Общие представления о росте

СИМОСТИ электрофоретической подвижности частиц от напряженности электрического поля Н (2—20 В/см) в широком интервале pH (3—12). Измерения проводили на частицах кристаллического кварца с эквивалентным радиусом 0,23 мкм при постоянной ионной силе раствора, равной 1 10 . При постановке этой части работы мы исходили из следующих общих представлений. На рис. 10.5 приведена обычная схема падения потенциала в ДЭС. Если принять, что вода в ГС является частично структурированной (обладает напряжением сдвига) и прочность структуры убывает по мере удаления от поверхности частицы, то рост напряженности внешнего электрического поля, приводящий к росту электрофоретической скорости частицы, будет вызывать, согласно Стоксу, рост силы трения, испытываемой частицей при движении. Результатом этого в свою очередь может стать разрушение наружной части ГС и смещение границы скольжения по направлению к частице на величину Ал , так что большее значение -потенциала будет соответствовать большей напряженности внешнего электрического поля. Силу трения Ftp и предельное напряжение сдвига 6 можно рассчитать в первом приближении [c.180]

Гормоны, секретируемые эндокринными железами, играют важнейшую роль для стимуляции действия этих желез кроме того, они стимулируют рост и развитие, а также функциональную активность некоторых тканей. В табл. 23.4.2 представлены некоторые полностью охарактеризованные пептидные гормоны, железы, их продуцирующие, а также кратко указана физиологическая функция. Этот перечень не претендует на полноту, но он дает общее представление и поясняет довольно путанную номенклатуру, возникшую в этой области. Для более детального ознакомления с эндокринологией, вопросами взаимоотношения структура — биологическая активность, а также с биохимией рекомендуем обзоры [9—11]. [c.288]

Бахман и Кремер [53—55], исследуя кинетику разложения углекислого магния, для характеристики структуры образующейся окиси магния применяли световой и электронный микроскопы и рентгенографический метод. Внешняя форма кристалла сохранялась в процессе разложения, причем кристалл постепенно покрывался слоем продукта в направлении от периферии к центру. Размер кристалликов окиси магния в зависимости от условий опыта менялся в пределах от 50 до 1000 А. Повышение давления двуокиси углерода в системе приводило к увеличению размеров кристалликов продукта, повышение же температуры, напротив, давало обратный эффект, что было авторами объяснено, исходя из общих представлений о соотношении скоростей процессов образования и роста зародышей новой фазы. [c.183]

Вопрос о влиянии на устойчивость пересыщенных растворов различных твердых частиц тесно переплетается с вопросом о роли этих частиц в процессе фазообразования. В зависимости от того, насколько ускоряют эти частицы появление зародышей, раствор оказывается более или менее устойчивым по отношению к началу кристаллизации. В какой степени влияние примесей связано с их природой, размерами и состоянием поверхности, с известной долей приближения можно судить исходя из общих представлений об образовании и росте кристаллов. Вместе с тем эти же представления могут быть использованы при прогнозировании степени устойчивости реальных пересыщенных растворов и объяснении сущности дезактивации нерастворимых примесей, о которых речь шла в главе I. [c.82]

В нанесенных алюмоплатиновых катализаторах дисперсность платины обычно очень высока и практически любой ее атом доступен для хемосорбции. С применением адсорбционных и ИК-спектроскопических методов, а также электронной микроскопии сверхвысокого разрешения удалось показать, что на поверхности оксида алюминия могут существовать кластеры толщиной в один атом, содержащие около восьми атомов. Общие представления о росте частиц металла в дисперсных нанесенных катализаторах даны В [128, 152]. [c.166]

Ширина линий, наблюдаемых в спектрах кристаллов, может быть очень небольшой (часто меньше чем 1 см ). Общее представление относительно ширины линий таково ширина линий уменьщается с понижением температуры ширина увеличивается с уменьшением упорядоченности в кристалле, причем в случае стеклообразных веществ ширина полос весьма велика большая ширина наблюдается часто у очень интенсивных полос колебательных переходов. В спектре совершенного кристалла при низких температурах ширина линии, по-видимому, непосредственно зависит от скорости перехода колебательной энергии в энергию решетки. По мере того как повышается температура, взаимодействие с колебаниями решетки становится сильнее (вследствие роста значения ангармоничности) и ширина линии увеличивается. Если инструментальная ширина щели значительно превышает ширину линии, то увеличение ширины линии с повышением температуры может сопровождаться кажущимся увеличением наблюдаемой интенсивности поглощения. [c.589]

Имея общие представления о функциях F(L) и L(L), перейдем к анализу роста двойника. При малых внешних нагрузках (малых Р), пока Lхарактер роста двойника такой же, как в полуограниченной среде, и характерные для ограниченного кристалла особенности развития двойника проявляются только при L d. [c.81]

Современные представления о более конкретном механизме роста кристалла выделяют два из них — слоистый и нормальный. В слоистом механизме роста поверхность кристалла перемещается за счет бокового движения ступеней роста (Стран-ский, Коссель). В нормальном механизме поверхность фронта кристаллизации перемещается по нормали. По нашему мнению, упомянутые механизмы роста кристалла мало что добавляют к общим представлениям, идущим от Гиббса. Нас интересует другой подход к росту кристалла — агрегативный механизм. [c.129]

На основании общих представлений о процессе массовой кристаллизации в первом приближении можно предположить, что зависимости скоростей процессов зародышеобразования и роста кристаллов должны иметь следующий вид [c.69]

Исходя из общих представлений о механизме роста кристаллов, можно ожидать, что ПАВ будут влиять на скорость этого процесса, создавая дополнительное сопротивление диффузионному переносу вещества к растущей грани кристалла или изменяя работу образования двумерных зародышей на грани кристалла. Эти изменения могут быть не одинаковыми для граней с различными индексами, что в конечном счете проявится в изменении облика кристалла. [c.94]

Особенно сильно возрастает мощность японской содовой промышленности в период 1935—38 гг. почти на 59% —с 540 тыс. г до 859 тыс. т. Хотя статистические данные, характеризующие японскую содовую промышленность, довольно противоречивы, все же табл. 31 дает общее представление о динамике ее роста [39]. [c.201]

В отличие от перечисленных моделей, полученных в предположении решающей роли в процессе роста популяции какого-либо одного фактора, уравнения (2.20) и (2.21) созданы на основе самых общих представлений о механизме перехода субстрата в биомассу при строгом кинетическом анализе временных закономерностей этого процесса. [c.113]

ОБЩИЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О ЗАРОЖДЕНИИ И РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ [c.242]

В 5.7 и 5.8 были рассмотрены общие представления о механизме роста кристаллов чистых веществ на зародышах или на затравках, образованных тем же чистым веществом. [c.264]

При этом предполагается, что средняя длина свободного пробега молекул велика по сравнению с расстоянием Го, т. е. процесс проводится в вакууме. Общие представления об элементарных актах процесса конденсации были изложены в гл. V. Влияние отдельных факторов на механизм конденсации, который происходит в атомном масштабе, непосредственно исследовать невозможно. Можно только сопоставлять полученные результаты при изменении некоторых условий проведения процесса. Для этого определяем скорость роста кристалла в зависимости от температуры источника, температуры подложки, плотности пучка атомов, угла падения пучка на поверхность конденсации и устанавливаем влияние различных комбинаций этих факторов на скорость роста, микроморфологию поверхности роста и свойства полученных кристаллов. [c.344]

В целом кинетика кристаллизации может быть охарактеризована следующими основными параметрами степенью пересыщения или переохлаждения, скоростью зародышеобразования и скоростью роста кристаллов. Кроме того, при описании процесса кристаллизации следует учитывать, например, период индукции, время половины превращения, максимальную скорость кристаллизации, порядок процесса и т. д. Не задаваясь целью осветить сразу все относящиеся к массовой кристаллизации термины и понятия, остановимся прежде всего на тех, которые необходимы для общего представления и понимания сути данного процесса. [c.15]

Отложив на графике изменения длины, высоты или массы в зависимости от времени, можно получить кривую роста, известную как кривая абсолютного, или подлинного, роста (рис. 22.3). Данная кривая полезна тем, что она дает представление об общем характере роста и о его продолжительности. На основе этой кривой можно построить кривые, изображенные на рис. 22.4 и 22.5. [c.121]

ОБЩИЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О РОСТЕ [c.508]

Рассмотрим значение разных уровней регуляции, представленных на схеме (рис. 46), для управления общей скоростью роста организма. [c.120]

Движение нефти при давлениях ниже давления насыщения (фильтрация газированной жидкости) является классической проблемой, теории которой посвящены работы многих видных ученых. Однако в последние годы были получены экспериментальные данные [42,133], находящиеся в противоречии со сложившимися представлениями о физике процесса. Обнаружено аномальное увеличение расхода газированной жидкости в области давления насыщения, и уменьшение его при дальнейшем снижении уровня давления, что необъяснимо в рамках классического подхода. Анализ изменения газонасыщенности во времени приводит к заключению о неоднородности потока. На общем фоне роста газонасыщенности по мере увеличения объема прокачки наблюдаются частые колебания ее в отдельных сечениях пласта. [c.10]

Для изучения такого важного источника по истории гравитационного обогащения как привилегии необходимо иметь хотя бы самые общие представления о патентном деле. Конец феодального способа производства (мануфактурный период) характеризовался значительным ростом числа изобретений и усовершенствований, применение которых значительно увеличивало прибыли капиталистов. В целях монополизации права на применение отдельных изобретений, а также из-за ужесточения конкурентной борьбы фабриканты и заводчики потребовали от правительств ограждения законом прав владельцев предприятий на исключительное применение у себя введенных ими усовершенствований. [c.49]

Общее представление о степени использования различных методов анализа для установления концентрации металлов в нефти и нефтепродуктах за 1967—1981 гг. можно получить из рассмотрения периодически публикуемых в журнале Analyti al hemistry обзоров [15—22] и работ советских авторов по использованию ядерно-физических методов анализа [8—12,23—27]. На рис. 1.1 приведены данные из [15—22] о числе публикаций по применению 1 — нейтронно-активационного анализа (НАА) 2 — атомно-абсорбционной и атомно-флуоресцентной спектрометрии (ААС, АФС) (в основном ААС) 3 — атомно-эмиссионной спектрометрии (АЭС) 4 — рентгено-флуоресцентного анализа (РФА) 5 — других химических и физико-химических методов (колориметрических, спектрофотометрических, электрохимических), выраженные в процентах к общему числу публикаций по определению металлов в нефти и нефтепродуктах. Видно, что с 1967 г. происходит рост числа работ, посвященных анализу нефти и нефтепродуктов инструментальными атомно-спектрометри- [c.20]

Изложенные выше результаты нельзя объяснить в рамках простой теории, однако они позволяют получить общие представления о механизме. Очевидно, что связь молекул газа с поверхностью вызывается скорее физическими, чем химическими силами, и поэтому пе наблюдается существенных различий в поведении инертных газов и таких газов, как кислород и азот. Однако наблюдаемые величины энергий связи много больше тех, которые могут быть обусловлены просто силами Ван-дер-Ваальса. В случае металлов наиболее вероятно, что ионы, обладающие кинетической энергией, проникают в глубь самого металла на несколько атомных слоев и, таким образом, захватываются кристаллической решеткой. (Юнг [4] показал, что ироникновение ионов водорода и гелия в кристаллическую решетку алюминия увеличивается приблизительно линейно с ростом энергии в интервале от 1 до 10 кэв. При энергии порядка 1 кэв они проникают на глубину, примерно равную 10 мм, что соответствует 50 атомным слоям. Поэтому вполне допустимо предположение о том, что в описанных выше опытах ионы, обладающие энергией порядка 1 кэв, проникают в глубь металла на несколько атомных слоев.) Замена одного адсорбированного слоя другим при последующей бомбардировке ионами (рис. 4) указывает на то, что ион, проникающий в кристаллическую решетку, способен выбить предварительно адсорбированную молекулу, находящуюся в непосредственной близости. Таким образом, при продолжительной бомбардировке в конце концов создаются условия динамического равновесия, когда скорости адсорбции и десорбции становятся равными. Наблюдаемое изменение этого равновесия в сторону увеличения адсорбции пропс- [c.541]

Большой интерес для изучения влияния растворителя на ско- -рости органических реакций представляет предложенное Эвансом и Дженкинсом [377] в 1940 г. аналитическое выражение зависимости энергии активации реакции в растворе (В) от диэлектрической постоянной растворителя е (обычно эта величина обозрачается как О). При этом авторы конкретизировали для данного случая более общие представления о двух основных факторах, определяющих значение энергии активации (ср. [353—355]). [c.123]

В литературе во многих работах анализ строения плотного слоя ири адсорбции ТМ на электродах проводился по упрощенной модели Грэма и Парсонса [59, 66], пренебрегающей зависимостью эффективного дипольного момента ТМ и диэлектрической постоянной плотного слоя >02 от поверхностной концентрации ТМ, а также вытеснением и взаимодействием дипольных молекул растворителя и диполей ТМ в двойном слое. В работе [67] анализ строения плотного слоя при адсорбции ТМ был проведен на основе более общих представлений, учитывающих изменение диэлектрической постоянной и толщины плотного слоя, а также адсорбционное вытеснение молекул растворителя с поверхности электрода при адсорбции ТМ. В модели плотного слоя, развитой в работе [67], учитывается, что при е = соп81 величины Хэф и /)о2, а также толщина плотного слоя б зависят от Г. На основе зависимости г ) от Г рассчитаны отношения ([1эф/6)е=о и ( Лэф/б)е=1 в зависимости от 8. Расчеты показали, что в среде ДМСО и ДМФ отношение ( 1эф/6)е=о лишь немного возрастает, а в спиртах сильно увеличивается при переходе от <0 к 8>0. Отношение ( 1эф/б)е=1 в ДМСО и ДМФ резко уменьшается, а в спиртах и воде несколько возрастает с ростом положительного заряда электрода. Анализ этих закономерностей привел к выводу, что в среде ДМФ и ДМСО большую роль играет эффект ориентационной поляризации в области точки нулевого заряда висмута, отражающей взаимодействие в плотном слое адсорбированных молекул ТМ с диполями ДМФ и ДМСО, тогда как толщина плотного слоя 6 изменяется мало. В спиртах, наоборот, основным фактором является увеличение ё при переходе от 6 = 0 к 0=1 в области 8>0. [c.129]

Рост цепи обычно считают простейшим элементарным процессом. Следует отметить влияние противоиона. Если существующие общие представления о катионной полимеризации правильны, то надо полагать, что противоион не может полностью выйти за пределы радиуса электростатического действия растущего карбониевого иона и ионная пара выступает в качестве единой кинетической единицы. Тогда, конечно, во всех элементарных процессах участвует и противоион. Это особенно характерно для сред с низкой диэлектрической проницаемостью, в которых противоион тесно связан с растущим центром. Акт роста можно представить себе как результат согласованного донорно-акценторного действия ионной пары [c.223]

Как правильно отмечают авторы главы, в последние полтора десятилетия теоретические и экспериментальные исследования гранищл металл — газ или вакуум привели к значительным успехам, которые дают возможность по-новому взглянуть на такие хорошо известные явления, как адсорбция, катализ и адгезия. В этой главе много внимания уделено равновесным свойствам металлических поверхностей, вытекающих как из общих представлений термодинамики поверхностных явлений, так и из известных моделей, развитых для характеристики движения ад-атомов по поверхности, наличия на ней ступеней или выступов, а также для характеристики роста металлических осадков на границе металл — пар. [c.6]

Индукционные периоды практически наблюдаются npi кристаллизации любых веществ. В зависимости от условий кристаллизации их длительность может K0fle6aTb i в самых широких пределах от долей секунды до несколь ких суток или месяцев. В общем случае во время этш периодов происходит как образование зародышей, Tai и их рост до кристалликов заметных размеров. O hobhoi характеристикой индукционных периодов является посто янство концентрации пересыщенного раствора во времени Последнее обстоятельство обусловило повышенный инте рес к их изучению в связи с возможностью проведени/ на этом этапе количественных расчетов [1—11]. В основу последних были положены общие представления об образо вании новой фазы, развитые Фольмером [12]. В результат была получена зависшюсть [6,7] вида [c.36]

ПОКАЗАТЕЛИ СРЕДНЕГО ЗАРАБОТКА — показатели, характеризующие уровень заработной платы трудящихся. В нром-сти применительно к каждой категории работников устанавливаются показатели среднего месячного (квартального, годового) заработка нутом деления фонда месячной заработной платы на сроднее списочное число работников. Изменение средней заработной платы используется для изучения соотношения между ростом заработной платы и ростом производительности труда. Показатели среднего квартального и среднего годового заработка устанавливаются путем деления суммы фондов месячной заработной платы за квартал или год на среднее списочное число работников соответственно за квартал или год. Применительно к рабочим в пром-сти устанавливаются также показатели среднего часового и среднего дневного заработка. Средний часовой заработок выражает уровень зарплаты рабочих только за время их фактич. работы, учтенной в человеко-часах, и представляет собой частное от деления фонда часовой заработной платы на число отработанных рабочими человеко-часов. Средний дневной заработок выражает уровень заработной платы рабочих за дни фактич. работы, с учетом оплаты как отработанного, так и не отработанного внутрисменного времени, и представляет собой частное от деления фонда дневной заработной платы на число отработанных рабочими человеко-дней. Общее представление об уровне заработной платы за отчетный период дает средний месячный (квартальный, годовой) заработок, выражающий этот уровень с учетом как отработанного, так и не отработанного внутрисменного и внесменного времени. Т. о., для вычисления каждого из этих показателей принимается самостоятельный фонд заработной платы и соответствующие данные об отработанном рабочем времени (или численности рабочих). По перечисленные П. с. 3. связаны между собой, что дает возможность анализировать уровень и динамику заработной платы рабочих. Так, средний дневной заработок можно представить как произведение среднего часового заработка, средней продолжительности рабочего дня (см. Показатели выполнения плана по рабочей силе и использованию рабочего времени) и коэффициента увеличения дневного заработка вследствие доплат. Последний представляет отношение фонда дневной заработной платы к фонду часовой заработной платы. Средний месячный (квартальный, годовой) заработок можно представить как произведение среднего дневного заработка, среднего числа дней работы одного рабочего и коэффициента увеличения месячного (квартального, годового) заработка вследствие доплат, к-рый получается как отношение фонда месячной заработной платы к фонду дневной заработной платы. [c.273]

Рассмотренные общие представления о влиянии деформационных факторов на закономерности смачивания субстратов существенны для термодинамики образования адгезионных соединений. В реальных случаях деформация субстрата заметно изменяет величину краевого угла при его смачивании жидкостью. Так, деформация полиэфиримида [118] на 30% уменьшает значения 0 при взаимодействии полимера с водой на 5,5°, при смачивании менее полярными жидкостями с а, = 61-62 мН/м-почти на 7° (рис. 10), а 20%-ная деформация приводит к росту прочности клеевых соединений, полученных с помощью полиэфирно-эпоксидного и полиэфир-циануратного адгезивов, соответственно на 20 и 15% (рис. И). [c.31]

Прежде всего следует создать себе некоторое общее представление о механизме полимеризации. Очевидно, независимо от того, является ли полимеризация стереоспецифической, или нет, рост макромолекул на катализаторах циглер — наттовского типа может быть представлен при помощи модели растущего дерева . Цепочка присоединена своим живым (т. 6. растущим) концом к какому-то участку поверхности твердого катализатора, так что последнее ее звено находится на этом участке. Адсорбция новой мономерной молекулы из окружающего раствора сопровождается ее присоединением к предшествующей молекуле (крайнему звену цепи) с последующим занятием ее места. Это, в грубых чертах, и есть акт роста цепи. [c.189]

Константы спин-спиновой связи лучше согласуются с обычными представлениями о характере электронного распределения в фосфорорганических соединениях. Согласно наиболее общим представлениям, величина константы спин-спиновой связи, особенно для непосредственно соединенных ядер, определяется главным образом контактным членом в уравнении Ремси [1 ]. Для ядер, отличных от протона, это подтверждается корреляцией констант спин-спиновой связи (отнесенных к магнитному моменту изотопа) с порядковым номером элемента [ ]. Поэтому следует ожидать увеличения константы 7рр с ростом s-характера орбиты, связывающей рассматриваемые ядра, аналогично тому, как это имеет место в случае спин-спиновой С1шзи Действительно, константа [c.242]

Еще один момент, который обращает на себя внимание в связи с изложенным, касается специфики конкретных инициаторов. Имеется в виду поведение литий- и магнийалкилов по отношению к различным мономерам. При сопоставлении данных, характеризующих процессы полимеризации ненасыщенных углеводородов и хлорсодержащих мономеров, выявляются отклонения от закономерностей, которые могли бы ожидаться на основании общих представлений. Наиболее отчетливо это иллюстрируется результатами, полученными для стирола и винилхлорида. Константы скорости реакции роста при полимеризации стирола в гексане (30°) [И] и винилхлорида в гептане (25°) (табл. 44) под влиянием литийбутила равны 4.7 и 9.9-10" л/моль-сек. соответственно. Реакционноспособность соединений КМ Х в тех же системах имеет обратный характер — они инертны по отношению к стиролу, но вызывают полимеризацию винилхлорида. Аналогичные особенности свойственны процессам полимеризации других сравниваемых мономеров. Например, полимеризация изопрена и бутадиена под действием литийбутила в углеводородной среде характеризуется гораздо более высокими значениями констант роста, чем полимеризация хлорсодержащих мономеров. С другой стороны, диеновые углеводороды в отличие от БХ и других родственных соединений полимеризуются под действием магнийорганических инициаторов только при повышенной температуре (80—100°) [40, 41 ]. Не исклю- [c.131]

Имеется общее представление о том, что процесс роста, дифференцировки и функционального созревания клеток происходит более эффективно в условиях микроокружения соответствующих органов и тканей, чем при свободном пребывании в гуморальной среде. Подобные представления сформировались в результате многочисленных исследований, показавших, что именно на территории органов создаются наиболее благоприятные условия для множественных межклеточных взаимодействий прекурсорных, дифференцирующихся клеток со стромальным клеточным окружением и для наиболее прямого, короткодистантного воздействия гуморальных факторов дифференцировки. [c.400]

В соответствии с моделью устойчивого развития такие цели, как достижение устойчивого экономического роста, сохранение природных комплексов, устранение социальной несправедливости являются для общества во многом взаимодополняющими, хотя приоритеты каящой из них в разные периоды могут меняться. Последнее определяется тем, что устойчивое развитие — понятие динамичное, и на каждом этапе может существенно меняться представление о нем. Поэтому зафиксировать общее представление об устойчивом развитии можно только на концептуальном уровне. Сам же процесс перехода на модель устойчивого развития будет в определенном смысле перманентным, [c.86]

ИС представляет ПО как текстовые потоки, порождаемые реальными физическими процессами, которые могут дополняться и текстовыми последовательностями от экспертов-пользоватепей о их понимании процессов в ПО, и вся эта совокупная линейная форма 1(a) преобразуется в семантический НСС-граф. При некоторой стабилизации количественного роста НСС, когда предполагается, что качественно она уже практически сформирована, например, на 85-90%, НСС передается в эксплуатацию пользователю. Вводя в НСС текстовое описание своей задачи, пользователь высвечивает некоторый подграф, отображающий его задачу в теле графа общего представления о ПО. Первое, что предоставляется пользователю при данном подходе, это пограничная информация, охватывающая его подграф. Ему также, возможно, будут указаны какие-то лакуны в его представлении. Далее пользователь сможет, легко перемещаясь по сформированному гипертексту НСС, познавать полное описание ПО. [c.105]

Это значит, что с ростом температуры число активных центров на единицу поверхности сначала растет и, только начиная с определенной температуры, убывает. Подобные кривые невозможно объяснить, исходя из представления о спекании как о поверхностном плавлении активных центров или исходя из эффекта, связанного с уменьшением общей повмхности с повышением температуры. Это явление с позиций термодинамики было рассмотрено О. П. Пол-торакои, который исходил из следующей модели активные центры являются атомной фазой , адсорбированной на поверхности кристалла. При этом оказалось, что для мелкодисперсных кристаллов количество атомной фазы иа единицу поверхности уменьшается с ростом кристаллов. Таким образом, с изменением температуры протекают два конкурирующих процесса сначала при повыщении температуры обработки катализаторов увеличивается число дефектов, а следовательно, и их поверхностная концентрация ири дальнейшем повышении температуры увеличение числа дефектов и их подвижности приводит к росту кристаллов, а следовательно, к уменьшению поверхностной концентрации дефектов. [c.338]

Для подтверждения развиваемых представлений о значительной роли ГС воды в агрегативной устойчивости дисперсий гидрофильных частиц было исследовано влияние температуры на коагуляцию дисперсии алмаза. На основании литературных данных [30, 87, 477, 517] можно было ожидать, что с ростом температуры должен уменьшаться вклад положительной структурной составляющей в общую энергию взаимодействия частиц. Это, в свою очередь, должно снижать агрегативную устойчивость гидрофильных или гидрофилизированных дисперсий. Подтверждающее это положение экспериментальные данные, полученные для дисперсии алмаза в 5-10 М в растворе Ь1С1 при рН = 2 в интервале температур 20—50 °С приведены на рис. 10.9. Незначительная степень агрегации, наблюдаемая при 20°С (т=1,5), заметно увеличивается при возрастании температуры до 40 °С (т=1,8). Дальнейший рост температуры (50 °С) приводит к изменению самого характера процесса агрегации значительно увеличивается скорость коагуляции, образуются более крупные агрегаты, отсутствует выход на плато, наблюдавшийся при более низких температурах. При меньших концентрациях электролита (1-10 М Ь1С1) влияние повышения температуры становится менее заметным при 50°С в дисперсии алмаза наблюдается лишь незначительная степень агрегации. [c.187]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология