Тонкая структура, схема

Рис. 72. Тонкая структура колебательной полосы а —ИК-спектр НС1 (газ) б —схема тонкой структуры

Эти явления не могут быть объяснены по схеме Б. Ватсона. Вместе с тем они становятся совершенно закономерными, если считать причиной их появления блочную структуру изогнутого в спектрографе кристалла. При различном положении системы взаимно дезориентированных блоков изогнутого кристалла по отношению к падающему на них расходящемуся пучку рентгеновских лучей они будут оказываться расположенными, под различными углами по отношению к этим лучам. В связи с этим должна изменяться и роль каждого из блоков в процессе отражения рентгеновской радиации, а значит и тонкая структура рефлекса на спектрограмме, расположенной в фокальной плоскости спектрографа. При вариации угла падения рентгеновских лучей на кристалл, ввиду ограниченности ширины пучка лучей, меняется действующая область кристалла. Это значит, например, что отдельные блоки, при отражении от которых появляется часть ложных линий, оказываются при некоторых значениях угла падения пучка освещенными под углами, отличными от угла Брегга — Вульфа, что приводит к исчезновению соответствующих ложных линий. Показательно, что при аналогичных исследованиях зависимости структуры рефлекса от углов поворота трубки по отношению к тонкому кристаллу, в процессе деформации которого можно было ожидать большей степени правильно-, Точнее, угла между осью расходящегося пучка рентгеновских лучей, падающих на кристалл, и отражающими атомными плоскостями. [c.61]

Fг должно быть несколько выше. Значительно больший выход Fj.212 достигается в реакции (Ne a,3n)Fr [65]. Схема распада Fr i представлена на рис. 111. С помощью магнитного а-спектрометра изучена тонкая структура а-спектра этого изотопа [98] (см. табл. 53). [c.264]

Внизу чертежа изображена тонкая структура линии так, как она наблюдается в мощном спектрографе. В согласии со схемой уровней, она состоит из дублета I и II, оба компонента которого образованы 2 и 3 линиями тонкой структуры. Расстояние в дублете равно 0,318 сж в волновых числах (вычисляется по Бору 0,328 см ) или 0,142 А в длинах волн (самая.линия имеет [c.102]

Рис. 44. Схема слоистой структуры тонких ориентированных пленок

Имеется чрезвычайно большое количество эмпирических данных, свидетельствующих о том, что многие свойства, особенно в сопряженных 7г-электронных системах, являются в первую очередь следствиями схемы связности атомов в молекуле, а более тонкие количественные характеристики молекулярной геометрии играют лишь второстепенную роль. На этом основано большинство применений теории графов для изучения молекулярной структуры, а также использование таких простых физических моделей, как теория молекулярных орбиталей Хюккеля . Это также побудило нас рассмотреть применение топологических понятий к анализу молекулярной структуры. [c.11]

Исследование условий получения структуры и свойств тонких пленок (и. о. проф. М. В. Белоус). За последние годы было проведено изучение электрофизических, адгезионных и технологических свойств, а также кристаллической структуры пленок, полученных вакуумным испарением сплавов на основе меди, хрома, нихрома, кобальта, тантала и других. Изучены закономерности формирования структуры указанных сплавов и установлено, что наиболее перспективными с точки зрения использования в качестве проводящих пленочных элементов являются сплавы на основе меди нихрома и тантала. Часть полученных и исследованных пленок использовалась кафедрой теоретических основ радиотехники КПИ в соответствующих схемах. [c.69]

В газо-жидкостном хроматографе веш ество вносят в колонку — длинную узкую трубку с нелетучей жидкой фазой, нанесенной на пористый инертный твердый материал, Через колонку пропускают струю газа-носителя при определенной, регулируемой температуре. Вещество в виде паров движется по колонке с током газа, непрерывно подвергаясь распределению между газовой (подвижной) и жидкой (неподвижной) фазами. Время, в течение которого данное вещество проходит колонку (так называемое время удерживания) зависит от летучести вещества и его способности абсорбироваться данной жидкой фазой. Оба свойства определяются тонкими особенностями структуры конкретного соединения, так что время удерживания весьма характерно и индивидуально для каждого вещества в конкретных условиях разделения. Поэтому, если в колонку внесена смесь веществ, то ее компоненты появляются на выходе из колонки в разное время достигается их разделение. После выхода из колонки газовый поток попадает в детектор, регистрирующий появление вещества, а сигналы с детектора через усилительную схему посту- [c.74]

Увеличение фактора мягкости (повышение стабильности) катионов подавляет их способность к реакции с противоионом и собственным мономером, но не исключает взаимодействия с более сильноосновными мономерами - стиролом и циклопентадиеном. Возникновение подобных катионных структур характерно при полимеризации изобутилена в присутствии примесей ненасыщенных соединений (а-олефины или диеновые мономеры) и ответственно за ингибирование процесса. По такой же схеме реагируют и арены. Более подробно эти взаимодействия рассмотрены при анализе сопряженных электрофильных реакций карбкатионов полиизобутилена и кинетических аспектов полимеризации изобутилена. Здесь же следует отметить, что традиционные примеси (вода и др ) в первую очередь могут вызывать отравление катализатора с уменьшением выхода полимерного продукта и лишь потом они блокируют центры роста макромолекул, ограничивая их длину [239]. В этом - проявление преимущественных жестких взаимодействий примесей с инициатором по сравнению с растущими карбкатионами. Напротив, в радиационной полимеризации ввиду слабости эффекта внешней стабилизации свободных катионов велика вероятность гибели их на примесях. Хотя тонкий механизм обрыва цепи на примесях не изучался, следует ожидать формирования стабильных в условиях полиме- [c.99]

Таким образом, уже при рассмотрении общей картины образования полимеров изобутилена по схеме катионной полимеризации совершенно очевидны трудности в понимании тонкого механизма отдельных элементарных стадий. Прежде всего это относится к актам инициирования и роста полимерных цепей в малополярных углеводородных средах, отражающих высокую специфичность реакций образования и роста полимерных карбкатионов, отсутствующих в химии их низкомолекулярных аналогов. Малые эффекты внутренней стабилизации растущих ионов карбония с изобутиленовой структурой из-за отсутствия сильных электронодонорных заместителей у катионного центра обусловливают существенную роль сольватирующей (электростатической) функции мономера, несмотря на невысокие значения диэлектрической проницаемости (е = 2-3). Плохая в общепринятом смысле сольватация ионов карбония благодаря большим размерам ассоциатов не исключает, а предполагает эффективную внешнюю стабилизацию с помощью мономера, связанную с его нуклеофильной функцией. Важно подчеркнуть взаимосвязь электростатического и ковалентного связывания (или факторов жесткости и мягкости) в реакции ионов карбония с олефином. Стабилизация карбкатионов мономером, определяемая орбитальной координацией, связана с обратным упорядочивающим действием иона на молекулы мономера в его непосредственном окружении, ориентирующим их согласно электростатическому фактору. В совокупности это объясняет быстрый рост катионов в неполярных средах и наблюдаемые кинетические особенности реакции полимеризации. [c.109]

Коррозионно-стойкие, хромистые стали нашли применение в промышленной технологии изготовления волноводов [20]. На рис. 6 показана сборная форма для изготовления переходника поляризованного аттенюатора многоразового использования. Рисунок дает представление о схеме сборки формы и способе использования экранов из пластмассы. На форме имеются переходы с острыми углами. В этих местах при электроосаждении формируются тонкие неоднородные слои металла (рис. 7), которые после наращивания копии необходимо пропаивать. Для образования сплошной прочной структуры углы закругляют под радиусом около 0,5—1,0 мм (рис. 7). , [c.17]

В самом деле, ни один направленный синтез — органический или неорганический, лабораторный или промышленный — нельзя осуществить, не зная структуры и свойств реагирующих веществ, термодинамики, кинетики и механизма происходящих процессов. Рациональное разделение смесей или тонкая очистка веществ тоже немыслимы без изучения физико-химических основ соответствующих процессов. Конструирование и оптимизация промышленных реакторов и сложных химико-технологических схем также базируются на успехах физико-химической науки. [c.4]

Одним из последних и общих методов изучения структурногруппового состава сложных смесей с помощью инфракрасных- и ультрафиолетовых спектров поглощения является схема, предложенная Б. А. Смирновым (1969 г.). Этот автор, разделяя полосы поглощения на три типа, дает подробные указания относительно правильного использования различных полос поглощения и их интерпретации для структурно-группового анализа смесей со сложными структурами. В качестве таких смесей были исследованы фракции масел из современных морских осадков Берингова моря, Антарктики, Индийского и Тихого океанов. Рекомендуется снимать спектры не в растворах, а в тонких пленках для узких фракций исследуемых продуктов. [c.261]

А/мин. Катодное распыление проводят в вакуумных камерах, создавая тонкие (толщиной менее 1. мкм) нокрытия с различными физ.-хим. свойствами (высокоомные, диэлектрические, полу- и сверхпроводящие, с особыми магнитными и оптическими свойствами). Такие покрытия служат конструктивными элементами в различных схемах, устройствах и приборах микроэлектронной, измерительной, вычислительной и криогенной техники. Термическое испарен и е осуществляют с помощью различных источников нагрева и соответствующих устройств в вакууме 10 3 10 мм рт. ст. (иногда для улучшения структуры покрытий создают более глубокий вакуум). Простейшие испарители — плоская спираль или спираль- корзинка из вольфрамовой проволоки, непосредственно нагреваемые электр. током. [c.170]

Сравнение с экспериментом будет более наглядным, если экспериментальные и теоретические данные изобразить графически, в виде схемы уровней (рис. 8). Поскольку тонкая структура уровней терма атомов С и 81 в масштабах рисунка неразличима, она изображена отдельно (рис. 9). [c.181]

Полосы на спектрах, расположенные в диапазоне видимого и ультрафиолетового излучения, возникают в результате взаимодействия вращательных, колебательных и электронных переходов и имеют сложную структуру. На рис. А.23 и А.24 приведена упрощенная схема термов двухатомной молекулы. На рис. А.23 дана схема основного состояния с колебательными и вращательными уровнями энергии. Диссоциированная молекула, атомы которой могут принимать любое количество кинетической энергии, соответствует заштрихованным областям (рис. А.23 и А.24). Вращательные термы приведены в другом, значительно меньшем масштабе. На рис. А.24 показаны аналогичные термы электронных переходов возбужденной молекулы. Полоса электронных переходов состоит из ряда полос, соответствующих различным колебательным переходам, а те в свою очередь имеют тонкую структуру, связанную с вращением молекул. Энергию диссоциации молекулы можно определить, установив частоту, при которой полосатый спектр переходит в сплошной, однако при этом следует учитывать энергию возбуждения образовавшихся атомов. Положение колебательных уровней при электронных переходах в молекуле определяется принципом Франка — Кондона при электронных переходах расстоя- [c.66]

Для атомов послед, групп элементов в периодич. системе, обладающих двумя или неск. внеш. электронами, спектры еще более усложняются, что обусловлено взаимод. электроноа Особенно сложны спектры атомов с заполняющимися d- и /-оболочками число линий в таких спектрах достигает мн. тысяч, простых закономерностей в них не обнаруживается. Однако и для сложных спектров можно произвести систематику оптич. квантовых переходов и определить схему уровней энергии. Систематика спектров атомов с двумя и более внеш электронами основана на приближенной характеристике отдельных электронов при помощи квантовых чисел и и / с учетом взаимод. этих электронов друг с другом. При этом приходится учитывать как их электростатич. взаимод, так и спин-орбитальное, что приводит к расщеплению уровней энергии (т.наз. тонкая структура). В результате этого взаимод. у большинства атомов каждая спектральная линия представляет собой более или менее тесную группу линий-мультиплет. Так, у всех щелочных металлов наблюдаются двойные линии (дублеты), причем расстояния между линиями увеличиваются с увеличением порядкового номера элемента. Для щел.-зем. элементов наблюдаются одиночные линии (син-глеты) и тройные (триплеты). В спектрах атомов послед, групп периодич. системы элементов наблюдаются еще более сложные мультиплеты, причем атомам с нечетным числом электронов соответствуют четные мультиплеты (дублеты, квартеты), а с четным числом-нечетные (триплеты, квинтеты). Кроме тонкой структуры в A. . наблюдается также сверхтонкая структура линий (примерно в 1СЮ0 раз уже, чем мультиплетная), обусловленная взаи- [c.219]

Наибольшее влияние на сопротивление КР оказывает тонкая структура (или субструктура) сплавов, разрешаемая с помощью электронного микроскопа. На рис. 6.012 приведена обобщенная схема тонкой структуры высокопрочных алюминиевых сплавов. В подрису-ночной подписи дано название ее основных составляющих. К ним следует добавить распределение легирующих элементов в приграничной зоне (рис. 6.6). С точки зрения терминологии это совсем не структурная характеристика, но без тесной привязки к структуре ее представление проигрывает в наглядности. [c.234]

В соответствии с этой схемой можно положить, что коротковолновая группа максимумов в спектрах поглощения соответствует переходу >-5s5p Pi. Тонкая структура этой полосы может возникнуть вследствие расщепления уровня 5 s 5р Pi, вызванного внутрикристаллическим штарк-эф([ ектом. Такое расщепление уровней под [c.201]

В случае более тяжелых инертных газов схема уровней будет иметь в отношении расположения конфигураций такой же вид, как на фиг. 37, но все п будут иметь увеличенные значения для аргона на 1, для криптона на 2, для ксенона на 3 и т. д. Однако расщепление исходных дублетов быстро возрастает. Для неона оно составляет около 800 см- , для аргона 1400, для криптона 5400 и для ксенона ЮОООсм-1. Тонкая структура дублетов возрастает медленнее, так что для соответствующих конфигураций разделе]ние на две группы становится более резким, если производить сравнение, двигаясь от неона к ксенону. У криптона и ксенона даже низшие конфигурации р р встречаются в виде хорошо разделенных групп, так что генеалогическая классификация может быть точно проведена. [c.298]

Изучение этих полос с помощью приборов с большой разрешающей силой показало, что вращательные линии расположены довольно тесно из этого следует, что момет инерпии молекулы носителя того же порядка, как молекул СО, N0 и других молекул такого рода. Таким образом, какая бы ни была формула носителя—НСО, НС.ОН или С.ОН, оп должен иметь линейную или почти линейную форму, так как иначе в спектре проявилась бы тонкая структура, отвечающая меньшему моменту инерции, соответствующему вращению относительно оси С — О. Несмотря на это ограничение, все три вышеперечисленные молекулы удовлетворяют имеющимся данным о вращательной и колебательной структуре полос. Все они также должны обладать еще одной колебательной частотой, которая должна быть больше частоты, фигурирующей в схеме, предположенной Вайдиа. Существование этой частоты, соответствующей колебанию легкого атома Н относительно более тяжелых атомов, может объяснить появление полос, не укладывающихся в общую схему. Однако этих полос слишком мало для того, чтобы можно было определить эту частоту. [c.77]

Полосы в видимой и ультрафиолетовой областях возникают в результате взаимодействия вращательных, колебательных и электронных переходов и имеют очень сложную структуру. На рис. 23 и 24 приведены упрощенные схемы термов двухатомной молекулы. На рис. 23 показано основное состояние с колебательными и вращательными уровнями. Заштрихованная граничная непрерывная область отвечает диссоциированному состоянию, при котором атомы могут иметь любую кинетическую энергию. Вращательные термы приведены в другом, намного меньшем масштабе. На рис. 24 показана аналогичная схема для молекулы, возбужденной в результате электронного перехода. Следовательно, полоса электронного перехода состоит из ряда отдельных полос, соответствующих переходам между разными колебательными уровнями. Последние, кроме того, снова обнаруживают тонкую структуру вследствие вращения. Из места слияния полос можно рассчитать энергию диссоциации молекулы, однако при этом необходимо учитывать энергию [c.80]

Схема эксперимеитальиой установки представлена па рнс. 1. Рассеяние света возбуждалось с помощью неоп-гелиевого лазера ОКГ-12, работающего на длпне волны л = 6328 А с выходной мощностью 14 Мет. Исследуемый раствор заливался в стеклянную кювету объемом около 150 см . Кювета имела двойные окна с откаченным промежуточным пространством и рубашку, через которую пропускалась вода пз ультратермостата. Температура раствора поддерживалась постоянной с точностью не менее 0,05 С. Для достижения теплового равновесия каждая температурная точка выдерживалась не менее 4,5—5 Тонкая структура релеевской [c.205]

С помощью метода МНПВО стало возможным изучение свойств тонких и сверхтонких диэлектрических слоев, выполняющих различные функции в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем (маска при диффуз ии, пассивация пове зхности, прослойка в МДП-структурах и т. д.). [c.147]

Особенностью коагуляционных структур являются их своеобразные высокоэластические свойства, напоминающие свойства полимеров. Медленно развивающиеся и спадающие после разгрузки обратимые по величине деформации сдвига характерны не для самих частичек дисперсной фазы, а для образованной ими пространственной сетки с тонкими прослойками воды по участкам контактов. Прочность коагуляционных структур, образующихся в различных,суспензиях, определяется числом контактов сцепления или числом свободных частичек, которые возникают при самопроизвольном диспергировании дисперсных фаз, так как природа контактов, возникающих ио схемам угол — угол, угол — ребро или ребро — ребро, может не зависеть от состава катионообменного комплекса, т. е. от гидратирован-ности плоскостей спайности (для чглинистых минералов, например). Кроме того, прочность структуры падает (при неизменном числе или площади контактов) с увеличением толщины прослоек дисперсионной среды, т. е. толщины диффузной обкладки двойного слоя ионов. [c.237]

Структура Ж. к. легко изменяется при нагревании, под воздействием мех. напряжений, электрич. и магн. полей и др., что приводит к изменению их оптич., электрич. и других св-в. Т. о., возможны управление этими св-вами с помощью сравнительно слабых внеш. воздействий или регистрация указанных воздействий с помощью Ж. к. Напр., если на первоначально прозрачный однородно ориентированный тонкий слой нематич. жидкокристаллич. в-ва наложить электрич. поле, при определ. напряжении поля происходит переориентация молекул, а при дальнейшем увеличении напряжения начинается турбулентное движение в-ва. В результате образец начинает интенсивно рассеивать свет. Этот эффект динамич. рассеяния света использ. в буквенно-цифровых индикаторах и др. устр-вах отображения информации. Небольшая потребляемая мощность ( 0,1 мВт/см ), низкое напряжение питания (неск. В) и др, особенности этих устройств позволяют сочетать жидкокристаллич. дисплеи с иптегр. схемами, обеспечивая миниатюризацию приборов для записи и хранения информации. [c.203]

РИС. 4-21. А. Схематическое изображение структуры типичного саркомера скелетной-мышцы. Приведенный продольный разрез соответствует электронно-микроскопической фотографии рис. 4-22. Б. Схема, иллюстрирующая расположение толстых и тонких нитей в поперечнополосатой мышце (поперечное сечение). В. Слева электронно-микроскопическая фотография поперечного среза мышцы кролика, обработанной глицерином. В центре кружка можно видеть, что шесть тонких иитей расположены по вершинам шестиугольника вокруг толстой нити. Остальные шесть толстых нитей расположены в вершинах шестиугольника большего размера. Справа поперечный срез-гладкого мышечного волокна. Толстые н тонкие нити расположены неупорядоченно. Видны нити промежуточной толщины, образующие скопления в виде плотных телец -(1), наличие которых является характерной особенностью гладких мышц. [c.319]

Тонкие детали механизма реакции выяснены не до конца, не ясна структура переходного состояния (схема 30). Наиболее вероятными переходными состояниями являются циклические оксо-ниевые ионы (95) и (97), так как надежно установлено, что они являются промежуточными частицами при гидролизе гликозидов [89]. По-видимому, фуранозы способны образовывать оксониевый ион (95) легче, чем пиранозы. Если бы реакция включала образование ациклического полуацеталя (96) или ациклического оксо-ниевого иона (98), следовало бы ожидать преимущественного образования пятичленного цикла, что энергетически более выгодно, чем образование шестичленного цикла [89]. Расширение цикла до шестичленного должно протекать путем образования ациклических оксониевых ионов типа (98) однако надежно установлено, что аномеризация метилпиранозидов в подкисленном СОзОН протекает через циклический оксониевый ион (97), так как агликон в первоначально образующихся продуктах реакции возникает из растворителя. [c.160]

Следует отметить, что периодичности в экваториальном направлении, как правило, не наблюдается, что делает в значительной мере условным выделение в образце фибриллярных образований, направленных вдоль оси ориентации. Тонкие детали фибриллярной организации во многом предопределяют оптимум механических свойств, достижимый для таких систем. Некоторые возможности управления такой фибриллярной структурой, без изменения ее природы, можно рассмотреть на примере поли-винил-спиртовых (ПВС) волокон. ПВС-волокна формовали мокрым способом на лабораторном микростенде [16]. Затем свежесформованные волокна подвергали пластификационной (в атмосфере перегретого водяного пара) и термопластификационной вытяжкам. Схема установки представлена на рис. 2. Присутствие перегретых водяных паров приводит к разрушению водородных связей в ПВС, т. е. к ослаблению межмолекулярного взаимодействия, препятствующего переориентации цепей. Это выражается и в уменьшении теплоты плавления, что вызывает снижение температуры плавления [см. формулу (1). [c.52]

Наша промышленность изготовляет фотоэлементы, в которых катод нанесен на внутреннюю поверхность самого баллона, а анодом служит металлическое кольцо или небольшой диск, расположенные в центре баллона. Схема такого фотоэлемента показана на рис. 29. Для изготовления этих фотоэлементов поверхность баллона покрывают проводящей подкладкой, обычно серебряной. Часть поверхности ( окно ) оставляют непосеребренной и через эту часть пропускают в баллон измеряемый световой поток. На серебряную поверхность наносят при помощи возгонки тонкий слой соответствующего металла. Такой фотоэле мент сравнительно мало чувствителен (1—20 мка на 1 лм). Для повышения чувствительности его подвергают сенсибилизации, в результате которой изменяются структура светочувствительного слоя и его чувствительность. Простейшим из методов сенсибилизации является обработка светочувствительного слоя водородом или парами серы. [c.78]

Первая наиболее сильная полоса поглощения в спектрах монозамещенных бензола обычно принадлежит чисто электронному переходу. Следующие интенсивные полосы в пределах первого обертона полносимметричного колебания (1195 с.м ) обусловлены такими молекулярными колебаниями полносимметричной (vga) и неполносимметричной (vg ) частями расщепившегося дважды вырожденного бензольного колебания ve и полносимметричными колебаниями величиной около 765 (vj/li), 940 (vi2i4j), 975 (v,8 i), 1010 ( ) и 1195 (v O Схема начала спектров поглощения некоторых кристаллов моноалкилбензолов в поляризованном свете вместе с данными по бензолу [23] и толуолу [12] представлена на рис. 4. 5. Наряду с общим сходством анализ структуры спектров поглощения монозамещенных бензола позволил установить также ряд тонких изменений в спектральных свойствах соединений в зависимости от состава и структуры радикалов-заместителей. В частности, был установлен характер изменения величин молекулярных колебаний в этой группе соединений [4]. Было выяснено, что наименьшее изменение претерпевают полносимметричные колебания величиной около 1000 (—940 см [c.128]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология