Кристаллизация зависимость от примесей

Для температурной области кристаллизации 300—400 °С отмечается обратная температурная зависимость коэффициента захвата примеси структурного алюминия от скорости роста. При более высоких температурах, вероятно, вследствие увеличения растворимости шихтового кварца и соответственно увеличения содержания алюминия в гидротермальном растворе с одновременным уменьшением концентрации коллоидальных комплексов интенсивность захвата алюминия в структурные позиции кристаллической решетки кварца возрастает. Кристаллы с заданной интенсивностью радиационной дымчатой окраски могут быть выращены на затравках, параллельных плоскости отрицательного ромбоэдра, при температурах 350—370 °С со скоростью 0,4— 0,6 мм/сут из растворов гидроокиси и карбоната натрия. Для проявления потенциальных центров окраски достаточно облучения от источника Со дозами порядка 1—3-10 . Для выращивания морионов необходимо вводить примесь алюминия в исходный шихтовый материал. [c.181]

Оценки Еа = 1(См) показывают, что с увеличением концентрации примесь азота выступает сначала как добавка, активирующая зародышеобразование, затем — как подавляющая процесс. Учитывая гетерогенный характер образования центров кристаллизации, можно предположить, что причиной аномального хода зависимости Еа = 1(С. ) является (при малом содержании примесного азота) активизация капиллярных свойств расплава по отношению к графиту и алмазу, при высокой концентрации примеси— снижение вплоть до полного отсутствия смачивания в системе. [c.354]

Очевидно, что с увеличением содержания добавки до концентрации примесного азота по массе 0,09—0,1 % смачивание графита растет, затем уменьшается, и при 0,3—0,35 % отмечается эффект полного несмачивания. Тесная корреляция полученной зависимости 0ме =f( N) с ходом кривых а = /(С ) и a = f( N) свидетельствует в пользу предположения о влиянии азота на процессы кристаллизации в значительной степени за счет изменения поверхностных свойств расплава. Кроме того, примесь азота влияет и на растворимость углерода в расплаве, что будет рассмотрено ниже. [c.354]

Как,указано выше, в схеме отделения кристаллизации предусмотрены варианты охлаадения сырья и точки ввода растворителя или фильтрата на разбавление сырья. В зависимости от качества сырья и требований к качеству парафина подбирают и устанавливают самый эффективный метод охлаадения сырьевой смеси, температурный режим кристаллизаторов и точки ввода растворителя или фильтрата, обеспечивающие лучшую кристаллическую структуру парафинов. На одной из установок, выполненной по приведенной схеме, в качестве хладоагента в регенеративных кристаллизаторах используют фильтрат I ступени фильтрования. Фильтрат Д ступени приме- [c.17]

Определяющий возможность и эффективность процесса концентрирования коэффициент к может быть найден расчетным путем по известному значению ко с использованием теоретической зависимости [1004] между эффективным и равновесным коэффициентами распределения примеси. Значение последнего можно оценить, изучая фазовую диаграмму состояния бинарной системы основное вещество — примесь в области, близкой к ординате чистого основного вещества. Таким путем, например, даны оценки ко и проведено деление примесей на группы по поведению их при направленной кристаллизации алюминия [1210], висмута [376], цинка и кадмия [133]. Однако диаграммы состояния известны для ограниченного числа систем, в частности, металлических [135, 856, 917], и, кроме того, они недостаточно точны в области очень малых содержаний примеси. Поэтому оценка величин равновесных коэффициентов распределения некоторыми авторами [22, 406, 631] проводится на основании эмпирических зависимостей. [c.259]

В многокомпонентной системе растущий кристалл отталкивает посторонние компоненты, которые скапливаются перед растущей поверхностью. Если константа распределения данного компонента к меньше единицы, то его концентрация у растущей поверхности будет выше его концентрации в объеме. Наоборот, при к > 1 компонент поглощается кристаллом и его концентрация у растущей поверхности будет ниже концентрации в объеме. Таким образом, при к > 1 диффузионный поток компонента направлен из жидкой фазы к кристаллу, а при к <. —в обратном направлении. Как правило, в многокомпонентной системе к больше единицы для частиц, формирующих кристалл, и меньше единицы для растворителя. Коэффициенты распределения других примесей могут иметь любые значения. При очень медленном росте, осуществляющемся в почти равновесных условиях, влияние диффузии пренебрежимо мало. Однако во многих случаях диффузия очень важна. Представив в такой системе концентрацию примеси как функцию расстояния от поверхности кристалла (фиг. 3.11), легко видеть, что из-за отталкивания примеси ее концентрация с,- у поверхности раздела фаз выше ее концентрации в объеме жидкой фазы С . На фиг. 3.12 изображена диаграмма состояния системы кристалл — примесь. Сопоставляя кривую ликвидуса на фиг. 3.12 и состав из фиг. 3.11, легко построить, как на фиг. 3.13, график изменения температуры плавления у растущей поверхности в зависимости от расстояния для разных составов. Как легко видеть, температура плавления уменьшается с приближением к поверхности кристалла. Пунктирные линии АВ и А В изображают два разных температурных градиента в растворе. При большем градиенте АВ нигде перед фронтом кристаллизации нет переохлаждения при меньшем градиенте А В перед этим фронтом есть область переохлаждения СВ с тенденцией к кристаллизации. В области СВ существует концентрационное переохлаждение [26] ). Легко видеть, что большие температурные градиенты, легко достижимые, например, при вытя- [c.126]

НИЯ. Для веществ, которые удовлетворяют только что описанным условиям, можно определить содержание примеси даже в том случае, если не известна температура кристаллизации абсолютно чистого вещества, при условии, что может быть измерена зависимость температуры кристаллизации от величины закристаллизовав-щейся фракции. Когда образец кристаллизуется, то начальная температура кристаллизации ниже неизвестной точки кристаллизации очищенного основного компонента (понижение является результатом присутствия примеси). Когда закристаллизовывается половина образца, то концентрация примеси в жидкой фазе удваивается по сравнению с начальной концентрацией, так как предполагалось, что примесь не растворяется в твердой фазе, т. е. фазовая диаграмма аналогична диаграмме, показанной на рис. 2. Если концентрация примеси мала и температура кристаллизации понижается пропорционально содержанию примеси, то разница между начальной температурой кристаллизации и температурой кристаллизации, когда закристаллизовалась половина образца, равняется понижению, соответствующему количеству примеси в начальном образце. Таким образом, концентрация примеси может быть рассчитана, если известно понижение температуры кристаллизации, соответствующее присутствию 1 мол. % примеси. Эту величину можно найти из дополнительно проведенных экспериментов или путем расчета скрытой теплоты кристаллизации. [c.84]

Первичной информацией об особенностях кристаллизации двухкомпонентного раствора является зависимость температуры начала кристаллизации от исходного состава раствора (рис. I. 2, а). Точки на этом рисунке означают температуру начала кристаллизации раствора, а стрелки показывают изменение температуры при экспериментальном определении температуры начала кристаллизации раствора. Проводить непрерывную линию через имеющиеся точки (рис. I. 2, б) в принципе мы не имеем права, поскольку это будет означать непрерывное изменение исходной концентрации раствора. Экспериментально мы это проделать не можем, но концентрация примеси в растворе по мере выделения твердой фазы непрерывно меняется. Если примесь в расплаве распределена однородно и состояние системы определяется температурой и концентрацией примеси в сосуществующих фазах (для двухкомпонентных систем в настоящее время нет сомнений в этом положении), то изменение концентрации примеси в расплаве в процессе кристаллизации тождественно изменению исходной концентрации. Поэтому проведение непрерывной линии на рис. I, 2, б означает переход от координат /—Со к координатам t—Сь- Рис. I. 2, б характеризует не только количественную зависимость температуры кристаллизации от концентрации примеси в растворе, но и качество системы выше линии 4р—Сх, система однофазная, ниже — двухфазная. [c.7]

Обратимся теперь к направленной кристаллизации. Если в жидкости примесь распределена однородно и выделяющаяся малая порция твердого тела находится равновесии с жидкостью, то при кристаллизации жидкости доэвтектического состава зависимость коэффициента распределения к от доли кристаллизующегося слитка схематично можно изобразить рис. 3. [c.252]

Из теорий, описывающих зависимость эффективного коэффициента распределения от скорости кристаллизации, наибольшее распространение получила теория Бартона, Прима и Слихтера [55]. Согласно этой теории кристаллизация представляет собой гетерогенный процесс, складывающийся из обмена атомами (молекулами) на межфазовой границе и переноса избыточных атомов второго компонента (при Хо<1) или основного компонента (при /Со>1) но объему жидкой фазы. [c.44]

По-видимому, этот вариант массопереноса при нормальной направленной кристаллизации наиболее часто осуществляется на практике. Ему соответствует теория Бартона, Прима и Слихтера. На начальной стадии кристаллизации режим оттеснения примеси или захвата ее — нестационарный. На этой стадии в жидкости перед поверхностью раздела фаз формируется диффузионный слой толщиной O. Концентрация примеси в диффузионном слое изменяется от средней концентрации ее в жидкой фазе до некоторой установившейся. По теории Бартона, Прима и Слихтера это изменение описывается довольно сложной зависимостью [c.64]

Однако применение характеристических коэффициентов распределения для расчета результатов анализа с предварительным кристаллизационным концентрированием имеет существенные преимущества по сравнению с приемами, основанными на использовании эмпирических зависимостей С от Ср. Прежде всего, нужно отметить теоретическую обоснованность величины к , ее связь с эффективным и равновесным коэффициентами распределения (см. разд. 2.7). Как уже отмечалось, примесь, оттесняемая в расплав, оказывает своеобразное буферное действие на значения к , которые, как правило, мало зависят от д или даже остаются практически постоянными вплоть до конца кристаллизации. Существенно и то, что /с -единственный эмпирический параметр, необходимый для описания взаимосвязи Сд и С , тогда как уравнения (83) и (129) включают несколько параметров. [c.81]

В зависимости от величины коэффициента распределения различают два варианта перераспределения примеси по длине образца. Если эта примесь понижает температуру плавления образца, то она концентрируется преимущественно в расплавленной зоне, передвигаясь с ней (рис. Х-1, 6). Такая картина наблюдается в случаях, когда растворимость примеси в жидком состоянии больше, чем в твердом, т. е. при А о< 1. В результате перехода примеси в жидкую фазу ее концентрация в твердой фазе, образующейся после прохода расплавленной зоны, понижается. Наибольшая степень очистки при этом достигается в начале образца, где концентрация примеси в расплавленной зоне наименьшая. При продвижении зоны вдоль образца происходит постепенное накапливание примеси в ней соответственно фазовому равновесию повышается также ее концентрация в твердой фазе. Далее наступает момент, когда концентрация примеси в твердой фазе достигает ее исходного уровня в образце Ср. При дальнейшем движении зоны обычно концентрации примеси в образующейся кристаллической фазе и в зоне остаются некоторое время неизменными. При этом Ск = и концентрация в зоне равна Ср/к . На конце образца, равном длине зоны, происходит затвердевание материала по законам направленной кристаллизации, сопровождающееся быстрым возрастанием концентрации примеси. [c.240]

Очевидно, что изменение Ств в процессе кристаллизации должно привести к неравномерному распределению активатора в кристалле, если скорость диффузионного выравнивания концентрации меньше скорости роста кристалла, как это, действительно, в большинстве случаев имеет место. Найдем функцию, выражающую зависимость Ств от закристаллизовавшейся доли исходного объема, полагая, что в расплаве примесь распределяется равномерно, а в кристалле ее диффузией можно пренебречь [93, 29]. Пусть go — количество активатора в единице объема расплава до начала кристаллизации, а — его количество, оставшееся в жидкой фазе после того, как доля х единицы объема превратилась в кристалл. При затвердевании бесконечно тонкого слоя расплава объемом dx количество активатора в жидкой фазе уменьшается на dg, и потому концентрация его в образовавшемся слое кристалла составит [c.253]

Использование понятия ЧТТ для оценки эффективности кристаллизационной колонны дает возможность охарактеризовать ее разделительную способность в безотборном режиме работы соотношением вида (3.76) (см. главу 3, 5). Следовательно, с помощью этого соотношения можно определить и коэффициент разделения интересующей системы основное вещество—примесь из опытов по очистке веществ методом противоточной кристаллизации из расплава [161, 170]. Для определения коэффициента разделения могут быть использованы и другие зависимости, полученные на основании анализа взаимосвязи основных параметров процесса [c.197]

Рассмотрим теперь влияние распределения температур в расплаве на возникновение неоднородностей в растущем кристалле. При кристаллизации (по методу Чохральского) расплава, содержащего примесь, которая понижает его точку плавления (/С<1), возле фронта кристаллизации происходит накопление примесей и создается диффузионный слой. Толщина обогащенного примесью слоя составляет —10 см в зависимости от условий перемещивания расплава. В стационарных условиях каждой точке диффузионного слоя соответствует определенная концентрация примеси, а следовательно, и определенная равновесная температура кристаллизации (рис. 6.22, а). [c.324]

Введение примесей в твердую фазу путем, ведущим к образова нию различного рода твердых растворов, связано с явлением со кристаллизации 17, 21, 22]. Оно может производиться в ходе кристаллизации из растворов или расплавов непосредственно в самом технологическом процессе производства того или иного продукта. Закономерности, связанные с сокристаллизацией, достаточно подробно рассмотрены в специальной литературе [7, 22, 24, 25] и здесь нет смысла на них останавливаться. Важно отметить, что в ходе сокристаллизации не вся примесь попадает именно в кристаллическую решетку. Часть содержащейся в растворе или расплаве добавки в зависимости от условий кристаллизации может перейти в твердую фазу в виде самостоятельных кристаллов. И тогда эффект влияния на гигроскопическую точку будет зависеть от соотношения долей примесей, образовавших твердые растворы или самостоятельные кристаллы. [c.148]

Один из вариантов метода охлаждения заключается в установлении температуры первичной кристаллизации и является визуальным способом. Другой вариант заключается в построении кривых охлаждения путем наблюдения изменения температуры системы через определенные промежутки времени, что дает возможность при графическом изображении зависимости установить скачки и остановки падения температуры охлаждения (или плавления), соответствующие фазовым превращениям.— Прим. ред. [c.859]

Очистка перекристаллизацией основана на соотношении растворимостей солей при их кристаллизации из насыщенных растворов. Примесь в зависимости От ее растворимости на-ка1пливается в маточном растворе или выпадает в кристаллический осадок. [c.572]

Задача осложняется и тем, что при совместной кристаллизаций парафинов и церезинов вся твердая фаза В1ттиадает также в виде мелких игольчатых кристаллов. Даже небольшая примесь церезинов к парафинам (порядка 2—10%) приводит к тому, что последние кристаллизуются в тех же формах, что и церезины. Это явление объясняется, по П. И, Чериожукову, изоморфностью и полиморф-постью парафинов и церезинов. Изоморфные вещества обладают способностью образовывать смешанные кристаллы, в которых молекулы одного вещества входят в кристаллическую решетку другого. Полиморфные вещества в зависимости от условий кристаллизации образуют кристаллы различной формы. Полиморфизм парафинов доказан экспериментально. [c.389]

Из приведенных зависимостей видно, что оба выражения имеют максимум при определенном значении Т, Поскольку в выражение (14.1.1.6) АТ входит в степени 2, то максимум для должен быть сдвинут в область более низких температур. Для специально поставленных опытов закономерности процесса кристаллизации, предсказываемые теорией, подтверждаются на трифе-нилхлорсилане (см. рис. 14.1.1.4). К сожалению, для большинства веществ расчет V, и Vg дает только качественное согласие с экспериментом, что связано с неопределенностью значений коэффициентов и энергий акгивации, входящих в выражения (14.1.1.6) и (14.1.1.7). В действительности характер поведения многих веществ на стадии кристаллизации очень различается. Большое влияние на образование зародышей и рост кристаллов оказывают примеси. Присутствие механических примесей в виде мельчайших (микронных или субмикронных) взвешенных частиц в расплаве может сдвинуть процесс кристаллообразования в сторону меньшего переохлаждения. Последнее объясняется в [78] тем, что работа образования зародышей на готовой поверхности раздела меньше, чем работа образования в гомогенном объеме расплава. В то же время механизм образования зародышей в присутствии растворимых примесей совершенно иной. Растворенные примеси препятствуют возникновению зародышей, поскольку основное вещество в данном случае стремится оттеснить молекулы примеси и на границе зародыша их концентрация возрастает, что и требует уже большей величины переохлаждения. Различное влияние примесь оказывает и на скорость роста кристаллов. Присутствие примеси в расплаве, как правило, приводит к снижению скорости роста за счет возникновения дополнительного препятствия [81, 82]. Иногда она оказывает катализирующее действие [83] за счет дополнительного увеличения удельной поверхности растущего кристалла или за счет возникновения концентращюнного переохлаждения вблизи его поверхности. [c.304]

Уравнения (14) — (16) справедливы при соблюдении ряда условий (так называемых пфанновских приближений). Во-первых, коэффициент распределения — величина постоянная и не зависит от концентрации. Это отвечает предположению, что в диаграмме состояния системы основное вещество — примесь линия ликвидуса и отвечающая ей линия солидуса твердого раствора — прямые линии. Такое предположение оправдано только в области малых концентраций, и коэффициент распределения, вообще говоря, является функцией концентрации примеси. Во-вторых, ди( узия в твердой фазе настолько мала, что ею можно пренебречь. В-третьих примесь распределена по всему объему жидкой фазы равномерно. Так как фронт кристаллизации движется все-таки со скоростью, превышающей скорость диффузии примеси в расплаве, перед фронтом кристаллизации образуется слой, обогащенный примесью (когда коэффициент распределения меньше единицы), или, наоборот, обедненный примесью (когда ее коэффициент распределения больше единицы). Сод жание примеси в выделяющейся твердой фазе будет определяться ее концентрацией не во всем объеме расплава, а только в этом граничном слое. Поэтому реально наблюдаемый коэффициент распределения (так называемый эффективный коэффициент распределения — отношение концентрации примеси в твердой фазе к средней концентрации примеси в расплаве) будет отличаться от теоретического, определяемого диаграммой состояния. Значение эффективного коэффициента распределения всегда лежит между значением равновесного коэффициента и единицей. Эффективный коэффициент зависит от скорости кристаллизации, коэффициента диффузии примеси в расплаве и толщины диффузионного слоя, т. е. от условий перемешивания расплава в зоне. Эта зависимость определяется уравнением, выведенным Бартоном, Примом и Слихтером [93] [c.384]

Следует также отметить противоречивость экспериментальных данных Л. Н. Матусевича по фракционированию Ре + при кристаллизации алюмо-аммонийных квасцов в зависимости от интенсивности перемешивания для исходных концентраций этой примеси 0,2 г/л и 0,6 г/л [4]. Кроме того, им не учтено влияние изменения температуры в процессе проведения кристаллизации на конечный эффект фракционирования изоморфного микрокомпонента. Это имеет, в частности (как нами было показано [1, 2]), превалирующее значение для системы алюмоаммопийные квасцы — примесь Ре + —вода. [c.124]

Методика работы с хлоридами, находящимися при комнатной температуре в жидком состоянии, заключалась в следующем. Стеклянную пробирку, снабженную системой кранов и ампул для отбора проб, откачивали до остаточного давления 10 2 мм рт. ст. и заполняли исследуемым хлоридом (10—15 мл). Затем с помощью системы протяжки пробирку с заданной скоростью опускали в криостат, охлаждаемый жидким азотом (при проведении направленной кристаллизации треххлористого галлия, имеющего температуру плавления -f78° , пробирку с веществом помещали в электропечь криостат имел температуру, близкую к комнатной). Во всех опытах жидкая фаза подвергалась принудительному перемешиванию для обеспечения равномерного состава. Перемешивание осуществляли никелевой мешалкой, подвешенной в магнитном поле вращающегося кольцевого магнита. Процесс кристаллизации прекращали, когда оставалось незакрп-сталлизованным 5—10% вещества. Для смеси одного состава проводили серию опытов, меняя скорость кристаллизации и долю незакристаллизовавшейся жидкости. Эффективный коэффициент распределения вычисляли по известному уравнению [5], описывающему распределение примеси по длине слитка при направленной кристаллизации. Для определения равновесного коэффициента распределения проводили экстраполяцию зависимости эффективного коэффициента от скорости кристаллизации к нулевой скорости по уравнению Бартона— Прима — Слихтера [6]. [c.105]

Наиболее распространенным способом определения линий ликвидуса и солидуса является термический анализ. На рис. 1.6 изображены линия ликвидуса и кривые охлаждения, показывающие зависимость температуры первоначально расплавленного образца от. времени т. Кривая О относится к охлаждению чистого основного вещества. Вначале оно находится в виде расплава. Горизонтальная площадка отвечает кристаллизации расплава. При охлаждении расплава, содержащего примесь, по достижении температуры начала кристаллизации на кривой охлаждения наблюдается излом (кривая 1). Дальнейшее охлаждение приводит к кристаллизации основного вещества и накайливанию примеси в расплаве. В конечном итоге состав расплава становится равным эвтектическому. В этом месте на кривой охлаждения наблюдается горизонтальная площадка, обусловленная кристаллизацией эвтектики. В случае охлаждения расплава эвтектического состава (кривая 2) на кривой [c.9]

Согласно соотношениям (4.4.8) и (4.4.13) внешнекинетический режим можно выявить, сопоставляя значения при разных интервалах от момента введения примеси в раствор до начала кристаллизации (т. е. при разных временах старения раствора примеси). При малых временах старения раствора коэффициент захвата К будет близок к коэффициенту распределения исходной формы примеси, так как ее состояние в растворе не успеет измениться. Если же примесь ввести в раствор задолго до начала кристаллизации, то в растворе накапливаются формы, сорбирующиеся иначе, чем исходная, и значение изменится. Зависимость коэффициента от времени старения раствора служит признаком внешнекинетического режима. [c.124]

При изучении элементарного акта равновесного захвата исследуют [57] зависимость коэффициента распределения от концентрации примеси и кристаллизанта при постоянной температуре (изотерму сокристаллизации), а также температурную зависимость этого коэффициента при неизменной концентрации примеси (изо-стеру сокристаллизации). Данные об изотермах дают возможность определить, какова стехиометрия перехода молекул примеси и кристаллизанта в твердую фазу и, следовательно, как располагается примесь в кристаллической решетке. Изостера позволяет определить изменение свободной энергии при сокристаллизации, а значит получить представление о состоянии молекул примеси в твердой фазе, связанном с этой свободной энергией [58]. После этого изучают неравновесные состояния системы. При этом обычно устанавливают, зависит ли эффективный коэффициент захвата от скорости кристаллизации в условиях интенсивного перемешивания среды (при Ке > >10 ). Если такая зависимость обнаружена, то далее следует определить, не влияет ли на захват оствальдово созревание или диффузионное межфазовое перераспределение ранее захваченной примеси. Для этого, используя метод потоков, регистрируют изменение концентрации С примеси в среде в ходе сокристаллизации, причем в определенный момент процесса в систему вводят индикатор примеси и далее также наблюдают за его концентрацией С в среде. По данным об изменении концентрации примеси в среде до введения индикатора находят результирующий ноток примеси в твердую фазу в момент добавления индикатора [c.262]

Возможен также расчет коэффициентов распределения приме-еГхей при кристаллизации систем, образующих непрерывный ряд вердых растворов. Исследования изменения коэффициентов рас-ределения примесей в зависимости от концентрации раствора (бора и цинка в системе Ое—51 [12, 13], цинка и теллура в системах пАз—СаАз[14] и 1п5Ь—Оа5Ь [15]) позволили обнаружить отрицательное отклонение этой зависимости от аддитивности. Качественное рассмотрение наблюдаемых зависимостей может быть проведено в рамках термодинамики растворов. [c.17]

Обнаруженное изменение К по длине образца можно объяснить зависимостью коэффициента распределения от скорости перекристаллизации и зависимостью длины расплавленной зоны и скорости перемещения фронта кристаллизации от положения нагревателя. Резкое отличие кривой распределения 3 на рис. 46 б от остальных кривых, по-видимому, связано с тем, что условиям перемешивания расплава при кристаллизации больше соответствует модель Тиллера, чем модель Бартона, Прима и Слихтера. [c.111]

Как видно из этого рисунка, даже в случае интенсивного перемешивания расплава зависимости эффективного коэффициента распределения 0Т( скорости кристаллизации в полулогарифмических координатах не спрямляются, как это должно бы иметь место по формуле Бартона, Прима, Слихтера, в связи с чем нельзя воспользоваться этими зависимостями для определения равновесного коэффициента распределения. Отклонение приведенных зависимостей от линейных можно объяснить захватом маточного )асплава неплоской поверхностью раздела кристалл—расплав 4]. Наиболее близка к линейной эта зависимость в случае интенсивности перемешивания п — 1470 об/мин. Можно, по-видимому, предположить, что в этом случае поверхность раздела фаз близка к плоской. Тогда можно воспользоваться формулой (1) для оценки отношения бд/О, которое равно в данном случае 0,21-10. Экстраполяция зависимости эффективного коэффициента распределения от скорости кристаллизации при интенсивности перемене [c.16]

Анализируются различные варианты структуры участка диаграммы состояния системы основное вещество—примесь в области малых концентраций второго компонента. Устанавливается взаимосвязь вида диаграммы состояния о коэффициентом распределения и его концентрационной зависимостью при кристаллизации из расплава. Оценивается влияние рассмотренных факторов на эффективность процессов кристаллизационной очистки. Показывается целесообразность учета особенностей взаимного расположения линий фазового равновесия при выборе оптимального сочетания кристаллизации с другими мэтодами глубокой очистки. Иллюстраций 3. Библ. 9 назв. [c.265]

Более того, вс.тедствие неоднозначности определения степени кристалличности в зависимости от принятой методики можно получить для одного и того же полимера различные значения параметра п. Это было убедительно показано в работах Г. Л. Слонимского и Ю. К. Годовского (см. список дополнительной литературы в конце главы), которые параллельно использовали калориметрический и дилатометрический методы изучения процесса кристаллизации. Реальное или кажущееся противоречие , заключавшееся в зависимости параметра п от метода исследования, было объяснено тем, что различные методы чувствительны к разным степеням упорядоченности при кристаллизации. — Прим. ред. [c.220]

Согласно имеющимся оценкам [59], протяженность нестационарного участка в условиях, принятых Бартоном, Примом и Слихтером, невелика (/н 105). Вместе с тем, при кристаллизации слитка конечной длины из перемешиваемого расплава стационарный режим вообще не устанавливается [66] и поэтому уравнение (36) применимо лишь в точке перегиба на кривой реального распределения. Поэтому значительный интерес представляет полученная Мержановым и Аникиным [67] простая аналитическая зависимость к от / для нестационарного режима роста слитка конечной длины, применимая в области малых значений / [c.31]

Изложенная модель хорошо согласуется с рассмотренными в разд. 6.1.1. данными о зависимости коэффищ1ентов распределения от скорости кристаллизации и присутствия маскирующих добавок. Обнаруженный факт стремления к нулю эффективных коэффициентов распределения примесей [182] нельзя считать особенностью только ВСЭ. Близкие к нулю оценки получены авторами работ [187] для органических эвтектикообразующих систем и работы [194], посвященной кристаллизации Ва(МОз)2 с примесью РЬ(КОз)2 из водного раствора. В работе [195] показано, что при выращивании монокристаллов корунда примесь хрома при малых содержаниях почти не входит в кристаллическую решетку основного компонента, а лишь декорирует дефекты структуры. По-видимому, и в этом случае /с->0 при/ 0. Однако стремление к к нулю не означает, что при /= О примесь совершенно не будет захватываться твердой фазой. По мнению авторов работы [187] при этих условиях возможен небольшой захват примесей за счет механического растрескивания слитка вследствие тепловых напряжений и диффузии примеси по границам зерен поликристаллического слитка . Для практического использования важно лишь то, что при достаточно малых скоростях кристаллизации любых ВСЭ коэффициенты распределения всех примесей мало отличаются от нуля. [c.112]

Процесс роста кристалла сам по себе уже является отклонением от равновесных условий и количественно внедрение примесей в кристалл описывается не равновесным коэффициентом распределения, а некоторым эффективным коэффициентом распределения, который определяется как отношение концентрации примесей в твердой фазе к концентрации прикесей в жидкой фазе. Отклонение коэффициента распределения от его равновесного значения вызывается тем, что при направленной кристаллизации жидкая фаза уже не является гомогенной по своему составу. Для того чтобы установить зависимость величины эффективного коэффициента распределения примеси от условий выращивания кристалла, рассмотрим, что происходит на границе раздела между твердой и жидкой фазами. В начальный момент времени концентрация примеси С имеет одно и то же значение по всему объему расплава, если (как принимаем) примесь не испаряется из него. Введем в расплав монокристаллическую затравку из чистого исследуемого материала и начнем выращивание кристалла с некоторой небольшой скоростью. Примем, что коэффициент распределения примеси меньше единицы (К<1). Как только начинается рост кристалла, концентра-308 [c.308]

Сам ход кривых (/г — = [ (сх) наводит на мысль о том, что введенная в селитру примесь находится в ней в различном состоянии либо в виде самостоятельной фазы, либо входит в состав образующегося твердого раствора. Как видно из табл. VIII,3 и VIИ,4, подобное положение действительно имеет место. Примесь может быть введена в тот или иной кристаллический продукт по крайней мере двумя путями — либо механическим смешиванием, либо в ходе кристаллизации расплава или из раствора. В зависимости от способа введения действие примесей на гигроскопическую точку различно. [c.145]

Из приведенных данных видно, что в зависимости от способа введения влияние примесей на оказывается различным нэ только в количественном, но и в качественном отношении. Причина этого явления связана прежде всего с различным фазовым составом продукта. При механическом смешении кристаллы примеси составляют самостоятельную твердую фазу. При кристаллизации же возможны различные варианты перехода примеси в твердую фазу [10, 21, 22 ]. Часть ее может выделяться в виде само тоя-тельных кристаллов, часть — образовывать с кристаллизующимся веществом различного рода твердые растворы и, наконец, примесь может адсорбироваться на поверхности образовавш хся кристаллов продукта. [c.145]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология