Галоген у места связи

Экспериментально установлено, что молекула бензола — плоская, атомы углерода образуют правильный шестичленный цикл ( ССС = 120°). Длина связи С—С в бензоле, промежуточная между длинами ординарной и двойной связей (см. табл. 9), формула Кекуле с чередующимися и разными по длине связями С—С и С=С не отвечает опыту. Гипотетический бензол Кекуле должен был бы так же активно присоединять молекулы галогенов по месту двойных связей, как непредельные углеводороды, что не наблюдается. Для бензола, напротив, характерны реакции замещения водорода на галоген. Но и здесь факты противоречат формуле Кекуле. В соответствии с ней возможно два о-дихлорбензола [c.115]

Значения температуры кипения и теплоты испарения жидких галогеноводородов, приведенные в табл. 26.3, свидетельствуют о том, что наименьшая тенденция к ассоциации имеет место у хлористого водорода. Энергия связи в ряду НР — Н1 уменьшается, что обусловлено резким возрастанием числа электронов в атомах галогенов в ряду Р — I, а также уменьшением различия в энергии уровней и подуровней по мере увеличения числа электронных слоев. В результате этого уменьшается степень перекрывания орбиталей водорода и галогена и возрастает межатомное расстояние. Моменты диполей галогеноводородов в связи с уменьшением тенденции к разделению зарядов и увеличением межатомных расстояний в той же последовательности существенно уменьшаются. [c.317]

В большинстве работ по изучению каталитической активности оксида алюминия затрагивается связь ее с поверхностной кислотностью. Обширная дискуссия о природе кислотных центров оксида алюминия в настоящее время решена в пользу утверждения, что кислотность оксида алюминия связана с кислотой типа Льюиса и обусловлена ионами алюминия с координационным числом 4. Некоторые авторы предполагают наличие на поверхности оксида алюминия двух типов кислотных центров до 300 °С имеет место кислотность типа Льюиса, а выше 300 °С - Брен-стеда. В серии рабо т, где высказана эта же точка зрения, одновременно сформулированы требования к химическому составу оксида алюминия, обеспечивающему его максимальную кислотность. Кислотность оксида алюминия зависит также от содержания в нем щелочноземельных и особенно щелочных металлов (натрия). На примере реакций изомеризации олефинов установлена зависимость между содержанием натрия в оксиде алюминия и изомеризующей активностью и кислотностью. Максимальные активность в реакции изомеризации олефинов и кислотность соот-вествуют минимальному содержанию натрия в оксиде алюминия. Каталитическую активность оксида алюминия в реакциях кислотного тлпа можно усилить путем введения в его состав галогенов. Единое мнение о характере взаимодействия оксида алюминия и галогенов заключается в том, что поверхностные гидроксильньге группы оксида алюминия и, возможно часть атомов кислорода замещаются ионами хлора и фтора. Природа ак тивных центров оксида алюминия, возникающих при введении галогена и механизм влияния фтора и хлора на его поверхностную кислотность являются предметом дискуссии. Согласно Ал. А. Петрову [5, с. 72], ок сид алюминия, обработанный хлороводородом, увеличивает кислотность и приобретает каталитическую активность в том случае, когда хлорид-ион замещает одну из парных гидроксильных групп, причем водород другой гидроксильной группы, благодаря соседству электроотрицательного атома хлора, становится подвижным и способным к диссоциации в форме протона. При замещении галогеном одиночной гидроксильной группы активный центр не образуется. Структура активного центра хлорзаме-щенного оксида алюминия может быть представлена формулой [c.44]

Уменьшение прочности связи в молекулах галогенов проявляется в падении их устойчивости к нагреванию данные табл. 19.1 показывают, что при одной и той же температуре степень термической диссоциации молекул возрастает при переходе от СЬ к Вгг и Ь- Однако из этих же данных следует, что фтор выпадает из общей закономерности прочность связи между атомами в его молекуле меньше, а степень термической диссоциации молекул выше, чем у хлора. Такие аномальные свойства фтора можно объяснить отсутствием с -подоболочки во внешней электронной оболочке его атома. В молекуле хлора и других галогенов есть свободные ( -орбитали, и поэтому между атомами имеет место дополнительное донорно-акцепторное взаимодействие, упрочняющее связь. Это показано на схеме (рис. 19.3). [c.478]

Еще большее влияние оказывает наличие сопряженных двойных связей на химическое взаимодействие углеводородов — динамический эффект сопряжения. Это влияние рассмотрим на примере типичной для непредельных углеводородов реакции присоединения галогенов к атомам углерода по месту двойной связи бутадиена, обладающего сопряженными двойными связями [c.458]

Дайте краткую характеристику химических свойств галогенов в связи с местом, занимаемым ими в периодической системе, и строением атомов. [c.145]

Из реакций образования С— С-связей с галогеном у места связи необходимо, конечно, отметить реакцию хлорметилирования. Реакция состоит в обработке ароматического соединения формальдегидом и хлористым водородом, обычно в присутствии катализатора [c.639]

Гибридизация одной -и двух р-орбиталей ( р -гибридизация) имеет место при образовании соединений бора. Как уже указывалось (см. стр. 158), возбужденный атом бора обладает тремя неспаренными электронами — одним -электроном и двумя р-электронами. Из этих орбиталей образуются три эквивалентные р -гибридные орбитали, расположенные в одной плоскости под углом 120° друг к другу (рис. 78). Действительно, как показывают экспериментальные исследования, молекулы таких соединений бора, как ВХз (X — галоген), В(СНз)з — триметилбор, В(ОН)д — борная кислота, имеют плоское строение. При этом три связи бора в указанных молекулах одинаковой длины и расположены под углом 120° друг к другу. [c.167]

Влияние двойной связи на подвижность атомов водорода в а-по-ложении. Наряду с реакциями присоединения при действии на алкены галогенов могут иметь место и реакции замещения (М. Д. Львов). Например [c.71]

Мы уже обсуждали в других местах учебника электронное и геометрическое строение молекул галогенидов фосфора (см. разд. 7.5 и 7.6, ч. 1). Дипольные моменты (см. разд. 8.2, ч. 1) этих соединений, указанные в табл. 21.10, находятся в соответствии с их геометрическим строением. Соединения РХ3 обладают пирамидальной формой (см. рис. 21.4), и полный дипольный момент этих молекул зависит от полярности связей Р—X. Можно заключить, что полярность связей Р—X уменьщается в ряду Р—Р > > Р—С1 > Р—Вг > Р—I. Этот ряд согласуется с разностью электроотрицательностей между фосфором и галогенами. Молекулы рр5 обладают тригонально-бипира-мидальной структурой (см. рис. 21.4), причем центральный атом фосфора обобществляет пять электронных пар с пятью атомами X. Дипольные моменты пяти связей Р—X взаимно компенсируются, и полный молекулярный дипольный момент во всех случаях оказывается равным нулю. [c.322]

Какой тип химической связи преимущественно имеет место в молекулях галогеноводородов, галогенидов щелочных металлов и оксидов галогенов [c.131]

Присоединение галогенов. При действии на этиленовые углеводороды галогенов в результате присоединения их по месту двойной связи образуются дигалогенпроизводные предельных углеводородов с атомами галогена при соседних углеродных атомах. Например [c.69]

Присоединение галогенов. Так же как и в случае непредельных углеводородов, галогены присоединяются по месту двойной связи непредельных кислот в результате образуются галогензамещенные предельные кислоты. Например [c.170]

Простые анионы легче всего образуют р-элементы УП группы вследствие их высокого сродства к электрону. Присоединение одного электрона к атомам кислорода, серы, углерода, некоторым другим элементам сопровождается выделением энергии. Присоединение же последующих электронов с образованием свободных многозарядных простых анионов места не имеет (см. табл. 6), поэтому соединения, состоящие из простых ионов, немногочисленны. Они легче всего образуются при взаимодействии щелочных и щелочно-земельных металлов с галогенами. Однако и щ этом случае электронная плотность между ионами не равна нулю, поэтому можно говорить лишь о преимущественном проявлении ионной связи. Радиусы же одноатомных многозарядных ионов представляют собой чисто условные величины. Представление о ионных кристаллах — это идеализированная модель. [c.101]

Кремнийоргаиические полимеры со скелетом, состоящим только из атомов кремния, не найдут, по-видимому, практического применения в промышленности, хотя в настоящее время и имеются предложения об их использовании. Они имеют некоторые принципиальные недостатки, ограничивающие их применение. Первым недостатком является то, что все имеющиеся в настоящее время способы приготовления основаны на потреблении значительных количеств щелочных металлов. Ясно, что для промышленного производства должен быть найден совершенно иной тип синтеза. Особенно серьезным недостатком органозамещенных силанов является их низкая химическая и температурная устойчивость по сравнению с органополисилоксанами органозамещенные полисиланы очень легко окисляются, термически диссоциируют, распадаются при действии галогенов и подвергаются гидролитическому расщеплению по месту связи 81—81 при каталитическом действии шелочи по уравнению [c.261]

RHg (NH3, РН3 И др.) ионы элементов отрицательно 3-валентны. Благодаря такому сравнительно большому отрицательному заряду связь атомов этих элементов с ионами водорода значительно прочнее, чем у элементов группы кислорода и тем более группы галогенов. В связи с этим водородшае соединения элементов подгруппы азота в водных растворах не образуют свободных ионов водорода, и эти растворы но обладают кислотными свойствами. Это обстоятельство отражают и в написании химических формул этих веществ. Так, обычно пишут NHg, а не HgN (кислотный водород обычно пишут на первом месте), тогда как пишут H I, а не СШ, HjS, а не SHa и т. д. [c.261]

Кроме карбонильных групп активными центрами в полимере в условиях облучения могут быть связи углерод — галоген. Так, Данн и другие [161, 162] полимеризовали стирол в присутствии четырехбромистого углерода и бромтрихлормета-на и получили полимер с галогенами на концах цепи. Последующий фотолиз таких полимеров в присутствии метилметакрилата привел к получению помимо гомополимера блок-со-полимеров. Атомы хлора в боковых группах макромолекул могут подвергаться фотолизу при активации другими полярными группами. Миллер [163, 164] получил сополимеры а-хлоракрилонитрила (1—3 мол.%) с акрилонитрилом и ак-риламидом. Эти сополимеры были настолько устойчивы, что с ними можно было работать в растворе, но при облучении раствора сополимера в результате фотолиза по месту связи углерод — галоген образовывались свободнорадикальные центры, способные к инициированию полимеризации, например, акриламида и акрилонитрила. [c.28]

Гипотеза Чатта—Оргела вызвала также ряд возражений. И. И. Черняев, например, выступил против введенного Чаттом представления, подразделяющего лиганды на транснаправляющие и циснаправляющие по его мнению, оно осложняло проблему трансвлияния. Кроме того, Черняев, выразил сомнение, что трансвлияние галогенов можно объяснить смещением к ним электронов центрального атома. Если можно как-то принять возможность такого смещения, — писал он, — при соединении нейтральной молекулы с атомом металла, то для заряженного иона такой процесс кажется неестественным, и образование электронного облака в месте связи металл — этилен скорее объясняет повышенное трансвлияние у ненасыщенных молекул, а пе самый механизм трансвлияния [95, стр.477].Эти возражения Черняева быливпослед- [c.149]

Говоря о селективности радикалов, помимо соображений о прочности связи следует учитывать полярный эффект, который может играть важную роль при рассмотрении замещенных углеводородных молекул и радикалов. Например, электроотрицательный атом галогена является в одно и то же время радикальным и электрофиль-ным реагентом, вследствие чего он будет преимущественно атаковать углеводород по месту повышенной электронной плотности. Поэтому, если в молекуле субстрата присутствуют электроноакцепторные атомь или группы, будет происходить некоторое замедление радикального галогенирования. Так, вторичное галогениро-вание по углеродному атому, уже имеющему заместитель — галоген, протекает хуже, чем первичное 12291. [c.147]

Однако формула Кекуле с чередующимися и разными по длине связями С—С и С = С не отвечает опыту. Гипотетический бензол Ке-тсуле должен был бы активно присоединять молекулы галогенов по месту двойных связей, как непредельные углеводороды, что не наблюдается. Для бензола, напротив, характерна реакция замещения водорода на галоген. Но и здесь факты противоречат формуле Кекуле. В соответствии с ней возможно два о-дихлорбензола [c.226]

В периодической системе элементов Д. И. Менделеева водород занимает первое место. Особенности строения атома водорода позволяют формально рассматривать его как аналог галогенов. Для водорода характерны реакции, в которых он отдает электрон с образованием иона Н, а также присоединяет электрон с образованием гидрид-иона Н ". Самым распространенным соединением водорода является вода. Ее молекула гюстроена по кова-лентно-полярному типу связи, имеет угловую форму с валентным углом 104,5°. Молекулы воды образуют ассоциации благодаря водородным связям. Из химических свойств воды наибольшую практическую значимость имеют процессы гидратации и гидролиза. Активные металлы восстанавливают из воды водород, а галогены окисляют кислород. [c.164]

В приведенной реакции иодистого водорода с этиленом безразлично, к которому из атомов углерода, соединенных двойной связью, присоединяется водород, а к которому галоген, так как оба углеродных атома равноценны. Равноценность их видна, поскольку каждый соединен с двумя водородными атомами. Если же углеродные атомы, соединенные двойной связью, не одинаковы по числу связанных с ними атомов водорода, то галогеноводород взаимодействует с непредельным углеводородом с определенной закономерностью водород из молекулы галогеноводорода присоединяется преимуш,ествен-но к тому углероду по месту двойной связи, при котором имеется больше атомов водорода (к наиболее гидрогенизированному), а галоген — к углероду, при котором меньше или совсем нет атомов водорода. Например [c.70]

Химические свойства. В молекулах галогенпроизводных атомы галогенов связаны с углеродными атомами при помощи ковалентных связей (стр. 28.) Поэтому галогенпроизводные не способны к электролитической диссоциации и не образуют ионов галогенов, как это имеет место в случае неорганических галогенсодержащих веществ (Na l, КВг, Nal и т. п.), в которых галогены соединены с металлами при помощи ионной связи. Тем не менее галогенпроизводные, как уже указано, представляют собой весьма реакционноспособные вещества, и атомы галогенов в них могут замещаться другими атомами и группами. Это объясняется тем, что ковалентные связи между атомами углерода и галогенов поляризованы (стр. 33). Прочность этих связей в разных соединениях неодинакова она зависит как от строения углеводородного радикала, так и от связанного [c.93]

Как правило, многодентатный лиганд занимает во внутренней координационной сфере соседние места. В октаэдрических и квадратных конфигурациях бидентатные лиганды занимают два цис-положения (рис. 24, а). Согласно А. А. Гринбергу, это обстоятельство можно использовать для определения геометрической конфигурации комплексов, для которых установлена генетическая связь с циклически построенным соединением. Например, при взаимодействии нитрита натрия с [Со(еп)2СОз]Х (X — галоген) образуются соли, которым можно приписать цис-строение, т. е. [c.73]

По сравнению с менделеевским в современном 8-групповом варианте короткой формы таблицы (см. форзац в начале книги) имеются некоторые изменения. Так, водород помещается над галогенами (это его основное место). Инертные газы в связи с их выявленными химическими свойствами размещаются в VIII группе в качестве главной ее подгруппы. А 3 триады —железо, кобальт, никель и их аналоги — составляют побочные подгруппы [c.79]

Детектор электронного захвата (ДЭЗ) по частоте использования занимает одно из ведущих мест. Универсальные газовые хроматографы, как правило, комплектуются этим детектором наравне со стандартными детекторами — ионизационно пламенным и по теплопроводности. Столь быстрое и широкое распространение ДЭЗ получил в связи с необходимостью измерения весьма малых количеств хлорсодержаших пестицидов в продуктах растительного и животного происхождения. Он успешно применяется для определения малых концентраций галоген-, кислород- и азотсодержащих веществ, некоторых металлорганических соединений и других веществ, содержащих атомы с явно выраженным сродством к электрону [c.61]

Прочность молекулы фтора, несмотря на наименьшее межъядерное расстояние относительно других галогенов, намного меньше по сравнению с молекулами хлора и брома. По величинам энтальпии и р <д с на атомы молекула фтора сравнима с молекулой иода. В то же время силовая константа молекулы фтора в два с лишним раза превосходит таковую молекулы хлора. Другими словами, химическая связь в молекуле фтора менее прочна, но более жестка. Сравнительно невысокая прочность молекул фтора, которая является одним из факторов его высокой химической активности, обусловлена отсутствием у атома фтора -орбиталей. В молекулах остальных галогенов имеет место дополнительное л-связывание за счет р-элект-рснов и й -орбиталей. [c.351]

Координационная емкость лиганда — число мест, занимаемых каждым лигандом во внутренней сфере комплекса. Для большинства лигандов координационная емкость равна единице, реже двум. Анионы галогенов, СМ , МНз занимают в комплексах одно координационное место и называются монодентатными лигандами. Гидразин, амино ксусная кислота, этилендиамин, а также ионы Сг04 , 304 , СОз занимают по два координационных места и являются бидентатными. Существуют лиганды с большей емкостью—3, 4, 6. Их называют полидентатными. Они способны осуществлять одновременно несколько связей с комплексообразова-телем. Одним из наиболее важных полидентатных лигандов (шес-тидентатным) является анион этилендиаминтетрауксусной кислоты (ЭДТА) [c.144]

Из таблицы видно, что ПП кристаллов растут вместе с увеличением ковалентности связи в рядах МР<МС1< <МВг<М1. В горизонтальных строчках таблицы наблюдается немонотонное изменение ПП, вызванное иоляри- зующим действием анионов. Так, в результате разрыхляющего влияния фтор-иона на электронные оболочки цезия, рубидия и калия увеличивается концентрация электронов в межатомном пространстве и увеличивается ПП. Поскольку поляризующее действие галоген-ноиов падает с ростом радиуса, то увеличение ПП, начавшееся Б случае фторидов с калия, у хлоридов имеет место, уже начиная с рубидия, а у бромидов и иодидов — только с цезия, причем Аив1 = с и1— гвьвг>А 1 = пс8Т—/гш>г. [c.267]

Химическая стойкость АТМ-1 к различным агрессивным средам, как и пропитанного графита, рассмотрена в работе [147]. Материалы АТМ-10, ТАТЭМ, АТМ-1 Г не содержат синтетических смол, так как после обжига и графитации связующее образует углеродную связку и, следовательно, их химическая стойкость такая же, как и у углеродных материалов. АТМ-1 неустойчив по отношению к сильным окислителям, щелочам, азотной кислоте и галогенам он склонен набухать в сильных органических растворителях. Окислители, щелочи и галогены разрушают этот материал с поверхности, а часть материала, не затронутая разрушением, сохраняет свои прочностные свойства. Такой вид разрушения обычно может быть замечен визуально и сопровождается уменьшением массы образца. При набухании имеет место увеличение массы, внешний вид образца может не изменяться, но при этом происходит резкое уменьшение прочности. [c.262]

В соответствии с положением атомов в периодической системе радикалы должны обладать различным сродством к электрону. Так, атомы галогенов н кислородные радикалы (НО, Н00-, RO-, ROO ) обладают ярко выраженными электрофильными свойствами. Поэтому они атакунэт предпочтительно места с более высокой электронной плотностью. По этой причине заместители, обладающие + /- и -t-yW-эффектами, повышают реакционную способность соседних связей С—Н относительно таких радикалов, а группы, проявляющие —/ и —Л -эффекты, понижают ее. Несколько примеров приведено в табл. 21. [c.222]

Конечно, можно найти структуры, которые не попадают точно в одно из главных подразделений схемы 1.2. Например, в кристаллических HgBr2 и СиС12 наиболее короткие связи выделяют конечные молекулы и цепи соответственно. Но эти единицы удерживаются вместе более слабыми связями металл — галоген, что приводит к образованию слоев, между которыми действуют еще более слабые вандерваальсовы связи. Такие структуры находят свое место на той или иной из соединяющих линий схемы то же относится и к структурам, в которых молекулы объединены в цепи, слои или трехмерные комплексы водородными связями соответствующие точки отмечены на схеме буквой Н. Понятно, что в этом разделе мы вынуждены упомянуть о многих структурах и темах, которые по существу относятся к последующим главам поэтому, вероятно, будет полезно вернуться к вопросам классификации в последующих разделах. [c.41]

Отрыв галогенов может также осуществляться многими радикалами реакционная способность падает в ряду I > Вг Н > > С1 > Р, отвечающему прочности связи С—X, за исключением водорода. Полагают, что полярное отталкивание между заполненными орбиталями галогена и приближающимся радикалом замедляет отрыв галогена по сравнению с отрывом водорода и объясняет аномальное положение последнего. Изучение кинетики отрыва иода показало, что переходное состояние поляризовано противоположно тому, как это имеет место в (21). Отрыв галогенов и водорода арильными радикалами, генерированными из ариламинов, представляет собой удобный вариант реакции Зандмей-ера [19]. [c.578]

Большинство реакций, характерных для изолированных двойных связей, например присоединение галогенов и галогеноводо-родов, водорода и т. п., имеет место и в диеновых системах. Однако присоединение протекает не только по отдельным двойным связям диенового производного — в положении 1,2 (I), но и в положении 1,4 (II), с образованием новой двойной связи, например [c.185]

С = С —, и третий электрон атома рзэ формально не участвует в образовании химической связи). В действительности, карбиды имеют почти такую же проводимость, как и чистые металлы [634, 1415]. Измерение теплоты образования ЬаСз [791] и сравнение ее с энергией связи Ьа — О, видимо, свидетельствует о близком химическом характере группировки Сз = и О =, подобно тому, как это имеет место для групп циана и галогенов. [c.41]