донорами электронов. Если же уровень адсорбированной частицы ниже уровня Ферми, она является акцептором электронов. Таким образом, адсорбционная способность и каталитическая активность поверхности полупроводника определяются взаимным расположением локального уровня адсорбированрой частицы и по,ложением уровня Ферми на поверхности. Реакция называется акцепторной, если скорость 472 [c.472]

Деформационное локальное расширение решетки вблизи поверхности металла ведет к отсасыванию электронов из соседних областей, в том числе из френкелевского двойного слоя, вследствие выравнивания уровня Ферми. Возникновение локального потенциала деформации растянутой области сопровождается изменением в противоположном направлении потенциала областей, которые выполнили функцию донора электронов. Нелокализо-ванные электроны френкелевского двойного слоя наименее прочно связаны с ион-атомами остова кристаллической решетки (относительно электронов внутренних областей) и в первую очередь втягиваются в растянутые области кристалла, оголяя поверхностный монослой ион-атомов остова решетки, несущих положительный заряд. В результате такого перетекания электронов образуется двойной электрический слой, состоящий из отрицательно заряженной обкладки — растянутых подповерхностных областей кристалла и положительной обкладки — монослоя выдвинутых наружу положительных поверхностных ион-атомов. Для краткости будем называть такой двойной слой, обусловленный деформацией, внутренним двойным слоем металла. Одновременно изменяется структура френкелевского двойного слоя вследствие частичного ухода в металл внешних электронов и в связи с этим уменьшается тормозящий выход электронов из металла скачок потенциала, а следовательно, уменьшается работа выхода электронов (уровень химического потенциала электронов внутри металла сохраняется). [c.98]